CN117594621A - 图像传感器的制作方法及图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。本公开的图像传感器的制作方法及图像传感器，减少了第一氮化硅层的游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二应力和第一应力相反，减小了基底上的叠层对基底表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高了图像传感器的成像质量。
Description
技术领域
本公开涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器。
背景技术
暗电流是图像传感器的重要电性参数，暗电流直接影响图像传感器的光学性能，图像传感器在无光照的状态，暗电流足够高时就会在图像传感器的像素区的局部区域产生可见的发光白点，而此时像素区的其他部分是黑暗的，这种像素为白色像素（Whitepixel），白色像素的产生影响图像传感器的成像质量。
图像传感器的基底界面处的缺陷是产生漏电流的重要因素，同时基底上的介电层对基底表现出的应力也对白色像素的产生有显著影响。
发明内容
基于此，有必要针对现有技术中的图像传感器漏电流的问题提供一种图像传感器的制作方法及图像传感器。
为了实现上述目的，第一方面，本公开提供了一种图像传感器的制作方法，包括：
提供基底；
在所述基底上形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层包括氢离子，所述第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成所述第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；
在所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层具有第二应力，所述第二应力和所述第一应力相反。
可选地，在所述基底上形成第一氮化硅层之后，还包括：
对所述第一氮化硅层执行热处理，以使所述第一氮化硅层中的氢离子扩散并与所述第一氮化硅层和所述基底之间的游离的悬挂键键合。
可选地，在所述基底上形成第一氮化硅层，包括：
以第一流量速率T1向所述基底通入硅烷，以第二流量速率T2向所述基底通入氨气，以第三流量速率T3向所述基底通入氮气，在第一工艺条件下沉积形成所述第一氮化硅层；
其中，（T1+T2）/T3=0.38-3:100。
可选地，在所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，包括：
将所述第一工艺条件调整为第二工艺条件；
将硅烷的流量速率调整为第四流量速率T4，将氨气的流量速率调整为第五流量速率T5，将氮气的流量速率调整为第六流量速率T6，其中，所述第五流量速率T5大于所述第四流量速率T4，在所述第二工艺条件下沉积形成所述第二氮化硅层。
可选地，所述第一工艺条件包括：压力为4.2Torr-5Torr，功率为600W-1000W；
所述第二工艺条件包括：压力为4Torr-6Torr，功率为400W-1350W。
可选地，所述制作方法还包括：
量测形成所述第一氮化硅层之后的结构的形变量和所述第一应力；
根据形成所述第一氮化硅层之后的结构的形变量、所述第一应力调整所述第二工艺条件，以使所述第二应力和所述第一应力相反，且所述第二氮化硅层的顶面为平面。
可选地，所述制作方法还包括：在所述基底上形成第一氮化硅层之前，在所述基底上形成第一氧化物介质层；在形成所述第二氮化硅层之后，在所述第二氮化硅层上形成第二氧化物介质层。
第二方面，本公开提供了一种图像传感器，包括：
基底；
第一氮化硅层，所述第一氮化硅层设置在所述基底上，所述第一氮化硅层包括氢离子，所述第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，所述基底和所述第一氮化硅层的总应力为第一应力；
第二氮化硅层，所述第二氮化硅层设置在所述第一氮化硅层上，所述第二氮化硅层具有第二应力，所述第二应力和所述第一应力相反。
可选地，所述第二氮化硅层的顶面为平面。
可选地，还包括：
第一氧化物介质层，所述第一氧化物介质层设置在所述基底和所述第一氮化硅层之间；
第二氧化物介质层，设置在所述第二氮化硅层上。
本公开的图像传感器的制作方法及图像传感器，在基底上方层叠设置第一氮化硅层和第二氮化硅层，将第一氮化硅层中氢离子的质量含量降低至低于1%，以减少游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二应力和第一应力相反，减小了基底上的叠层对基底表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高了图像传感器的成像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的图像传感器的制作方法的流程图。
图2为一实施例中提供的图像传感器的示意图。
图3为另一实施例中提供的图像传感器的示意图。
图4为又一实施例中提供的图像传感器的示意图。
附图说明：
10、基底；11、承载晶圆；12、功能晶圆；13、连接导线；14、外延层；20、第一氧化物介质层；21、第一氧化硅层；22、氧化铝层；23、第二氧化硅层；30、第一氮化硅层；40、第二氮化硅层；50、第二氧化物介质层。
具体实施方式
为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的首选实施例。但是，本公开可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本公开的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开。
暗电流是图像传感器的重要电性参数，暗电流直接影响图像传感器的光学性能，图像传感器在无光照的状态，暗电流足够高时会在图像传感器的像素区的局部区域产生可见的发光白点，而此时像素区的其他部分是黑暗的，这种像素为白色像素（White pixel），白色像素的产生影响图像传感器的成像质量。
相关方案中为了降低图像传感器的暗电流，多采用降低基底附近膜层的金属离子的含量，避免金属离子污染导致禁带出现中间能级在没有光照的条件下电子发生跃迁的情况。然而，降低金属离子并没能完全解决图像传感器的暗电流的问题。
鉴于此，对影响图像传感器的暗电流的因素进行分析认为，图像传感器的暗电流的形成，除了金属离子污染使得原本禁带中出现中间能级使得在没有光照的条件下电子也能发生跃迁外，图像传感器的基底界面处的缺陷是产生漏电流的重要因素，基底上的介电层包括氮化硅介质层，受到氮化硅介质层的制程工艺的影响，氮化硅介质层通常包括较高含量（2.89%以上）的氢离子（H+），氮化硅介质层中的氢离子能够中和图像传感器中游离的硅悬挂键，但氮化硅介质层中氢离子的含量大于图像传感器中游离的硅悬挂键的含量时，过量的氢离子移动到基底的表面损伤基底表面的硅晶格，在基底的表面形成缺陷态，导致图像传感器产生暗电流，同时基底上的介电层对基底表现出的应力也对白色像素的产生有显著影响。
本公开提供了一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法包括：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。本公开将氮化硅层分为依次叠置在基底上方的第一氮化硅层和第二氮化硅层，将第一氮化硅层中氢离子的质量含量降低至低于1%，以减少游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二氮化硅层的第二应力和形成第一氮化硅层之后的结构的第一应力相反，第二应力至少能够中和部分第一应力，减小了基底上的叠层向基底施加的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，降低图像传感器的暗电流，提高了图像传感器的成像质量。
根据一示例性实施例，本示例性实施例提供了一种图像传感器的制作方法，图1示出了根据本示例性实施例提供的图像传感器的制作方法的流程图，如图1所示，本示例性实施例的图像传感器的制作方法，包括：
步骤S11：提供基底。
步骤S12：在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力。
步骤S13：在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。
在步骤S11中，参照图2、图3、图4所示，本实施例提供的基底10包括一承载晶圆11，以及键合在承载晶圆11上的功能晶圆12，功能晶圆12中形成有连接导线13，连接导线13用于连接后续制程中形成的像素。
基底10还包括设置在功能晶圆12上外延生长形成的外延层14。
本实施例中，在步骤S12在基底上形成第一氮化硅层之前，还执行了以下步骤：
步骤S101：在基底上形成第一氧化物介质层。
参照图2、图3、图4所示，采用沉积工艺形成第一氧化物介质层20，第一氧化物介质层20形成在基底10的外延层14上，第一氧化物介质层20可以包括单层或多层结构。本实施例中，第一氧化物介质层20包括依次层叠在基底10上的第一氧化硅层21、氧化铝层22和第二氧化硅层23。
在步骤S12中，可以采用以下实施方式在基底上形成第一氮化硅层：
参照图2、图3、图4所示，以第一流量速率T1向基底10通入硅烷，以第二流量速率T2向基底10通入氨气，以第三流量速率T3向基底10通入氮气，在第一工艺条件下沉积形成第一氮化硅层30。其中，（T1+T2）/T3=0.38-3:100。
第一工艺条件包括：压力为4.2Torr-5Torr，功率为600W-1000W。
将基底10置于反应腔中，以第一流量速率T1向反应腔通入硅烷（SiH4)，以第二流量速率T2向反应腔通入氨气（NH3），以第三流量速率T3向反应腔通入氮气（N2），第一流量速率T1为70sccm-130sccm，第二流量速率T2为0sccm-170sccm，第三流量速率T3为10000sccm-18000sccm。
将反应腔内的压力调整为4.2Torr-5Torr，然后以600W-1000W的功率解离硅烷、氨气和氮气，在反应腔中产生氮等离子体、硅等离子和氢等离子体，氮等离子体和硅等离子反应沉积在第一氧化物介质层20上形成第一氮化硅层30。
本实施例中，通过减小硅烷的第一流量速率T1以及氨气的第二流量速率T2，增大氮气的第三流量速率T3，减小硅烷和氨气解离在反应腔中产生的氢等离子体的含量，从而减少第一氮化硅层30中游离的氢离子的含量。
第一流量速率T1和第二流量速率T2越小，第一氮化硅层30中氢离子的质量含量越低，但是沉积形成第一氮化硅层30的时长相应增加，并且，第一氮化硅层30中含有适量的氢离子能够和第一氧化物介质层20中游离的悬挂键结合，能够避免游离的悬挂键造成信号串扰对图像传感器产生不良影响。
本实施例将第一流量速率T1、第二流量速率T2和第三流量速率T3的调整为（T1+T2）/T3=0.38-3:100时，如此，形成的第一氮化硅层30中氢离子的质量含量低于1%。
比如，第一氮化硅层30中氢离子的质量含量可以为1%、0.98%、0.95%或更小，第一氮化硅层30中含有适量的氢离子游离的悬挂键结合，避免游离的悬挂键造成信号串扰对图像传感器产生不良影响，同时兼顾形成第一氮化硅层30的效率，节约制程时间成本。
示例性的，（T1+T2）/T3=0.38:100、0.5:100、0.8:100、1:100、1.38:100、1.5:100、1.8:100、2:100、2.38:100、2.5:100、2.8:100或2:100。
本实施例中，在步骤S12形成第一氮化硅层之后，在步骤S13形成第二氮化硅层之前，还执行以下步骤：
步骤S102：对第一氮化硅层执行热处理，第一氮化硅层中的氢离子扩散并与第一氮化硅层和基底之间的游离的悬挂键键合。
参照图2、图3、图4所示，形成第一氮化硅层30后，对形成了第一氮化硅层30的结构进行热处理。
比如可以在加热炉管或退火炉中对形成了第一氮化硅层30的结构进行热处理，以促进第一氮化硅层30中的氢离子向第一氧化物介质层20扩散和第一氧化物介质层20中游离的悬挂键结合，避免游离的悬挂键造成信号串扰对图像传感器产生不良影响。
由于第一氮化硅层30中氢离子含量小于1%，第一氮化硅层30中的氢离子和第一氧化物介质层20中游离的悬挂键结合后，进一步减小了第一氮化硅层30中氢离子的含量，能够避免第一氮化硅层30中氢离子移动到基底10的表面损伤基底10表面的硅晶格，从而减小基底10表面的缺陷，降低图像传感器的暗电流、减少白点缺陷，能够提高图像传感器的成像质量。
在步骤S13中，本实施例中，在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，采用以下实施方式：
首先，将第一工艺条件调整为第二工艺条件。第二工艺条件包括：压力为4Torr-6Torr，功率为400W-1350W。
本实施例中，根据形成第一氮化硅层30之后的结构的总应力设置第二工艺条件。
示例性的，第二工艺条件的压力可以为4Torr、4.3Torr、4.5Torr、4.7Torr、5Torr、5.3Torr、5.5Torr、5.7Torr或6Torr、功率可以为400W、500W、600W、700W、800W、900W、1000W、1100W、1200W、1300W或1350W。
然后，将硅烷的流量速率调整为第四流量速率T4，第四流量速率T4为70sccm-830sccm；将氨气的流量速率调整为第五流量速率T5，其中，第五流量速率T5大于第四流量速率T4，第五流量速率T5为500sccm-3500sccm；将氮气的流量速率调整为第六流量速率T6，第六流量速率T6为1000sccm-18000sccm，在第二工艺条件下沉积形成第二氮化硅层40。
参照图2、图3、图4所示，形成第一氮化硅层30之后的结构的总应力设置第二工艺条件，以使第二氮化硅层40和第一氮化硅层30的应力相反，比如，形成第一氮化硅层30之后，基底10上的叠层对基底10施加的第一应力为拉应力（tensile stress），则第二氮化硅层40对基底10施加的第二应力为压应力（compressive stress）；形成第一氮化硅层30之后，基底10上的叠层对基底10施加的第一应力为压应力，则第二氮化硅层40对基底10施加的第二应力为拉应力。
如此，第二应力至少能够中和部分第一应力，减小基底10上的叠层向基底施加的总应力，从而减小形成第二氮化硅层40之后，基底10上的叠层向基底10施加的应力，降低图像传感器的暗电流、减少白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
在一些实施例中，第一应力和第二应力相反，且第一应力和第二应力的大小相同，如此，第一应力和第二应力相互抵消，如此，基底10不受位于其上的叠层的应力影响，能够进一步降低图像传感器的暗电流、减少白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
可以理解的是，“第一应力和第二应力的大小相同”为形成第一氮化硅层30之后，基底10上的叠层对基底10施加的第一应力（拉应力或压应力）和第二氮化硅层40对基底10施加的第二应力（压应力或拉应力）的应力值基本相同。
在一些实施例中，在步骤S13之后还执行了步骤S14：在第二氮化硅层上形成第二氧化物介质层。
参照图2、图3、图4所示，在第二氮化硅层40上沉积形成第二氧化物介质层50，第二氧化物介质层50可以为氧化硅介质层。第一氧化物介质层20、第一氮化硅层30、第二氮化硅层40和第二氧化物介质层50共同形成设置在基底10上的高介电膜层。
本实施例的图像传感器的制作方法，通过降低第一氮化硅层30中氢离子的质量含量至低于1%，减少第一氮化硅层30中游离的氢离子，避免第一氮化硅层30中的氢离子游离到基底10表面造成基底10表面缺陷，从而降低形成的图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
本实施例的图像传感器的制作方法，通过优化在基底上形成氮化硅介质层的过程，将氮化硅介质层分为第一氮化硅层和第二氮化硅层，并通过两次制程分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层，形成第一氮化硅层之后的结构的应力为第一应力，在第一氮化硅层上形成具有第二应力的第二氮化硅层，第一应力和第二应力相反，降低了基底受到的应力，从而降低了图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
本实施例的图像传感器的制作方法，在形成第一氮化硅层之后、形成第二氮化硅层之前执行热处理第一氮化硅层，以使第一氮化硅层中的氢离子扩散和游离的悬挂键结合降低游离的悬挂键含量，对第二氮化硅层不执行热处理制程，从而避免第二氮化硅层中的氢离子扩散造成基底表面的硅晶格损伤、避免基底表面缺陷，进一步降低形成的图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
根据一示例性实施例，本实施例包括上述实施例的全部步骤，本实施例和上述实施例的区别之处在于，本实施例的图像传感器的制作方法还包括以下步骤：
步骤S131：量测形成第一氮化硅层之后的结构的形变量和第一应力。
步骤S132：根据形成第一氮化硅层之后的结构的形变量、第一应力调整第二工艺条件，以使第二应力和第一应力相反，且第二氮化硅层的顶面为平面。
在步骤S131中，参照图3、图4所示，形成第一氮化硅层30之后，第一氧化物介质层20、第一氮化硅层30的叠层基底10施加第一应力，第一应力为拉应力或压应力。
形成第一氧化物介质层20、第一氮化硅层30的每个步骤中，都会产生形变，导致膜层的顶面相对于基底10弯曲。
参照图3、图4所示，第一氮化硅层30的顶面为相对于基底10凸起的凸面或向基底10方向凹陷的凹面，以第一氮化硅层30的顶面相对于基底10的弯曲度作为形成第一氮化硅层30之后的结构的形变量。
本实施例中，形成第一氮化硅层30之后，量测结构的形变量以及结构的第一应力。
在一些示例中，参照图3所示，量测结构的形变量即量测第一氮化硅层30相对于基底10的弯曲度，第一氮化硅层30的顶面为相对于基底10凸起的凸面。
量测结构的第一应力，第一应力为拉应力，第一应力为0Mpa-1200Mpa，比如第一应力可以为100Mpa、400Mpa、800Mpa、1000Mpa或1200Mpa。
在一些示例中，参照图4所示，第一氮化硅层30的顶面为向基底10方向凹陷的凹面，第一应力为压应力，第一应力为-1600Mpa-0Mpa，比如第一应力为可以为-1600Mpa、-1300Mpa、-1000Mpa、700Mpa、400Mpa、100Mpa或0Mpa。
在步骤S132中，根据形成第一氮化硅层30之后的结构的形变量、第一应力调整第二工艺条件。第二氮化硅层40的应力随功率增加而增加，功率低时第二氮化硅层40的第二应力较小；功率升高应力增大；反应腔内的压力较小时，第二氮化硅层40的第二应力随反应腔内的压力升高而减少，当反应压力过大时，第二氮化硅层40的应力随反应腔内的压力而增加。
在一些示例中，参照图3所示，第一氮化硅层30的顶面为相对于基底10凸起的凸面，第一应力为拉应力，第一应力的大小为0Mpa-1200Mpa。则调整第二工艺条件以使第二氮化硅层40覆盖第一氮化硅层30和第一氮化硅层30的顶面互补，第二氮化硅层40向第一氮化硅层30施加的第二应力为压应力，第二应力和第一应力相反。
进一步的，可以通过调整第二工艺条件以使第二应力的大小为-1200Mpa-0Mpa，以使第二应力和第一应力相反，且第二应力和第一应力的大小相同，第二应力能够抵消第一应力，将基底10上的叠层对其施加的应力降低至零。
在另一些示例中，参照图4所示，第一氮化硅层30的顶面为向基底10方向凹陷的凹面，第一应力为压应力，第一应力的大小为-1600Mpa-0Mpa。则调整第二工艺条件以使第二氮化硅层40覆盖第一氮化硅层30和第一氮化硅层30的顶面互补，第二氮化硅层40向第一氮化硅层30施加的第二应力为拉应力，第二应力和第一应力相反。
进一步的，可以通过调整第二工艺条件以使第二应力的大小为0Mpa-1600Mpa，以使第二应力和第一应力相反，且第二应力和第一应力的大小相同，第二应力能够抵消第一应力，将基底10上的叠层对其施加的应力降低至零。
本实施例的图像传感器的制作方法，根据形成第一氮化硅层之后的结构的形变量和第一应力调整第二工艺条件，以使第二氮化硅层的第二应力和形成第一氮化硅层之后的结构的第一应力相反，减小了基底上的高介电膜层向基底施加的应力，同时第二氮化硅层和形成第一氮化硅层之后的结构的形变量互补，以减小高介电膜层的形变量，高介电膜层的顶面为平面或接近于平面，高介电膜层的弯曲度小，提高了高介电膜层的抗压性，降低了形成的图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
根据一示例性实施例，本实施例提供了一种图像传感器，参照图2、图3、图4所示，图像传感器包括基底10、第一氮化硅层30和第二氮化硅层40，第一氮化硅层30设置在基底10上，第一氮化硅层30包括氢离子，第一氮化硅层30中氢离子的质量含量低于1%，基底10和第一氮化硅层30的总应力为第一应力；第二氮化硅层40设置在第一氮化硅层30上，第二氮化硅层40具有第二应力，第二应力和第一应力相反。
基底10包括一承载晶圆11，以及键合在承载晶圆11上的功能晶圆12，功能晶圆12中设置有连接导线13，连接导线13用于连接后续制程中形成的像素。基底10还包括设置在功能晶圆12上外延形成的外延层14。第一氮化硅层30和第二氮化硅层40设置在外延层14的上方，第一氮化硅层30和外延层14之间还可以设置有其他膜层。其中，第一应力是指第二氮化硅层40下方的其他全部膜层对基底10施加的总应力。
第一氮化硅层30中氢离子的质量含量低于1%，比如，第一氮化硅层30中氢离子的质量含量可以为1%、0.98%、0.95%或更小。
在一些实施例中，第二应力和第一应力的大小相同，第二应力和第一应力相互抵消，基底10上的膜层向其施加的应力为零。如此，基底10不受位于其上的膜层的应力影响，能够进一步降低图像传感器的暗电流、减少白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
在一些实施例中，参照图2、图3、图4所示，第二氮化硅层40的顶面为平面。
在一些实施例中，参照图2、图3、图4所示，图像传感器还包括第一氧化物介质层20，第一氧化物介质层20设置在基底10和第一氮化硅层30之间。第一氧化物介质层20包括依次层叠在基底10上的第一氧化硅层21、氧化铝层22和第二氧化硅层23。
在一些实施例中，参照图2、图3、图4所示，图像传感器还包括第二氧化物介质层50，设置在第二氮化硅层40上。
本实施例的图像传感器，将基底10上的氮化硅层分为依次叠置在基底10上方的第一氮化硅层30和第二氮化硅层40，将第一氮化硅层30中氢离子的质量含量降低至低于1%，以减少游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底10的表面，同时第二氮化硅层40的第二应力和位于第二氮化硅层40下方的全部膜层的总应力（第一应力）相反，且第一应力和第二应力相反，减小了基底10上的膜层对基底10表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高图像传感器的成像质量。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层包括氢离子，所述第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成所述第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；
在所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层具有第二应力，所述第二应力和所述第一应力相反。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成第一氮化硅层之后，还包括：
对所述第一氮化硅层执行热处理，以使所述第一氮化硅层中的氢离子扩散并与所述第一氮化硅层和所述基底之间的游离的悬挂键键合。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成第一氮化硅层，包括：
以第一流量速率T1向所述基底通入硅烷，以第二流量速率T2向所述基底通入氨气，以第三流量速率T3向所述基底通入氮气，在第一工艺条件下沉积形成所述第一氮化硅层；
其中，（T1+T2）/T3=0.38-3:100。
4.根据权利要求3所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，包括：
将所述第一工艺条件调整为第二工艺条件；
将硅烷的流量速率调整为第四流量速率T4，将氨气的流量速率调整为第五流量速率T5，将氮气的流量速率调整为第六流量速率T6，其中，所述第五流量速率T5大于所述第四流量速率T4，在所述第二工艺条件下沉积形成所述第二氮化硅层。
5.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括：压力为4.2Torr-5Torr，功率为600W-1000W；
所述第二工艺条件包括：压力为4Torr-6Torr，功率为400W-1350W。
6.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
量测形成所述第一氮化硅层之后的结构的形变量和所述第一应力；
根据形成所述第一氮化硅层之后的结构的形变量、所述第一应力调整所述第二工艺条件，以使所述第二应力和所述第一应力相反，且所述第二氮化硅层的顶面为平面。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述基底上形成第一氮化硅层之前，在所述基底上形成第一氧化物介质层；在形成所述第二氮化硅层之后，在所述第二氮化硅层上形成第二氧化物介质层。
8.一种图像传感器，其特征在于，包括：
基底；
第一氮化硅层，所述第一氮化硅层设置在所述基底上，所述第一氮化硅层包括氢离子，所述第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，所述基底和所述第一氮化硅层的总应力为第一应力；
第二氮化硅层，所述第二氮化硅层设置在所述第一氮化硅层上，所述第二氮化硅层具有第二应力，所述第二应力和所述第一应力相反。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氮化硅层的顶面为平面。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
第一氧化物介质层，所述第一氧化物介质层设置在所述基底和所述第一氮化硅层之间；
第二氧化物介质层，设置在所述第二氮化硅层上。
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