CN117525086A - 一种阵列基板、显示面板及电子设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 50
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004880 explosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007849 functional defect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 4,6-dinitro-o-cresol Chemical compound CC1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1O ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0292—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using a specific configuration of the conducting means connecting the protective devices, e.g. ESD buses
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。本发明的阵列基板包括显示区、驱动区以及位于显示区和驱动区之间的过渡区；位于过渡区的栅极扫描线包括相互绝缘的第一子栅极扫描线和第二子栅极扫描线，第一子栅极扫描线与第二子栅极扫描线之间具有第一间隙，将自显示区传输过来的静电在过渡区进行释放，避免在驱动区进行释放，进而避免显示面板发生功能性不良。本发明将第一间隙在基板上的正投影落入第三导电元件在基板上的正投影内，由于第三导电元件用于电连接栅极扫描线和第一导电元件，由此即便静电释放的位置发生炸伤，导致第二子栅极扫描线和第一导电元件发生短路现象，也不会影响整个显示面板的性能，进而避免发生功能性不良。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。
背景技术
三栅极(Tri-gate)架构是一种常用的降低产品成本的方法，它是通过将栅极扫描线的数量增加到原来的3倍，而数据线的数量则减少为原来的1/3，信号线的数量整体会有较大程度的降低，通常源极芯片(Source IC)的价格高于栅极芯片(Gate IC)，因而可以起到节省成本的目的。阵列基板驱动(Gate Driver on Array，GOA)电路是实现面板逐行扫描的电路，GOA电路由于可以直接将栅极驱动电路集成在显示面板的阵列基板上，而不需要外接硅芯片制作驱动芯片，因此使得显示面板集成度更高、工艺流程更简化，可以降低生产成本、提高模组良率，并被广泛应用于追求轻薄、窄边框和形态多样化的新一代显示面板中。Tri-gate架构搭配GOA技术，可以省去全部的栅极芯片，整个面板只需要数量很少的源极芯片即可，进一步降低面板的生产成本，提升市场竞争力。
在生产栅极层时，需要设备运输带有栅极层的基板，设备的机械臂动作时会发生摩擦产生静电，静电容易从显示面板的显示区传导至驱动区。由于栅极层的位于显示区的走线和位于驱动区的走线不联通，而且驱动区是由不同形态大小的金属图形组成，面积不同的金属图形之间容易出现电势差，从而发生静电炸伤短路等不良现象。目前，常见的防静电设计是增加静电环进行保护。但是受到55tri-gate的布局限制，并没有空间可以用来放置静电环。因此，需要寻求一种新型的设计以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，其能够解决现有技术中静电自显示区传输至驱动区发生静电不良以及现有技术中没有空间用来放置静电环以避免上述静电不良的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，其包括显示区、驱动区以及位于所述显示区和驱动区之间的过渡区；所述阵列基板包括：基板；第一导体层，设置于所述基板上，所述第一导体层包括位于所述驱动区的第一信号线以及自所述显示区延伸至所述过渡区的栅极扫描线，所述栅极扫描线与所述第一信号线间隔设置；位于所述过渡区的所述栅极扫描线包括相互绝缘的第一子栅极扫描线和第二子栅极扫描线，所述第二子栅极扫描线位于所述第一子栅极扫描线靠近所述驱动区的一侧，所述第一子栅极扫描线与所述第二子栅极扫描线之间具有第一间隙。
进一步的，所述阵列基板还包括：第二导体层，设置于所述第一导体层远离所述基板的一侧，所述第二导体层包括位于所述过渡区的第一导电元件以及自所述过渡区延伸至所述驱动区的第二导电元件，所述第一导电元件和第二导电元件之间具有第二间隙；第三导体层，设置于所述第二导体层远离所述基板的一侧，所述第三导体层包括位于所述过渡区的第三导电元件和第四导电元件，所述第三导电元件和第四导电元件之间具有第三间隙；所述第三导电元件的一端电连接于所述栅极扫描线，其另一端电连接于所述第一导电元件靠近所述显示区的一端；所述第四导电元件的一端电连接于所述第一导电元件远离所述显示区的一端，其另一端电连接于所述第二导电元件靠近所述显示区的一端。
进一步的，所述第一间隙在所述基板上的正投影落入所述第三导电元件在所述基板上的正投影内。
进一步的，所述第二导体层还包括位于所述显示区的源漏极层。
进一步的，所述第三导体层还包括位于所述显示区的像素电极。
进一步的，所述阵列基板还包括：第一绝缘层，设置于所述第一导体层与所述第二导体层之间；以及第二绝缘层，设置于所述第二导体层与所述第三导体层之间；所述第三导电元件的一端通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔电连接于所述第一子栅极扫描线，所述第三导电元件的另一端通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔电连接于所述第一导电元件的一端；所述第四导电元件的一端通过贯穿所述第二绝缘层的第三过孔电连接于所述第一导电元件的另一端，所述第四导电元件的另一端通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔电连接于所述第二导电元件。
进一步的，所述栅极扫描线自所述显示区沿着第一方向延伸至所述过渡区；所述第一信号线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
进一步的，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括本发明所述的阵列基板。
为了解决上述问题，本发明提供了一种电子设备，其包括本发明所述的显示面板，所述电子设备包括手机、平板电脑、笔记本电脑中的一种。
本发明的优点是：本发明将位于所述过渡区的栅极扫描线分为相互绝缘的第一子栅极扫描线和第二子栅极扫描线，所述第一子栅极扫描线与所述第二子栅极扫描线之间具有第一间隙，将自显示区传输过来的静电在过渡区进行释放，避免在驱动区进行释放，进而避免显示面板发生功能性不良。
本发明将所述第一间隙在所述基板上的正投影落入所述第三导电元件在所述基板上的正投影内，由于第三导电元件用于电连接栅极扫描线和第一导电元件，由此即便静电释放的位置发生炸伤，导致第二子栅极扫描线和第一导电元件发生短路现象，也不会影响整个显示面板的性能，进而避免发生功能性不良。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的阵列基板的平面示意图；
图2图1中的A-A截面示意图；
图3是本发明的阵列基板的第一导体层的平面示意图。
附图标记说明：
100、阵列基板；
1、基板； 2、第一导体层；
3、第一绝缘层； 4、第二导体层；
5、第二绝缘层； 6、第三导体层；
7、第一过孔； 8、第二过孔；
9、第三过孔； 10、第四过孔；
21、栅极扫描线； 2、第一信号线；
23、第一间隙；
211、第一子栅极扫描线； 212、第二子栅极扫描线；
41、第一导电元件； 42、第二导电元件；
61、第三导电元件； 62、第四导电元件。
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
本实施例提供了一种电子设备，其包括显示面板。电子设备包括：手机、平板电脑、笔记本电脑中的一种。其中，显示面板包括阵列基板100。
如图1所示，阵列基板100包括显示区101、驱动区102以及位于所述显示区101和驱动区102之间的过渡区103。
如图2所示，阵列基板100包括：基板1、第一导体层2、第一绝缘层3、第二导体层4、第二绝缘层5以及第三导体层6。
其中，基板1的材质为玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。本实施例中，基板1的材质为玻璃。
其中，第一导体层2设置于所述基板1上。第一导体层2的材质可为Mo或Ti或W或Mo和Al的组合结构或Mo和Cu的组合结构或Mo、Cu及IZO的组合结构或IZO、Cu及IZO的组合结构或Mo、Cu及ITO的组合结构或Ni、Cu及Ni的组合结构或MoTiNi、Cu及MoTiNi的组合结构或NiCr、Cu及NiCr的组合结构或CuNb等。
其中，第一导体层2包括：栅极扫描线21以及第一信号线22。
其中，栅极扫描线21自所述显示区101延伸至所述过渡区103。具体的，所述栅极扫描线21自所述显示区101沿着第一方向M延伸至所述过渡区103。
如图3所示，位于所述过渡区103的所述栅极扫描线21包括相互绝缘的第一子栅极扫描线211和第二子栅极扫描线212。具体的，所述第二子栅极扫描线212位于所述第一子栅极扫描线211靠近所述驱动区102的一侧，所述第一子栅极扫描线211与所述第二子栅极扫描线212之间具有第一间隙23，由此可以将自显示区101传输过来的静电在过渡区103进行释放，避免在驱动区102进行释放，进而避免显示面板发生功能性不良。
其中，第一信号线22位于所述驱动区102。第一信号线22与栅极扫描线21间隔设置，且第一信号线22与栅极扫描线21之间相互绝缘。其中，第一信号线22沿着与所述第一方向M交叉的第二方向N延伸。本实施例中，第一方向M与所述第二方向N相互垂直。在其他实施例中，第一方向M与第二方向N可以不垂直仅交叉即可。
其中，第一绝缘层3设置于所述第一导体层2与所述第二导体层4之间。第一绝缘层3主要用于防止第一导体层2和第二导体层4之间接触发生短路现象。第一绝缘层3的材质可为SiOx或SiNx或SiNOx等。
其中，第二导体层4设置于所述第一导体层2远离所述基板1的一侧，具体的，第二导体层4设置于所述第一绝缘层3远离所述基板1的一侧。第二导体层4的材质可为Mo或Ti或W或Al或Cu或Mo和Al的组合结构或Mo和Cu的组合结构或Mo、Cu及IZO的组合结构或IZO、Cu及IZO的组合结构或Mo、Cu及ITO的组合结构或Ni、Cu及Ni的组合结构或MoTiNi、Cu及MoTiNi的组合结构或NiCr、Cu及NiCr的组合结构或CuNb等。
其中，第二导体层4包括第一导电元件41以及第二导电元件42。本实施例中，第二导体层4还包括位于所述显示区101的源漏极层(图未示)。换句话而言，可以采用同一光罩制备形成第一导电元件41、第二导电元件42以及源漏极层，进而可以降低生产成本，提高生产效率。
其中，第一导电元件41位于所述过渡区103，第二导电元件42自所述过渡区103延伸至所述驱动区102。第一导电元件41和第二导电元件42之间具有第二间隙。第二导电元件42位于所述第一导电元件41靠近所述驱动区102的一侧。
其中，第二绝缘层5设置于所述第二导体层4与所述第三导体层6之间。第二绝缘层5主要用于防止第二导体层4和第三导体层6之间接触发生短路现象。第二绝缘层5的材质可为SiOx或SiNx或SiNOx等。
其中，第三导体层6设置于所述第二导体层4远离所述基板1的一侧，具体的，第三导体层6设置于所述第二绝缘层5远离所述基板1的一侧。本实施例中，第三导体层6的材质为ITO，在其他实施例中，第三导体层6的材质可以是其他导体材料。
其中，第三导体层6包括：第三导电元件61和第四导电元件62。本实施例中，第三导体层6还包括位于所述显示区101的像素电极(图未示)。换句话而言，可以采用同一光罩制备形成第三导电元件61、第四导电元件62以及像素电极，进而可以降低生产成本，提高生产效率。
其中，第三导电元件61和第四导电元件62均位于过渡区103，且第三导电元件61和第四导电元件62之间具有第三间隙。第四导电元件62位于所述第三导电元件61靠近所述驱动区102的一侧。
如图1及图2所示，第三导电元件61的一端电连接于所述栅极扫描线21，其另一端电连接于所述第一导电元件41靠近所述显示区101的一端。具体的，第三导电元件61的一端通过贯穿所述第一绝缘层3和所述第二绝缘层5的第一过孔7电连接于所述第一子栅极扫描线211，第三导电元件61的另一端通过贯穿所述第二绝缘层5的第二过孔8电连接于所述第一导电元件41靠近所述显示区101的一端。
如图1及图2所示，第四导电元件62的一端电连接于所述第一导电元件41远离所述显示区101的一端，其另一端电连接于所述第二导电元件42靠近所述显示区101的一端。具体的，第四导电元件62的一端通过贯穿所述第二绝缘层5的第三过孔9电连接于所述第一导电元件41远离所述显示区101的一端，所述第四导电元件62的另一端通过贯穿所述第二绝缘层5的第四过孔10电连接于所述第二导电元件42靠近所述显示区101的一端。
如图1及图2所示，本实施例中，第一间隙23在所述基板1上的正投影落入所述第三导电元件61在所述基板1上的正投影内。由于第三导电元件61用于电连接栅极扫描线21和第一导电元件41，由此即便静电释放的位置发生炸伤，导致第二子栅极扫描线212和第一导电元件41发生短路现象，也不会影响整个显示面板的性能，进而避免发生功能性不良。
以上对本申请所提供的一种阵列基板、显示面板及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区、驱动区以及位于所述显示区和驱动区之间的过渡区；
所述阵列基板包括：
基板；
第一导体层，设置于所述基板上，所述第一导体层包括位于所述驱动区的第一信号线以及自所述显示区延伸至所述过渡区的栅极扫描线，所述栅极扫描线与所述第一信号线间隔设置；
位于所述过渡区的所述栅极扫描线包括相互绝缘的第一子栅极扫描线和第二子栅极扫描线，所述第二子栅极扫描线位于所述第一子栅极扫描线靠近所述驱动区的一侧，所述第一子栅极扫描线与所述第二子栅极扫描线之间具有第一间隙。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二导体层，设置于所述第一导体层远离所述基板的一侧，所述第二导体层包括位于所述过渡区的第一导电元件以及自所述过渡区延伸至所述驱动区的第二导电元件，所述第一导电元件和第二导电元件之间具有第二间隙；
第三导体层，设置于所述第二导体层远离所述基板的一侧，所述第三导体层包括位于所述过渡区的第三导电元件和第四导电元件，所述第三导电元件和第四导电元件之间具有第三间隙；
所述第三导电元件的一端电连接于所述栅极扫描线，其另一端电连接于所述第一导电元件靠近所述显示区的一端；
所述第四导电元件的一端电连接于所述第一导电元件远离所述显示区的一端，其另一端电连接于所述第二导电元件靠近所述显示区的一端。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一间隙在所述基板上的正投影落入所述第三导电元件在所述基板上的正投影内。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导体层还包括位于所述显示区的源漏极层。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导体层还包括位于所述显示区的像素电极。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第一绝缘层，设置于所述第一导体层与所述第二导体层之间；以及
第二绝缘层，设置于所述第二导体层与所述第三导体层之间；
所述第三导电元件的一端通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔电连接于所述第一子栅极扫描线，所述第三导电元件的另一端通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔电连接于所述第一导电元件的一端；
所述第四导电元件的一端通过贯穿所述第二绝缘层的第三过孔电连接于所述第一导电元件的另一端，所述第四导电元件的另一端通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔电连接于所述第二导电元件。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极扫描线自所述显示区沿着第一方向延伸至所述过渡区；
所述第一信号线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板，所述电子设备包括手机、平板电脑、笔记本电脑中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311244254.3A CN117525086A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | 一种阵列基板、显示面板及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311244254.3A CN117525086A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | 一种阵列基板、显示面板及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117525086A true CN117525086A (zh) | 2024-02-06 |
Family
ID=89740686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311244254.3A Pending CN117525086A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | 一种阵列基板、显示面板及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117525086A (zh) |
-
2023
- 2023-09-25 CN CN202311244254.3A patent/CN117525086A/zh active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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