CN117639826A - 功率检测装置及射频前端组件 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种功率检测装置及射频前端组件，应用于无线通信技术领域。功率检测装置包括：补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，第一二极管的阳极被配置为通过第一电阻连接第一电压输入端，第一二极管的阴极被配置为通过第二电阻接地，并连接检测电压输出端；功率检测电路，包括三极管和第一电容，三极管的基极被配置为通过第一电容连接功率检测端，并分别连接第一电阻和第一二极管的阳极，三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，三极管的发射极被配置为连接第一二极管的阴极和第二电阻；滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，第二电容和第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接检测电压输出端。

Description

功率检测装置及射频前端组件

技术领域

本公开涉及无线通信技术领域，更具体地，涉及一种功率检测装置及射频前端组件。

背景技术

射频前端模组是用于实现无线网络通信的基础组件之一。随着无线网络标准的不断改进，其要求的编码方式也越发多样化，多种类的编码方式要求与射频前端模组连接的基带芯片可以基于当前的需求对其发射端的功率进行调整。

为了满足上述需求，相关技术人员在射频前端模组中添加了功率检测电路，用以将射频前端模组的输出功率反馈至基带芯片。然而，相关技术中的功率检测电路一般会直接将功率信号转换为电压信号，由于功率信号与电压信号的平方线性相关，因此，不同强度的功率信号的变化带来的电压信号的变化并不一致，从而使得基带芯片难以处理电压信号的变化，进而使得功率检测电路的精准性较差。

发明内容

有鉴于此，本公开提供了一种功率检测装置及射频前端组件。

本公开的一个方面提供了一种功率检测装置，包括：

补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，上述第一二极管的阳极被配置为通过上述第一电阻连接第一电压输入端，上述第一二极管的阴极被配置为通过上述第二电阻接地，并连接检测电压输出端；

功率检测电路，包括三极管和第一电容，上述三极管的基极被配置为通过上述第一电容连接功率检测端，并分别连接上述第一电阻和上述第一二极管的阳极，上述三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，上述三极管的发射极被配置为连接上述第一二极管的阴极和上述第二电阻；以及

滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，上述第二电容和上述第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接上述检测电压输出端。

本公开的另一个方面提供了一种射频前端组件，包括：

功率放大器；

噪声放大器；

射频开关；以及

功率检测装置；

其中，上述功率检测装置包括：

补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，上述第一二极管的阳极被配置为通过上述第一电阻连接第一电压输入端，上述第一二极管的阴极被配置为通过上述第二电阻接地，并连接检测电压输出端；

功率检测电路，包括三极管和第一电容，上述三极管的基极被配置为通过上述第一电容连接功率检测端，并分别连接上述第一电阻和上述第一二极管的阳极，上述三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，上述三极管的发射极被配置为连接上述第一二极管的阴极和上述第二电阻；以及

滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，上述第二电容和上述第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接上述检测电压输出端。

根据本公开的实施例，通过在有源的功率检测电路中添加有源的补偿电路，可以实现功率检测电路由线性向Log型的转换，使得该功率检测电路在将功率信号转换为电压信号时，不同强度的功率信号的变化所带来的电压信号的变化是一致的，所以至少部分地克服了相关技术中因不同强度的功率信号的变化带来的电压信号的变化并不一致而导致的功率检测电路的精准性较差的技术问题，从而有效提高了功率检测电路输出的电压信号的准确性，并间接地提高了基带芯片处理电压信号的准确性。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1A示意性示出了相关技术中的Wi-Fi FEM芯片的结构示意图。

图1B示意性示出了相关技术中线性功率检测电路的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

图2示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置的示意图。

图3A示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

图3B示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置在不同温度下的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

图4示意性示出了根据本公开另一实施例的功率检测装置的示意图。

图5示意性示出了根据本公开又一实施例的功率检测装置的示意图。

图6示意性示出了根据本公开实施例的射频前端组件的示意图。

图7示意性示出了根据本公开另一实施例的射频前端组件的示意图。

图8示意性示出了根据本公开又一实施例的射频前端组件的示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。

在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。

在使用类似于“A、B和C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。在使用类似于“A、B或C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B或C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。

无线网络标准IEEE 802.11自1997年首次提出以来，经历了802.11b、11a/11g、11n(Wi-Fi 4)、11ac(Wi-Fi 5)，至今已发展到第6代11ax(Wi-Fi 6)。相对于IEEE 802.11ac采用的256QAM(Quadrature AmplitudeModulation，正交幅度调制)，MCS9的编码，IEEE802.11ax调制方式增加到1024QAM，并提出了将MCS10和MCS11两种高阶编码组合的编码方式，使单条空间流数据吞吐量又提高了25％。无线网络标准中要求的提高也对应用于无线网络的射频前端模组(Wireless FidelityFront-End Module，Wi-Fi FEM)提出了更严峻的要求。

图1A示意性示出了相关技术中的Wi-Fi FEM芯片的结构示意图。

如图1A所示，Wi-Fi FEM芯片可以由功率放大器(Power Amplifier，PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)和功率检测电路(Power detector)组成。

Wi-Fi FEM芯片可以和基带芯片共同组成Wi-Fi通讯系统。该Wi-Fi通讯系统可以包含发射路径和接收路径。当有需求需要发射功率时，从基带芯片的发射端发出功率，经过功率放大器进行放大后，再经过射频开关到达天线端；而当天线端接收到信号时，该信号可以依次经过射频开关和低噪声放大器，到达基带芯片的接收端。

由于在不同的编码方式下，如MCS11、MCS9或者MCS10，要求Wi-Fi FEM发射的功率不同，因此，为了满足新的无线网络标准中的编码方式，需要基带芯片基于当前的需求对其发射端的功率进行调整，即需要功率检测电路先对功率放大器的输出功率进行检测，从而确定基于当前基带芯片发射端的功率是进行增加还是减小，以及相应地控制基带芯片发射端的功率增加的期望值或减小的期望值。

而相关技术中的功率检测电路，如图1A中所示的功率检测电路是一种线性功率检测电路，该功率检测电路可以将从功率放大器处采集的功率信号经过电容C01，再经由普通二极管或肖特基二极管D01，再连接电阻R01和电容C02，转换成电压信号并输出至基带芯片。

图1B示意性示出了相关技术中线性功率检测电路的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

如图1B所示，输入线性功率检测电路的功率信号近似与该线性功率检测电路输出的电压信号的平方线性相关，即当功率信号变化时，电压信号的变化是非线性的，例如功率信号在11dBm～26dBm的区间内变化时，电压信号的变化并不明显，从而使得基带芯片难以识别电压信号的变化，进而影响功率检测的精准度。

有鉴于此，本公开的实施例提供了一种功率检测装置及射频前端组件。其中，该功率检测装置包括：补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，第一二极管的阳极被配置为通过第一电阻连接第一电压输入端，第一二极管的阴极被配置为通过第二电阻接地，并连接检测电压输出端；功率检测电路，包括三极管和第一电容，三极管的基极被配置为通过第一电容连接功率检测端，并分别连接第一电阻和第一二极管的阳极，三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，三极管的发射极被配置为连接第一二极管的阴极和第二电阻；以及滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，第二电容和第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接检测电压输出端。通过上述电路设计，功率检测电路在将功率信号转换为电压信号后，当功率信号变化时，电压信号是线性变化的，从而使得基带芯片可以更容易去处理电压信号的变化，进而控制发射端功率的变化，提高基带芯片处理的准确性。

图2示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置的示意图。

如图2所示，功率检测装置100可以包括补偿电路10、功率检测电路20和滤波电路30。

根据本公开的实施例，补偿电路10可以包括依次串联的第一电阻R1、第一二极管D1和第二电阻R2，第一二极管D1的阳极可以被配置为通过第一电阻R1连接第一电压输入端Vin1，第一二极管D1的阴极可以被配置为通过第二电阻R2接地，并连接检测电压输出端Vt。

根据本公开的实施例，功率检测电路20可以包括三极管Q和第一电容C1，三极管Q的基极B可以被配置为通过第一电容C1连接功率检测端Pt，并分别连接第一电阻R1和第一二极管D1的阳极，三极管Q的集电极C可以被配置为连接第二电压输入端Vin2，三极管Q的发射极E可以被配置为连接第一二极管D1的阴极和第二电阻R2。

根据本公开的实施例，滤波电路30可以包括并联的第二电容C2和第三电阻R3，第二电容C2和第三电阻R3的一端被配置为接地，另一端被配置为连接检测电压输出端Vt。

根据本公开的实施例，第一电容C1和第二电容C2可以是各种类型的电容器，如纸介质电容器、陶瓷电容器、薄膜电容等，在此不作限定。

根据本公开的实施例，第一二极管D1可以是普通二极管，也可以是肖特基二极管，在此不作限定。

根据本公开的实施例，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3可以是任意类型的固定电阻器，例如可以是贴片电阻、碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等，也可以是任意类型的可变电阻器，在此不作限定。

根据本公开的实施例，三极管Q可以是任意类型的NPN型三极管，在此不作限定。

根据本公开的实施例，第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和三极管Q均可以指单个元器件，也可以是由多个同种类的元器件通过串并联的方式组合得到的，其具体参数可以基于组成的多个元器件的参数及具体连接方式来确定。例如，第一电阻R1可以包括串联的多个电阻器，第一电阻R1的电阻值可以为该多个电阻器的电阻值之和。再例如，第一电容C1可以包括并联的多个电容器，第一电容C1的电容值可以为该多个电容器的电容值之和。

根据本公开的实施例，由第二电容C2和第三电阻R3构成的滤波电路30可以作为一个低通滤波器，该低通滤波器的滤波范围可以基于第二电容C2和第三电阻R3的设计参数来确定。

根据本公开的实施例，第一电阻R1、第一二极管D1和第二电阻R2、第三电阻R3可以构成一个分压电路，在第一电压输入端Vin1有第一电压信号输入时，该分压电路可以向三极管Q的基极B提供电压，以使三极管Q的发射结电压正偏。在第二电压输入端Vin2有第二电压信号输入时，三极管Q的集电极C接收到该第二电压信号，使得该三极管Q的集电结电压反偏，进而使得三极管Q工作在放大区。

根据本公开的实施例，在功率检测端Pt接收到功率信号时，第一电容C1基于其通交阻直的功能，对该功率信号进行过滤，得到调幅信号。该调幅信号可以表示为一个承载着低频信号的高频信号。该调幅信号在通过三极管Q时，三极管Q可以作为一个包络检波器，从该调幅信号中得到依调幅波包络变化的脉动电流。该脉动电流通过第一电阻R1、第二电阻R2和二极管D1形成解调电压信号，该解调电压信号再通过由第二电容C2和第三电阻R3构成低通滤波器来去除高频成分，即得到可以随着输出功率的变化而现行变化的电压信号。该电压信号可以在检测电压输出端Vt进行输出。

根据本公开的实施例，通过在有源的功率检测电路中添加有源的补偿电路，可以实现功率检测电路由线性向Log型的转换，使得该功率检测电路在将功率信号转换为电压信号时，不同强度的功率信号的变化所带来的电压信号的变化是一致的，所以至少部分地克服了相关技术中因不同强度的功率信号的变化带来的电压信号的变化并不一致而导致的功率检测电路的精准性较差的技术问题，从而有效提高了功率检测电路输出的电压信号的准确性，并间接地提高了基带芯片处理电压信号的准确性。

下面参考图3A、图3B、图4和图5，结合具体实施例对图2所示的功率检测装置做进一步说明。

图3A示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

如图3A所示，通过调节第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和三极管Q的参数，可以使得在功率信号的一定范围内，例如5dBm～26dBm，功率检测电路输出的电压信号和功率信号具有线性关系。该一定范围的具体功率范围和该线性关系的斜率可以通过调节上述元器件的参数来实现。

根据本公开的实施例，第一二极管D1和三极管Q可以是负温度系数器件，从而使得补偿电路10可以对功率检测电路20具有温度补偿作用。

根据本公开的实施例，具体地，当温度升高时，三极管Q的管压降Vbel降低，此时，若三极管Q的基极B的电压不变，则会导致流经该三极管Q的电流增大，从而改变功率检测装置100输出的电压信号。由于功率检测电路20中还配置有第一二极管D1，第一二极管D1的管压降Vbe2会随温度的升高而降低，从而使得三极管Q的基极B的电压降低，使得流经该三极管Q的电流减小，进而实现温度补偿的效果。

图3B示意性示出了根据本公开实施例的功率检测装置在不同温度下的功率信号和电压信号的变化曲线示意图。

如图3B所示，功率检测装置100在不同温度下，如-40°、25°和85°下的变化曲线可以基本保持一致。

根据本公开的实施例，通过对第一二极管D1和三极管Q的参数配置，可以将第一二极管D1和三极管Q配置为在第一预设温度范围内，第一二极管D1的管压降Vbe2随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量，与三极管Q的管压Vbe1降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量相等，从而使得在第一预设温度范围内，三极管Q的电流基本不变，进而实现温度补偿的效果。

根据本公开的实施例，第一预设温度范围可以基于第一二极管D1和三极管Q的参数配置来确定，在此不作限定。

根据本公开的实施例，补偿电路10中还可以串并联其他具有不同温度系数的元器件，以进一步优化补偿电路10的温度补偿效果，只要满足温度变化时，三极管Q的电流基本不变即可。

图4示意性示出了根据本公开另一实施例的功率检测装置的示意图。

如图4所示，补偿电路10还可以包括第二二极管D2。

根据本公开的实施例，第二二极管D2可以被配置为串联在第一二极管D1和第二电阻R2之间。第二二极管D2的阳极可以被配置为连接第一二极管D1的阴极和三极管Q的发射极E，第二二极管D2的阴极可以被配置为连接第二电阻R2。

根据本公开的实施例，第二二极管D2可以是普通二极管，也可以是肖特基二极管，在此不作限定。第二二极管D2可以指单个元器件，也可以是由多个二极管通过串并联的方式组合得到的，在此不作限定。

根据本公开的实施例，第二二极管D2可以作为分压电路的一部分，在第一电压输入端Vin1有第一电压信号输入时为三极管Q的基极B提供电压。此外，第二二极管D2还可以在功率检测端Pt接收到功率信号时，用于对三极管Q的脉动电流进行解调，以形成解调电压信号。

根据本公开的实施例，第二二极管D2可以是负温度系数器件。第一二极管D1、第二二极管D2和三极管Q可以被配置为在第二预设温度范围内，第一二极管D1的管压降和第二二极管D2的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量之和，与三极管Q的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量相等，以实现补偿电路10的温度补偿功能。

根据本公开的实施例，第二预设温度范围可以基于第一二极管D1、第二二极管D2和三极管Q的参数配置来确定，在此不作限定。

根据本公开的实施例，滤波电路30中的不同位置还可以串并联有电阻或电容，以调整滤波电路30的滤波范围。

图5示意性示出了根据本公开又一实施例的功率检测装置的示意图。

如图5所示，滤波电路30还可以包括第四电阻R4和第五电阻R5。

根据本公开的实施例，第四电阻R4的一端可以被配置为连接第一二极管D1的阴极和第二电阻R2，另一端可以被配置为连接第五电阻R5、第二电容C2和第三电阻R3的一端，第五电阻R5的另一端可以被配置为连接检测电压输出端Vt。

根据本公开的实施例，在滤波电路30中添加第四电阻R4和第五电阻R5之后，可以通过调节第四电阻R4和第五电阻R5的电阻值以进一步地调整滤波电路30的滤波范围，减少电压信号中的噪声，从而提高功率检测装置100的精确性。

根据本公开的实施例，第四电阻R4和第五电阻R5还可以构成功率检测装置100中的分压电路的一部分，以用于调节在第一电压输入端Vinl有第一电压信号输入时，该分压电路向向三极管Q的基极B提供的电压，以实现三极管Q工作在放大区。

在本公开的实施例中，功率检测装置100可以不仅限于如上附图所示的电路结构，基于具体的应用场景，本领域技术人员可以对补偿电路10、功率检测电路20、滤波电路30和分压电路等的具体结构和连接方式进行更改或替换，在此不作限定。

图6示意性示出了根据本公开实施例的射频前端组件的示意图。

如图6所示，射频前端组件可以包括功率放大器200、噪声放大器300、射频开关400和功率检测装置100，射频前端组件连接有基带芯片500。

根据本公开的实施例，功率检测装置100可以包括补偿电路10、功率检测电路20和滤波电路30。

根据本公开的实施例，补偿电路10可以包括依次串联的第一电阻R1、第一二极管D1和第二电阻R2，第一二极管D1的阳极可以被配置为通过第一电阻R1连接第一电压输入端Vinl，第一二极管D1的阴极可以被配置为通过第二电阻R2接地，并连接检测电压输出端Vt。

根据本公开的实施例，功率检测电路20可以包括三极管Q和第一电容C1，三极管Q的基极B可以被配置为通过第一电容C1连接功率检测端Pt，并分别连接第一电阻R1和第一二极管D1的阳极，三极管Q的集电极C可以被配置为连接第二电压输入端Vin2，三极管Q的发射极E可以被配置为连接第一二极管D1的阴极和第二电阻R2。

根据本公开的实施例，滤波电路30可以包括并联的第二电容C2和第三电阻R3，第二电容C2和第三电阻R3的一端被配置为接地，另一端被配置为连接检测电压输出端Vt。

根据本公开的实施例，通过在有源的功率检测电路中添加有源的补偿电路，可以实现功率检测电路由线性向Log型的转换，使得该功率检测电路在将功率信号转换为电压信号时，不同强度的功率信号的变化所带来的电压信号的变化是一致的，所以至少部分地克服了相关技术中因不同强度的功率信号的变化带来的电压信号的变化并不一致而导致的功率检测电路的精准性较差的技术问题，从而有效提高了功率检测电路输出的电压信号的准确性，并间接地提高了基带芯片处理电压信号的准确性，进而提高了射频前端组件通过射频开关输出的功率的准确性。

根据本公开的实施例，功率放大器200的输入端可以被配置为连接基带芯片500的发射端，功率放大器200的输出端可以被配置为连接射频开关400的第一端。

根据本公开的实施例，噪声放大器300的输入端可以被配置为连接射频开关400的第二端，噪声放大器300的输出端可以被配置为连接基带芯片500的接收端。

根据本公开的实施例，功率检测装置100的功率检测端可以被配置为连接功率放大器200的输出端，功率检测装置100的检测电压输出端可以被配置为连接基带芯片500的反馈端。

根据本公开的实施例，功率检测装置100可以被配置为检测得到功率放大器200的功率信号，将功率信号转化为电压信号，并在检测电压输出端向基带芯片500输出电压信号，其中，基带芯片500可以被配置为基于电压信号，调整在发射端输出的功率。

根据本公开的实施例，第一二极管D1和三极管Q可以是负温度系数器件。

根据本公开的实施例，第一二极管D1和三极管Q可以被配置为在第一预设温度范围内，第一二极管D1的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量，与三极管Q的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量相等。

图7示意性示出了根据本公开另一实施例的射频前端组件的示意图。

如图7所示，射频前端组件中的补偿电路10还可以包括第二二极管D2。

根据本公开的实施例，第二二极管D2被配置为串联在第一二极管D1和第二电阻R2之间，其中，第二二极管D2的阳极被配置为连接第一二极管D1的阴极和三极管Q的发射极E，第二二极管D2的阴极被配置为连接第二电阻R2。

根据本公开的实施例，第一二极管D1、第二二极管D2和三极管Q可以均为负温度系数器件。

根据本公开的实施例，第一二极管D1、第二二极管D2和三极管Q可以被配置为在第二预设温度范围内，第一二极管D1的管压降和第二二极管D2的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量之和，与三极管Q的管压降随温度变化所导致的三极管Q的电流变化量相等。

图8示意性示出了根据本公开又一实施例的射频前端组件的示意图。

如图8所示，射频前端组件中的滤波电路30还可以包括第四电阻R4和第五电阻R5。

根据本公开的实施例，第四电阻R4的一端可以被配置为连接第一二极管D1的阴极和第二电阻R2，另一端被配置为连接第五电阻R5、第二电容C2和第三电阻R3的一端，第五电阻R5的另一端被配置为连接检测电压输出端。

需要说明的是，本公开的实施例中射频前端组件中的功率检测装置部分与本公开前述实施例中的功率检测装置部分是相对应的，射频前端组件中的功率检测装置部分的描述具体参考前述实施例中的功率检测装置部分，在此不再赘述。

本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。

以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (11)

1.一种功率检测装置，包括：

补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，所述第一二极管的阳极被配置为通过所述第一电阻连接第一电压输入端，所述第一二极管的阴极被配置为通过所述第二电阻接地，并连接检测电压输出端；

功率检测电路，包括三极管和第一电容，所述三极管的基极被配置为通过所述第一电容连接功率检测端，并分别连接所述第一电阻和所述第一二极管的阳极，所述三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，所述三极管的发射极被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述第二电阻；以及

滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，所述第二电容和所述第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接所述检测电压输出端。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一二极管和所述三极管为负温度系数器件；

其中，所述第一二极管和所述三极管被配置为在第一预设温度范围内，所述第一二极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量，与所述三极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量相等。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述补偿电路还包括第二二极管；

其中，所述第二二极管被配置为串联在所述第一二极管和所述第二电阻之间，其中，所述第二二极管的阳极被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述三极管的发射极，所述第二二极管的阴极被配置为连接所述第二电阻。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述三极管为负温度系数器件；

其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述三极管被配置为在第二预设温度范围内，所述第一二极管的管压降和所述第二二极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量之和，与所述三极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量相等。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述滤波电路还包括第四电阻和第五电阻；

其中，所述第四电阻的一端被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述第二电阻，另一端被配置为连接所述第五电阻、所述第二电容和所述第三电阻的一端，所述第五电阻的另一端被配置为连接所述检测电压输出端。

6.一种射频前端组件，包括：

功率放大器；

噪声放大器；

射频开关；以及

功率检测装置；

其中，所述功率检测装置包括：

补偿电路，包括依次串联的第一电阻、第一二极管和第二电阻，所述第一二极管的阳极被配置为通过所述第一电阻连接第一电压输入端，所述第一二极管的阴极被配置为通过所述第二电阻接地，并连接检测电压输出端；

功率检测电路，包括三极管和第一电容，所述三极管的基极被配置为通过所述第一电容连接功率检测端，并分别连接所述第一电阻和所述第一二极管的阳极，所述三极管的集电极被配置为连接第二电压输入端，所述三极管的发射极被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述第二电阻；以及

滤波电路，包括并联的第二电容和第三电阻，所述第二电容和所述第三电阻的一端被配置为接地，另一端被配置为连接所述检测电压输出端。

7.根据权利要求6所述的射频前端组件，其中，

所述功率放大器的输入端被配置为连接基带芯片的发射端，所述功率放大器的输出端被配置为连接所述射频开关的第一端；

所述噪声放大器的输入端被配置为连接所述射频开关的第二端，所述噪声放大器的输出端被配置为连接所述基带芯片的接收端；以及

所述功率检测装置的功率检测端被配置为连接所述功率放大器的输出端，所述功率检测装置的检测电压输出端被配置为连接所述基带芯片的反馈端；

其中，所述功率检测装置被配置为检测得到所述功率放大器的功率信号，将所述功率信号转化为电压信号，并在所述检测电压输出端向所述基带芯片输出所述电压信号，其中，所述基带芯片被配置为基于所述电压信号，调整在发射端输出的功率。

8.根据权利要求6所述的射频前端组件，其中，所述第一二极管和所述三极管为负温度系数器件；

其中，所述第一二极管和所述三极管被配置为在第一预设温度范围内，所述第一二极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量，与所述三极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量相等。

9.根据权利要求6所述的射频前端组件，其中，所述补偿电路还包括第二二极管；

其中，所述第二二极管被配置为串联在所述第一二极管和所述第二电阻之间，其中，所述第二二极管的阳极被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述三极管的发射极，所述第二二极管的阴极被配置为连接所述第二电阻。

10.根据权利要求9所述的射频前端组件，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述三极管为负温度系数器件；

其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述三极管被配置为在第二预设温度范围内，所述第一二极管的管压降和所述第二二极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量之和，与所述三极管的管压降随温度变化所导致的所述三极管的电流变化量相等。

11.根据权利要求6所述的射频前端组件，其中，所述滤波电路还包括第四电阻和第五电阻；

其中，所述第四电阻的一端被配置为连接所述第一二极管的阴极和所述第二电阻，另一端被配置为连接所述第五电阻、所述第二电容和所述第三电阻的一端，所述第五电阻的另一端被配置为连接所述检测电压输出端。