CN117518734A - 一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质 - Google Patents

一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质，将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；目标子区域包括第一图案；第一工艺窗口评价参数小于预设参数；对第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；将第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的目标子区域包括第三图案；第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。

Description

一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质
技术领域
本申请涉及半导体领域，特别涉及一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质。
背景技术
在集成电路的诸多制造工艺中，光刻是最为关键的。光刻工艺负责把设计版图一层一层地制备到晶圆上。集成电路技术节点的推进，要求版图上图形的密度每十八个月至两年提高一倍(摩尔定律)，正是光刻工艺的发展支撑了这种版图密度的提高。然而由于光衍射和干涉现象的存在，实际转移到晶圆上的图形与设计的版图不完全相同，存在一定的误差，影响成像的精度。除此之外，光刻系统在实际工作时中还存在离焦现象，即聚焦平面与晶圆表面的位置不完全重叠，离焦也会影响光刻成像的质量。这些都是影响设计可制造性的关键因子，导致光刻工艺窗口(process window，PW)较小。
如果仅仅通过工艺的改善来提高设计的可制造性，随着工艺节点的缩小其改善效果并不明显。在这种情况下，制造者在改进工艺的同时，也需要设计者在设计阶段就要考虑设计的制造问题，根据工艺的具体要求设计出便于制造的版图。
也就是说，随着技术节点的不断缩小、工艺复杂性的提升，版图的特定区域可能会出现光刻工艺窗口不足的问题，某些区域甚至可能成为热点，这会对版图的可制造性产生较大的影响。因此，提供一种布线版图光刻工艺窗口优化方法成为目前急需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质，能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。其具体方案如下：
一方面，本申请提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化方法，包括：
将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出所述第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及所述第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；所述目标子区域包括第一图案；所述第一工艺窗口评价参数小于预设参数；
对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；
将所述第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的所述目标子区域包括所述第三图案；所述第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于所述第一工艺窗口评价参数。
又一方面，本申请实施例还提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化装置，包括：
确定单元，用于将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出所述第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及所述第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；所述目标子区域包括第一图案；所述第一工艺窗口评价参数小于预设参数；
优化单元，用于对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；
输出单元，用于将所述第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的所述目标子区域包括所述第三图案；所述第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于所述第一工艺窗口评价参数。
又一方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器以及存储器：
所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；
所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行以上方面所述的方法。
又一方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序用于执行以上方面所述的方法。
本申请实施例提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质，将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；目标子区域包括第一图案；第一工艺窗口评价参数小于预设参数；对第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；将第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的目标子区域包括第三图案；第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。在本申请实施例中，可以利用Transformer编码器模型识别出需要进行光刻工艺窗口优化的目标子区域，对目标子区域中的第一图案进行处理，反向传播算法能够增强优化空间，加速优化过程，还能提高工艺窗口评价参数，后处理算法可以进一步优化第一图案，得到的第二图案的工艺窗口较大，通过转置卷积网络可以恢复图像大小，从而获得第三图案，第三图案相比于第一图案，能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了本申请实施例提供的一种布线版图光刻工艺窗口优化方法的流程示意图；
图2示出了本申请实施例提供的一种光刻工艺窗口的示意图；
图3示出了本申请实施例提供的又一种布线版图光刻工艺窗口优化方法的流程示意图；
图4示出了本申请实施例提供的一种模型架构示意图；
图5示出了本申请实施例提供的一种版图片段中的图案的示意图；
图6示出了本申请实施例提供的一种PWE算法的示意图；
图7为本申请实施例提供的一种布线版图光刻工艺窗口优化装置的结构框图；
图8为本申请实施例提供的一种计算机设备的结构图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了便于理解，下面结合附图对本申请实施例提供的一种布线版图光刻工艺窗口优化方法、装置、设备及介质进行详细的说明。
参考图1所示，为本申请实施例提供的一种布线版图光刻工艺窗口优化方法的流程示意图，该方法可以包括以下步骤。
S101，将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数。
具体地，芯片的数字电路设计过程包括逻辑设计、版图设计、掩膜设计和制造几个阶段，传统的可以在掩膜设计阶段中进行优化，通过采用光学临近校正(OpticalProximity Correction，OPC)和亚分辨率辅助特征(Subresolution assist feature，SRAF)等技术，提高可制造性。但是，由于在此设计阶段，布局布线版图已经确定，其优化空间非常有限，本申请提供的方案应用于版图设计阶段，即提供了在后布线阶段光刻工艺窗口扩大(process window enlargement，PWE)的版图优化架构，在早期设计阶段就能够优化光刻印刷适性，提高可制造性。
在本申请实施例中，第一版图片段可以为版图中的一部分片段，第一版图片段具有对应的第一工艺窗口评价参数，第一工艺窗口评价参数用于评价工艺窗口的大小，接下来对工艺窗口进行简要说明。
在投影光学光刻系统中，对于给定的特征尺寸，能保证线条质量所允许的成像位置偏离最佳焦面位置的范围定义为焦深(Depth Of Focus，DOF)。对于光刻工艺，焦深越大，则对光刻图形的曝光越有利。焦深同曝光波长及投影物镜的数值孔径的关系如下：
式中，k2为焦深工艺因子。随着焦面位置的变化，曝光线条的质量也随之变化，这样必然存在一个曝光线条质量最好的位置，这个位置称为最佳焦面，实际成像面偏离最佳焦面的值称为离焦量。
也就是说，焦深是允许成像位置偏离最佳焦面位置的范围，离焦量为实际成像位置偏离最佳焦面位置的范围。
光刻工艺的目的是将掩模版上的图形复制到具有一定厚度的光刻胶中，为了得到侧壁陡直的线条，成像强度在光刻胶厚度范围要尽量一致，这就要求投影光刻的焦深大于光刻胶的厚度。
联系到光刻分辨力的公式，焦深的表达式可以改写为:
光刻曝光图形的特征尺寸CD随着曝光剂量及离焦量的变化存在较大的起伏。在实际的光刻工艺中，集成电路芯片的电学性能是允许光刻曝光图形的特征尺寸存在一定误差的，这个可允许的误差范围通常是±10％CD。按照这个标准，可以将光刻成像的泊松曲线图标出符合条件的点，并将其连线，可以得到如图2所示的工艺窗口。
图2中所示的曲线所能允许的最大矩形或椭圆包络的部分称为工艺窗口。光刻工艺中一般采用椭圆工艺窗口，此时在封闭区域内，只能得到一个面积最大的椭圆。需要说明的是图中所表示的矩形或圆都是在由两条曲线构成的封闭区域内画出的，这两条曲线表示在不同的焦面位置，分别满足CD(1+10％)和CD(1-10％)两种条件下的曝光剂量。
在实际的光刻工艺中，一般衡量工艺窗口的标准是曝光剂量在5％变化情况下的焦深值(即固定椭圆的Y轴长度，衡量椭圆的X轴长度)，这个值越大表示工艺窗口越大，即第一工艺窗口评价参数可以为焦深DOF。当然，也可以固定焦深范围，通过曝光剂量大小来衡量工艺窗口的大小，也就是说，第一工艺窗口评价参数也可以为曝光剂量。为了便于描述，以下实施例说明中以焦深DOF值来衡量工艺窗口的大小，即第一工艺窗口评价参数为焦深DOF。
由于实际工艺都存在一定的不稳定性，如光刻机中曝光能量与聚焦值都会有涨落，在这个变化范围内光刻工艺必须提供符合要求的线宽值，要解决这个问题，对版图做工艺窗口的分析十分必要。
在本申请实施例中，可以将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，第一版图片段包括多个子区域，将需要优化的子区域定义为目标子区域，模型可以输出目标子区域的位置信息和第一工艺窗口评价参数，其中，目标子区域的位置信息可以表示目标子区域在第一版图片段中的具体位置，目标子区域包括第一图案，第一工艺窗口评价参数为第一版图片段对应的工艺窗口评价参数，第一工艺窗口评价参数小于预设参数，表示第一版图片段需要进行工艺窗口优化。
在实际应用时，可以对第一版图片段进行评估建模处理，在评估建模步骤中，可以利用Transformer编码器的模型以进行快速PW评估。接着可以利用光刻工艺窗口扩大算法进行处理，具体采用两种算法来改善工艺窗口评价参数，然后进行恢复建模，采用转置卷积对算法优化得到的最优解进行恢复，从而将其恢复为原始版图图像。
具体地，Transformer编码器模型在许多sequence-to-sequence任务中显示出很大的优越性。由于版图中图形的二维形状多样性，存在较大的优化空间供版图修改，可选择Transformer-based Vision(ViT)方法进行处理。
参考图3所示，为本申请实施例提供的又一种布线版图光刻工艺窗口优化方法的流程示意图，包括评估建模(Evaluation Modeling)、PWE算法(PWE Algorithm)处理和恢复建模(Restoration Modeling)处理过程。参考图4所示，为本申请实施例提供的一种模型架构示意图，包括了各个层的输入、输出、内核和步长等信息。
具体地，第一版图片段即原始版图片段(Original clip)可以输入Transformer编码器模型中，首先可以进行图像编码(Patch Embedding)处理，其作用为从第一版图片段中提取重要的图像特征，该部分包括Conv1卷积层、Flatten1平滑层和Linear1全连接层，Conv1卷积层可以提取图像特征，Flatten1平滑层可以将Conv1卷积层输出的多维数据转换为一维数据，Linear1全连接层可以进行线性变换处理。
接着，可以进行位置信息编码(Positional Embedding)处理，在经过图像编码处理后的数据上增加位置信息，以便后续确定影响DOF值的特定区域即目标子区域的位置信息。
将经过位置信息编码处理后的数据输入至Transformer Encoder中，作为Transformer的核心机制，它避开了传统的卷积结构，并创造性地利用了基于线性运算的注意力机制和并行处理方法，使框架的预测模型能够统一处理全局信息，经过TransformerEncoder的处理能够得到第一版图片段的编码信息矩阵。
然后，输入至多层感知机(multilayer perceptron，MLP)中进行处理，MLP可以计算出第一版图片段中的各个子区域的注意力得分，注意力得分可以衡量子区域对第一版图片段的工艺窗口评价参数的影响，可以将注意力得分最大的子区域作为目标子区域，后续的优化过程集中在该目标子区域上，以确定用于光学敏感布局的PW，而不需要在第一版图片段上广泛的数学建模来识别确定需要优化的区域。其输出的结果包括两个值：Resultpos，表示具有最高注意力分数的区域位置信息，即目标子区域的位置信息；ResultDOF，表示第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数，比如可以为第一版图片段对应的DOF值。
S102，对第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案。
在本申请实施例中，可以对第一图案利用PWE算法进行工艺窗口优化，PWE算法包括反向传播算法和后处理算法，反向传播算法可以实现工艺窗口扩大，后处理算法可以对图案形状和位置进一步优化，判断是否满足设计规则检查(DRC)，进行连通性验证，以及判断图案中的像素点是否保留。
具体地，设计规则检查可以包括最小间距检查、最小关键尺寸检查等，比如，优化后的线段不应与其它线段重叠，满足DRC规则的最小间距。如果第二图案中的线段发生分离，则有必要利用后处理技术来延长它们，直到它们重新连接在一起，从而确保不存在开路。连通性检查是指，如果第一图案包括通孔，则第二图案还应包括通孔，以约束优化空间。相反，如果第二图案不包含通孔，则该优化无效。
具体地，如果DRC和连通性检查通过，则进一步处理该版图区域，后处理算法还可以判段图案中的像素点是否保留，以像素点为中心检查周围3×3个像素点。
具体地，可以将优化之后的第一图案记为第二图案，在进行工艺窗口优化之后，包括第二图片的第一版图片段对应的工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。
在本申请实施例中，S102可以具体包括以下步骤。
其中，S1021-S1022可以循环执行，直至确定出在水平扫描线分割时的最优方案，最优方案对应最大的工艺窗口评价参数，S1023-S1024可以循环执行，直至确定出在竖直扫描线分割时的最优方案，接着可以将两种最优方案进行对比，确定出工艺窗口评价参数最大的优化方案对第一图案优化，得到第二图案。
S1021，对第一图案利用水平扫描线分割，得到第四图案。
在本申请实施例中，可以对第一图案利用水平扫描线进行分割，优先将水平方向的线段矩形提取出来，可以覆盖竖直方向的线段，得到第四图案，便于有效处理第一图案中的多边形形状，参考图5中(b)所示，为对图5中的(a)进行水平扫描线分割得到。
S1022，对第四图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第五图案。
具体地，在进行扫描线分割后，可以对第四图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化处理，通过移动水平方向的线条改变第一图案的形状，实现扩大工艺窗口，得到第五图案。由第五图案组成的第三版图片段具有第三工艺窗口评价参数。
在一种可能的实现方式中，可以对第四图案利用反向传播算法进行工艺窗口扩大处理，得到第八图案，接着，对第八图案利用后处理算法进行优化处理，得到第五图案。
在本申请实施例中，后处理算法在判段图案中的像素点是否保留时，可以以像素点为中心检查周围3×3个像素点。具体的，第八图案可以包括第一像素点，将与第一像素点相邻的像素点记为第二像素点，第二像素点最多可以为8个，即在第一像素点周围一圈的8个像素点，对第八图案利用后处理算法进行优化处理，得到第五图案，可以具体为，在多个第二像素点的像素值为255，且至少一个第二像素点与第一像素点存在连接关系时，则在第五图案中保留第一像素点，否则，在第五图案中删除第一像素点。
具体地，如果第二像素点的像素值为255，说明，该像素点为黑色，在多个第二像素点均为黑色时，表示第一像素点的周围具有图案，如果黑色的第二像素点和第一像素点在水平方向或竖直方向上相邻，则认为该第二像素点和第一像素点存在连接关系，也就是说，如果黑色的第二像素点和第一像素点在斜对角方向上相邻，则认为该第二像素点和第一像素点没有连接。
这样，在第一像素点周围的多个第二像素点为黑色时，且至少一个第二像素点与第一像素点在水平或竖直方向上相连，则说明第一像素点不是孤立的像素点，可以保留第一像素点，否则，说明第一像素点为孤立的像素点，需要删除第一像素点。
S1023，对第一图案利用垂直扫描线分割，得到第六图案。
具体地，可以对第一图案利用垂直扫描线进行分割，优先将竖直方向上的线段提取出来，竖直方向的线段矩形可以覆盖部分水平方向的线段，得到第六图案，参考图5中的(c)。
S1024，对第六图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第七图案；由第七图案组成的第四版图片段具有第四工艺窗口评价参数。
具体地，可以对第六图案利用反向传播算法进行处理，以扩大工艺窗口，接着进行后处理算法的处理，得到第七图案，由第七图案组成的第四版图片段具有第四工艺窗口评价参数。
S1025，若第三工艺窗口评价参数大于第四工艺窗口评价参数，则将第五图案作为第二图案，否则，将第七图案作为第二图案。
具体地，可以比较两种分割方式下的工艺窗口评价参数大小，选取较大值对应的图案作为第二图案，即若第三工艺窗口评价参数大于第四工艺窗口评价参数，则将第五图案作为第二图案，否则，将第七图案作为第二图案，从而得到优化后的第二图案。
参考图6所示，为本申请实施例提供的一种PWE算法的示意图，F表示光刻模型产生的输出，用以近似实际的DOF，S表示在原始版图中移动部分线段矩形的版图方案，移动后的版图图案必须满足物理设计阶段的布线规则。Ω表示为所有可能S的集合。接下来可以对图6进行简要说明。
1：S←原始版图X
2：对原始版图X进行预处理，用水平扫描线分割版图，得到处理完后的版图Xhor
3：执行以下循环(目的是找出最优的方案S)：
4：对用扫描线分割处理之后的版图Xi执行反向传播算法得到版图Xi’
5：对版图Xi’执行后处理算法，得到版图Xi”
6-11：判断版图Xi”的DOF值是否大于之前方案中版图的DOF值。如果版图Xi”的DOF值更大，则将版图Xi”作为优化方案；否则回到3，判断下一个方案S。
12：原始版图X←优化后的方案S(DOF值最大)
13：对原始版图X进行预处理，用垂直扫描线分割版图，得到处理完后的版图Xver
14：重复3-12
15：最佳优化方案Smax←原始版图X
也就是说，对原始版图进行水平扫描线分割和垂直扫描线分割两种操作，找出其所有可能的移动方案S，然后开始循环遍历所有方案S，对S执行反向传播算法和后处理算法，选出其中DOF值最大的最优方案Smax。
S103，将第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的目标子区域包括第三图案；第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。
在本申请实施例中，可以将第二图案输入至转置卷积网络中，转置卷积网络可以重新缩放从PWE算法获得的矩阵，以恢复原始图像大小，从而生成与逆卷积后的实际版图非常相似的图像，即得到第三图案。
将第三图案组成的版图片段记为第二版图片段，第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数，实现了工艺窗口优化处理。此外，由于输入和输出图像都是单通道图像，因此在最终尺寸调整之前必须对单通道进行归一化。如果单通道值超过某个特定值，则设置为255，否则将被擦除。
通过利用Transformer编码器模型识别出需要进行光刻工艺窗口优化的目标子区域，对目标子区域中的第一图案进行处理，反向传播算法能够增强优化空间，加速优化过程，还能提高工艺窗口评价参数，后处理算法可以进一步优化第一图案，得到的第二图案的工艺窗口较大，通过转置卷积网络可以恢复图像大小，从而获得第三图案，第三图案相比于第一图案，能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。
本申请实施例提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化方法，将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；目标子区域包括第一图案；第一工艺窗口评价参数小于预设参数；对第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；将第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的目标子区域包括第三图案；第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。在本申请实施例中，可以利用Transformer编码器模型识别出需要进行光刻工艺窗口优化的目标子区域，对目标子区域中的第一图案进行处理，反向传播算法能够增强优化空间，加速优化过程，还能提高工艺窗口评价参数，后处理算法可以进一步优化第一图案，得到的第二图案的工艺窗口较大，通过转置卷积网络可以恢复图像大小，从而获得第三图案，第三图案相比于第一图案，能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。
基于以上布线版图光刻工艺窗口优化方法，本申请实施例还提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化装置，参考图7所示，为本申请实施例提供的一种布线版图光刻工艺窗口优化装置的结构框图，该装置可以包括：
确定单元201，用于将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出所述第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及所述第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；所述目标子区域包括第一图案；所述第一工艺窗口评价参数小于预设参数；
优化单元202，用于对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；
输出单元203，用于将所述第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的所述目标子区域包括所述第三图案；所述第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于所述第一工艺窗口评价参数。
具体地，所述优化单元用于：
对所述第一图案利用水平扫描线分割，得到第四图案；
对所述第四图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第五图案；由所述第五图案组成的第三版图片段具有第三工艺窗口评价参数；
对所述第一图案利用垂直扫描线分割，得到第六图案；
对所述第六图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第七图案；由所述第七图案组成的第四版图片段具有第四工艺窗口评价参数；
若所述第三工艺窗口评价参数大于所述第四工艺窗口评价参数，则将所述第五图案作为所述第二图案，否则，将所述第七图案作为所述第二图案。
具体地，所述优化单元用于：
对所述第四图案利用所述反向传播算法进行工艺窗口扩大处理，得到第八图案；
对所述第八图案利用所述后处理算法进行优化处理，得到所述第五图案。
具体地，所述第八图案包括第一像素点和与所述第一像素点相邻的多个第二像素点，所述优化单元用于：
在多个所述第二像素点的像素值为255，且至少一个所述第二像素点与所述第一像素点存在连接关系时，则在所述第五图案中保留所述第一像素点，否则，在所述第五图案中删除所述第一像素点。
具体地，所述第一工艺窗口评价参数包括焦深或曝光剂量。
本申请实施例提供了一种布线版图光刻工艺窗口优化装置，将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；目标子区域包括第一图案；第一工艺窗口评价参数小于预设参数；对第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；将第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的目标子区域包括第三图案；第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于第一工艺窗口评价参数。在本申请实施例中，可以利用Transformer编码器模型识别出需要进行光刻工艺窗口优化的目标子区域，对目标子区域中的第一图案进行处理，反向传播算法能够增强优化空间，加速优化过程，还能提高工艺窗口评价参数，后处理算法可以进一步优化第一图案，得到的第二图案的工艺窗口较大，通过转置卷积网络可以恢复图像大小，从而获得第三图案，第三图案相比于第一图案，能够提高工艺窗口评价参数，从而实现扩大工艺窗口的作用，进而使得版图的可制造性得到提升，便于芯片制作。
又一方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，参考图8所示，为本申请实施例提供的一种计算机设备的结构图，所述计算机设备包括处理器310以及存储器320：
所述存储器320用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器310；
所述处理器310用于根据所述程序代码中的指令执行上述实施例提供的方法。
该计算机设备可以包括终端设备或服务器，前述的装置可以配置在该计算机设备中。
又一方面，本申请实施例还提供了一种存储介质，所述存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序用于执行上述实施例提供的方法。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令硬件来完成，前述程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质可以是下述介质中的至少一种：只读存储器(英文：Read-only Memory，缩写：ROM)、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种布线版图光刻工艺窗口优化方法，其特征在于，包括：
将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出所述第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及所述第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；所述目标子区域包括第一图案；所述第一工艺窗口评价参数小于预设参数；
对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；
将所述第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的所述目标子区域包括所述第三图案；所述第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于所述第一工艺窗口评价参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案，包括：
对所述第一图案利用水平扫描线分割，得到第四图案；
对所述第四图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第五图案；由所述第五图案组成的第三版图片段具有第三工艺窗口评价参数；
对所述第一图案利用垂直扫描线分割，得到第六图案；
对所述第六图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第七图案；由所述第七图案组成的第四版图片段具有第四工艺窗口评价参数；
若所述第三工艺窗口评价参数大于所述第四工艺窗口评价参数，则将所述第五图案作为所述第二图案，否则，将所述第七图案作为所述第二图案。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述第四图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第五图案，包括：
对所述第四图案利用所述反向传播算法进行工艺窗口扩大处理，得到第八图案；
对所述第八图案利用所述后处理算法进行优化处理，得到所述第五图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第八图案包括第一像素点和与所述第一像素点相邻的多个第二像素点，所述对所述第八图案利用所述后处理算法进行优化处理，得到所述第五图案，包括：
在多个所述第二像素点的像素值为255，且至少一个所述第二像素点与所述第一像素点存在连接关系时，则在所述第五图案中保留所述第一像素点，否则，在所述第五图案中删除所述第一像素点。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一工艺窗口评价参数包括焦深或曝光剂量。
6.一种布线版图光刻工艺窗口优化装置，其特征在于，包括：
确定单元，用于将第一版图片段输入至Transformer编码器模型中，输出所述第一版图片段中的目标子区域的位置信息，以及所述第一版图片段对应的第一工艺窗口评价参数；所述目标子区域包括第一图案；所述第一工艺窗口评价参数小于预设参数；
优化单元，用于对所述第一图案利用反向传播算法和后处理算法进行工艺窗口优化，得到第二图案；
输出单元，用于将所述第二图案输入至转置卷积网络中，得到第三图案；第二版图片段中的所述目标子区域包括所述第三图案；所述第二版图片段对应的第二工艺窗口评价参数大于所述第一工艺窗口评价参数。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述优化单元用于：
对所述第一图案利用水平扫描线分割，得到第四图案；
对所述第四图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第五图案；由所述第五图案组成的第三版图片段具有第三工艺窗口评价参数；
对所述第一图案利用垂直扫描线分割，得到第六图案；
对所述第六图案利用所述反向传播算法和所述后处理算法进行工艺窗口优化，得到第七图案；由所述第七图案组成的第四版图片段具有第四工艺窗口评价参数；
若所述第三工艺窗口评价参数大于所述第四工艺窗口评价参数，则将所述第五图案作为所述第二图案，否则，将所述第七图案作为所述第二图案。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述优化单元用于：
对所述第四图案利用所述反向传播算法进行工艺窗口扩大处理，得到第八图案；
对所述第八图案利用所述后处理算法进行优化处理，得到所述第五图案。
9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括处理器以及存储器：
所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；
所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行权利要求1-5中任意一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序用于执行权利要求1-5中任意一项所述的方法。
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