CN117637961A - 一种红外发光二极管和发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种红外发光二极管和发光装置，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第二表面方向包含第一欧姆接触层，第一窗口层和第一覆盖层；第一电极，位于所述第一类型半导体之上，包含主电极以及复数个延伸电极，所述延伸电极由所述主电极向外延伸；以及一粘附层，位于所述第一窗口层以及所述第一电极的主电极之间。本发明通过所述粘附层的设置，提升所述第一电极与半导体外延叠层之间的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。

Description

一种红外发光二极管和发光装置

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及红外发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。红外发光二极管，由于其特定的波段，以及低功耗和高可靠性，被广泛应用于安全监控、穿戴式装置、空间通信、遥控、医疗器具、传感器用光源及夜间照明等领域。

欲提升发光效率可通过以下几个方式，其包括改善外延生长的品质，通过增加电子和空穴结合的几率，提升内部量子效率（IQE）。另一方面，发光二极管产生的光线若无法有效被取出，部分光线因全反射因素而局限在发光二极管内部来回反射或折射，最终被电极或发光层吸收，使亮度无法提升，因此使用表面粗化或者改变结构的几何形状等，提升外量子效率（EQE），从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率。

由于Al_xGa_1-xInAs易通过湿法蚀刻进行粗化，现有红外发光二极管的窗口层材料一般为Al_xGa_1-xInAs，通过湿法蚀刻得到粗糙的出光面，从而提升红外发光二极管的出光效率。由于电极与窗口层材料的粘附性差导致红外发光二极管出现电极脱落、电流扩展不佳等情况，从而导致出现打线掉电极、亮度不高的问题。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明提出一种红外发光二极管，所述红外发光二极管包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第二表面方向包含第一欧姆接触层，第一窗口层和第一覆盖层；第一电极，位于所述第一类型半导体层之上，包含主电极以及复数个延伸电极，所述延伸电极由所述主电极向外延伸；以及一粘附层，位于所述第一窗口层以及所述第一电极的主电电极之间。

在一些可选的实施例中，所述粘附层的材料不含Al元素。

在一些可选的实施例中，所述粘附层的材料为InGaAs、GaAs、InP或者GaInP。

在一些可选的实施例中，所述粘附层的厚度为0.3~0.7μm。

在一些可选的实施例中，所述粘附层的掺杂浓度为1~9E17/cm³。

在一些可选的实施例中，在所述延伸电极的水平投影位置，所述粘附层位于所述第一欧姆接触层和第一窗口层之间。

在一些可选的实施例中，所述第一窗口层的材料为Al_xGa_1-xInAs，0＜X≤0.25。

在一些可选的实施例中，所述第一窗口层包含被第一电极覆盖的一部分，所述被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的厚度为6μm~8μm。

在一些可选的实施例中，所述第一窗口层包含未被第一电极覆盖的部分，所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的厚度为0.5μm~1.5μm。

在一些可选的实施例中，所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的表面被暴露并且被图形化或者粗化，以提供出光表面。

在一些可选的实施例中，所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的表面被暴露并且被图形化或者粗化形成的平整度为1μm以内。

在一些可选的实施例中，所述第一欧姆接触层为InP，所述第一欧姆接触层的掺杂浓度为4E18/cm³以上。

在一些可选的实施例中，所述第一欧姆接触层的厚度为0.05~0.1μm。

在一些可选的实施例中，所述红外发光二极管通过键合层键合在基板上。

在一些可选的实施例中，所述半导体外延叠层和基板之间含有反射层。

在一些可选的实施例中，所述红外发光二极管辐射950~2000nm的红外光。

本发明提出一种红外发光二极管封装，所述红外发光二极管封装所述包含前述中任一项的红外发光二极管。

本发明提出一种红光发光装置，所述红光发光装置包含前述任一项的红外发光二极管。

本发明提出一种红外发光二极管，至少具有以下有益效果：

本发明通过所述粘附层的设置，提升第一电极与半导体外延叠层之间的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为实施例1中所涉及的红外外延结构的侧面剖视图。

图2为实施例1中所涉及的红外发光二极管的侧面剖视图。

图3~4图为实施例2中所涉及的红外发光二极管的制备过程中的结构示意图。

图5为实施例3中所涉及的发光装置的结构示意图。

附图标记：生长衬底：100；缓冲层：101；蚀刻截止层：102；第一欧姆接触层：103；粘附层：104；第一窗口层：105；第一覆盖层：106；有源层：107；第二覆盖层：108；第二窗口层：109；第二欧姆接触层：110；基板：200；键合层：201；镜面层：202；P型欧姆接触金属层：202a；介电材料层：202b；第一电极：203；第一电极的主电极：203a；第一电极的延伸电极：203b；第二电极：204；发光装置：300；发光二极管：1。

实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用了区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似词语并非限定与物理或者机械的连接，而是可以包括电性的连接、光连接等，不管是直接的还是间接的。

应当理解，本发明所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而不是旨在限制本发明。进一步理解，当在本发明中使用术语“包含”、“包括"时，用于表明陈述的特征、整体、步骤、元件、和/或的存在，而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、元件、和/或它们的组合的存在或增加。

除另有定义之外，本发明所使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应进一步理解，本发明所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理解，除本发明中明确如此定义之外。

实施例1

本实施例中提出一种红外发光二极管，通过在第一电极和半导体外延叠层之间插入一层粘附层，可提升电极与半导体外延叠层的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。

图1为一较佳实施例的LED外延结构的示意图，所述LED外延结构包括：生长衬底100；半导体外延叠层，包含依次层叠于所述生长衬底100之上的第一窗口105、第一覆盖层106、有源层107、第二覆盖层108、第二窗口层109和第二欧姆接触层110。

具体地，参照图1，生长衬底100的材料包括但不限于InP，也可采用其他材料，例如GaP、GaAs等。在本实施例中以InP生长衬底100为例。可选地，在生长衬底100与第一窗口层104之间还依次设置有缓冲层101、蚀刻截止层102和第一欧姆接触层103；其中，由于缓冲层101的晶格质量相对生长衬底100晶格质量好，因而，在成长衬底100上生长缓冲层101有利于消除生长衬底100晶格缺陷对半导体外延叠层的影响；蚀刻截止层102用于后期步骤化学蚀刻的截止层，在一些可选的实施例中，蚀刻截止层102为n型刻蚀截止层102，材料为n-InGaAS。为了便于生长衬底100的后续移除，较佳的设置较薄的蚀刻截止层102，其厚度控制在500nm以内，更优选的为200nm以内。在一些可选的实施例中，第一欧姆接触层103为InP，厚度范围为10~100nm，n型掺杂浓度为1E18~1E19/cm³，优选为4E18/cm³以上，以实现更好的欧姆接触结果。

半导体外延叠层可以通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、外延生长(Epitaxy Growth Technology)和原子束沉积 (Atomic Layer Deposition，ALD)等方式形成在生长衬底100上。

半导体外延叠层为能够提供常规的如紫外、蓝、绿、黄、红、红外光等辐射的半导体材料，具体的可以是200~2000nm的材料，如常见的氮化物，具体的如氮化镓基半导体外延叠层，氮化镓基外延叠层常见有掺杂铝、铟等元素，主要提供200~550nm波段的辐射；或者常见的铝镓铟磷基或铝镓砷基半导体外延叠层，主要提供550~2000nm波段的辐射。本实施例中优选半导体外延叠层为铝镓砷基半导体外延叠层，主要提供950~2000nm红外波段的辐射，优选为1450nm波段的红外线辐射。

半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第二表面方向包括第一欧姆接触层103、第一窗口层105和第一覆盖层106；所述第一类型半导体层包括第二覆盖层108，第二窗口层109和第二欧姆接触层110。

第一窗口层105起到电流扩展的作用，其扩展能力与厚度有关，因此在本实施例中可根据具体的器件尺寸选择其厚度，较佳厚度控制在2000nm以上，10000nm以下。本实施例中，优选所述第一窗口层105的厚度为5000~9000nm，可保证电流得到均匀的扩展。为了提升红外发光二极管的发光效率，本实施例对红外发光二极管的出光表面进行粗化。由于Al_xGa_1-xInAs材料易发生湿法蚀刻，故本实施例中优选第一窗口层105材料为Al_xGa_1-xInAs，通过对第一窗口层105的出光面的粗化，提升红外发光二极管的发光效率。本实施例中所述x的范围为0＜y1≤0.25。所述第一窗口层105的掺杂浓度为2E+17~4E+18/cm³。

由于第一窗口层105材料为Al_xGa_1-xInAs，在空气中易发生氧化等，第一窗口层与第一电极之间的粘附性差，导致红外发光二极管出现电极脱落、电流扩展不佳等情况，从而出现打线掉电极、亮度不高的问题。本实施例中在第一欧姆接触层103与第一窗口层105之间插入粘附层104，提升第一电极与半导体外延叠层的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。

本实施例中，粘附层104的材料不含Al元素，其化学性质稳定，不易发生氧化现象，提升第一电极与粘附层的粘附性，从而提升红外发光二极管的打线能力。本实施例中粘附层104为InP，GaAs、InGaAS或者GaInP，优选为InP材料。粘附层104的厚度为300~800nm，优选为500nm。粘附层104的掺杂浓度为1~9E17/cm³，优选为7~8E17/cm³，通过第一欧姆接触层103和粘附层104的高低掺杂浓度的设计，可提升红外发光二极管的电流扩展能力，提升红外发光二极管的发光效率。

半导体外延叠层中的第一覆盖层106和第二覆盖层108分别具有不同的掺杂类型。于本实施例中，第一覆盖层106为提供电子的n型，第二覆盖层108为提供空穴的p型，可通过掺杂元素实现第一覆盖层106或第二覆盖层108具有n型或p型的掺杂类型。第一覆盖层106的能隙与第二覆盖层108能隙皆大于有源层107的能隙。第一覆盖层106可通过掺杂Si或者Te实现n型掺杂；第二覆盖层108可通过掺杂C、Zn或者Mg实现p型掺杂。本实施例中，第一覆盖层的材料106为Al_aIn_1-aAs，其中a的范围为0.3~0.55。第一覆盖层的厚度为0.3~1um，所述掺杂浓度为1E17~5E17/cm³，以提供足够的电子。

有源层107为电子和空穴复合提供光辐射的区域，根据发光波长的不同可选择不同的材料，有源层107可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。有源层107包含量子阱层和量子垒层，其中量子垒层具有比量子阱层更大的带隙。通过调整有源层107中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。有源层107为提供电致发光辐射的材料层，如铝镓铟磷或铟镓砷，更优选的为铟镓砷，铟镓砷为单量子阱或者多量子阱。本实施例中，有源层107为多量子阱结构，有源层107的周期数为3~15，优选有源层107的周期数为5个以上。优选量子阱层材料为Al_x1Ga_y1In_1-x1-y1As，其中0≤x1≤0.5，0≤y1≤0.5；量子阱垒层材料为Al_x2Ga_y2In_1-x2-y2As，其中0≤x2≤0.5，0≤y2≤0.5，或者量子阱垒层的材料为In_x3Ga_{1- x3}As_y3P_1-y3，其中0.4≤x3≤0.7,0≤y3≤1。量子阱层的厚度为80~130A，量子垒层的材料为90~140A。

本实施例中，第二覆盖层的材料108为Al_bIn_1-bAs，其中b的范围为0.3~0.55。第二覆盖层108的厚度为0.3~1um，所述掺杂浓度为1E17~5E17/cm³，以提供足够的空穴。

第二窗口层109起到电流扩展的作用，其扩展能力与厚度有关，因此在本实施例中可根据具体的器件尺寸选择其厚度优选所述第二窗口层109的厚度为800~3000nm，可保证电流得到均匀的扩展。所述第二窗口层109材料为InP。所述第二窗口层109为p型掺杂，其掺杂浓度为2E+17~4E+18/cm³。

第二欧姆接触层110为与第二电极204形成欧姆接触，材料可为InP，InGaAs或InGaAsP，掺杂浓度为5E18/cm³，更优选为1E19/cm³以上，以实现更好的欧姆接触。所示第二欧姆接触层110的厚度优选为30nm以上，100nm以下。本实施例中，优选所述第二欧姆接触层109的厚度为50nm。

图2显示了一种红外发光二极管的示意图，所述红外发光二极管采用图1所示的外延结构，所述红外发光二极管包含一基板200，所述半导体外延叠层通过键合层201键合至基板200上，所述半导体外延叠层包括在所述基板200上依次层叠的第二欧姆接触层110，第二窗口层109，第二覆盖层108，有源层107，第一覆盖层106，第一窗口层105，粘附层104和第一欧姆接触层103。

所述基板200为导电性基板，导电性基板可以为硅、碳化硅或者金属基板，所述金属基板优选为铜、钨或者钼基板。为了能够以充分的机械强度支撑半导体外延叠层，基板200的厚度优选为50μm以上。另外，为了便于在向半导体外延叠层键合后对基板200的机械加工，优选基板200的厚度不超过300μm。本实施例中，优选基板200为硅基板。

所述第一电极203包含主电极203a以及复数个延伸电极203b，所述延伸电极203b由所述主电极203a向外延伸；第一欧姆接触层103上设置有第一电极203的延伸电极203b，第一电极203中的延伸电极203b与第一欧姆接触层103之间形成欧姆接触，以实现电流流通。第一欧姆接触层103仅保留延伸电极203b垂直下方的部分，第一电极203的主电极203a和第一窗口层105之间包含粘附层104， 所述粘附层104可提升第一电极的主电极和半导体外延叠层之间的粘附性，提升第一电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。粘附层104的掺杂浓度低于第一欧姆接触层103和第一窗口层105的掺杂浓度，可提升电流的扩展能力，提升红外发光二极管的发光效率。

第一窗口层105在水平方向上包括两个部分，即包括位于第一电极203下方的部分P1，未位于第一电极203下方的部分P2被暴露定义为出光面。第一窗口层105的出光面可以环绕第一电极203形成。出光面进一步通过蚀刻工艺形成图形面或粗化面，其中图形面可以通过蚀刻获得图形。粗化面可具有规则的表面结构或者任意的不规则的表面微纳米结构，粗化表面或图形表面实质上为发光层的光能够更加容易的逃逸出去，提高出光效率。优选地，出光面为粗化面，粗化形成的表面结构的高度差(或者高低差)低于1微米，优选地为10~30nm。

第一窗口层105包括仅位于第一电极203下方的部分P1的第二表面，由于被第一电极203保护而不会被粗化。第一窗口层105的粗化面的水平高度由于粗化工艺实质上相对于位于第一电极203下方的第二表面（界面）的水平高度更低。

具体的，如图2所示，于本实施例中，第一窗口层105包括位于第一电极203下方的部分P1以及不位于第一电极203下方的部分P2，第一窗口层105在电极覆盖的部分P1具有第一厚度t1，未被第一电极覆盖的第一窗口层105具有第二厚度t2。优选地，第一厚度t1为1.5~2.5微米，第二厚度t2为0.5~1.5μm。P1部分的厚度t1大于P2部分的厚度t2。较佳的，第一厚度t1大于第二厚度t2至少0.3μm。

半导体外延叠层与基板200之间可设置镜面层202，镜面层202包括P型欧姆接触金属层201a和介电材料层201b，两者配合一方面与第二欧姆接触层110形成欧姆接触，另一方面用于将有源层107发出的光束反射至第一窗口层104的出光面或者半导体外延叠层的侧壁进行出光。

所述红外发光二极管还包含第二电极204。在一些实施例中，所述第二电极204位于所述基板200的背面。或者设置的第二电极204位于在基板200上，与半导体外延叠层同侧。

所述第一电极203和第二电极204包括透明导电材料和或金属材料。透明导电材料包括透明导电层，如ITO或IZO，金属材料包括GeAuNi、AuGe、AuZn、Au、Al、Pt、Ti中至少一种。

本实施例通过在第一电极和半导体外延叠层之间插入一层粘附层，可提升电极与半导体外延叠层的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。

实施例2

下面结合制造方法对本发明之高亮度红外发光二极管进行详细说明。

首先，提供一个外延结构，如图1所示，其具体包括：提供一个生长衬底100，优选地为InP，生长衬底100上通过磊晶工艺如MOCVD外延生长半导体外延叠层，半导体外延叠层包括依次层叠在生长衬底100表面的缓冲层101以及蚀刻截止层102，用于移除外延生长衬底100，然后生长第一欧姆接触层103，粘附层104，第一窗口层105，第一覆盖层106，有源层107，第二覆盖层108，第二窗口层109和第二欧姆接触层110。

接着，将半导体外延叠层转移至基板200上，去除生长衬底100，获得如图3所示的结构，具体的包含如下步骤：在第二欧姆接触层110制作镜面层202，其包括P型欧姆接触金属层202a和介电材料层202b，两者配合一方面与第二欧姆接触层110形成欧姆接触，另一方面用于反射有源层射向下方的光线；提供基板200，在基板200上设置金属键合层201，将基板201与镜面层202进行键合，并去除生长衬底100，生长衬底100为InP的情况下，可采用湿法蚀刻工艺移除，直至露出第一欧姆接触层103。

接着，掩膜去除主电极位置的第一欧姆接触层103，在粘附层104上形成第一电极203的主电极203a，在第一欧姆接触层103上形成第一电极203的延伸电极203b，第一电极203的延伸电极203a与第一欧姆接触层103形成良好的欧姆接触，在基板200的背面侧形成第二电极204，借此在第一电极203和第二电极204以及半导体外延叠层之间可以通过传导电流。基板200具有一定的厚度，能够支撑其上的所有层。

然后，形成掩膜覆盖在第一电极203上，第一电极203周围的第一欧姆接触层103被暴露；进行蚀刻工艺，蚀刻去除第一电极203周围的第一欧姆接触层103和粘附层104，使非位于第一电极109下方的欧姆接触层103和粘附层104被完全移除，同时暴露第一窗口层105，接着蚀刻第一窗口层105，以形成图形化或粗化面，形成如图2所示的结构。第一欧姆接触层103和粘附层104的去除工艺以及第一窗口层105进行粗化处理可以是同一步骤或者多个步骤的湿法蚀刻工艺，湿法蚀刻的溶液可以是酸性溶液，如盐酸、硫酸或者氢氟酸或者柠檬酸，或者其它任何较佳的化学试剂。

最后，根据尺寸需要通过蚀刻、劈裂等工艺获得单元化的红外发光二极管。

实施例3

本实施例提供一种红外发光二极管的封装体，红外发光二极管的封装体包括如前述任意实施例的多个阵列排布的发光二极管。

本实施例中，所述红外发光二极管的封装体可为传感器用光源，在无线耳机、智能穿戴等领域被广泛选用。

由于具有前述各实施例的发光二极管，红外发光二极管的封装体具有前述各实施例发光二极管带来的优点。

实施例4

本实施例提供一种发光装置300，请参考图5，发光装置300包括如前述任意实施例的多个阵列排布的发光二极管，在图5中用放大显示的示意方式显示了一部分发光二极管1。

本实施例中，所述发光装置300可为传感器用光源，在无线耳机、智能穿戴等领域被广泛选用。

由于具有前述各实施例的发光二极管，发光装置300具有前述各实施例发光二极管带来的优点。

需要说明的是，以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。

Claims (18)

1.红外发光二极管，其特征在于：

所述红外发光二极管包括：

半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；

所述第一类型半导体层自第一表面至第二表面方向包含第一欧姆接触层，第一窗口层和第一覆盖层；

第一电极，位于所述第一类型半导体层之上，包含主电极以及复数个延伸电极，所述延伸电极由所述主电极向外延伸；

以及一粘附层，位于所述第一窗口层以及所述第一电极的主电极之间。

2.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述粘附层的材料不含Al元素。

3.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述粘附层的材料为InGaAs、GaAs、InP或者GaInP。

4.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述粘附层的厚度为0.3~0.7μm。

5.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述粘附层的掺杂浓度为1~9E17/cm³。

6.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：在所述延伸电极的水平投影位置，所述粘附层位于所述第一欧姆接触层和第一窗口层之间。

7.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述第一窗口层的材料为Al_xGa_1-xInAs，0＜X≤0.25。

8.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述第一窗口层包含被第一电极覆盖的一部分，所述被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的厚度为6μm~8μm。

9.根据权利要求8所述的红外发光二极管，其特征在于：所述第一窗口层包含未被第一电极覆盖的部分，所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的厚度为0.5μm~1.5μm。

10.根据权利要求9所述的红外发光二极管，其特征在于：所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的表面被暴露并且被图形化或者粗化，以提供出光表面。

11.根据权利要求10所述的红外发光二极管，其特征在于：所述未被第一电极覆盖的第一窗口层的第一部分的表面被暴露并且被图形化或者粗化形成的平整度为1μm以内。

12.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层为InP，所述第一欧姆接触层的掺杂浓度为4E18/cm³以上。

13.根据权利要求12所述的红外发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层的厚度为0.05~0.1μm。

14.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述红外发光二极管通过键合层键合在基板上。

15.根据权利要求16所述的红外发光二极管，其特征在于：所述半导体外延叠层和基板之间含有反射层。

16.根据权利要求1所述的红外发光二极管，其特征在于：所述红外发光二极管辐射950~2000nm的红外光。

17.红外发光二极管封装，其特征在于：包含前述权利要求1至16中所述的任一项的红外发光二极管。

18.红外发光装置，其特征在于：包含前述权利要求1至16中所述的任一项的红外发光二极管。