CN117666183A - 防窥面板、母板以及防窥面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种防窥面板，防窥面板具有主动区以及设置在主动区外的周边区，且防窥面板包括第一基板、第二基板、第一透明导电层、第二透明导电层以及防窥介质层。第二基板与第一基板相对设置。第一透明导电层与第二透明导电层设置在第一基板与第二基板之间，并分别直接接触于第一基板与第二基板，其中第一透明导电层包括第一防窥电极与第一对位标记，第二透明导电层包括第二防窥电极，第一防窥电极与第二防窥电极设置在主动区内，第一对位标记设置在周边区中。防窥介质层设置在第一防窥电极与第二防窥电极之间。

Description

防窥面板、母板以及防窥面板的制作方法

技术领域

本发明涉及一种防窥面板、母板以及防窥面板的制作方法，特别是涉及一种能降低制造成本与缩短制造时间的防窥面板、母板以及防窥面板的制作方法。

背景技术

电子装置为现今不可或缺的产品，其中具有显示功能的电子装置，例如荧幕、笔记本电脑(notebook)、智能手机(smart phone)、穿戴装置、智能手表以及车用显示屏等，也已被广泛地使用在许多地方。近年来，具有显示功能的电子装置整合了防窥功能，使得使用者难以在电子装置所设计的观看范围之外观看电子装置所显示的信息，以提升隐蔽性与安全性。举例来说，可将防窥面板设置在电子装置中，以使电子装置具有防窥功能。近年来，业界致力调整防窥面板中的结构与制造工艺，以期降低防窥面板的成本及/或缩短防窥面板的制造时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防窥面板、母板以及防窥面板的制作方法，其通过由透明导电材料所制的对位标记对来进行对位，以降低制造成本与缩短制造时间。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种防窥面板，防窥面板具有主动区以及设置在主动区外的周边区，且防窥面板包括第一基板、第二基板、第一透明导电层、第二透明导电层以及防窥介质层。第二基板与第一基板相对设置。第一透明导电层设置在第一基板与第二基板之间，并直接接触于第一基板，其中第一透明导电层包括第一防窥电极与第一对位标记，第一防窥电极设置在主动区内，且第一对位标记设置在周边区中。第二透明导电层设置在第一基板与第二基板之间，并直接接触于第二基板，其中第二透明导电层包括第二防窥电极，且第二防窥电极设置在主动区中。防窥介质层设置在第一防窥电极与第二防窥电极之间。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种母板，其包括多个上述的防窥面板。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种防窥面板的制作方法，其包括：在第一大板上形成第一透明导电膜；图案化第一透明导电膜以形成第一透明导电层，其中第一透明导电层包括第一防窥电极与对位标记，第一防窥电极位于第一大板的防窥面板区中，且对位标记位于第一大板的非防窥面板区中或防窥面板区中；在第二大板上形成第二透明导电膜；图案化第二透明导电膜以形成第二透明导电层，其中第二透明导电层包括第二防窥电极，且第二防窥电极位于第二大板的防窥面板区中；以及组立第一大板与第二大板以形成母板，其中防窥介质层设置在第一防窥电极与第二防窥电极之间。

本发明以两个透明导电层取代不透光层来分别作为两个基板的第一道膜层，且两个透明导电层的至少一个包括对位标记，因此，相对于传统的防窥面板，本发明的防窥面板的膜层数较少，以减少图案化工艺的次数，进而降低制造成本。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的防窥面板的俯视示意图。

图2所示为沿图1的A-A’剖线的剖面示意图。

图3所示为本发明第一实施例的防窥显示装置在第一状态下与第二状态下的剖面示意图。

图4所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的光穿透率与透明导电层的光反射率的关系示意图。

图5所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的穿透光的a*与透明导电层的反射光的a*的关系示意图。

图6所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的穿透光的b*与透明导电层的反射光的b*的关系示意图。

图7所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度与透明导电层的片电阻值的关系示意图。

图8所示为设备撷取本发明的对位标记的示意图。

图9至图11为本发明第一实施例的防窥面板的制造方法在不同阶段时的结构的示意图。

图12所示为本发明第二实施例的防窥面板的剖面示意图。

图13所示为本发明第三实施例的防窥面板的透明导电层与框胶层的俯视示意图。

图14所示为本发明第三实施例的防窥面板的俯视示意图。

图15所示为沿图14的B-B’剖线的剖面示意图。

图16所示为沿图14的C-C’剖线的剖面示意图。

附图标记说明：10-防窥显示装置；100、200、300-防窥面板；100m-母板；110、150-基板；110M、150M-大板；120、140-透明导电层；122、142- 防窥电极；122a-第一部分；122b-第二部分；130-防窥介质层；162、164-配向膜；170-间隙物；172-主间隙物；174-子间隙物；272-球状间隙物；AM-对位标记；AM1-第一对位标记；AM2-第二对位标记；AM3-第三对位标记；AM4- 第四对位标记；AR-主动区；BL-背光模块；CE1-第一连接电极；CE2-第二连接电极；CP-导电粒子；DP-显示面板；NH-缺口；NR-非防窥面板区；P1、 P2-接垫；PR-周边区；R-防窥面板区；S1-第一电信号；S2-第二电信号；SL- 框胶层；VA1-第一视角范围；VA2-第二视角范围；X、Y、Z-方向。

具体实施方式

为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关的元件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的元件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的元件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。

在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。

在下文说明书与权利要求书中，当“A1构件由B1所形成”，则表示A1 构件的形成存在有B1或使用B1，且A1构件的形成不排除一个或多个其他的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在或使用。

在下文说明书与权利要求书中，术语“水平方向”表示为平行于水平面的方向，术语“水平面”表示为平行于附图中方向X与方向Y的表面，术语“铅直方向”表示为平行于附图中方向Z的方向，且方向X、方向Y与方向 Z彼此垂直。在说明书与权利要求书中，术语“俯视”表示沿着铅直方向的观看结果，术语“剖面”表示结构沿着铅直方向切开并由水平方向观看的观看结果。

在说明书与权利要求书中，术语“平行”表示是指两个构件之间的夹角可小于或等于特定角度，例如5度、3度或1度。

在下文说明书与权利要求书中，术语“重叠”表示两个构件在方向Z上的重叠，且在未指明的情况下，术语“重叠”包括部分重叠或完全重叠，其中两个构件可彼此直接接触或两个构件之间存在有间隔件。

说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

本发明的防窥面板可搭配显示面板使用，防窥面板可用以调整显示面板的出光路径或是调整显示面板的入光路径，以形成具有防窥功能的显示装置，其中所形成的显示装置可为任何适合类型的显示器。举例而言，显示装置的显示面板可为非自发光的显示面板或自发光式的显示面板，其中非自发光的显示面板举例可为液晶显示面板(LiquidCrystal Display,LCD)、电泳显示面板或其他适合的显示面板，自发光式的显示面板举例可包括发光二极管(light emitting diode,LED)，例如有机发光二极管(organic light-emitting diode, OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode,inorganicLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微型发光二极管(micro-LED)、量子点发光二极管(QLED、QDLED)或其他适合的发光二极管，但不以此为限。防窥面板的形状可为多边形(如，矩形)、具有曲线边缘的形状(如，圆形、椭圆形)或其他适合的形状，但不以此为限。

请参考图1至图3，图1所示为本发明第一实施例的防窥面板的俯视示意图，图2所示为沿图1的A-A’剖线的剖面示意图，图3所示为本发明第一实施例的防窥显示装置在第一状态下与第二状态下的剖面示意图。如图1所示，防窥面板100可具有主动区AR以及设置在主动区AR的至少一外侧的周边区PR，其中主动区AR可具有防窥功能，而用以辅助主动区AR的元件 (例如，用以电连接驱动电路的接垫及/或连接电极)以及用以接合防窥面板 100的两个基板的框胶层可设置在周边区PR内。举例而言，周边区PR可环绕主动区AR，但不以此为限。

防窥面板100可包括基板110与基板150，其中两个基板110、150彼此相对设置。两个基板110、150的材料可彼此相同或不相同，且两个基板110、 150可各自为硬质基板或可挠式基板，并可依据其类型而对应包含例如玻璃、塑料、石英、蓝宝石、聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯 (Polyethylene Terephthalate,PET)、其他适合的材料或其组合，但不以此为限。另外，两个基板110、150的形状与尺寸可依据需求而设计。举例而言，在图 1中，基板150的尺寸可大于基板110的尺寸，而用以电连接驱动电路的接垫(图未示)可设置于基板150中未被基板110覆盖的区域。

须说明的是，基板110、150可分别为上基板与下基板或分别为下基板与上基板。另外，基板亦可分别称为第一基板与第二基板或分别称为第二基板与第一基板。另外，基板110、150的法线方向可平行于方向Z。

如图2所示，防窥面板100可包括防窥介质层130，设置在两个基板110、 150之间。在本发明中，防窥介质层130可包括任何适合的介质材料。在本实施例中，防窥介质层130所包含的介质材料可通过任何适合的方式来调整防窥状态，以使防窥面板100具有防窥效果。在一些实施例中，可通过电场及/或电信号控制防窥介质层130的防窥状态。举例而言，防窥介质层130可包括液晶材料，但不以此为限。

在本发明中，用以控制防窥介质层130的防窥电极可依据需求而设计。举例而言，用以控制防窥介质层130的多个防窥电极可设置在防窥介质层130 的相对侧(即，防窥介质层130设置在两个相对的防窥电极之间)。在下文中，用以控制防窥介质层130的防窥电极以设置在防窥介质层130的相对侧为例进行说明。

在图1与图2中，防窥面板100可包括透明导电层120与另一个透明导电层140，其中两个透明导电层120、140设置在两个基板110、150之间。举例而言，防窥介质层130可设置在两个透明导电层120、140之间，但不以此为限。在图2中，透明导电层120可直接接触于基板110，而透明导电层 140可直接接触于基板150，也就是透明导电层120为设置在基板110上的第一道膜层，而透明导电层140为设置在基板150上的第一道膜层。因此，透明导电层120中所包含的元件都可直接接触于基板110，透明导电层140中所包含的元件都可直接接触于基板150。须说明的是，透明导电层120、140 可分别称为第一透明导电层与第二透明导电层或分别称为第二透明导电层与第一透明导电层。

在本发明中，透明导电层120、140的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、其他适合的透明导电材料或其组合。举例而言，本实施例的透明导电层120、140可包括氧化铟锡，但不以此为限。

如图2所示，透明导电层120可包括设置在主动区AR内的至少一防窥电极122，且透明导电层140可包括设置在主动区AR内的至少一防窥电极 142，其中防窥电极122、142用以控制在主动区AR内的防窥介质层130的防窥状态。

在本发明中，防窥电极122、142的数量可依据需求而设计。举例而言，在图1与图2中，防窥面板100的防窥电极122的数量与防窥电极142的数量可都为1，且防窥电极122、142的任一个的至少一部分可设置在防窥面板 100的主动区AR的全部区域中，也就是主动区AR的全部区域完全重叠防窥电极122、142，使得防窥电极122、142可对整个主动区AR中的防窥介质层 130的状态进行控制，以控制防窥面板100处于防窥状态或非防窥状态，但不以此为限。举例而言(图未示)，防窥电极122的数量及/或防窥电极142 的数量可大于1，使得防窥电极122、142可分别对所对应部分的防窥介质层 130的状态进行控制，以使防窥面板100可分区防窥，但不以此为限。

防窥电极122、142可依据所接收到的电信号而产生对应的电场，而防窥介质层130中的材料(如，液晶分子)则会根据电场而对应变化(如，旋转)，以调整防窥介质层130的状态。在本实施例中，防窥介质层130可在第一状态(或称为防窥开启状态)与第二状态(或称为防窥关闭状态)之间切换，其中防窥介质层130在第一状态时防窥面板100具有防窥功能(即，防窥面板100处于隐私模式)，防窥介质层130在第二状态时防窥面板100不具有防窥功能(即，防窥面板100处于分享模式)。当防窥介质层130在第一状态时，可对射入防窥介质层130的光线进行调整及/或筛选，以使从防窥介质层130射出的光线的路线被限制在特定角度及/或特定范围内，但不以此为限。举例而言，在防窥功能进行的状况下，当使用者的观看视线与配置有防窥面板100的显示装置的出光面的法线方向(如，方向Z)之间的角度大于一特定角时，则使用者无法看到此显示装置的显示画面。当防窥介质层130在第二状态时，防窥功能被关闭，使得从防窥介质层130射出的光线的路线的范围大于第一状态的范围，也就是第二状态的视角范围大于第一状态的视角范围。

如图3所示，防窥显示装置10包括显示面板DP、防窥面板100与背光模块BL，且防窥面板100用以调整显示面板DP的出光的光线路径。在本实施例中，显示面板DP位于防窥面板100与背光模块BL之间，但不以此为限。在另一些实施例中，防窥面板100可位于显示面板DP与背光模块BL之间，以调整显示面板DP的入光的光线路径。此外，在显示面板DP为自发光式的显示面板的实施例中，防窥显示装置10可不包括背光模块BL，且防窥面板 100位于显示面板DP的出光侧。当防窥面板100处于第二状态时，使用者可在第一视角范围VA1内观看防窥显示装置10显示的画面(即，防窥显示装置10具有第一视角范围VA1)，而当防窥面板100处于第一状态时，使用者可在第二视角范围VA2内观看防窥显示装置10显示的画面，其中第一视角范围VA1大于第二视角范围VA2(即，防窥显示装置10具有第二视角范围VA2)。

在防窥显示装置10中，显示面板DP包括多条栅极线、多条数据线与多个像素。各个像素电连接对应的栅极线与数据线，其中各个像素例如可包括薄膜晶体管与像素电极。多条栅极线电连接栅极驱动电路，多条数据线电连接源极驱动电路，源极驱动电路传送画面信号至各个像素中以显示对应的画面。而防窥显示装置10中的防窥面板100是用来调整显示面板DP的入光或出光的光线路径，以调整防窥显示装置10的视角范围。在图1与图2的实施例中，防窥电极122、142的任一个的至少一部分可设置在防窥面板100的主动区AR的全部区域中，也就是在防窥显示装置10中，防窥电极122、142 的任一个重叠显示面板DP的所有像素的区域。而在防窥面板100的防窥电极122的数量及防窥电极142的数量皆大于1以进行分区防窥的实施例中，防窥电极122、142的任一个可重叠显示面板DP的多个像素的区域。

如图2所示，防窥面板100可包括两个配向膜162、164，以对防窥介质层130进行配向，其中配向膜162设置在透明导电层120(防窥电极122)与防窥介质层130之间，配向膜164设置在透明导电层140(防窥电极142)与防窥介质层130之间。在本实施例中，配向膜162、164可设置在防窥面板 100的主动区AR的全部区域中。配向膜162、164可包括任何适合用以配向的材料，举例而言，配向膜162、164可包括聚酰亚胺(PI)，但不以此为限。

如图2所示，防窥面板100可包括多个间隙物170，设置在两个基板110、 150之间，其中间隙物170用以分离两个基板110、150，并在两个基板110、 150之间产生间隙，以使防窥介质层130得以设置在两个基板110、150之间的间隙中。举例而言，在图2中，间隙物170可设置在两个透明导电层120、 140(两个防窥电极122、142)之间，但不以此为限。举例而言，间隙物170 可设置在主动区AR及/或周边区PR中，但不以此为限。另外，间隙物170 可包括任何适合的绝缘材料。举例而言，间隙物170可包括光阻、树酯、其他适合的绝缘材料或其组合，但不以此为限。举例而言，在图2中，间隙物170可先形成在基板110上，而当两个基板110、150组立之后，间隙物170 可存在于两个基板110、150之间，但不以此为限。在一些实施例中，间隙物 170可先形成在基板150上，而当两个基板110、150组立之后，间隙物170 可存在于两个基板110、150之间。

在图2中，间隙物170可包括主间隙物172与子间隙物174，其中主间隙物172的高度大于子间隙物174的高度。在另一些实施例中，间隙物170 可包括主间隙物172，但不包括子间隙物174。在本实施例中，主间隙物172 的高度等于或近似于两个基板110、150之间的间隙，使得主间隙物172可在两个基板110、150之间提供支撑力并维持两个基板110、150之间的间隙。在本实施例中，基板150与子间隙物174之间可存在有空隙，以预留基板110 及/或基板150受力时的变形空间。

在本实施例中，防窥面板100还可包括框胶层(图未示)，设置并黏着在两个基板110、150之间，以组立两个基板110、150，其中框胶层可设置在周边区PR内。举例而言，框胶层可环绕主动区AR，但不以此为限。另外，框胶层可包括任何适合的黏着材料。举例而言，框胶层可包括硅氧材料 (silicone material)、环氧材料(epoxide)、其他适合的黏着材料或其组合，但不以此为限。在本实施例中，框胶层可包括导电粒子或不包括导电粒子。

在本发明中，防窥面板100还可依据需求包括任何适合的膜层、元件与结构。在一些实施例中，防窥面板100还可包括光学膜层，例如抗反射膜、增亮膜、偏光片或其他适合的光学膜层，而此些光学膜层可依据各自的需求而设置在适合的位置。举例而言，光学膜层(如，偏光片)可设置在基板110 相反于防窥介质层130的一侧及/或设置在基板150相反于防窥介质层130的一侧，但不以此为限。

在本发明中，周边区PR可设置有对位标记AM，以作为制造防窥面板 100时的对位基准。举例而言，对位标记AM可为膜层贴附的对位标记(如，贴附抗反射膜、增亮膜、偏光片等光学膜层的对位标记)、耦接芯片或电路板的对位标记(如，将芯片或软性电路板耦接位于基板150上的接垫时的对位标记)、形成膜层或结构的对位标记(如，形成配向膜162、164、间隙物 170、框胶层等的对位标记)、膜层图案化的对位标记、切割的对位标记、组立两个基板110、150的对位标记、其他适合的对位标记或其组合。防窥面板 100的制造方法与制造工艺会在后续详细说明。

在本发明中，对位标记AM可由透明导电层120、140所形成(即，对位标记AM可被包括在透明导电层120、140内)。如图1与图2所示，透明导电层120可包括设置在周边区PR中且直接接触基板110的第一对位标记 AM1，及/或透明导电层140可包括设置在周边区PR中且直接接触基板150 的第二对位标记AM2，其中第一对位标记AM1的数量与第二对位标记AM2的数量可依据需求而设计。在图1中，第一对位标记AM1可邻近于基板110 的角落，第二对位标记AM2可邻近于基板150的角落，但不以此为限。举例而言，在图1中，第一对位标记AM1的数量与第二对位标记AM2的数量可都为四个，但第一对位标记AM1与第二对位标记AM2的数量不以此为限。两个第一对位标记AM1(如，位于图1中基板110上部的两个第一对位标记AM1)可在方向Z上分别重叠(如，完全重叠及/或完全重合)于两个第二对位标记AM2(如，位于图1中基板150上部的两个第二对位标记AM2)，另两个第一对位标记AM1(如，位于图1中基板110下部的两个第一对位标记AM1)可在方向Z上不重叠于第二对位标记AM2，另两个第二对位标记 AM2(如，位于图1中基板150下部的两个第二对位标记AM2)可在方向Z 上不重叠于第一对位标记AM1，但第一对位标记AM1与第二对位标记AM2 的位置不以此为限。在一些实施例中，第一对位标记AM1可在方向Z上均不重叠于第二对位标记AM2。此外，在一些实施例中，防窥面板100可仅包括第一对位标记AM1但不包括第二对位标记AM2，或是防窥面板100可仅包括第二对位标记AM2但不包括第一对位标记AM1。

在本发明中，对位标记AM的形状可为多边形(如，矩形、十字形、回字形、L字形)、具有曲线边缘的形状(如，圆形、椭圆形、同心圆形)或其他适合的形状。本发明不限制对位标记AM的形状。举例而言，图1所示的第一对位标记AM1与第二对位标记AM2是以矩形为例，但不以此为限。第一对位标记AM1与第二对位标记AM2的形状可彼此相同或不同。

举例而言，图1所示的第一对位标记AM1与第二对位标记AM2可为膜层贴附的对位标记(如，贴附抗反射膜、增亮膜、偏光片等光学膜层的对位标记)、耦接芯片或电路板的对位标记(如，将芯片或软性电路板耦接位于基板150上的接垫时的对位标记)、形成膜层或结构的对位标记(如，形成配向膜162、164、间隙物170、框胶层等的对位标记)、膜层图案化的对位标记、切割的对位标记、其他适合的对位标记或其组合并可选择性地为组立两个基板110、150的对位标记，但不以此为限。

举例而言，第一对位标记AM1与第二对位标记AM2可为贴附偏光片的对位标记。在贴附偏光片的工艺中，可对准第一对位标记AM1以在位于基板 110相反于防窥介质层130的一侧贴附一偏光片，且可对准第二对位标记AM2 以在位于基板150相反于防窥介质层130的一侧贴附另一偏光片。或是第二对位标记AM2可为耦接软性电路板的对位标记，在耦接软性电路板的工艺中，可对准第二对位标记AM2以将软性电路板耦接设置在基板150上的接垫。

在本发明中，根据薄膜光学原理，通过透明导电层120、140(对位标记 AM)的厚度设计，使得对位标记AM具有所需的光学特性，而制造工艺中所使用的设备可因为对位标记AM的光学特性而读取到对位标记AM，使得制造工艺中所使用的设备可通过由透明导电层120、140所制的对位标记AM 来进行对位。在本实施例中，可通过透明导电层120、140(对位标记AM) 的厚度设计，使得穿透过对位标记AM的穿透光具有所需的颜色，及/或由对位标记AM反射的反射光具有所需的颜色，使得制造工艺中所使用的设备可通过穿透光及/或反射光而读取到对位标记AM，进而通过由透明导电层120、 140所形成的对位标记AM来进行对位。举例而言，当穿透过对位标记AM 的穿透光具有设备的对位标记辨识模块所能辨识的颜色及/或由对位标记AM 反射的反射光具有设备的对位标记辨识模块所能辨识的颜色时，制造工艺中所使用的设备可依据穿透光及/或反射光而侦测出黑色或灰色的对位标记 AM，使得制造工艺中所使用的设备可通过由透明导电层120、140所形成的对位标记AM来进行对位，但不以此为限。

当制造工艺中所使用的设备以穿透过对位标记AM的穿透光来侦测(读取)对位标记AM的位置时，设备的光发射端与光接收端可分别位于对位标记AM的相对两侧。当制造工艺中所使用的设备以由对位标记AM反射的反射光来侦测(读取)对位标记AM的位置时，设备的光发射端与光接收端可分别位于对位标记AM的相同侧。但设备的对位标记辨识模块的光发射端与光接收端的配置方式不以此为限。在一些实施例中，设备可同时以穿透过对位标记AM的穿透光以及由对位标记AM反射的反射光来侦测(读取)对位标记AM的位置。

须说明的是，由于是根据薄膜光学原理来设计透明导电层120、140(对位标记AM)的厚度，因此，透明导电层120、140的厚度可小于或等于 (埃，10-10公尺(m))，但不以此为限。此外，透明导电层120、140的厚度小于或等于/>亦可避免图案化透明导电层120、140的工艺难度增加与成本增加。

下文将详细说明透明导电层120、140(对位标记AM)的厚度的设计，但本发明的透明导电层120、140(对位标记AM)的厚度不以下文所述的范围为限。

请参考图4至图8，图4所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的光穿透率与透明导电层的光反射率的关系示意图，图5所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的穿透光的a*与透明导电层的反射光的a*的关系示意图，图6所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度、透明导电层的穿透光的b*与透明导电层的反射光的b*的关系示意图，图7所示为本发明一实施例的透明导电层的厚度与透明导电层的片电阻值的关系示意图，图8所示为设备撷取本发明的对位标记的示意图。图4至图7 所示的透明导电层的光学特性与片电阻值是以由氧化铟锡所形成的透明导电层为例进行说明，但本发明的透明导电层的材料、光学特性与片电阻值不以此为限。须说明的是，根据CIE L*a*b*颜色模型，a*>0表示颜色表现偏向红色，a*<0表示颜色表现偏向绿色，b*>0表示颜色表现偏向黄色，b*<0表示颜色表现偏向蓝色。

如图4所示，透明导电层120、140的光穿透率与光反射率会依据其厚度的变化而对应改变。举例而言(如图4所示)，当透明导电层的厚度大于且小于(即，/><厚度< />)，且n_R为0、1、2或3时，透明导电层的光穿透率可小于透明导电层的光反射率；当透明导电层的厚度大于且小于/>(即，/><厚度<)，且n_T为0、 1或2时，透明导电层的光穿透率可大于透明导电层的光反射率，但不以此为限。

如图5所示，根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层120、140(对位标记AM)的穿透光的a*与由透明导电层120、140(对位标记AM)反射的反射光的a*会依据透明导电层120、140(对位标记AM)的厚度的变化而对应改变。举例而言(如图5所示)，当透明导电层(对位标记AM)的厚度大于且小于/>(即，/><厚度< />)，且n₁为0、1、2或3，则根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层(对位标记AM)的穿透光的a*大于0，由透明导电层(对位标记AM)反射的反射光的a*小于0，但不以此为限。举例而言(如图5所示)，当透明导电层(对位标记AM)的厚度大于且小于/>(即，/><厚度</>)，且n₂为0、 1、2或3，则根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层(对位标记AM) 的穿透光的a*小于0，由透明导电层(对位标记AM)反射的反射光的a*大于0，但不以此为限。

如图6所示，根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层120、140(对位标记AM)的穿透光的b*与由透明导电层120、140(对位标记AM)反射的反射光的b*会依据透明导电层120、140(对位标记AM)的厚度的变化而对应改变。举例而言(如图6所示)，当透明导电层(对位标记AM)的厚度大于且小于/>(即，/><厚度< />)，且n₃为0、1、2、3或4，则根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层(对位标记AM)的穿透光的b*大于0，由透明导电层(对位标记AM)反射的反射光的b*小于0，但不以此为限。举例而言(如图6 所示)，当透明导电层(对位标记AM)的厚度大于且小于/>(即，/><厚度</>)，且n₄为0、1、 2或3，则根据CIE L*a*b*颜色模型，穿透过透明导电层(对位标记AM)的穿透光的b*小于0，由透明导电层(对位标记AM)反射的反射光的b*大于 0，但不以此为限。

根据图4、图5与图6以及上述透明导电层的厚度与光穿透率、光反射率、光线颜色之间的对应关系，基于制造工艺中所使用的设备侦测光的方式以及对于各强度与各颜色的光线的读取率，可依据光线的强度与颜色需求而对应设计透明导电层120、140的厚度。在一些实施例中，设备对于穿透过透明导电层120、140(对位标记AM)的穿透光的颜色或由透明导电层120、 140(对位标记AM)反射的反射光的颜色具有高读取率。举例而言，如图5 与图6所示，透明导电层(对位标记AM)的厚度可大于或等于且可小于或等于且n₅为0、1、2、3、4或5，使得以穿透过对位标记AM的穿透光来侦测(读取)对位标记AM的位置的多数设备、以由对位标记AM反射的反射光来侦测(读取)对位标记AM的位置的多数设备、以及以由对位标记AM反射的反射光与穿透过对位标记AM的穿透光来侦测(读取)对位标记AM的位置的多数设备都可侦测(读取)到此对位标记AM的位置(如，设备侦测到的对位标记AM为灰色图案)，也就是本发明的对位标记AM可适用于制作防窥面板100的各工艺步骤的各种设备(如，以穿透光来侦测对位标记AM的设备、以反射光来侦测对位标记AM的设备、以及以穿透光与反射光来侦测对位标记AM的设备)，但不以此为限。

如图8所示，在本发明中，依据图4至图7选择优选的透明导电层的厚度，设备可成功辨视本发明的对位标记(如，图8中设备显示OK)。在图8 中，透明导电层的材料包括氧化铟锡，透明导电层的厚度对位标记 AM的形状为十字形且呈现灰色。

如图7所示，在相同结构的情况下，当透明导电层120、140的厚度越大，透明导电层120、140的片电阻值就越小，使得驱动透明导电层120、140内的结构的驱动电压可以越低，以达到省电及/或低产热等效果。因此，在一些实施例中，透明导电层120、140的厚度可大于一特定数值，以降低驱动电压。举例而言(如图7所示)，由氧化铟锡所形成的透明导电层120、140的厚度可大于或等于使得透明导电层120、140的片电阻值小于或等于500Ω/ □，但不以此为限。

在一些实施例中，若没有驱动电压的考量，透明导电层120、140的厚度可大于或等于但不以此为限。须说明的是，若没有驱动电压的考量，并考量适用于薄膜光学原理的厚度，透明导电层120、140的厚度可大于或等于/>且小于或等于/>但不以此为限。

请参考图9至图11，并同时参考图1，图9至图11为本发明第一实施例的防窥面板的制造方法在不同阶段时的结构的示意图，而图1为制造方法完成后的本发明第一实施例的防窥面板100，其中图9至图11所绘示的各防窥面板区R为预计形成一个防窥面板100的区域，而防窥面板区R以外的区域定义为非防窥面板区NR。须说明的是，本发明的制造方法可制造包括至少一个防窥面板100的母板，而下文以制造包括六个防窥面板100的母板为例进行说明，但本发明不限制一个母板中的防窥面板100的个数。须说明的是，本发明的制造方法不以下文与附图为限。在一些实施例中，可在制造方法的现有步骤之一的之前或之后加入任何其他适合的步骤，及/或部分步骤可同时进行或分开进行。

在下述制造方法中，形成膜层及/或结构的工艺可包括原子层沉积(atomic layerdeposition,ALD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)、涂布工艺、其他适合的工艺或其组合。图案化工艺可例如包括光刻 (photolithography)工艺、光刻工艺及蚀刻工艺(etching process)的组合、任何其他适合的工艺或其组合，其中蚀刻工艺可为湿蚀刻工艺、干蚀刻工艺、任何其他适合的蚀刻工艺或其组合。

如图9所示，提供大板110M与大板150M，其中大板110M可包括多个防窥面板100的基板110(图9绘示六个基板110为例)，大板150M可包括多个防窥面板100的基板150(图9绘示六个基板150为例)。具体来说，各个防窥面板100的基板110为大板110M的一部分，且各个防窥面板100 的基板150为大板150M的一部分。大板110M、150M的材料可分别相同于基板110、150，也就是说，大板110M、150M可依据其类型(如，硬质大板或可挠式大板)而对应包含例如玻璃、塑料、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、其他适合的材料或其组合，但不以此为限。

须说明的是，大板110M、150M可分别为上大板与下大板或分别为下大板与上大板。另外，大板110M、150M亦可分别称为第一大板与第二大板或分别称为第二大板与第一大板。另外，大板110M、150M的法线方向可平行于方向Z。

如图9所示，在大板110M上形成透明导电膜，并通过图案化工艺来图案化透明导电膜以形成透明导电层120，并且，在大板150M上形成透明导电膜，并通过另一图案化工艺来图案化透明导电膜以形成透明导电层140，其中透明导电层120可直接接触大板110M，透明导电层140可直接接触大板150M，也就是透明导电层120为设置在大板110M上的第一道膜层，而透明导电层140为设置在大板150M上的第一道膜层。举例来说，上述的图案化工艺可包括于透明导电膜上形成光刻胶，然后使用光掩膜(Photo Mask)对光刻胶曝光，光刻胶显影后形成具有开口的光刻胶，且光刻胶的开口显露部分透明导电膜，接下来通过蚀刻移除部分透明导电膜以图案化透明导电膜形成透明导电层120或透明导电层140。具体来说，上述图案化工艺为在大板 110M或大板150M上进行的第一道使用光掩膜的图案化工艺。

如上文所述，透明导电层120可包括防窥电极122与第一对位标记AM1，透明导电层140可包括防窥电极142，其中透明导电层140可依据需求而还包括第二对位标记AM2。防窥电极122、142、第一对位标记AM1与第二对位标记AM2的详细内容可参考上文，在此不重复赘述。

此外，如图9所示，透明导电层120还可选择性地包括直接接触大板110M 的第三对位标记AM3(即，第一对位标记AM1与第三对位标记AM3于相同制造工艺中同时制作形成)，透明导电层140还可选择性地包括直接接触大板150M的第四对位标记AM4(即，第二对位标记AM2与第四对位标记AM4 于相同制造工艺中同时制作形成)，其中第三对位标记AM3与第四对位标记 AM4可设置在非防窥面板区NR，且第三对位标记AM3的数量与第四对位标记AM4的数量可依据需求而设计。

第三对位标记AM3与第四对位标记AM4的排列、位置、数量与形状可依据需求而设计。举例而言，如图9所示，第三对位标记AM3的数量与第四对位标记AM4的数量可都为八个，但不以此为限。举例而言，如图9所示，第三对位标记AM3可邻近于大板110M的角落并排列成L字形，第四对位标记AM4可邻近于大板150M的角落并排列成L字形，但不以此为限。举例而言，图9所示的第三对位标记AM3与第四对位标记AM4可都为矩形，但第三对位标记AM3与第四对位标记AM4的形状不以此为限。此外，第三对位标记AM3与第四对位标记AM4的形状可彼此相同或不同。

举例而言，图9所示的第三对位标记AM3与第四对位标记AM4可为组立两大板110M、150M的对位标记，但不以此为限。可选择地，图9所示的第三对位标记AM3与第四对位标记AM4可为膜层贴附的对位标记(如，贴附抗反射膜、增亮膜、偏光片等光学膜层的对位标记)、形成膜层或结构的对位标记(如，形成配向膜162、164、间隙物170、框胶层等的对位标记)、膜层图案化的对位标记、切割的对位标记、其他适合的对位标记或其组合。

在第三对位标记AM3与第四对位标记AM4为组立两大板110M、150M 的对位标记的实施例中，在进行组立两个大板110M、150M的工艺步骤时，可对准第三对位标记AM3与第四对位标记AM4，然后再组立两个大板110M、 150M，但不以此为限。举例而言，第三对位标记AM3与第四对位标记AM4 形状可分别为矩形与具有中空区域的回字形，在组立两个大板110M、150M 的工艺中，可对准第三对位标记AM3与第四对位标记AM4(如，矩形的第三对位标记AM3位于回字形的第四对位标记AM4的中空区域中)，然后再组立两个大板110M、150M，但不以此为限。

须说明的是，图9中的透明导电层120、140的图案为例示，并非限制本发明。举例而言，在一些实施例中，透明导电层140还可包括用于分别传送电信号至防窥电极122、142的连接电极及/或用以电连接芯片或电路板的接垫(图未示)。此外，在一些实施例中，防窥电极122可还具有重叠于框胶层的缺口(图未示)以避免防窥电极122、142通过具有导电粒子的框胶层短路。

如图10所示，在组立两个大板110M、150M之前，可在大板110M上形成多个间隙物170，但不以此为限。间隙物170可包括如图2所示的主间隙物172与子间隙物174，或是包括主间隙物172但不包括子间隙物174。在另一些实施例中，在组立两个大板110M、150M之前，可在大板150M上形成多个间隙物170。在本发明中，可以任何适合的方式形成间隙物170。举例而言，可先在大板110M上形成间隙物材料层，之后，以光掩膜对设置于大板110M上的对位标记AM(如，第一对位标记AM1及/或第三对位标记AM3) 进行对位，且以图案化工艺来图案化间隙物材料层以形成间隙物170，但不以此为限。举例来说，间隙物材料层的材料可包括感光材料，且上述的图案化工艺包括使用光掩膜对间隙物材料层曝光，接下来间隙物材料层显影后形成形成间隙物170。具体来说，上述图案化工艺为在大板110M上进行的第二道使用光掩膜的图案化工艺。在间隙物170包括主间隙物172与子间隙物174 的实施例中，主间隙物172与子间隙物174可使用一道光掩膜图案化工艺(如，使用半色调(half tone)光掩膜的图案化工艺)同时形成，但不以此为限。

另外，在组立两个大板110M、150M之前，可在大板110M上的防窥面板区R上形成配向膜162，并可在大板150M上的防窥面板区R上形成配向膜164，其中配向膜162覆盖防窥电极122以及间隙物170，且配向膜164覆盖防窥电极142。举例而言，若是形成配向膜162、164的工艺步骤需要对位，则可通过对设置于大板110M上的对位标记AM(如，第一对位标记AM1及 /或第三对位标记AM3)进行对位以在大板110M上的防窥面板区R形成配向膜162，且可通过对设置于大板150M上的对位标记AM(如，第二对位标记 AM2及/或第四对位标记AM4)进行对位以在大板150M上的防窥面板区R 形成配向膜164，但不以此为限。

另外，在组立两个大板110M、150M之前，可在大板150M的防窥面板区R上形成框胶层，其中框胶层可围绕防窥电极142(即，框胶层可位于防窥面板100的周边区PR内且围绕防窥面板100的主动区AR)。举例而言，若是形成框胶层的工艺步骤需要对位，则可通过对设置于大板150M上的对位标记AM(如，第二对位标记AM2及/或第四对位标记AM4)进行对位以形成框胶层，但不以此为限。

如图11所示，组立两个大板110M、150M，并在两个大板110M、150M 之间设置防窥介质层130，以形成包括多个防窥面板100的母板100m。在图 11中，可通过对准位于不同透明导电层120、140的对位标记AM(如，对准第一对位标记AM1与第二对位标记AM2及/或对准第三对位标记AM3与第四对位标记AM4)来进行对位，以使两个大板110M、150M在正确的位置组立。举例而言，在图11中，在组立两个大板110M、150M时，第三对位标记AM3在方向Z上重叠并对准第四对位标记AM4，但不以此为限。在图11 中，在组立两个大板110M、150M之后，大板110M的多个防窥面板区R在方向Z上分别重叠大板150M的多个防窥面板区R，以形成多个防窥面板100。另外，防窥介质层130可设置在两个防窥电极122、142之间以及两个配向膜162、164之间(防窥介质层130设置在防窥面板区R内)，且防窥介质层130 可通过框胶层而被限制在防窥面板100的主动区AR中。

在组立两个大板110M、150M而形成母板100m之后，间隙物170与框胶层位于两个大板110M、150M之间，配向膜162位于防窥电极122与防窥介质层130之间，配向膜164位于防窥电极142与防窥介质层130之间。

在图11中，母板100m可包括多个防窥面板100，各防窥面板100可位于对应的防窥面板区R中，其中第一对位标记AM1与第二对位标记AM2位于母板100m的防窥面板区R中，第三对位标记AM3与第四对位标记AM4 位于母板100m的非防窥面板区NR中。

之后，进行切割工艺以切割母板100m，进而形成多个防窥面板100，其中防窥面板100可包括基板110、150、防窥电极122、142、防窥介质层130、第一对位标记AM1、第二对位标记AM2、框胶层、间隙物170、配向膜162、 164等结构。举例而言，图11所示的切割母板100m可切割出六个如图1所示的防窥面板100，但不以此为限。举例而言，可通过对对位标记AM(如，第一至第四对位标记AM1、AM2、AM3、AM4的至少一个)进行对位以进行切割工艺，但不以此为限。

在传统的防窥面板中，对位标记是以不透光层来形成，其中不透光层可为遮光层(如，黑色矩阵或包含金属、光阻、油墨、树酯(resin)、色料(pigment) 或其组合的遮光膜层)、金属导电层或其他适合的不透光层。在本发明中，以透明导电层取代不透光层来形成对位标记AM，并且依据图4至图7选择优选的透明导电层的厚度，设备仍可成功辨视本发明的对位标记(如，图8 中设备显示OK)。因此，相对于传统的防窥面板，本发明的防窥面板100的膜层数较少(即，可省略传统用来形成对位标记AM的图案化不透光层)，以减少图案化工艺的次数(如，减少会使用到光罩的工艺的次数)，进而降低制造成本。相对于传统的防窥面板，本发明的防窥面板100省略在两个大板分别制造含有对位标记的不透光层，因此可减少至少两次的使用光掩膜的图案化工艺。举例而言，在图1、图2、图9至图11所示的实施例中，两个大板110M、150M上的第一道使用光掩膜的图案化工艺分别是制造含有对位标记AM与防窥电极122、142的透明导电层120、140，因此，相对于传统的防窥面板，可减少至少两次使用光掩膜的图案化工艺。举例而言，在图1、图2、图9至图11所示的实施例中，只有透明导电层120、140与间隙物170 的制造需进行使用光掩膜的图案化工艺，因此，此实施例的防窥面板100的制造仅需进行三次使用光掩膜的图案化工艺，但不以此为限。

本发明的防窥面板、防窥面板的制作方法以及母板并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例与变化实施例，然而为了简化说明并突显各实施例与变化实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并不再对重复部分作赘述。

请参考图12，图12所示为本发明第二实施例的防窥面板的剖面示意图。如图12所示，本实施例与第一实施例的差异在于在图12中，间隙物170是以球状间隙物(BallSpacer)272取代。详细而言，可省略如图10所示的在大板110M上形成多个间隙物170的步骤，且在如图11所示的组立两个大板 110M、150M的制造阶段前，可将球状间隙物272直接放置在大板(大板110M 或150M)上，接下来再进行如图11所示的组立两个大板110M、150M的步骤，其中在组立两个大板110M、150M后，球状间隙物272位于两个大板 110M、150M间。因此，在本实施例中，只有透明导电层120、140的制造需进行图案化工艺，使得防窥面板200的制造仅需进行两次使用光掩膜的图案化工艺，但不以此为限。据此，可降低防窥面板200的制造成本。

请参考图13至图16，图13所示为本发明第三实施例的防窥面板的透明导电层与框胶层的俯视示意图，图14所示为本发明第三实施例的防窥面板的俯视示意图，图15所示为沿图14的B-B’剖线的剖面示意图，且图16所示为沿图14的C-C’剖线的剖面示意图。如图13所示，透明导电层140设置在基板150上且包括防窥电极142、连接电极(如，第一连接电极CE1、第二连接电极CE2)、接垫P1、P2与第二对位标记AM2。防窥电极142的至少一部分设置于整个主动区AR中，第一连接电极CE1、第二连接电极CE2与接垫P1、P2设置于周边区PR。接垫P1电连接第一连接电极CE1，第一连接电极CE1电连接防窥电极142，且接垫P2电连接第二连接电极CE2。透明导电层120设置在基板110上且包括防窥电极122与第一对位标记AM1，防窥电极122的第一部分122a设置于整个主动区AR中，且防窥电极122的第二部分122b设置于及周边区PR中。如图13与图14所示，将基板110、150 通过框胶层SL接合形成防窥面板300后，接垫P1、P2未被基板110覆盖。接垫P1、P2分别用以接收第一电信号与第二电信号。举例而言，接垫P1、 P2可耦接软性电路板，软性电路板电连接系统板，且系统板上的驱动电路将第一电信号与第二电信号通过软性电路板分别传送至接垫P1、P2，但不以此为限。如图13至图16所示，防窥面板300中的接垫P1接收第一电信号S1，且第一电信号S1可经由第一连接电极CE1传送至防窥电极142。防窥面板 300中的接垫P2接收第二电信号S2，且防窥电极122的第二部分122b、框胶层SL与第二连接电极CE2在方向Z上彼此重叠，其中框胶层SL包括导电粒子CP，因此第二电信号S2可经由第二连接电极CE2与框胶层SL中的导电粒子CP传送至防窥电极122。如图13、图15所示，在本实施例中，防窥电极122还包括设置在周边区PR的缺口NH，缺口NH、框胶层SL与第一连接电极CE1在方向Z上彼此重叠，以避免第一电信号S1经由第一连接电极CE1与框胶层SL中的导电粒子CP传送至防窥电极122而造成短路。防窥电极122、142分别接收第一电信号S1与第二电信号S2以控制位于防窥电极122、142之间的防窥介质层130的状态，使得防窥面板300可在第一状态 (或称为防窥开启状态)与第二状态(或称为防窥关闭状态)之间切换。本实施例中的透明导电层与框胶层可应用于第一与第二实施例的防窥面板100、 200，但不以此为限。本发明不限制第一与第二实施例的防窥面板100、200的透明导电层120、140的图案。

综上所述，本发明以两个透明导电层取代不透光层来分别作为两个基板的第一道膜层，且两个透明导电层的至少一个包括对位标记，因此，相对于传统的防窥面板，本发明的防窥面板的膜层数较少，以减少图案化工艺的次数，进而降低制造成本。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种防窥面板，其特征在于，所述防窥面板具有一主动区以及设置在所述主动区外的一周边区，所述防窥面板包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；

一第一透明导电层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并直接接触于所述第一基板，其中所述第一透明导电层包括一第一防窥电极与一第一对位标记，所述第一防窥电极设置在所述主动区内，且所述第一对位标记设置在所述周边区中；

一第二透明导电层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并直接接触于所述第二基板，其中所述第二透明导电层包括一第二防窥电极，且所述第二防窥电极设置在所述主动区中；以及

一防窥介质层，设置在所述第一防窥电极与所述第二防窥电极之间。

2.如权利要求1所述的防窥面板，其特征在于，所述第二透明导电层包括一第二对位标记，且所述第二对位标记设置在所述周边区中。

3.如权利要求1所述的防窥面板，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度大于或等于且小于或等于/>n₅为0、1、2、3、4或5。

4.如权利要求1所述的防窥面板，其特征在于，所述第一对位标记为用以贴附偏光片至所述防窥面板的对位标记。

5.一种包括多个防窥面板的母板，其特征在于，所述母板包括：

多个如权利要求1所述的防窥面板。

6.如权利要求5所述的母板，其特征在于，所述母板具有多个防窥面板区与一非防窥面板区，各个所述防窥面板位于对应的所述防窥面板区中，且所述母板还包括：

一第三对位标记，

其中所述第三对位标记位于所述非防窥面板区中，所述第三对位标记属于所述第一透明导电层，且所述第三对位标记与所述第一对位标记于相同制造工艺中同时制作形成。

7.一种防窥面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一第一大板上形成一第一透明导电膜；

图案化所述第一透明导电膜以形成一第一透明导电层，其中所述第一透明导电层包括一第一防窥电极与一对位标记，所述第一防窥电极位于所述第一大板的一防窥面板区中，且所述对位标记位于所述第一大板的一非防窥面板区中或所述防窥面板区中；

在一第二大板上形成一第二透明导电膜；

图案化所述第二透明导电膜以形成一第二透明导电层，其中所述第二透明导电层包括一第二防窥电极，且所述第二防窥电极位于所述第二大板的一防窥面板区中；以及

组立所述第一大板与所述第二大板以形成一母板，其中一防窥介质层设置在所述第一防窥电极与所述第二防窥电极之间。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第一大板上形成一间隙物，

其中形成所述间隙物的步骤于组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之前进行，且在组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之后，所述间隙物位于所述第一大板与所述第二大板之间。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述间隙物的步骤包括：

在所述第一大板上形成一间隙物材料层；以及

对所述对位标记进行对位，且图案化所述间隙物材料层以形成所述间隙物。

10.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第一防窥电极的一表面上形成一第一配向膜；以及

在所述第二防窥电极的一表面上形成一第二配向膜，

其中形成所述第一配向膜的步骤与形成所述第二配向膜的步骤于组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之前进行，且在组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之后，所述第一配向膜与所述第二配向膜分别位于所述第一防窥电极与所述防窥介质层之间以及所述第二防窥电极与所述防窥介质层之间。

11.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第二大板上形成一框胶层，且所述框胶层围绕所述第二防窥电极，

其中形成所述框胶层的步骤于组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之前进行，且在组立所述第一大板与所述第二大板的步骤之后，所述框胶层位于所述第一大板与所述第二大板之间。

12.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

切割所述母板以形成至少一防窥面板，

其中所述防窥面板包括所述第一防窥电极、所述第二防窥电极与所述防窥介质层。

13.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记为偏光片贴附的对位标记、形成配向膜的对位标记、框胶涂布的对位标记、用以耦接电路板的对位标记、组立所述第一大板与所述第二大板的对位标记、切割的对位标记或是上述组合。

14.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二透明导电层还包括另一对位标记，且所述另一对位标记位于所述第二大板的一非防窥面板区中或所述防窥面板区中。

15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述另一对位标记为偏光片贴附的对位标记、形成配向膜的对位标记、框胶涂布的对位标记、用以耦接电路板的对位标记、组立所述第一大板与所述第二大板的对位标记、切割的对位标记或是上述组合。

16.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记与所述另一对位标记为组立所述第一大板与所述第二大板的对位标记，其中组立所述第一大板与所述第二大板的步骤包括对准所述对位标记与所述另一对位标记。