CN117596930A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
对于通过防止或减少外部光的反射来改善可视性的显示设备，提供了一种显示设备，该显示设备包括：像素电极；发射层，在像素电极上；相对电极，覆盖发射层；以及低反射层，在相对电极上并且与发射层重叠，其中，低反射层包括包含钼的氧化物。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月18日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0103480号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式涉及显示设备。
背景技术
显示设备实现图像，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)装置和电泳显示器(EPD)。包括在显示设备中的电极和其它金属线反射从外部引入的光。因此，显示设备具有的问题在于，在明亮的环境中由于外部光的反射而引起的可视性低。为了解决上述问题，可以提供偏振膜、滤色器等，并且正进行各种研究以改善可视性。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有优异抗反射特性的显示设备。然而，实施方式仅为示例，并且本公开的范围不限于此。
实施方式的附加方面部分地将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以由本公开的所呈现的实施方式的实践来习得。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：像素电极；发射层，在像素电极上；相对电极，覆盖发射层；以及低反射层，在相对电极上并且与发射层重叠，其中，低反射层包括氧化钼钽(MoTaOx)。
在实施方式中，低反射层可以与相对电极接触。
在实施方式中，低反射层可以具有至/>的厚度。
在实施方式中，低反射层中的钽(Ta)的量可以为2at％至16at％。
在实施方式中，相对电极可以具有至/>的厚度。
在实施方式中，相对电极可以包含银-镁合金(AgMg)，并且相对电极中的银(Ag)的量可以为85at％至95at％。
在实施方式中，低反射层可以具有黑化特性。
在实施方式中，还可以包括覆盖低反射层的封盖层。
在实施方式中，低反射层的厚度可以比封盖层的厚度小。
在实施方式中，还可以包括在低反射层上的薄膜封装层。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：像素电极；像素限定层，具有暴露像素电极的至少一部分的开口；相对电极，在像素电极和像素限定层上；低反射层，与相对电极接触；以及薄膜封装层，在低反射层上，其中，低反射层包括具有黑化特性的氧化钼，并且低反射层具有至/>的厚度。
在实施方式中，低反射层可以在相对电极上。
在实施方式中，低反射层可以包括氧化钼钽(MoTaOx)。
在实施方式中，低反射层中的钽(Ta)的量可以为2at％至16at％。
在实施方式中，低反射层可以具有1.8至2.2的折射率。
在实施方式中，低反射层可以包括元素周期表的第V族元素的至少一种氧化物。
在实施方式中，还可以包括在像素电极和相对电极之间的发射层，并且发射层可以在像素限定层的开口中。
在实施方式中，低反射层可以与发射层重叠。
在实施方式中，还可以包括在低反射层上的封盖层，并且封盖层可以包括与低反射层的材料不同的材料。
在实施方式中，低反射层的厚度可以比封盖层的厚度小。
附图说明
根据结合附图的以下描述，本公开的特定实施方式的以上和其它方面以及特征将是更显而易见的，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图2是包括在图1的显示设备中的像素的等效电路图；
图3是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图4是放大的图3的部分I的示意性剖视图；
图5A是示出根据低反射层的厚度的反射率的曲线图和表格；
图5B是示出当相对电极的厚度不同时在具有恒定厚度的低反射层上的反射率的曲线图和表格；
图6是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图7是示出根据低反射层的位置的反射率的图和表格；以及
图8是示出低反射层的透光率的曲线图。
具体实施方式
现在将更详细地参考本公开的实施方式，附图中示出了本公开的实施方式的示例，其中，在说明书通篇，相同的附图标记表示相同的元件。在这点上，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，从而解释本说明书的实施方式的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。
各种修改可以应用于本实施方式，并且将在附图中示出并且在具体实施方式部分中描述本公开的示例性实施方式。参考下面的详细描述与附图，本公开的实施方式的效果和特征以及用以实现其的方法的实施方式将更清楚。然而，本公开的实施方式可以以各种合适的形式来实现，并且不限于下面所呈现的实施方式。
在下文中，将参考附图更详细地描述本公开的实施方式，并且在参考附图的描述中，相同或相应的组件由相同的附图标记表示，并且可以不重复其冗余描述。
在以下公开中，将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
在以下实施方式中，除非在上下文中另有明确说明，否则本说明书中的单数的表述包括复数的表述。
在以下公开中，还将理解，如本文中所使用的，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征或组件的存在或添加。
在以下公开中，将理解，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或组件。
在以下公开中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的组件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施方式不限于此。
当特定实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，它可以直接或间接地连接到另一层、区域或组件。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件不仅可以直接电连接，而且还可以经由在其之间的另一层、区域或组件间接电连接。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
显示设备显示图像，并且可以是便携式移动装置，诸如游戏装置、多媒体装置和微型个人计算机(PC)。显示设备可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(EL)显示器(例如，无机发光显示器)、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器、阴极射线显示器等。在下文中，尽管有机发光显示器被描述为根据实施方式的显示设备，但是在实施方式中可以使用如以上所描述的各种类型或种类的显示设备。
如图1中所示，显示设备可以包括其中布置有多个像素PX的显示区域DA以及在显示区域DA外部的周边区域PA。更详细地，周边区域PA可以完全围绕显示区域DA，并且应当理解，包括在显示设备中的衬底100可以具有显示区域DA和周边区域PA。
显示设备的像素PX中的每一个包括从其发射设定或特定颜色的光的区域，并且显示设备可以通过使用从像素PX发射的光来提供图像。例如，每个像素PX可以发射红光、绿光或蓝光。像素PX还可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器以控制显示元件。包括在一个像素PX中的薄膜晶体管的数量可以变化，例如，从1至7变化。
显示区域DA可以具有包括如图1中所示的四边形的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有其中水平长度大于竖直长度的矩形形状或其中水平长度小于竖直长度的矩形形状，或者可以具有正方形形状。在一些实施方式中，显示区域DA可以具有各种合适的形状，诸如椭圆形或圆形。
周边区域PA可以是其中未布置像素PX的非显示区域。向像素PX提供电信号或电力的驱动器可以在周边区域PA中。电子装置、印刷电路板等可以电连接到其的焊盘可以在周边区域PA中。焊盘在周边区域PA中彼此间隔开，并且可以各自电连接到印刷电路板和/或集成电路装置。薄膜晶体管可以设置在周边区域PA中，并且此时，周边区域PA中的薄膜晶体管可以是用于控制施加到显示区域DA内的电信号的电路单元的一部分。
图2是包括在图1的显示设备中的一个像素PX的等效电路图。
如图2中所示，像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。作为开关晶体管的第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以由从扫描线SL输入的开关信号导通，以向第一薄膜晶体管T1传输从数据线DL输入的数据信号。存储电容器Cst可以具有电连接到第二薄膜晶体管T2的一端和电连接到驱动电压线PL的另一端，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和提供到驱动电压线PL的驱动电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
作为驱动晶体管的第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置成根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有设定或特定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极可以接收电极电力电压ELVSS。
图2示出了像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，晶体管的数量或存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
图3是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图，并且图4是图3的部分I的放大图。
参考图3，显示设备包括衬底100、第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2以及电连接到第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的有机发光二极管300。此外，有机发光显示设备还可以包括各种合适的绝缘层(例如，缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、平坦化层118和像素限定层119)和存储电容器Cst。
衬底100可以通过使用各种合适的材料(诸如玻璃材料、金属材料和/或塑料材料)形成。在实施方式中，衬底100可以是柔性衬底，并且可以包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
缓冲层111可以在衬底100上，并且因此可以减少或阻挡异物、湿气和/或外部空气从衬底100的下部分渗入，并且在衬底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物和/或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以形成为无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。用于防止或减少外部空气的渗入的阻隔层可以进一步包括在衬底100和缓冲层111之间。在一些实施方式中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
第一薄膜晶体管T1和/或第二薄膜晶体管T2可以在缓冲层111上。第一薄膜晶体管T1包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，并且第二薄膜晶体管T2包括半导体层A2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。第一薄膜晶体管T1可以用作连接到有机发光二极管300以驱动有机发光二极管300的驱动薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到数据线DL以用作开关薄膜晶体管。在附图中，存在两个薄膜晶体管，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量可以变化，例如，从1至7变化。
半导体层A1和A2可以独立地包括非晶硅或多晶硅。在另一实施方式中，半导体层A1和A2可以独立地包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的群组中选择的至少一种材料的氧化物。半导体层A1和A2可以包括沟道区域以及掺杂有杂质的源极区域和漏域区域。
栅电极G1和G2在半导体层A1和A2上，且第一栅极绝缘层112在其之间。栅电极G1和G2可以独立地包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或Ti，并且可以形成为单层或多层。例如，栅电极G1和G2中的每一个可以是Mo的单层。
第一栅极绝缘层112可以包括SiO2、SiNx、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极G1和G2。第二栅极绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnOx。
存储电容器Cst的第一存储电极CE1可以与第一薄膜晶体管T1重叠。例如，第一薄膜晶体管T1的栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电极CE1。然而，本公开不限于此。存储电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管T1重叠，并且可以与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2间隔开。
存储电容器Cst的第二存储电极CE2与第一存储电极CE1重叠，且第二栅极绝缘层113在其之间。在此情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的电介质层。第二存储电极CE2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以形成为包括以上材料的多层或单层。例如，第二存储电极CE2可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
层间绝缘层115在衬底100的整个表面上以覆盖第二存储电极CE2。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnOx。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2在层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料(例如，电力导电材料)，并且可以形成为包括前述材料的多层或单层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每一个可以形成为Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层118可以在源电极S1和S2以及漏电极D1和D2上，并且有机发光二极管300可以在平坦化层118上。有机发光二极管300包括像素电极310、包括有机发射层的中间层320和相对电极330。
平坦化层118可以具有平坦的上表面，使得像素电极310可以是平坦的。平坦化层118可以形成为包括有机材料和/或无机材料的单层或多层。平坦化层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或其共混物。在一些实施方式中，平坦化层118可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnOx。在形成平坦化层118之后，可以执行化学机械抛光以提供平坦的上表面。
在平坦化层118中存在开口以暴露第一薄膜晶体管T1的源电极S1和漏电极D1中的一个，并且像素电极310通过该开口与源电极S1或漏电极D1接触(例如，物理接触)以电连接到第一薄膜晶体管T1。像素电极310包括透光导电层和反射层，透光导电层包括透光导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(In2O3)和/或氧化铟锌(IZO)，反射层包括金属，诸如Al和/或银(Ag)。例如，像素电极310可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
像素限定层119可以在像素电极310上。像素限定层119通过具有与子像素中的每一个对应的开口119OP来限定子像素，例如，像素电极310的至少中央部分通过开口119OP暴露。此外，像素限定层119可以通过增加像素电极310的边缘和相对电极330之间的距离来防止或减少在像素电极310的边缘和相对电极330之间发生电弧等。像素限定层119可以包括例如有机材料，诸如PI和/或HMDSO。
间隔物可以在像素限定层119上方。间隔物可以用于防止或减少在用于形成有机发光二极管300的中间层320所使用或所需的掩模工艺期间可能发生的掩模压印(maskimprinting)。间隔物可以包括例如有机材料，诸如PI和/或HMDSO。间隔物和像素限定层119可以由相同材料并行(例如，同时)形成。在此情况下，可以使用半色调掩模。
有机发光二极管300的中间层320可以包括发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。绿光可以是495nm至580nm的波长带的光，红光可以是580nm至780nm的波长带的光，并且蓝光可以是400nm至495nm的波长带的光。
有机发射层可以包括低分子量有机材料和/或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地进一步在有机发射层之下和上方。中间层320可以与多个像素电极310中的每一个对应。然而，本公开不限于此。中间层320可以具有各种合适的修改，诸如例如包括在多个像素电极310之上一体形成的层。
参考图3和图4，相对电极330可以遍及显示区域DA和周边区域PA，并且可以在中间层320和像素限定层119上方。相对电极330可以相对于多个有机发光二极管300一体形成，从而与多个像素电极310对应。
相对电极330可以覆盖中间层320。相对电极330可以是透光电极或反射电极。在实施方式中，相对电极330可以具有约至约/>的厚度。在一些实施方式中，相对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有小功函数的金属薄膜，金属薄膜包括锂(Li)、钙(Ca)、氟(F)、Al、Ag、镁(Mg)以及其化合物(诸如LiF)或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。此外，诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的透明导电氧化物(TCO)膜可以进一步在金属薄膜上。在实施方式中，相对电极330可以包括银-镁合金(AgMg)。在此情况下，相对电极330中的Ag的量可以为约85at％至约95at％(例如，基于相对电极330的100at％)。
相对电极330可以是反射电极，并且因此，当在存在大量光的地方使用显示设备时，可视性可以由于外部光的反射而降低。因此，偏振膜可以在相对电极330上方，且至少一个层在其之间。然而，通常，防止或减少反射的偏振膜可以将透光率降低至约50％或更低。因此，可需要更多的电力来补偿亮度。
在本公开中，低反射层LRL可以在相对电极330上。低反射层LRL可以与相对电极330接触(例如，物理接触)。低反射层LRL可以与包括在中间层320中的发射层重叠。在实施方式中，低反射层LRL可以具有约至约/>的厚度。低反射层LRL可以在相对电极330上方，并且因此可以简单地在相同的沉积设施中与相对电极330共同沉积而无需单独的工艺设施。
低反射层LRL可以包括具有黑化特性的氧化钼(MoO2)。黑化特性可以意味着光吸收特性。低反射层LRL还可以包括氧化钽(TaOX)。换句话说，低反射层LRL可以包括氧化钼钽(MoTaOX)。因为低反射层LRL包括TaOX，所以可以通过补充低反射层LRL的耐化学性来改善工艺稳定性。在此情况下，钽(Ta)的量可以为约2at％至约16at％(例如，基于低反射层LRL的100at％)。MoTaOX的X可以是2.0至3.0。在另一实施方式中，除了Ta之外，低反射层LRL可以包括元素周期表的第V族元素的至少一种氧化物。
换句话说，通过向具有黑化特性的MoO2的组合物添加TaOx，低反射层LRL可以设置为具有光吸收性质和小厚度的层。如参考图8所描述的，低反射层LRL可以保持比普通偏振膜高的透光率。因此，通过在没有偏振膜的情况下布置低反射层LRL，显示设备可以防止或减少外部光的反射。然而，偏振膜可以进一步在低反射层LRL上。
用于改善光效率的封盖层CPL可以在低反射层LRL上。封盖层CPL可以是透明层。封盖层CPL的厚度可以为约至约/>封盖层CPL可以包括有机材料、无机材料或其混合物。有机材料的示例可以包括从由三-8-羟基喹啉铝(Alq3)、ZnSe、2,5-双(6'-(2',2”-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、1,1'-双(二-4-甲苯基氨基苯基)环己烷(TAPC)、三芳基胺衍生物(EL301)、8-羟基喹啉锂(Liq)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基[1]9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)和2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)组成的群组中选择的至少一种。无机材料的示例可以包括从由ITO、IZO、SiO2、SiNx、Y2O3、WO3和Al2O3组成的群组中选择的至少一种。低反射层LRL和封盖层CPL可以包括不同的材料。低反射层LRL的光吸收率可以比封盖层CPL的光吸收率大。
参考图4，相对电极330的厚度TH1可以比低反射层LRL的厚度TH2小。低反射层LRL的厚度TH2可以比封盖层CPL的厚度TH3小。相对电极330可以具有约至约/>的厚度。低反射层LRL可以具有约/>至约/>的厚度。封盖层CPL可以具有约/>的厚度。
图5A和图5B是示出根据相对电极330和低反射层LRL的厚度的光反射率的曲线图和表格。在图5A、图5B和图7中，相对电极330也可以被称为阴极。
图5A示出了根据低反射层LRL不在相对电极330上的情况以及低反射层LRL在相对电极330上的厚度的光反射率。用具有约的厚度的相对电极330进行实验。
图5A的曲线图示出了对于低反射层LRL的每个厚度的根据光的波长范围的反射率。图5A的表格示出了根据低反射层LRL的厚度的平均反射率。
参考图5A，当相对电极330上的低反射层LRL具有至/>的厚度时，最大平均反射率为13.6％。可以看出，与当低反射层LRL不在相对电极330上时的27.5％的平均反射率相比，平均反射率显著降低。当低反射层LRL的厚度为约/>时，平均反射率为5.6％。换句话说，通过在相对电极330上布置包括包含Mo的氧化物的低反射层LRL，显示设备可以降低外部光反射率。因此，即使在明亮的环境中也可以改善显示设备的可视性。
在实施方式中，低反射层LRL可以具有1.8至2.2的折射率。低反射层LRL可以具有约至约/>的厚度。因此，因为低反射层LRL可以具有小厚度，所以低反射层LRL可以具有小光学厚度(折射率*厚度)。
图5B示出了根据相对电极330的厚度的光反射率。图5B的曲线图示出了对于相对电极330的每个厚度的根据光的波长范围的反射率。图5B的表格示出了根据相对电极330的厚度的平均反射率。
参考图5B，在其中低反射层LRL具有相对类似厚度的实验条件下，通过将相对电极330的厚度改变成 和/>而获得的平均反射率分别为5.6％、5.3％、5.2％、5.1％、5.0％和5.2％，该平均反射率在5.0％至5.6％的窄范围内。这意味着，当显示设备具有拥有约/>至约/>的厚度的低反射层LRL时，即使当相对电极330的厚度改变时，也可以保持抗反射特性。
图6是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。这里不重复包括在图3中的上述组件的冗余描述。
密封显示区域DA的薄膜封装(TFE)层400可以进一步包括在有机发光二极管300上方。TFE层400可以覆盖显示区域DA以保护有机发光二极管300等免受外部湿气和/或氧气的影响。TFE层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410覆盖相对电极330，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、In2O3、氧化锡(SnO2)、ITO、SiO2、SiNx和/或SiON。根据需要或所期望的，诸如封盖层的其它层可以在第一无机封装层410和相对电极330之间。如图6中所示，第一无机封装层410沿着其之下的结构形成，并且因此不具有平坦的上表面。
有机封装层420覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420可以具有近似平坦的上表面。更详细地，有机封装层420的与显示区域DA对应的部分可以具有近似平坦的上表面。有机封装层420可以包括从由丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和HMDSO组成的群组中选择的至少一种材料。
第二无机封装层430覆盖有机封装层420，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、In2O3、SnO2、ITO、SiO2、SiNx和/或SiON。第二无机封装层430可以在显示区域DA外部的其边缘处与第一无机封装层410接触(例如，物理接触)，从而防止或减少有机封装层420暴露于外部。
如此，TFE层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，并且因此，经由这种多层结构，即使当在TFE层400中出现裂纹时，裂纹也可以不在第一无机封装层410和有机封装层420之间或有机封装层420和第二无机封装层430之间彼此连接。因此，可以防止、最小化或减少湿气和/或氧气从外部通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成。
在本实施方式中，TFE层400用作密封有机发光二极管300的封装构件，但是本公开不限于此。例如，作为密封有机发光二极管300的构件，可以使用通过密封剂和/或玻璃料结合到衬底100的密封衬底。
参考图6，在实施方式中，低反射层LRL可以在封盖层CPL或TFE层400之下。换句话说，低反射层LRL可以在相对电极330上方并且可以与相对电极330接触(例如，物理接触)。在此情况下，在用于沉积相对电极330的设施中，低反射层LRL可以简单地与相对电极330共同沉积。
图7示出了根据低反射层LRL的位置的光反射率。包括在图7中的图示出了对于低反射层LRL的每个位置的根据波长的平均光反射率。包括在图7中的表格示出了对于低反射层LRL的每个位置的特定波长(450nm、550nm和650nm)处的光反射率。比较示例(Ref)是低反射层LRL不设置在显示设备中的情况。
在实施方式中，低反射层LRL可以在相对电极330上方，如图6中所示。图7的实验结构包括低反射层LRL在相对电极330和封盖层CPL之间的结构(在下文中，称为第一结构)、低反射层LRL在封盖层CPL和TFE层400之间的结构(在下文中，称为第二结构)以及低反射层LRL在TFE层400上方的结构(在下文中，称为第三结构)。
参考图7的图，400nm至800nm的波长处的平均反射率对于第一结构为约21％，对于第二结构为约33％，并且对于第三结构为约37％。换句话说，在比较结构中，当低反射层LRL直接在相对电极330上时，防止或减少外部光的反射的效果是最大的。参考图7的表格，即使在450nm、550nm和650nm的各种合适的波长范围内，在大多数情况下，第一结构表现出比其它结构更低的反射率。
参考图6，根据实施方式的显示设备可以包括相对电极330和与相对电极330接触(例如，物理接触)并且包括具有黑化特性的MoO2的低反射层LRL。低反射层LRL可以在相对电极330上。封盖层CPL可以在低反射层LRL上。TFE层400可以在封盖层CPL上。换句话说，在实施方式中，可以包括在相对电极330和封盖层CPL之间的低反射层LRL。因此，参考图7，显示设备可以具有显著降低的光反射率。
图8是示出其中布置有具有的厚度的低反射层LRL的显示设备的透光率的曲线图。
通常，在显示设备中，偏振膜等可以在TFE层400上方，以减少外部光的反射。当布置单独的层以防止或减少外部光的反射时，透光率可以降低，并且因此显示设备的亮度可以降低。可以消耗更多的电力来补偿亮度。通常，防止或减少外部光的反射的偏振膜可以将透光率降低50％或更多。
在实施方式中，包括MoO2的低反射层LRL可以在相对电极330上方。低反射层LRL可以包括MoTaOx。低反射层LRL可以具有约至约/>的厚度。换句话说，通过将TaOx添加到具有黑化特性的MoO2的组合物，低反射层LRL可以设置为具有光吸收性质和小厚度的层。
参考图8，根据实施方式的显示设备可以在480nm至780nm的波长范围内保持接近60％的透光率。因此，根据实施方式的显示设备可以以相对低的电力实现所需的或所期望的亮度。
根据如以上所描述的实施方式，显示设备包括低反射层，并且因此具有优异的抗反射特性和优异的可视性。然而，上述效果是示例。
应当理解，本文中所描述的实施方式应当仅以描述性的意义考虑，并且不是出于限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求以及其等同限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上进行各种改变。
Claims (10)
1.显示设备，包括：
像素电极；
发射层，在所述像素电极上；
相对电极，覆盖所述发射层；以及
低反射层，在所述相对电极上并且与所述发射层重叠，
其中，所述低反射层包括氧化钼钽。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述低反射层与所述相对电极接触。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述低反射层具有至/>的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述低反射层中的钽的量为2at％至16at％。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括覆盖所述低反射层的封盖层。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述低反射层的厚度比所述封盖层的厚度小。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括在所述低反射层上的薄膜封装层。
8.显示设备，包括：
像素电极；
像素限定层，具有暴露所述像素电极的至少一部分的开口；
相对电极，在所述像素电极和所述像素限定层上；
低反射层，与所述相对电极接触；以及
薄膜封装层，在所述低反射层上，
其中，所述低反射层包括具有黑化特性的氧化钼和元素周期表的第V族元素的至少一种氧化物，以及
所述低反射层具有至/>的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括在所述像素电极和所述相对电极之间的发射层，
其中，所述发射层在所述像素限定层的所述开口中。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述低反射层与所述发射层重叠。
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