CN117525244A

CN117525244A - 一种发光二极管及发光装置

Info

Publication number: CN117525244A
Application number: CN202311439418.8A
Authority: CN
Inventors: 王庆; 洪灵愿; 何敏游; 曾江斌; 卢超; 吴光耀; 张中英
Original assignee: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2023-10-31
Filing date: 2023-10-31
Publication date: 2024-02-06

Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括衬底，外延结构和布拉格反射层；布拉格反射层包括重复交替堆叠布置的第一膜堆和第二膜堆；在第一膜堆中，具有至少一个由1层第一材料层和1层第二材料层组成的对层，其中，每个对层的第一材料层的光学厚度大于第二材料层的光学厚度；在第二膜堆中，具有多个由1层第一材料层和1层第二材料层组成的对层；其中，第二膜堆由第一材料层的光学厚度大于第二材料层的光学厚度的对层与第一材料层的光学厚度小于第二材料层的光学厚度的对层重复交替堆叠形成。通过上述设置，可以极大地提升发光二极管中布拉格反射层结构整体的反射率，改善发光二极管的整体亮度。

Description

一种发光二极管及发光装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。LED已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。

DBR(分布式布拉格反射镜，distributed Bragg reflector mirror)是LED中的一道重要工序，DBR优劣会直接影响LED的亮度，因而，如何对DBR持续优化以提升LED亮度的亟需的一大技术难题。

发明内容

本发明提供一种发光二极管，解决了背景技术中至少一个技术问题以有效提高发光效果。本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、布拉格反射层；衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述外延结构形成在所述第一表面上，包括有源层；所述布拉格反射层位于所述第二表面上；

所述布拉格反射层包括重复交替堆叠布置的第一膜堆和第二膜堆；所述第一膜堆和所述第二膜堆均包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，且第一材料层与第二材料层重复交替堆叠，第一折射率低于第二折射率；

在所述第一膜堆中，具有至少一个由1层第一材料层和1层第二材料层组成的对层，其中，每个对层的第一材料层的光学厚度大于第二材料层的光学厚度；

在所述第二膜堆中，具有多个由1层第一材料层和1层第二材料层组成的对层；其中，所述第二膜堆由第一材料层的光学厚度大于第二材料层的光学厚度的对层与第一材料层的光学厚度小于第二材料的层光学厚度的对层重复交替堆叠形成。

本发明还提供一种发光装置，其采用上述实施例提供的发光二极管。

本发明一实施例提供的一种发光二极管，借由对布拉格反射层关于第一膜堆和第二膜堆的设置，可以提升芯片内部布鲁斯特角位附近的反射率，极大地提升发光二极管中布拉格反射层结构整体的反射率，不仅对来自于有源层的接近直角的方向的光(即小入射角度的光)的反射率高，还对在偏离直角的方向的光(即大入射角度的光)也展现出良好的反射率，有效改善发光二极管的整体亮度。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本发明而了解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见的，下面描述中的部分附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本发明一实施例提供的发光二极管的剖视图；

图2是本发明一实施例提供的布拉格反射层的堆叠结构示意图；

图3是不同布拉格反射层堆叠顺序的反射率曲线图；

图4是本发明一实施例提供的布拉格反射层的堆叠顺序示意图。

附图标记：

10-外延结构；11-第一半导体层；12-有源层；13-第二半导体层；20-布拉格反射层；21-第一材料层；22-第二材料层；30-透明衬底；40-第一电极；50-第二电极；60-绝缘层；70-透明导电层；80-电流阻挡层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。

本发明的一实施例提供一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底30、外延结构10和布拉格反射层20；衬底30具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面为衬底的上表面，第二表面为衬底的下表面，所述外延结构10形成在所述衬底30的第一表面上，包括有源层；所述布拉格反射层20位于所述衬底30的第二表面上；

所述布拉格反射层20包括重复交替堆叠布置的第一膜堆和第二膜堆；所述第一膜堆和所述第二膜堆均包括具有第一折射率的第一材料层21和具有第二折射率的第二材料层22，且第一材料层21与第二材料层22重复交替堆叠，第一折射率低于第二折射率；

在所述第一膜堆中，具有至少一个由1层第一材料层21和1层第二材料层22组成的对层，其中，每个对层的第一材料层21的光学厚度大于第二材料层22的光学厚度；

在所述第二膜堆中，具有多个由1层第一材料层21和1层第二材料层22组成的对层；其中，所述第二膜堆由第一材料层21的光学厚度大于第二材料层22的光学厚度的对层与第一材料层21的光学厚度小于第二材料层的光学厚度的对层重复交替堆叠形成。

本实施例借由对布拉格反射层20关于第一膜堆和第二膜堆的设置，可以提升芯片内部布鲁斯特角位附近的反射率，极大地提升发光二极管中布拉格反射层20结构整体的光反射率，不仅对来自于有源层12的接近直角的方向的光(即小入射角度的光)的反射率高，还对在偏离直角的方向的光(即大入射角度的光)也展现出良好的反射率，有效改善发光二极管的整体亮度。

在一实施例中，同一布拉格反射层20中，多个第一膜堆所包含的层数相同或不同，多个第二膜堆所包含的层数相同或不同，具体可根据实际需求进行选择即可，在此不做限定。

在一实施例中，所述第一膜堆所包含的总层数大于所述第二膜堆所包含的总层数。

在一实施例中，所述第一膜堆所包含的层数大于等于2，所述第二膜堆所包含的层数大于等于4，以进一步提升反射率。

在一实施例中，同一布拉格反射层20中，所述第一膜堆的数量和所述第二膜堆的数量相同或不相同。

在一实施例中，在所述布拉格反射层20中，最靠近所述外延结构10的膜堆为第一膜堆，以优先提升大角度的发光二极管内部反射率。

在一实施例中，所述第一材料层21的材料为氧化硅，第二材料层22的材料为氧化钛。

在一实施例中，所有所述第一膜堆的对层和所有所述第二膜堆的对层的数量之和介于15对～30对之间，以更有效提升布鲁斯特角附近的反射率。

在一实施例中，在所述布拉格反射层20中，将最靠近所述外延结构10的材料层定义为第一层；所述第一层为低折射率材料；所述第一层的光学厚度大于所述布拉格反射层20中其他材料层的厚度，不仅可以起到保护布拉格反射层20的作用，还能提高全反射效果。

在一实施例中，所述第一层为第一材料层21，以保证第一层的粘合效果。

在一实施例中，所述第一层的光学厚度介于588nm～1470nm之间。

在一实施例中，每一层所述第一材料层21的光学厚度为λ₁/4，其中，λ₁＞350nm，保证第一材料层21镀膜的稳定性。

在一实施例中，每一层所述第二材料层22的光学厚度为λ₂/4，其中，350≤λ₂≤880nm，以保证第二材料层22镀膜稳定性，同时还能使得光学厚度覆盖到可见光区域。

在一实施例中，所述布拉格反射层20的厚度介于3μm～6μm之间。

在一实施例中，所述发光二极管的发光波长范围为420～480nm。

在一实施例中，所述外延结构10和所述布拉格反射层20之间具有一透明衬底30，所述透明衬底30包括但不限于蓝宝石平底衬底或者是蓝宝石图形化衬底，其具有相对设置的第一表面和第二表面，其中，第一表面是衬底30的上表面，第二表面是衬底30的下表面，以便于光源穿过透明衬底30并通过布拉格反射层20从发光二极管的出光面反射出。

在一实施例中，所述外延结构10还包括分别层叠于所述有源层12两侧的第一半导体层11和第二半导体层13；所述第一半导体层11靠近所述透明衬底30。

在一实施例中，所述发光二极管还包括第一电极40，位于所述第一半导体层11上，且与所述第一半导体层11电连接；第二电极50，位于所述第二半导体层13上，且与所述第二半导体层13电连接；绝缘层60，至少覆盖部分所述外延结构10。

在一实施例中，所述发光二极管还包括透明导电层70，所述透明导电层70位于所述第二电极50和所述外延结构10之间；电流阻挡层80，所述电流阻挡层80位于所述透明导电层70内。通过上述设置，可进一步保证结构可靠性的同时，提升发光二极管的亮度。

本发明还提供一种发光装置，所述发光装置采用如上任一实施例所述的发光二极管，可有效提高发光装置的性能。

以下将结合本发明实施例中的附图，通过多种具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。

请参阅图1，图1是本发明实施例一提供的发光二极管的剖视图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的实施例一提供一种发光二极管。如图中所示，该发光二极管包括衬底30、外延结构10和布拉格反射层20。

透明衬底30可为透明性衬底或者半透明衬底，例如，透明衬底30可以是蓝宝石平片衬底、蓝宝石图形化衬底中的任意一种。在一些实施例中，透明衬底30可以采用组合式的图形化衬底。在其他实施例中，透明衬底30可以进行减薄或者移除形成薄膜型的芯片。衬底30具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为衬底30上表面，第二表面为衬底30下表面。

其中外延结构10设置在透明衬底30第一表面上，其中透明性衬底或者半透明衬底可以允许有源层12辐射出的光穿过透明衬底30到达透明衬底30的一侧的布拉格反射层20，例如外延结构10包括依次层叠的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。其中，第一半导体层11形成于透明衬底30上，作为在透明衬底30上生长的层，可以是掺杂了n型杂质，例如Si的氮化镓类半导体层。在一些实施例中，在第一半导体层11与透明衬底30之间还可设置缓冲层。在其他实施例中，第一半导体层11还可以通过粘结层与透明衬底30进行连结。

有源层12可以为量子阱结构(Quantum Well，简称QW)。在一些实施例中，有源层12也可以为多重量子阱结构(Multiple Quantum Well，简称MQW)，其中多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层(Well)和多个量子阻障层(Barrier)。此外，有源层12内的阱层的组成以及厚度决定生成的光的波长。特别地，通过调节阱层的组成可以提供生成紫外线、蓝色光、绿色光、黄色光等不同色光的有源层12。本实施例中，优选所述发光二极管的发光波长范围为420～480nm。

第二半导体层13可以是掺杂了p型杂质，例如Mg的氮化镓类半导体层。虽然第一半导体层11和第二半导体层13分别可以是单层结构，但本案不限于此，也可以是多重层，还可以包括超晶格层。此外，在其他实施例中，在第一半导体层11是掺杂了p型杂质的情况下，第二半导体层13可以是掺杂n型杂质，即第一半导体层11为P型半导体层，第二半导体层13为N型半导体层。

当然，外延结构10还可以包括其它层材料，如窗口层或欧姆接触层等，根据掺杂浓度或组分含量不同进行设置为不同的多层。

进一步地，布拉格反射层20设置于衬底30的第二表面，其包括重复交替堆叠布置的第一膜堆和第二膜堆。第一膜堆和第二膜堆的数量大于等于1，具体的数量可根据实际需求进行设计，在此不做限定。

较佳地，所述布拉格反射层20的厚度介于3μm～6μm之间。同一布拉格反射层20中，所述第一膜堆的数量和所述第二膜堆的数量相同或不相同。即，第一膜堆的数量可以为3个，第二膜堆的数量也可以为3个；或第一膜堆的数量为3个，第二膜堆的数量为2个，保证二者数量相差1即可。

其中，所述第一膜堆和所述第二膜堆均包括具有第一折射率的第一材料层21和具有第二折射率的第二材料层22，且第一材料层21与第二材料层22重复交替堆叠，第一折射率低于第二折射率。术语“高折射率”和“低折射率”被用于指示第一材料层21的折射率与第二材料层22的折射率之间的差异。也就是，低折射率的第一材料层21具有比高折射率的第二材料层22更低的折射率。本实施例中优选第一材料层21为氧化硅，第二材料层22的材料为氧化钛。例如，氧化硅在450nm可具有约1.47的折射率，且氧化钛在450nm可具有约2.55的折射率。应当被理解的是，第一材料层21和第二材料层22并不限于氧化硅和氧化钛，例如第一材料层21还可以是氟化物。只要第一材料层21和第二材料层22具有不同的折射率且是光学透明的即可，且其它的绝缘层60或半导体层也可以用作第一材料层21和第二材料层22。这里，例如SiO2和TiO2的电介质层由于其高透光率、易沉积和相对大的折射率差异而是更合适的。

较佳地，本实施例中，每一层所述第一材料层21的光学厚度为λ₁/4，其中，λ₁＞350nm，保证第一材料层21镀膜的稳定性。每一层所述第二材料层22的光学厚度为λ₂/4，其中，350≤λ₂≤880nm，以避免厚度过小而影响第二材料层22镀膜稳定性，同时还能保证光学厚度覆盖到整个可见光区域。

请参阅图2，在所述第一膜堆中，具有至少一个由1层第一材料层21和1层第二材料层22组成的对层，其中，每个对层的第一材料层21的光学厚度大于第二材料层22的光学厚度。由于第一材料层21相对于第二材料层22的折射率低，光吸收率相对于第二材料层22的光吸收率低。因此，通过上述对第一膜堆的设计方式可以极大降低布拉格反射层20结构整体的光吸收率，并且还能增加布鲁斯特角附近的反射率，具体可以有效提升入射角度在50°～60°范围附近的发光二极管内部反射率。

请继续参阅图2，在所述第二膜堆中，具有多个由1层第一材料层21和1层第二材料层22组成的对层；其中，所述第二膜堆由第一材料层21的光学厚度大于第二材料层22的光学厚度的对层与第一材料层21的光学厚度小于第二材料层22的层光学厚度的对层重复交替堆叠形成。通过上述对第二膜堆的设计方式可以增加布鲁斯特角附近的反射率，具体可以有效提升入射角度在30°～40°附近的发光二极管内部反射率。

应当说明的是，图2的堆叠方式仅仅为一种实施方式，关于第一膜堆与第二膜堆的数量以及第一材料层21与第二材料层22的数量可以根据实际需求进行调整和改变，不应局限于如图2所示的数量。

为了验证具有上述布拉格反射层20的发光二极管的出光效果，请参阅图3，图3为不同布拉格反射层20堆叠方式的芯片内部反射率随角度变化的曲线图。图中给出了仅采用第一膜堆、第二膜堆堆叠方式所形成布拉格反射层20的芯片内部反射率变化以及采用本发明实施例提供的第一膜堆和第二膜堆交替堆叠方式所形成布拉格反射层20的芯片内部反射率变化的曲线对比，可以看出，在具有不同光学厚度的材料层的布置中，其中采用第一膜堆和第二膜堆交替地布置的结构可以改进反射特性。根据图3可知，仅采用第一膜堆或第二膜堆时，芯片的反射率会在30°～60°附近骤降，其原因是该角位附近为布鲁斯特角位，以此角度入射时，反射率很低，因此，该角度附近的区域应尽可能越窄越好，通过采用第一膜堆和第二膜堆交替堆叠的方式，该区域明显缩窄。并且根据图3可知，在入射角为30°～40°中，利用第一膜堆和第二膜堆交替堆叠方式的反射率远远高于仅采用第一膜堆或采用第二膜堆的反射率，且接近100％；在入射角为50°～60°中，利用第一膜堆和第二膜堆交替堆叠方式的反射率远远高于仅采用第一膜堆或采用第二膜堆的反射率，且接近100％。因此，采用本发明实施例提供的布拉格反射层20的堆叠方式能够提升布鲁斯特角附近的反射率，体现在提高入射角在30°～40°和50°～60°的反射率，从而有效提升整个发光二极管的出光效率。

作为一个实施方式，在所述布拉格反射层20中，最靠近所述外延结构10的膜堆为第一膜堆，以优先提升大角度的发光二极管内部反射率，进一步改善整体的发光效率。

较佳地，同一布拉格反射层20中，多个第一膜堆所包含的层数相同或不同，例如每一个第一膜堆可以是相同的10层，也可以部分第一膜堆为8层，部分第一膜堆为10层。同理，多个第二膜堆所包含的层数相同或不同。具体可根据实际需求进行选择即可，在此不做限定。

较佳地，所述第一膜堆所包含的总层数大于所述第二膜堆所包含的总层数，从而有利于提升大角度的反射率。其中，第一膜堆所包含的层数大于等于2，所述第二膜堆所包含的层数大于等于4。即，第一膜堆至少具有1层第一材料层21和1层第二材料层22，第二膜堆至少具有2层第一材料层21和2层第二材料层22。具体各个膜堆的层数设定，可以根据实际需求进行调整，本实施例不以此为限。

在可选实施例中，所有所述第一膜堆的对层和所有所述第二膜堆的对层的数量之和介于15对～30对之间。具体来说，不管第一膜堆和第二膜堆的堆叠方式如何改变，布拉格反射层20的反射率会随着堆叠层数的增加而上升。因此，堆叠对层的数量应尽可能多，本实施例优选为15对～30对之间，以更有效提升布鲁斯特角附近的反射率。

在一些示例性的实施例中，将最靠近所述外延结构10的材料层定义为第一层；所述第一层为低折射率材料；所述第一层的光学厚度大于所述布拉格反射层20中其他材料层的厚度，以起到保护布拉格反射层20的作用，同时还能减少透明衬底30粗糙底表面对形成在透明衬底30底表面上的布拉格反射层20的影响。其中，第一层可以是第一材料层21或第二材料层22。本实施例优选为第一材料层21，即可以为SiO2。通常地，由于SiO2的粘合强度优于TiO2的粘合强度，因此优选SiO2以用作为被粘合至透明衬底30上。较佳地，第一层的光学厚度可以介于588nm～1470nm之间，以进一步增强反射，提高全反射效果。

此外，将最远离所述外延结构10的材料层定义为最后一层，最后一层可以是第一材料层21或者第二材料层22，在此不做限定。

以图4为例，本实施例给出了24对由1层第一材料层21和1层第二材料层22的对层组成的布拉格反射层20，其中第一膜堆的数量为3，第二膜堆的数量为3，具体来说，对编号1～5表示为第一个第一膜堆具有5对对层所堆叠的光学厚度的示例，对编号6～9表示为第一个第二膜堆具有4对对层所堆叠的光学厚度的示例，对编号10～17表示为第二个第一膜堆具有8对对层所堆叠的光学厚度的示例，对编号18、19表示为第二个第二膜堆具有2对对层所堆叠的光学厚度的示例，对编号20～22表示为第三个第一膜堆具有3对对层所堆叠的光学厚度的示例，对编号23、24表示为第三个第二膜堆具有2对对层所堆叠的光学厚度的示例。在该实施例中，多个第一膜堆所包含的层数与多个第二膜堆所包含的层数不同，且第一膜堆所包含的总层数大于第二膜堆所包含的总层数。

更进一步地，发光二极管还包括第一电极40、第二电极50和绝缘层60，第一电极40位于所述第一半导体层11上，且与所述第一半导体层11电连接；第二电极50位于所述第二半导体层13上，且与所述第二半导体层13电连接；绝缘层60至少覆盖部分所述外延结构10。

在该实施例中，第一电极40和第二电极50可以为金属电极，即第一电极40和第二电极50由金属材料制成，例如，镍、金、铬、钛、铂、钯、铑、铱、铝、锡、铟、钽、铜、钴、铁、钌、锆、钨和钼中的至少一种，或选自上述材料的合金或叠层的至少一种。作为示例，第一电极40可以为N电极，第二电极50可以为P电极。

在其他可选的实施方式中，所述发光二极管还包括透明导电层70和电流阻挡层80，所述透明导电层70位于所述第二电极50和所述外延结构10之间；所述电流阻挡层80位于所述透明导电层70内。

所述电流阻挡层80用作阻挡电流，避免电流拥挤在电极的正下方，使电流四散开来；所述透明导电层70则作为电流流经的通道，通过这样的设计使电流通过所述透明导电层70流经整个所述第一半导体层11的表面时，避免出现电流拥挤，保证电流在所述第一半导体层11的表面均匀扩展开来，以提高发光效率。

作为示例，所述电流阻挡层80可以是SiO2、Si3N4或者它们的复合结构。透明导电层70的材料包括氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锢和氧化锌、氧化锌镓、氧化铟，或铟掺杂氧化锌，或铝掺杂氧化锌，或镓掺杂氧化锌，或铝掺杂氧化铟锡的一种或多种组合的透明导电材料。本实施例优选透明导电层70为采用蒸镀或溅镀工艺形成的ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜)层。

所述绝缘层60覆盖外延结构10，还可以覆盖部分的第一电极40和部分的第二电极50。绝缘层60根据设计的位置具有不同的功效，例如：当绝缘层60覆盖外延结构10的侧壁时，其可用于防止因导电材料泄露而电连通第一半导体层11和第二半导体层13，减少发光二极管的短路异常可能性，但本公开实施例并非以此为限。绝缘层60的材料包含非导电材料。非导电材料优选地为无机材料或是介电材料。无机材料可以包含硅胶。介电材料包含氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛、或氟化镁等电绝缘材料。例如，绝缘层60可以是二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铌、钛酸钡或者其组合。

本发明的一实施例还提供一种发光装置，其可以采用前述任一实施例的发光二极管，以有效提高发光装置的光电性能。

另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

外延结构，形成在所述第一表面上，包括有源层；

布拉格反射层，形成在所述第二表面上；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：同一布拉格反射层中，多个第一膜堆所包含的层数相同或不同，多个第二膜堆所包含的层数相同或不同。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一膜堆所包含的总层数大于所述第二膜堆所包含的总层数。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一膜堆所包含的层数大于等于2，所述第二膜堆所包含的层数大于等于4。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：同一布拉格反射层中，所述第一膜堆的数量和所述第二膜堆的数量相同或不相同。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述布拉格反射层中，最靠近所述外延结构的膜堆为第一膜堆。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一材料层的材料为氧化硅，第二材料层的材料为氧化钛。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所有所述第一膜堆的对层和所有所述第二膜堆的对层的数量之和介于15对～30对之间。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述布拉格反射层中，将最靠近所述外延结构的材料层定义为第一层；所述第一层为低折射率材料；所述第一层的光学厚度大于所述布拉格反射层中其他材料层的厚度。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层为第一材料层。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层的光学厚度介于588nm～1470nm之间。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：每一层所述第一材料层的光学厚度为λ₁/4，其中，λ₁＞350nm。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：每一层所述第二材料层的光学厚度为λ₂/4，其中，350≤λ₂≤880nm。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述布拉格反射层的厚度介于3μm～6μm之间。

15.根据权利要求1～14任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的发光波长范围为420～480nm。

16.根据权利要求1～14任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为透明衬底。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于：所述外延结构还包括分别层叠于所述有源层两侧的第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层靠近所述透明衬底。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

第一电极，位于所述第一半导体层上，且与所述第一半导体层电连接；

第二电极，位于所述第二半导体层上，且与所述第二半导体层电连接；

绝缘层，至少覆盖部分所述外延结构。

19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

透明导电层，所述透明导电层位于所述第二电极和所述外延结构之间；

电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述透明导电层内。

20.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置采用如权利要求1～19任一项所述的发光二极管。