CN117542938A - 倒装发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构，能够避免第一金属电极和第二金属电极中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在电极表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
Description
本申请是申请人“泉州三安半导体科技有限公司”于申请日2021年09月09日提交的中请号为202111057539.7，发明名称为“倒装发光二极管”的发明专利的分案申请。
技术领域
本申请涉及发光二极管相关技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管。
背景技术
倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点，广泛应用于各个领域，例如照明、背光。其中，小尺寸倒装发光二极管背光技术与目前行业上流行的其它显示技术相比，最大的优势在于其在材料上没有科学性难题，最容易也最快被量产并投入到市场中。
传统的倒装发光二极管包括半导体层、金属电极和焊盘，其中，金属电极位于内部，并接触半导体层表面或者接触半导体层上的透明导电层表面，用于电流传输，焊盘位于金属电极上方，用于将倒装发光二极管焊接安装到应用基板上。金属电极包括铝反射层、以及位于铝反射层上的用于阻挡铝扩散的层，阻挡铝扩散的层上包括较厚的金层，其主要用于改善金属电极的横向电流扩展性。
传统的倒装发光二极管中金层的厚度通常是介于0.6～1.2μm之间，金属电极整体的厚度为1.5～2.5μm之间。于金属电极上覆盖绝缘层时，由于金属电极的整体厚度较厚，位于金属电极侧壁上方的绝缘层具有较差的致密性，在长期老化过程中，金属电极中的金离子易沿着绝缘层中致密性较差的区域迁移，进而导致倒装发光二极管失效。而且，金层中常常含有未被溶解的金颗粒，易出现金爆点异常的现象。
基于上述金属电极涉及的技术问题，传统的倒装发光二极管的性能已经无法满足背光应用或者显示屏应用，以及对小尺寸倒装发光二极管的高可靠性要求。
发明内容
本申请的目的在于提供一种厚度较薄的倒装发光二极管，包括无金的第一金属电极和第二金属电极，并且改变第一金属电极和第二金属电极的内部结构，在防止铝迁移的同时，避免金属电极中的金层所导致的异常现象，并保证金属电极的导电性，特别的适用于小尺寸的倒装发光二极管。
第一方面，本申请提供一种倒装发光二极管，其包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，半导体堆叠层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一金属电极与第一半导体层电性连接，第二金属电极与第二半导体层电性连接；
第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上的至少一层铂金属层。
在一种可能的实施方案中，无金叠层结构的厚度小于等于800nm。
在一种可能的实施方案中，铝反射层的厚度大于等于80nm。
在一种可能的实施方案中，铝反射层的厚度小于等于300nm。
在一种可能的实施方案中，铝反射层的数量为1层。
在一种可能的实施方案中，铝反射层与铂金属层之间包括有应力缓冲层。
在一种可能的实施方案中，应力缓冲层和铂金属层重复堆叠形成2～3层叠层。
在一种可能的实施方案中，每层叠层中铂金属层位于应力缓冲层的上表面上，位于最上方的铂金属层的厚度大于其它的铂金属层的厚度。
在一种可能的实施方案中，应力缓冲层和铂金属层重复堆叠形成的2～3层叠层中，位于最上方的铂金属层的厚度为100～300nm。
在一种可能的实施方案中，每层叠层中，铂金属层位于应力缓冲层的上表面上，且每层叠层中应力缓冲层与其上表面上的铂金属层的厚度比小于1。
在一种可能的实施方案中，每层应力缓冲层的厚度为20～80nm，其它的铂金属层的每层厚度小于等于100nm。
在一种可能的实施方案中，应力缓冲层包括钛层。
在一种可能的实施方案中，应力缓冲层和铂金属层的数量分别为1层。
在一种可能的实施方案中，应力缓冲层与其上表面上的铂金属层的厚度比小于1。
在一种可能的实施方案中，铂金属层的厚度为100～300nm。
在一种可能的实施方案中，无金叠层结构的厚度小于等于500nm。
在一种可能的实施方案中，铝反射层的下表面设有第一粘附层，第一粘附层包括铬层，且厚度小于等于10nm。
在一种可能的实施方案中，该倒装发光二极管还包括绝缘层、第一焊盘和第二焊盘；
绝缘层覆盖第一金属电极、第二金属电极、以及半导体堆叠层的上表面和侧壁，且分别设有位于第一金属电极、第二金属电极上方的通孔，第一焊盘和第二焊盘位于绝缘层上，并分别通过通孔与第一金属电极、第二金属电极连接。
在一种可能的实施方案中，无金叠层结构的最上表面层为第二粘附层，第二粘附层位于铂金属层的上表面，用于粘附绝缘层。
在一种可能的实施方案中，无金叠层结构还包括有凹槽，凹槽贯穿第二粘附层并延伸至铂金属层的内部。
在一种可能的实施方案中，凹槽在铂金属层内部的延伸深度为铂金属层的厚度的1％～50％。
在一种可能的实施方案中，凹槽位于上述通孔的下方。
与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
本申请将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构，该无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上的至少一层铂金属层。该无金叠层结构不包含金层，能够避免第一金属电极或第二金属电极中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在其表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
对于小电流驱动的小尺寸倒装发光二极管来说，取消了金层的电极结构，铂金属层兼顾导电层与阻挡层的作用，一定程度稳定电压，较小驱动电流下，仅会引起较小的电压上升幅度，铂金属层能够保证铝反射层的上表面和侧壁周围均包覆有铂金属层，防止铝反射层中的铝迁移。
另外，铝反射层优选为一层，应力缓冲层和铂金属层均优选为一层，电极的整体厚度可降到更低，并且电极的侧壁的倾斜角度可进一步缩小。铂金属层在铝反射层上具有较大应力，应力缓冲层介于铂金属层和铝反射层之间，来缓冲铂金属层与铝反射层之间的应力。
此外，第一金属电极和第二金属电极的最上表面层为第二粘附层，铂金属层通过第二粘附层与绝缘层连接，绝缘层中与第一金属电极、第二金属电极对应的通孔贯穿绝缘层、第二粘附层并延伸至最上方的那层铂金属层的内部，避免出现因第二粘附层作为通孔的底面被氧化而导致的电压升高的现象。并且，最上方的那层铂金属层具有较大厚度，可阻挡通孔延伸至应力缓冲层的表面。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图2为根据本申请实施例示出的一种第一金属电极或者第二金属电极的截面示意图；
图3为根据本申请实施例示出的一种第一金属电极或者第二金属电极的截面示意图。
图示说明：
100生长衬底；200半导体堆叠层；210第一半导体层；220有源层；230第二半导体层；300电流阻挡层；400透明导电层；500第一金属电极；501铝反射层；502叠层；5021应力缓冲层；5022铂金属层；503第一粘附层；504第二粘附层；505凹槽；510第二金属电极；600绝缘层；700第一焊盘；710第二焊盘。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
根据本申请的一个方面，提供一种倒装发光二极管，该倒装发光二极管具体为小尺寸的倒装发光二极管，例如mini型倒装发光二极管或者micro型倒装发光二极管。mini型倒装发光二极管的尺寸可在90000μm2以内，具有透明衬底，其长、宽为50μm至300μm，高为40μm至150μm。micro型倒装发光二极管的尺寸小于mini倒装发光二极管的尺寸，无透明衬底，其长、宽为1～100μm。
参见图1，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层200，以及位于半导体堆叠层200上的第一金属电极500和第二金属电极510。半导体堆叠层200自下而上包括第一半导体层210、有源层220和第二半导体层230，在本实施例中，第一半导体层210为N型半导体层，第二半导体层230为P型半导体层，有源层220为多层量子阱层，其能够提供一个蓝光、绿光的发光辐射。
第一金属电极500与第一半导体层210电性连接，第二金属电极510与第二半导体层230电性连接。具体地，第一金属电极500直接与第一半导体层210接触；第二半导体层230的表面设有透明导电层400，如氧化铟锡层或者GTO层，第二金属电极510直接与透明导电层400接触。
绝缘层600位于半导体堆叠层200上，并覆盖第一金属电极500、第二金属电极510、以及半导体堆叠层200的上表面和侧壁。绝缘层600分别设有位于第一金属电极500、第二金属电极510上方的通孔。
第一焊盘700和第二焊盘710位于绝缘层600上，并分别通过对应通孔600与第一金属电极500、第二金属电极510连接。
第一金属电极500和第二金属电极510均为无金叠层结构，使得绝缘层600和焊盘电极在第一金属电极500、第二金属电极510上方具有良好的连续性，提高倒装发光二极管的可靠性，且从根本上解决了金离子迁移及金爆点等异常问题。
为了保证无金叠层结构的第一金属电极500和第二金属电极510具有良好的反射率和导电性，同时，在其应用于较小的驱动电流时，降低成本，改善高温高湿条件下的老化性能，且其电性与含有金层的电极结构无差异。
本申请提出如下设计：参见图2和图3，无金叠层结构包括铝反射层501、以及位于铝反射层501上表面的至少一层铂金属层5022。
在一种实施方式中，铝反射层501的厚度大于等于80nm，能够对半导体堆叠层200的发光具有良好的反射率。
传统的大尺寸倒装发光二极管因电流扩展需采用多层且厚度较厚的铝层作为导电层以实现电流横向传输。不同于传统的大尺寸倒装发光二极管，小尺寸倒装发光二极管的驱动电流较小，无金叠层结构中铝反射层501的数量可以为多层，相邻的铝反射层501之间插入有缓冲层，例如钛，多层的铝反射层501中，每层铝反射层501的厚度可以是80～300nm，铝反射层501也具有比较好的导电性。
较佳地，铝反射层501也可仅为1层，主要起到反射作用。较佳地，该1层铝反射层501的厚度小于等于300nm。控制铝反射层501的较低厚度，可在一定程度上防止铝的迁移，提升小尺寸倒装发光二极管的可靠性。更佳的，铝反射层501为100～150nm。
在一种实施方式中，铂金属层5022设置在铝反射层501的上方，铂金属层5022不活泼、不易迁移，能够有效对铝反射层501的上表面和侧壁周围形成包覆作用，阻挡铝反射层501中的铝迁移。铂金属层5022优选为完全包覆铝反射层501的上表面和侧壁，且厚度为100nm以上。铂金属层5022的厚度优选为100～300nm。另外，铂金属层5022的电阻率低，可一定程度上降低电压。
在一种实施方式中，参见图2和图3，无金叠层结构还包括有应力缓冲层5021，应力缓冲层5021和铂金属层5022重复堆叠形成至少一层叠层502，每层叠层502中，铂金属层5022位于应力缓冲层5021的上表面，应力缓冲层5021相较于铂金属层5022更靠近铝反射层501。应力缓冲层5021对铂金属层5022起到应力缓冲作用，铂金属层5022本身的应力比较大，镀膜太厚容易劈裂，或者出现卷曲，所以需要应力缓冲层5021插入来降低应力，以使铂金属层5022能够具有更优的质量。较佳地，应力缓冲层5021为钛层。
如图2所示，应力缓冲层5021和铂金属层5022重复堆叠形成多层叠层502，位于最上方的铂金属层5022的厚度大于处于其他位置的铂金属层5022的厚度，也就是说在所有铂金属层5022中，最上方的铂金属层5022具有最大厚度，以对铝反射层501的上表面和侧壁周围形成致密的保护。上述其他位置的铂金属层5022指的是除了最上方的铂金属层5022之外的所有铂金属层5022。
较佳地，应力缓冲层5021和铂金属层5022优选为重复堆叠形成2～3层叠层502；无金叠层结构的厚度小于等于800nm。
较佳地，每一层叠层中，铂金属层5022的厚度均大于应力缓冲层5021的厚度，使无金叠层结构的电导率提升，在小电流驱动下，铂金属层5022的厚度适当增加，能够一定程度地弥补取消金层后对电压的影响。
每层应力缓冲层5021的厚度为20～80nm，其中，位于最上方的铂金属层5022相较于其他位置的铂金属层5022厚，且位于最上方的铂金属层5022的厚度优选为100～300nm，位于最上方的铂金属层5022能够对铝反射层501形成最大程度的包覆，特别是对电极侧壁处的铝反射层501的包覆性。非最上方的其它的铂金属层5022的每层厚度小于等于100nm。
如图3所示，应力缓冲层5021和铂金属层5022堆叠形成1层叠层502，由于钛的导电率低于铂的导电率，应力缓冲层5021的厚度不能过厚，应力缓冲层5021的厚度优选为低于铂金属层5022的厚度。应力缓冲层5021的厚度介于20～80nm之间。较佳地，为保证铂金属层5022对铝反射层501的阻挡效果，铂金属层5022的厚度优选为介于100～300nm之间。应力缓冲层5021与铂金属层5022的厚度比介于1:2～1:8之间。较佳地，无金叠层结构的总厚度小于等于500nm。
在一种实施方式中，参见图2和图3，第一金属电极500和第二金属电极510的最下表面层为第一粘附层503，也就是说铝反射层501的下表面设置有第一粘附层503，第一粘附层503也作为欧姆接触层，用于使铝反射层501与对应半导体层或者对应半导体层上的透明导电层400连接。第一粘附层503包括但不限于是铬层，由于铬具有良好的吸光性能，则第一粘附层503的厚度需小于等于10nm。
在一种实施方式中，铝反射层501可以是纯铝层或者含铝的合金层，含铝的合金层意味着铝层中允许含有其它的金属，例如含铜的铝层。
在一种实施方式中，参见图2和图3，第一金属电极500和第二金属电极510的最上表面层为第二粘附层504，也就是说最上方的铂金属层5022的上表面设置有第二粘附层504，第二粘附层504用于使第一金属电极500、第二金属电极510与绝缘层600之间具有良好的粘附性能。第二粘附层504可选为钛层，厚度为10～50nm。
在一种实施方式中，参见图2和图3，第一金属电极500和第二金属电极510中的无金叠层结构包括有凹槽505，该凹槽505贯穿第二粘附层504。或者，该凹槽505贯穿第二粘附层504并延伸至铂金属层5022的内部，优选地，上述凹槽505贯穿第二粘附层504并延伸至与第二粘附层504相距最近的铂金属层5022的内部。
该凹槽505位于绝缘层600中通孔的下方，且为绝缘层600中通孔的延伸部分，其主要是保证绝缘层600中的通孔不会暴露出第二粘附层504，以避免出现因第二粘附层504作为通孔的底面被氧化而导致的电压升高的现象。
较佳地，凹槽505不能贯穿铂金属层5022，凹槽505在铂金属层5022内部的延伸深度至少为铂金属层5022的厚度的1％～50％。位于最上方的铂金属层5022具有至少100nm的厚度，在绝缘层600中蚀刻通孔时能够避免蚀刻介质侵蚀铝反射层501。
较佳地，第一金属电极500中无金叠层结构的凹槽505的数量和绝缘层600中与第一金属电极500对应的通孔的数量相同，第二金属电极510中无金叠层结构的凹槽505的数量和绝缘层600中与第二金属电极510对应的通孔的数量相同。
在一种实施方式中，参见图2和图3，第一金属电极500和第二金属电极510中的无金叠层结构，在降低整体厚度的情况下，可以进一步降低电极侧壁的倾斜角度。具体地，在电极整体厚度降低至800μm时，第一金属电极500和第二金属电极510具有相对于对应半导体层的上表面倾斜的侧壁，该侧壁与对应半导体层的上表面的夹角α能够小于等于60°。
具体地，无金叠层结构自下而上包括第一粘附层503、铝反射层501、由应力缓冲层5011和铂金属层5022形成的叠层502、以及第二粘附层504，上述第一粘附层503、铝反射层501、叠层502和第二粘附层504的侧壁与对应半导体层的上表面的夹角依次增大。
在一种实施方式中，参见图1，该倒装发光二极管还包括生长衬底100，该生长衬底100为蓝宝石平底衬底、蓝宝石图形化衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底或者硅衬底中的一种。在本实施例中，生长衬底100选用为蓝宝石图形化衬底，半导体堆叠层200形成在蓝宝石图形化衬底的上表面。
第二半导体层230与透明导电层400之间包括有电流阻挡层300，电流阻挡层300的材料可选为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅的一种或多种。
绝缘层600包括但不限于是分布式布拉格反射镜，该绝缘层600的材料为SiO2、TiO2、ZnO2、ZrO2、Cu2O3等不同材料中的至少两种，该绝缘层600具体包括采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术使两种材料以交替重复层叠成多层的方式所制成的分布式布拉格反射镜。或者，绝缘层600为单层绝缘层。
第一焊盘700和第二焊盘710的材料可为如铝、铬、镍、钛、铂、锡、金等材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。具体地，第一焊盘700和第二焊盘710由下至上可包括黏附层、反射层、共晶层和保护层，其中，黏附层为铬层或者钛层，其用于使第一焊盘700或者第二焊盘710与绝缘层600连接；反射层为铝层；共晶层为镍层，或者，共晶层为镍层与铂层的重复叠层，或者，共晶层为镍层与锡层的组合；保护层为金层。
综上，与传统具有金层的电极相比，上述无金叠层结构的第一金属电极500和第二金属电极510具有良好的导电性和反射率，且经过长期老化试验可知，上述无金叠层结构的可靠性优于传统具有金层的电极的可靠性，尤其是对于小电流驱动的倒装发光二极管，电压的上升影响较小。较佳的，本申请适用于驱动电流不超过10mA的倒装发光二极管。
本申请提供一种第一金属电极500和第二金属电极510的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
S1、在半导体堆叠层200上涂覆负性光刻胶，负性光刻胶具有位于第一台面上方和透明导电层400上方的电极制备孔，第一台面上方的电极制备孔用于形成第一金属电极500，透明导电层400上方的电极制备孔用于形成第二金属电极510。负性光刻胶的厚度可为3～4μm。
S2、在负性光刻胶的上表面和电极制备孔内形成铝反射层501、以及位于铝反射层501上表面的至少一层铂金属层5022。
具体地，在负性光刻胶的上表面和电极制备孔内形成铝反射层501，随着铝反射层501厚度的增加，电极制备孔内的铝反射层501的宽度逐渐减小，也就是说电极制备孔内的铝反射层501的侧壁是倾斜的。
在铝反射层501上形成至少一层铂金属层5022，随着铂金属层5022厚度的增加，电极制备孔内的铂金属层5022的宽度逐渐减小，也就是说电极制备孔内的铂金属层5022的侧壁是倾斜的。铂金属层5022相较于铝反射层501具有较大的应力，在负性光刻胶的上表面形成铂金属层5022时，负性光刻胶因铂金属层5022厚度的增大而向上翘曲，也就是说位于电极制备孔上侧的孔径增大，进而使得电极制备孔内铂金属层5022的边缘超出电极制备孔内铝反射层501的边缘。在电极制备孔内，铂金属层5022优选为完全包覆铝反射层501的上表面和侧壁。
铝反射层501与铂金属层5022之间形成有应力缓冲层5021，随着应力缓冲层5021厚度的增加，电极制备孔内的应力缓冲层5021的宽度逐渐减小，也就是说电极制备孔内的应力缓冲层5021的侧壁是倾斜的。应力缓冲层5021为钛层，其应力小于铂金属层5022的应力，则在负性光刻胶的上表面形成应力缓冲层5021时，负性光刻胶向上翘曲的程度较小，使得应力缓冲层5021不能完全包覆铝反射层501的侧壁。
较佳地，应力缓冲层5021和铂金属层5022重复堆叠形成多层叠层502，叠层502的数量优选为2～3层。
或者，应力缓冲层5021和铂金属层5022堆叠形成1层叠层502。
形成上方的铂金属层5022时，负性光刻胶会进一步向上翘曲，也就是说位于电极制备孔上侧的孔径进一步增大，使得上方的铂金属层5022具有较大厚度，且可完全包覆铝反射层501的上表面和侧壁，以对铝反射层501的上表面和侧壁周围形成致密的保护。
较佳地，第一金属电极500和第二金属电极510的最下表面层为第一粘附层503，也就是说在铝反射层501的下表面形成第一粘附层503，第一粘附层503为铬层。
较佳地，第一金属电极500和第二金属电极510的最上表面层为第二粘附层504，也就是说在最上方的铂金属层5022的上表面形成第二粘附层504，第二粘附层可选为钛层。
S3、移除负性光刻胶，以及第一粘附层503、铝反射层501、叠层502和第二粘附层504位于负性光刻胶上表面的部分。
根据本申请的一个方面，提供一种显示装置，该显示装置可以是背光显示装置，例如电视、手机、面板，或者可以是RGB显示屏。不管是背光显示装置或者RGB显示屏，该显示装置均包括一个基板，以及若干个固定在基板上的本申请实施例中的倒装发光二极管。
上述倒装发光二极管应用于显示或者RGB显示屏时，上述倒装发光二极管以数百颗或者数千颗或者数万颗的数量集成式的安装在应用基板或者封装基板上，形成背光显示或者RGB显示的发光光源部分。
由以上的技术方案可知，本申请将第一金属电极500和第二金属电极510设置成无金叠层结构，该无金叠层结构包括铝反射层501、以及位于铝反射层501上表面的至少一层铂金属层5022。该无金叠层结构不包含金层，能够避免第一金属电极500或第二金属电极510中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在其表面上方的绝缘层600的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
对于小电流驱动的小尺寸倒装发光二极管来说，取消了金层的电极结构，铂金属层5022兼顾导电层与阻挡层的作用，一定程度稳定电压，较小驱动电流下，仅会引起较小的电压上升幅度，同时铂金属层5022能够保证铝反射层501的上表面和侧壁周围均包覆有铂金属层5022，防止铝反射层501中的铝迁移。
另外，铝反射层501优选为一层，应力缓冲层5021和铂金属层5022均优选为一层，电极的整体厚度可降到更低，并且电极的侧壁的倾斜角度可进一步缩小。铂金属层5022在铝反射层501上具有较大应力，应力缓冲层5021介于铂金属层5022和铝反射层501之间，来缓冲铂金属层5022与铝反射层501之间的应力。
此外，第一金属电极500和第二金属电极510的最上表面层为第二粘附层504，铂金属层5022通过第二粘附层504与绝缘层600连接，绝缘层600中与第一金属电极500、第二金属电极510对应的通孔贯穿绝缘层600、第二粘附层504并延伸至最上方的那层铂金属层5022的内部，避免出现因第二粘附层504作为通孔的底面被氧化而导致的电压升高的现象。并且，最上方的那层铂金属层5022具有较大厚度，可阻挡通孔延伸至应力缓冲层5021的表面。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。
Claims (30)
1.一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于所述半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，所述半导体堆叠层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一金属电极与所述第一半导体层电性连接，所述第二金属电极与所述第二半导体层电性连接；
其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极均为无金叠层结构；所述无金叠层结构包括铝反射层、以及位于所述铝反射层上表面的至少一层铂金属层；
所述铂金属层具有相对于对应半导体叠层的上表面倾斜的侧壁。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铝反射层具有相对于对应半导体叠层的上表面倾斜的侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铂金属层包覆所述铝反射层的上表面和所述铝反射层的侧壁。
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铝反射层与所述铂金属层之间包括有应力缓冲层。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层部分覆盖所述所述铝反射层并暴露所述铝反射层边缘部分，以使所述应力缓冲层上方的所述铂金属层与所述应力缓冲层下方的铝反射层的边缘接触，并完全包覆所述铝反射层的上表面和所述铝反射层的侧壁。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构具有相对于对应半导体层的上表面倾斜的侧壁，所述无金叠层结构的所述侧壁与对应半导体层的上表面的夹角α小于或等于60°。
7.根据权利要求1或6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构包括与所述半导体叠层对应的水平叠层部分和环设于所述水平叠层部分的倾斜侧壁；沿所述无金叠层结构的中心向周边的方向上，所述倾斜侧壁厚度逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构的最上表面层为第二粘附层，所述第二粘附层位于所述铂金属层的上表面。
9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层为钛层。
10.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层的厚度为10nm～50nm。
11.根据权利要求1或8所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层上形成有绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一金属电极、所述第二金属电极以及所述半导体堆叠层的上表面和侧壁。
12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铝反射层的下表面设有第一粘附层，所述第一粘附层为铬层，且厚度小于或等于10nm。
13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构依次包括第一粘附层、铝反射层、由应力缓冲层和铂金属层形成的叠层以及第二粘附层；所述第一粘附层、所述铝反射层、所述叠层和所述第二粘附层的侧壁与对应半导体层的上表面的夹角依次增大。
14.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构的厚度小于等于800nm。
15.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铝反射层的厚度为80nm～300nm。
16.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铝反射层的数量为1层。
17.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层和所述铂金属层重复堆叠形成2～3层叠层。
18.根据权利要求17所述的倒装发光二极管，其特征在于，每层所述叠层中所述铂金属层位于所述应力缓冲层的上表面上，位于最上方的所述铂金属层的厚度大于其它的所述铂金属层的厚度。
19.根据权利要求17所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层和所述铂金属层重复堆叠形成的2～3层叠层中，位于最上方的所述铂金属层的厚度为100～300nm。
20.根据权利要求17所述的倒装发光二极管，其特征在于，每层所述叠层中，所述铂金属层位于所述应力缓冲层的上表面上，且每层所述叠层中所述应力缓冲层与其上表面上的铂金属层的厚度比小于1。
21.根据权利要求18所述的倒装发光二极管，其特征在于，每层所述应力缓冲层的厚度为20～80nm，所述其它的铂金属层的每层厚度小于等于100nm。
22.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层包括钛层。
23.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层和所述铂金属层的数量分别为1层。
24.根据权利要求23所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述应力缓冲层与其上表面上的铂金属层的厚度比小于1。
25.根据权利要求23所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述铂金属层的厚度为100～300nm。
26.根据权利要求23所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构的厚度小于等于500nm。
27.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括绝缘层、第一焊盘和第二焊盘；
所述绝缘层覆盖所述第一金属电极、第二金属电极、以及所述半导体堆叠层的上表面和侧壁，且分别设有位于所述第一金属电极、第二金属电极上方的通孔，所述第一焊盘和第二焊盘位于所述绝缘层上，并分别通过所述通孔与所述第一金属电极、第二金属电极连接。
28.根据权利要求27所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述无金叠层结构还包括有凹槽，所述凹槽贯穿所述第二粘附层并延伸至所述铂金属层的内部。
29.根据权利要求28所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述凹槽在铂金属层内部的延伸深度为所述铂金属层的厚度的1％～50％。
30.根据权利要求28所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述凹槽位于所述通孔的下方。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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