CN117594084A - 存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数 - Google Patents

存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数 Download PDF

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Abstract

本公开涉及存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数。一种系统包含：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包含以下项的操作：接收用以对与所述存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一时间感测参数对连接到所述字线的所述一组单元执行存储器存取操作，其中所述第一时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。

Description

存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过 驱动电压参数
技术领域
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数。
背景技术
存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从存储器装置检索数据。
发明内容
一方面，本申请涉及一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包括以下项的操作：接收用以对与所述存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
另一方面，本申请涉及一种方法，其包括：接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一过驱动电压参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
另一方面，本申请涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下项的操作：接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
附图说明
从下文所给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图，可更全面地理解本公开。然而，附图不应被理解为将本公开限于特定实施例，而是仅用于解释及理解。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
图2是根据本公开的一些实施例的存储器装置的实例配置表的图。
图3是说明根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应时间感测参数的方法的实例的流程图。
图4是说明根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应时间感测参数的方法的实例的流程图。
图5是说明根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应过驱动电压参数的方法的实例的流程图。
图6是说明根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应过驱动电压参数的方法的实例的流程图。
图7是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
本公开的方面涉及用于存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据且可请求待从存储器子系统检索的数据。
存储器子系统可包含高密度的非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时期望保留数据。非易失性存储器装置的一个实例是与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片包含一或多个平面。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面包含一组物理块。每一块由一组页面组成。每一页面包含一组存储器单元。存储器单元是存储信息的电子电路。取决于存储器单元类型，存储器单元可存储一或多位二进制信息，且具有与被存储位的数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”及“1”，或此类值的组合)来表示。
存储器装置可包含以二维或三维网格布置的多个存储器单元。存储器单元以列及行的阵列形成在硅晶片上。存储器装置可进一步包含连接到存储器单元中的相应者的导电线，其被称为字线及位线。字线可指存储器装置的存储器单元的一或多个行且位线可指存储器单元的一或多个列。位线与字线的相交点构成存储器单元的地址。后文中的块是指用来存储数据的存储器装置的单位，且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或个别存储器单元。一或多个块可被分组在一起以形成存储器装置的平面以便允许在每一平面上发生并发操作。存储器装置可包含执行两个或更多个存储器平面的并发存储器页面存取的电路系统。例如，存储器装置可包含用于存储器装置的每一平面的相应存取线驱动器电路及电源电路，以促进两个或更多个存储器平面的页面(包含不同页面类型)的并发存取。
可通过将某个电压施加到存储器单元(“单元”)来对所述单元进行编程(写入)，这导致电荷由所述单元保存。例如，电压信号VCG可被施加到所述单元的控制电极以打开所述单元以使电流在源极电极与漏极电极之间跨所述单元流动。更具体来说，对于每一个别单元(其上存储有电荷Q)，可存在阈值控制栅极电压VT(也被称为“阈值电压”)，使得对于控制栅极电压(VCG)低于阈值电压(VCG<VT)，源极-漏极电流为低。一旦控制栅极电压已超过阈值电压(VCG>VT)，电流就大幅增加。因为电极及栅极的实际几何形状因单元而异，所以即使对于在同一裸片上实施的单元，阈值电压也可能不同。因此，所述单元可由阈值电压的分布P来表征(P(Q,VT)＝dW/dVT)，其中dW表示当电荷Q被置于任何给定单元上时所述单元具有在区间[VT,VT+dVT]内的阈值电压的概率。
存储器装置可展现与由所述装置的单元容许的控制电压的工作范围相比较窄的阈值电压分布P(Q,VT)。因此，多个不重叠的分布P(Qk,VT)(“谷”)可适配于所述工作范围，从而允许存储及可靠地检测电荷Qk(k＝1、2、3…)的多个值。分布(谷)散布有电压区间(“谷裕度”)，其中没有一个装置单元(或非常少的装置单元)具有它们的阈值电压。因此，此类谷裕度可被用来分离各种电荷状态Qk—可通过在读取操作期间检测所述单元的相应阈值电压VT驻留在哪两个谷裕度之间来确定所述单元的逻辑状态。具体来说，可通过将由存储器单元展现的经测量阈值电压VT与对应于存储器装置的已知谷裕度(例如，裕度中心)的一或多个参考电压电平进行比较来执行读取操作。
一种类型的单元是单电平单元(SLC)，其每单元存储1个位且定义2种逻辑状态(“状态”)(“1”或“L0”及“0”或“L1”)，每一逻辑状态对应于相应VT电平。例如，“1”状态可为擦除状态且“0”状态可为编程状态(L1)。另一类型的单元是多电平单元(MLC)，其每单元存储2个位且定义4种状态(“11”或“L0”、“10”或“L1”、“01”或“L2”及“00”或“L3”)，每一状态对应于相应VT电平。例如，“11”状态可为擦除状态且“01”、“10”及“00”状态可各自为相应编程状态。另一类型的单元是三电平单元(TLC)，其每单元存储3个位且定义8种状态(“111或“L0”、“110”或“L1”、“101”或“L2”、“100”或“L3”、“011”或“L4”、“010”或“L5”、“001”或“L6”及“000”或“L7”)，每一状态对应于相应VT电平。例如，“111”状态可为擦除状态且其它状态中的每一者可为相应编程状态。另一类型的单元是四电平单元(QLC)，其每单元存储4个位且定义16种状态L0到L15，其中L0对应于“1111”且L15对应于“0000”。另一类型的单元是五电平单元(PLC)，其每单元存储5个位且定义32种状态。也考虑其它类型的单元。因此，n电平单元可使用2n个电荷电平来存储n个位。存储器装置可包含一或多个存储器单元(例如SLC、MLC、TLC、QLC、PLC等，或其任何组合)阵列。例如，存储器装置可包含单元的SLC部分、MLC部分、TLC部分、QLC部分或PLC部分。
谷裕度也可被称为读取窗口。例如，在SLC单元中，相对于2个Vt分布存在1个读取窗口。作为另一实例，在MLC单元中，相对于4个Vt分布存在3个读取窗口。作为又一实例，在TLC单元中，相对于8个Vt分布存在7个读取窗口。读取窗口大小通常随着状态的数目的增加而减小。例如，SLC单元的1个读取窗口可大于MLC单元的3个读取窗口中的每一者，且MLC单元的3个读取窗口中的每一者可大于TLC单元的7个读取窗口中的每一者等。读取窗口预算(RWB)是指读取窗口的累积值。RWB下降可能负面地影响存储器装置可靠性。例如，RWB下降可能导致错误(例如，位错误)的数目及/或错误率(例如，位错误率(BER))的增加。
一些存储器装置(例如三维(3D)交叉点装置)可包含多个部分。一部分(例如层面或层)可被定义为可由(若干)竖直存取线电寻址的存储器单元的二维(2D)阵列。多个层面可堆叠(例如，竖直堆叠)在存储器装置内。每一层面的某些字线的某些存储器单元可固有地具有不同RWB及因此具有与其它字线的其它存储器单元不同的存储器装置可靠性。例如，在某些存储器装置中，每一层面的底字线被视为RWB限制字线，即，底字线在读取窗口之间具有有限裕度使得读取窗口的累积值较小，因此对应于比每一层面的其它字线更小的RWB。层面之间、字线之间及单元之间的RWB差异可能是由于制造工艺(例如，蚀刻工艺等)的可变性。
本公开的方面通过实施存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数来解决上述及其它缺陷。实施相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数可被用来使用例如较长时间感测参数及/或较高过驱动电压参数选择性地确定何时执行存储器存取操作。自适应过程可针对不同字线群组使用不同时间感测参数及不同过驱动电压参数，以考虑到特定层面的某些字线对引起较小RWB及较低存储器装置可靠性的效应的敏感性。例如，具有较长时间感测及/或最大过驱动电压的存储器存取操作对于位于特定层面的底部上且因此被视为RWB限制字线的字线群组可能是有益的。可使用特定于那个特定字线群组的自适应应用的时间感测参数及过驱动电压参数执行存储器存取操作，因此仅引起具有最低RWB的字线中的编程时间或读取时间的增加，且最小程度地影响存储器装置的所有字线当中的总平均编程时间或读取时间。
为了如本文中所描述那样实施存储器子系统中的相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数，存储器子系统控制器可接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。存储器子系统控制器可确定字线安置在存储器装置的特定层面(例如，顶层面)上。响应于确定字线安置在第一层面上，存储器子系统控制器可确定字线与连接到顶层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于顶层面的底层处的一或多条字线。响应于确定字线与连接到顶层面的第一字线群组相关联，存储器子系统控制器可使用时间感测参数及/或过驱动电压参数对连接到字线的一组存储器单元执行存储器存取操作，其中时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到顶层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的配置表检索时间感测参数及/或过驱动电压参数，所述配置表将安置在相应层面上的相应字线群组与所述表的条目中的特定时间感测参数及/或过驱动电压参数相关联。在一些实施例中，存储器子系统控制器可确定字线与连接到顶层面的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于顶层面的另一层(例如顶层面的顶层)处的一或多条字线。响应于确定字线与连接到顶层面的第二字线群组相关联，存储器子系统控制器可使用对应于连接到顶层面的第二字线群组(例如，为所述第二群组所特有)的另一(例如，第二)时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作。存储器子系统控制器可从存储在存储器装置上的配置表检索第二时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，存储器子系统控制器可确定字线安置在存储器装置的另一(例如，第二)层面(例如，底层面)上。响应于确定字线安置在底层面上，存储器子系统控制器可确定字线与连接到底层面的第一字线群组相关联。响应于确定字线与连接到底层面的第一字线群组相关联，存储器子系统控制器可使用第三时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作，其中第三时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到底层面的第一字线群组(例如，为所述第一群组所特有)。存储器子系统控制器可从存储在存储器装置上的配置表检索第三时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，存储器子系统控制器可确定字线与连接到底层面的另一(例如，第二)字线群组相关联。响应于确定字线与连接到底层面的第二字线群组相关联，存储器子系统控制器可使用第四时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作，其中第四时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到底层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。存储器子系统控制器可从存储在存储器装置上的配置表检索第四时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，存储器子系统控制器可确定时间感测参数及/或过驱动电压参数的自适应配置被启用或停用。如果存储器子系统控制器确定自适应配置被停用，那么存储器子系统控制器使用默认时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作。存储器子系统控制器可从存储在存储器装置上的配置表检索默认时间感测参数及/或过驱动电压参数。
与执行存储器存取操作时在某些存储器装置中利用的预定恒定时间感测参数及/或过驱动电压参数相反，可自适应地确定本文中所描述的每一时间感测参数及过驱动电压参数。因此，自适应时间感测参数及过驱动电压参数可通过将特定时间感测参数及过驱动电压参数应用于特定字线群组而带来改进的编程验证及读取性能，其中较长时间感测参数及最大过驱动电压参数可仅被应用于作为RWB限制字线的字线群组。下文中参考图2到6描述关于实施相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数的进一步细节。
本公开的优点包含但不限于改进的存储器装置性能及可靠性。例如，通过仅在具有低RWB的字线而不是所有字线的情况下自适应地应用较长时间感测参数及最大过驱动电压参数，实施相应字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数可改进存储器装置的字线当中的平均编程时间及读取时间。因此，可改进具有最低RWB的字线的可靠性，同时仅最小程度地影响存储器装置的所有字线当中的平均编程时间及读取时间。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或其组合。
存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的组合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器、安全数字(SD)卡及硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)及各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。
计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(IoT)能力的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业装备或联网商业装置中的计算机)，或包含存储器及处理装置的此类计算装置。
计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的多个存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到”或“与…耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中介组件)，无论是有线的还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等的连接。
主机系统120可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)及存储协议控制器(例如，PCIe控制器、SATA控制器)。主机系统120使用存储器子系统110例如来将数据写入到存储器子系统110及从存储器子系统110读取数据。
主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连快速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤支柱、串行附接SCSI(SAS)、双倍数据速率(DDR)存储器总线、小型计算机系统接口(SCSI)、双列直插式存储器模块(DIMM)接口(例如，支持双倍数据速率(DDR)的DIMM插槽接口)等。物理主机接口可被用来在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过物理主机接口(例如，PCIe总线)与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM快速(NVMe)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。图1举例说明存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接及/或通信连接组合存取多个存储器子系统。
存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)型快闪存储器及原位写入存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其是非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器单元的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格数据存取阵列基于体电阻的变化来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行原位写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。NAND型快闪存储器包含例如二维NAND(2DNAND)及三维NAND(3DNAND)。
存储器装置130中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元(例如，单电平存储器单元(SLC))可每存储器单元存储一个位。其它类型的存储器单元(例如多电平存储器单元(MLC)、三电平存储器单元(TLC)、四电平存储器单元(QLC)及五电平存储器单元(PLC))可每存储器单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含一或多个存储器单元(例如SLC、MLC、TLC、QLC、PLC或其任何组合)阵列。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的SLC部分、MLC部分、TLC部分、QLC部分或PLC部分。存储器装置130的存储器单元可被分组为页面，其可指用来存储数据的存储器装置的逻辑单位。对于一些类型的存储器(例如，NAND)，可对页面进行分组以形成块。
尽管描述非易失性存储器组件(例如非易失性存储器单元的3D交叉点阵列及NAND型快闪存储器(例如，2D NAND、3D NAND))，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选择存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、或非(NOR)快闪存储器或者电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
存储器子系统控制器115(或简称为控制器115)可与存储器装置130通信，以执行例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据的操作及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或者其组合。硬件可包含具有专用(即，硬编码)逻辑以执行本文中所描述的操作的数字电路系统。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适处理器。
存储器子系统控制器115可包含处理装置，所述处理装置包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的一或多个处理器(例如，处理器117)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，所述嵌入式存储器经配置以存储用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程及例程的指令。
在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已被说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机，或者由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作且将命令或操作转换成用以实现对存储器装置130的所期望存取的指令或适当命令。存储器子系统控制器115可负责与存储器装置130相关联的其它操作，例如损耗均衡操作、废弃项目收集操作、错误检测及错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作及逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA)、命名空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可进一步包含用以经由物理主机接口与主机系统120通信的主机接口电路系统。主机接口电路系统可将从主机系统接收的命令转换成用以存取存储器装置130的命令指令，并且将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)及地址电路系统(例如，行解码器及列解码器)，所述地址电路系统可从存储器子系统控制器115接收地址且对所述地址进行解码以存取存储器装置130。
在一些实施例中，存储器装置130包含结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作的本地媒体控制器135。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可从外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器子系统110是受管理存储器装置，其是具有裸片上的控制逻辑(例如，本地控制器135)及用于同一存储器装置封装内的媒体管理的控制器(例如，存储器子系统控制器115)的原始存储器装置130。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。
根据本公开的实施例，存储器子系统110包含可被用来实施存储器子系统中的字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数的自适应参数组件113。在一些实施例中，存储器子系统控制器115包含自适应参数组件113的至少一部分。在一些实施例中，自适应参数组件113是主机系统110、应用程序或操作系统的部分。在其它实施例中，本地媒体控制器135包含自适应参数组件113的至少一部分且经配置以执行本文中所描述的功能性。
在一些实施例中，自适应参数组件113可接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。自适应参数组件113可确定字线安置在存储器装置的特定层面(例如，顶层面)上。响应于确定字线安置在第一层面上，自适应参数组件113可确定字线与连接到顶层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于顶层面的底层处的一或多条字线。响应于确定字线与连接到顶层面的第一字线群组相关联，自适应参数组件113可使用时间感测参数及/或过驱动电压参数对连接到字线的一组存储器单元执行存储器存取操作，其中时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到顶层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。自适应参数组件113可使用存储在存储器装置上的配置表检索时间感测参数及/或过驱动电压参数，所述配置表将安置在相应层面上的相应字线群组与所述表的条目中的特定时间感测参数及/或过驱动电压参数相关联。在一些实施例中，自适应参数组件113可确定字线与连接到顶层面的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于顶层面的另一层(例如顶层面的顶层)处的一或多条字线。响应于确定字线与连接到顶层面的第二字线群组相关联，自适应参数组件113可使用对应于连接到顶层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)的另一(例如，第二)时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作。自适应参数组件113可从存储在存储器装置上的配置表检索第二时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，自适应参数组件113可确定字线安置在存储器装置的另一(例如，第二)层面(例如，底层面)上。响应于确定字线安置在底层面上，自适应参数组件113可确定字线与连接到底层面的第一字线群组相关联。响应于确定字线与连接到底层面的第一字线群组相关联，自适应参数组件113可使用第三时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作，其中第三时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到底层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。自适应参数组件113可从存储在存储器装置上的配置表检索第三时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，自适应参数组件113可确定字线与连接到底层面的另一(例如，第二)群组字线相关联。响应于确定字线与连接到底层面的第二字线群组相关联，自适应参数组件113可使用第四时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作，其中第四时间感测参数及/或过驱动电压参数对应于连接到底层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。自适应参数组件113可从存储在存储器装置上的配置表检索第四时间感测参数及/或过驱动电压参数。在一些实施例中，自适应参数组件113可确定时间感测参数及/或过驱动电压参数的自适应配置被启用或停用。如果自适应参数组件113确定自适应配置被停用，那么自适应参数组件113使用默认时间感测参数及/或过驱动电压参数对一组存储器单元执行存储器存取操作。自适应参数组件113可从存储在存储器装置上的配置表检索默认时间感测参数及/或过驱动电压参数。下文将参考图3到6描述关于自适应参数组件113的操作的进一步细节。
所属领域的技术人员将明白，可提供额外电路系统及信号，且已简化图1的组件。应认识到，参考图1所描述的各种块组件的功能性可能不一定被隔离到集成电路装置的不同组件或组件部分。例如，集成电路装置的单个组件或组件部分可适于执行图1的多于一个块组件的功能性。替代地，可组合集成电路装置的一或多个组件或组件部分以执行图1的单个块组件的功能性。
图2是根据本公开的一些实施例的实例配置表的示意图。如图2中所说明，配置表可存储在存储器装置(例如，图1的存储器装置130)中，且可用于实施存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)中的字线群组的自适应时间感测参数及过驱动电压参数。在一些实施例中，配置表可为可存储信息的任何数据结构。配置表可包含自适应参数类别201的条目(例如自适应时间感测参数201a及自适应过驱动电压参数201b)。每一类别可具有与其相关联的一或多个对应参数203及注释205(例如，注释、评论、其它相关数据等)。
在一些实施例中，自适应时间感测参数类别可至少具有与其相关联的一或多个参数(例如，203a、203b、203c、203d、203e、203f、203g、203h)，其中所述参数中的每一者在与自适应时间感测参数类别相关联的条目中。在一些实施例中，自适应时间感测参数类别可具有与每一参数相关联的注释，其中所述注释中的每一者在与每一参数相关联的条目中。在一些实施例中，注释可包含对每一参数的描述(例如，文本描述)。在一些实施例中，自适应时间感测参数类别可具有与特定层面(例如，顶层面及/或层面1)相关联的一组一或多个参数(例如，203a、203b、203c、203d)。在一些实施例中，自适应时间感测参数类别可具有与另一层面(例如，底层面及/或层面2)相关联的另一组一或多个参数(例如，203e、203f、203g、203h)。这些参数可被用于确定时间感测参数的自适应配置是否被启用、字线是否位于存储器装置的特定字线群组及/或特定层面中、默认时间感测参数、用以应用于特定层面的特定字线群组的特定时间感测参数等。
在一些实施例中，自适应过驱动电压参数类别可至少具有与其相关联的一或多个参数(例如，203aa、203bb、203cc、203dd、203ee、203ff)，其中所述参数中的每一者在与自适应过驱动电压参数类别相关联的条目中。在一些实施例中，自适应过驱动电压参数类别可具有与每一参数相关联的注释，其中所述注释中的每一者在与每一参数相关联的条目中。在一些实施例中，注释可包含对每一参数的描述(例如，文本描述)。在一些实施例中，自适应过驱动电压参数类别可具有与特定层面(例如，顶层面及/或层面1)相关联的一组一或多个参数(例如，203aa、203bb、203cc)。在一些实施例中，自适应过驱动电压参数类别可具有与另一层面(例如，底层面及/或层面2)相关联的另一组一或多个参数(例如，203dd、203ee、203ff)。这些参数可被用于确定过驱动电压参数的自适应配置是否被启用、字线是否位于存储器装置的特定字线群组及/或特定层面中、默认过驱动电压参数、用以应用于特定层面的特定字线群组的特定过驱动电压参数等。所说明实施例应被理解为仅是实例。本文中将关于图3到6更详细地描述图2。
图3是根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应时间感测参数的实例方法300的流程图。方法300可由处理逻辑来执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法300由图1的自适应参数组件113来执行。尽管以特定顺序或次序进行展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应被理解为仅是实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例均需要所有过程。其它过程流程是可能的。
在操作310处，处理逻辑接收用以对与存储器装置(例如图1的存储器装置130)的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。在一些实施例中，可在存储器子系统控制器(例如，图1的存储器子系统控制器115)处从主机装置(例如，图1的主机系统120)接收存储器存取操作。
在操作320处，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的特定(例如，第一)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第一层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL3。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作330处，处理逻辑确定字线与连接到第一层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第一层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第一层面上而确定字线与连接到第一层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作340处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第一)时间感测参数执行存储器存取操作。第一时间感测参数可对应于连接到第一层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是特定层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第一时间感测参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中所说明的配置表)检索时间感测参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定时间感测参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
图4是根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应时间感测参数的实例方法400的流程图。方法400可由处理逻辑来执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的自适应参数组件113来执行。尽管以特定顺序或次序进行展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应被理解为仅是实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例均需要所有过程。其它过程流程是可能的。
在操作410处，处理逻辑接收用以对与存储器装置(例如图1的存储器装置130)的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。在一些实施例中，可在存储器子系统控制器(例如，图1的存储器子系统控制器115)处从主机装置(例如，图1的主机系统120)接收存储器存取操作。
在操作420处，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的特定(例如，第一)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第一层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL3。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作430处，处理逻辑确定字线与连接到第一层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第一层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第一层面上而确定字线与连接到第一层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作440处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第一)时间感测参数执行存储器存取操作。第一时间感测参数可对应于连接到第一层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是特定层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第一时间感测参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中所说明的配置表)检索第一时间感测参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定时间感测参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作435处，响应于在操作430处确定字线不与连接到第一层面的第一字线群组相关联，处理逻辑确定字线与和第一层面相关联的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于第一层面的另一层(例如第一层面的顶层)处的一或多条字线。在一些实施例中，确定字线与第二字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作437处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与和顶层面相关联的第二字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用另一(例如，第二)时间感测参数执行存储器存取操作。第二时间感测参数可对应于连接到第一层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第一层面的顶字线及/或字线不是RWB限制字线)，可将第二时间感测参数指派给第二字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中所说明的配置表)检索第二时间感测参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定时间感测参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作450处，响应于确定字线未安置在存储器装置的第一层面上，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的另一(例如，第二)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第二层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL16。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)，来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作460处，处理逻辑确定字线与连接到第二层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第二层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第二层面上而确定字线与连接到第二层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作470处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第三)时间感测参数执行存储器存取操作。第三时间感测参数可对应于连接到第二层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第二层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第三时间感测参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中所说明的配置表)检索第三时间感测参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定时间感测参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作480处，响应于在操作460处确定字线不与连接到第二层面的第一字线群组相关联，处理逻辑确定字线与和第二层面相关联的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于第二层面的另一层(例如第二层面的顶层)处的一或多条字线。在一些实施例中，确定字线与第二字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作490处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第二字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第四)时间感测参数执行存储器存取操作。第四时间感测参数可对应于连接到第二层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第二层面的顶字线及/或字线不是RWB限制字线)，可将第四时间感测参数指派给第二字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中所说明的配置表)检索第四时间感测参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定时间感测参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
图5是根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应过驱动电压参数的实例方法500的流程图。方法500可由处理逻辑来执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的自适应参数组件113来执行。尽管以特定顺序或次序进行展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应被理解为仅是实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例均需要所有过程。其它过程流程是可能的。
在操作510处，处理逻辑接收用以对与存储器装置(例如图1的存储器装置130)的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。在一些实施例中，可在存储器子系统控制器(例如，图1的存储器子系统控制器115)处从主机装置(例如，图1的主机系统120)接收存储器存取操作。
在操作520处，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的特定(例如，第一)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第一层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL3。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作530处，处理逻辑确定字线与连接到第一层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第一层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第一层面上而确定字线与连接到第一层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作540处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第一)过驱动电压参数执行存储器存取操作。第一过驱动电压参数可对应于连接到第一层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是特定层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第一过驱动电压参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中说明的配置表)检索第一过驱动电压参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定过驱动电压参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
图6是根据本公开的一些实施例的用以实施相应字线群组的自适应过驱动电压参数的实例方法600的流程图。方法600可由处理逻辑来执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法600由图1的自适应参数组件113来执行。尽管以特定顺序或次序进行展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应被理解为仅是实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例均需要所有过程。其它过程流程是可能的。
在操作610处，处理逻辑接收用以对与存储器装置(例如图1的存储器装置130)的字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作(例如，编程验证操作及/或读取操作)的请求。在一些实施例中，可在存储器子系统控制器(例如，图1的存储器子系统控制器115)处从主机装置(例如，图1的主机系统120)接收存储器存取操作。
在操作620处，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的特定(例如，第一)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第一层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL3。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作630处，处理逻辑确定字线与连接到第一层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第一层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第一层面上而确定字线与连接到第一层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作640处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第一)过驱动电压参数执行存储器存取操作。第一过驱动电压参数可对应于连接到第一层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是特定层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第一过驱动电压参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中说明的配置表)检索第一过驱动电压参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定过驱动电压参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作635处，响应于在操作630处确定字线不与连接到第一层面的第一字线群组相关联，处理逻辑确定字线与和第一层面相关联的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于第一层面的另一层(例如第一层面的顶层)处的一或多条字线。在一些实施例中，确定字线与第二字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作637处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与和顶层面相关联的第二字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用另一(例如，第二)过驱动电压参数执行存储器存取操作。第二过驱动电压参数可对应于连接到第一层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第一层面的顶字线及/或字线不是RWB限制字线)，可将第二过驱动电压参数指派给第二字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中中所说明的配置表)检索第二过驱动电压参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定过驱动电压参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作650处，响应于确定字线未安置在存储器装置的第一层面上，处理逻辑确定字线安置在存储器装置的另一(例如，第二)层面(例如，顶层面或底层面)上。在一些实施例中，确定字线安置在存储器装置的第二层面上可基于识别字线的物理及/或逻辑地址。例如，处理逻辑可识别字线的逻辑地址是WL16。处理逻辑可使用数据结构(例如映射表)，来基于字线的地址识别字线被映射到的层面。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出其上安置字线的存储器装置的对应层面。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作660处，处理逻辑确定字线与连接到第二层面的特定(例如，第一)字线群组相关联。在一些实施例中，第一字线群组可包含物理上位于第二层面的底层处的一或多条字线。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线安置在存储器装置的第二层面上而确定字线与连接到第二层面的第一字线群组相关联。在一些实施例中，确定字线与第一字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作670处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第一字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第三)过驱动电压参数执行存储器存取操作。第三过驱动电压参数可对应于连接到第二层面的第一字线群组(例如，为所述第一字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第二层面的底字线及/或字线是RWB限制字线)，可将第三过驱动电压参数指派给特定字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中说明的配置表)检索第三过驱动电压参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定过驱动电压参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
在操作680处，响应于在操作660处确定字线不与连接到第二层面的第一字线群组相关联，处理逻辑确定字线与和第二层面相关联的另一(例如，第二)字线群组相关联。例如，第二字线群组可包含物理上位于第二层面的另一层(例如第二层面的顶层)处的一或多条字线。在一些实施例中，确定字线与第二字线群组相关联可包含在数据结构中查找字线(例如，使用字线的逻辑及/或物理地址及/或与字线相关联的参考编号)。数据结构可在条目中列出存储器装置的每一字线且可在相关联(例如，链接)条目中列出对应字线群组(例如，与每一字线群组相关联的参考编号)。在一些实施例中，可在制造存储器装置时预先配置数据结构。在一些实施例中，数据结构可存储在存储器装置上。在一些实施例中，数据结构可为图2中所说明的配置表。
在操作690处，处理逻辑对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定字线与第二字线群组相关联而对与字线相关联的一组存储器单元执行存储器存取操作。在一些实施例中，处理逻辑使用特定(例如，第四)过驱动电压参数执行存储器存取操作。第四过驱动电压参数可对应于连接到第二层面的第二字线群组(例如，为所述第二字线群组所特有)。例如，由于字线的某些物理特性(例如，字线是第二层面的顶字线及/或字线不是RWB限制字线)，可将第四过驱动电压参数指派给第二字线群组。存储器子系统控制器可使用存储在存储器装置上的数据结构(例如，图2中说明的配置表)检索第四过驱动电压参数，所述数据结构在条目中列出安置在相应层面上的相应字线群组且在所述表的相关联(例如，链接)条目中列出特定过驱动电压参数。可在制造存储器装置时基于存储器装置在各种测试条件下的离线测试及媒体表征来预先确定配置表。
图7说明计算机系统700的实例机器，可在所述机器内执行一组指令以供致使所述机器执行本文中所描述的任何一或多种方法。在一些实施例中，计算机系统700可对应于包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)的主机系统(例如，图1的主机系统120)，或可用来执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的自适应参数组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网及/或因特网中的其它机器。所述机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份操作，在对等(或分布式)网络环境中作为对等机器操作或者在云计算基础结构或环境中作为服务器或客户端机器操作。
所述机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设施、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或者能够执行一组指令(循序或以其它方式)的任何机器，所述指令指定待由那个机器采取的动作。此外，虽然说明单个机器，但术语“机器”也应被理解为包含个别地或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文中所论述的任何一或多种方法的任何机器集合。
实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或RDRAM等)、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)及数据存储系统718，其经由总线730彼此通信。
处理装置702表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似者。更特定来说，所述处理装置可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、或实施其它指令集的处理器、或实施指令集组合的处理器。处理装置702还可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器或类似者。处理装置702经配置以执行用于执行本文中所论述的操作及步骤的指令726。计算机系统700可进一步包含用以通过网络720通信的网络接口装置708。
数据存储系统718可包含机器可读存储媒体724(也被称为计算机可读媒体)，其上存储有体现本文中所描述的任何一或多种方法或功能的一或多组指令726或软件。指令726在由计算机系统700执行期间也可完全或至少部分地驻留在主存储器704及/或处理装置702内，主存储器704及处理装置702也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718及/或主存储器704可对应于图1的存储器子系统110。
在一个实施例中，指令726包含用以实施对应于组件(例如，图1的自适应参数组件113)的功能性的指令。虽然机器可读存储媒体724在实例实施例中被展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被理解为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被理解为包含能够存储或编码用于由机器执行的一组指令且致使机器执行本公开的任何一或多种方法的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被理解为包含但不限于固态存储器、光学媒体及磁性媒体。
已根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示呈现前述详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向所属领域的其他技术人员传达他们工作的实质的方式。算法在本文且通常被视为导致所期望结果的自洽操作序列。所述操作是需要对物理量进行物理操纵的操作。通常，尽管不是必需的，但这些量采取能够被存储、组合、比较及以其它方式操纵的电或磁性信号的形式。主要出于通用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项目、数字或类似者有时被证明是方便的。
然而，应记住，所有这些及类似术语均与适当物理量相关联且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可涉及计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，其将在计算机系统寄存器及存储器内表示为物理(电子)量的数据操纵及转换成在计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内类似地表示为物理量的其它数据。
本公开还涉及一种用于执行本文中的操作的设备。这个设备可出于预期目的而专门构建，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、CD-ROM及磁光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或者适于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自均耦合到计算机系统总线。
本文中所呈现的算法及显示并非固有地与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或可证明构建更专门的设备来执行所述方法是方便的。多种这些系统的结构将如下文描述中所阐述那样出现。另外，本公开未参考任何特定编程语言进行描述。将明白，可使用多种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。
本公开可作为计算机程序产品或软件提供，所述计算机程序产品或软件可包含其上存储有指令的机器可读媒体，可用来对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
在前述说明书中，本公开的实施例已参考其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中所阐述的本公开的实施例的更广泛精神及范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，说明书及附图应被视为具说明性意义而非限制性意义。

Claims (20)

1.一种系统，其包括：
存储器装置；及
处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包括以下项的操作：
接收用以对与所述存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；
确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线与和所述第一层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第二时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第二时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第二字线群组。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线安置在所述存储器装置的第二层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第二层面上，确定所述字线与和所述第二层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第三时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第三时间感测参数对应于与所述第二层面相关联的所述第一字线群组。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线与和所述第二层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第四时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第四时间感测参数对应于与所述第二层面相关联的所述第二字线群组。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器存取操作包括编程验证操作或读取操作。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定自适应时间感测配置被启用。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定自适应时间感测配置被停用；及
使用默认时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作。
8.一种方法，其包括：
接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；
确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一过驱动电压参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
确定所述字线与和所述第一层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第二过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第二过驱动电压参数对应于与所述第一层面相关联的所述第二字线群组。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
确定所述字线安置在所述存储器装置的第二层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第二层面上，确定所述字线与和所述第二层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第三过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第三过驱动电压参数对应于与所述第二层面相关联的所述第一字线群组。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
确定所述字线与和所述第二层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第四过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第四过驱动电压参数对应于与所述第二层面相关联的所述第二字线群组。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器存取操作包括读取操作。
13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
确定自适应过驱动电压配置被启用。
14.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
确定自适应过驱动电压配置被停用；及
使用默认过驱动电压参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作。
15.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下项的操作：
接收用以对与存储器装置的字线相关联的一组单元执行存储器存取操作的请求；
确定所述字线安置在所述存储器装置的第一层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第一层面上，确定所述字线与和所述第一层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第一时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第一时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第一字线群组。
16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线与和所述第一层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第一层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第二时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第二时间感测参数对应于与所述第一层面相关联的所述第二字线群组。
17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线安置在所述存储器装置的第二层面上；
响应于确定所述字线安置在所述第二层面上，确定所述字线与和所述第二层面相关联的第一字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第一字线群组相关联，使用第三时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第三时间感测参数对应于与所述第二层面相关联的所述第一字线群组。
18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定所述字线与和所述第二层面相关联的第二字线群组相关联；及
响应于确定所述字线与和所述第二层面相关联的所述第二字线群组相关联，使用第四时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作，其中所述第四时间感测参数对应于与所述第二层面相关联的所述第二字线群组。
19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定自适应时间感测配置被启用。
20.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置用以执行进一步包括以下项的操作：
确定自适应时间感测配置被停用；及
使用默认时间感测参数对与所述字线相关联的所述一组单元执行所述存储器存取操作。
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