CN117506727A - 一种cmp警报处理方法、系统、设备及介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质，方法包括：在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。本发明能够实现研磨工序发生警报后对晶圆的有效保护，既避免了因紧急停止带来的应力损伤问题，又去除晶圆表面的研磨液防止了薄膜腐蚀，大大降低了晶圆的报废率，一定程度上保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。

Description

一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键技术。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米级/纳米级材料的去除，从而达到晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行。CMP技术结合了机械抛光和化学抛光，相对于其他平坦化技术而言有着极大的优势，它不但能够对硅片表面进行局部处理，同时也可以对整个硅片表面进行平坦化处理，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术。

当前，晶圆在工艺研磨过程中遇到警报(alarm)时机台执行相关动作，即alarm时是无论停止动作为abort platform(紧急停止)，finish recipe(工艺配方完成后停止)，stop recipe(当前工艺step立马停止)，相关设备停止对研磨的晶圆均有很大的应力损伤；此外，残留晶圆表面的研磨液会继续腐蚀，导致产品报废，影响晶圆研磨的效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质，以解决现有化学机械抛光研磨晶圆的过程中，由于警报导致晶圆受到应力损伤以及研磨垫上残留研磨液对晶圆的腐蚀，进而影响晶圆研磨效率的问题。

第一方面，本发明提供了一种CMP警报处理方法，方法包括：

在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；

对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；

在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。

本发明的CMP警报处理方法，能够在研磨工序发生警报后对晶圆进行有效的保护，既能避免因紧急停止带来的应力损伤问题，又能去除晶圆表面的研磨液，防止了薄膜腐蚀的发生，能够减少晶圆的报废率，一定程度上保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。

在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行吸附，包括：

通过晶圆载体将目标晶圆从研磨垫上吸附起来。

本发明通过对目标晶圆进行吸附，使得目标晶圆能够从研磨垫上离开，避免了紧急停止带来的应力损伤问题。

在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行清洗操作，包括：

基于警报信号确定故障等级；

基于故障等级确定目标晶圆对应的目标清洗操作程序；

基于目标清洗操作程序对目标晶圆进行清洗操作。

本发明通过警报信号对应的故障等级分别对目标晶圆进行清洗操作，既能去除晶圆表面的研磨液防止薄膜腐蚀的发生，又能够减少清洗的成本，有助于提高晶圆的研磨效率。

在一种可选的实施方式中，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。

本发明通过检测多种研磨工序参数来确定对应的警报信号，能够保障警报的准确性，一定程度上提高了CMP工艺的稳定性。

在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行清洗操作之前，CMP警报处理方法还包括：

检测目标晶圆吸附是否成功；

在目标晶圆吸附成功时，执行对目标晶圆进行清洗操作的步骤。

本发明通过对晶圆吸附操作的检测，能够最大化保障目标晶圆的清洗效果，有助于提高晶圆的研磨效率。

在一种可选的实施方式中，CMP警报处理方法还包括：

在目标晶圆吸附失败时，生成对应的第一警报信号以提示操作人员进行预警处理。

在一种可选的实施方式中，CMP警报处理方法还包括：

在对目标晶圆进行清洗操作时，若监测到目标晶圆清洗操作失败，生成对应的第二警报信号以提示操作人员进行预警处理。

本发明通过对晶圆吸附和晶圆清洗操作的异常监测，能够准确获知对应工序的异常情况并及时进行相应预警处理，一定程度上保障了CMP工艺的稳定性。

第二方面，本发明提供了一种CMP警报处理系统，系统包括：

终止模块，用于在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；

处理模块，用于对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；

控制模块，用于在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。

本发明的CMP警报处理系统，能够实现CMP设备在抛光过程中发生报警情况后对晶圆进行的有效保护，通过对目标晶圆的吸附和清洗的保护操作，通过吸附操作能够避免因警报被紧急停止带来的晶圆应力损伤问题，又通过清洗操作去除晶圆表面的研磨液防止薄膜腐蚀，极大地降低了晶圆的报废率，保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。

第三方面，本发明提供了一种CMP设备，包括：存储器和处理器，存储器和处理器之间互相通信连接，存储器中存储有计算机指令，处理器通过执行计算机指令，从而执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的一种CMP警报处理方法。

第四方面，本发明提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机指令，计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的一种CMP警报处理方法。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例的CMP警报处理方法的流程示意图；

图2是本发明实施例的CMP的设备示意图；

图3是根据本发明实施例的另一CMP警报处理方法的流程示意图；

图4是本发明实施例的又一CMP警报处理方法的流程示意图；

图5是根据本发明实施例的CMP警报处理系统的结构框图；

图6是本发明实施例的CMP设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在实际工艺中，晶圆制造过程主要可以分为热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、CMP、清洗、前道量测等工艺流程。根据不同工艺制程和技术节点要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP工序。在众多制造环节中，CMP抛光材料总体占到晶圆制造所需各类材料成本的7％，是非常重要的一道工序。若未经平坦化处理，晶片起伏随着层数增多变得更为明显，同层金属薄膜由于厚度不均导致电阻值不同，引起电子迁移造成电路短路。起伏不平的晶片表面还会使得光刻时无法准确对焦，导致线宽控制失效，严重限制了布线层数，降低集成电路的使用性能。

在CMP研磨工序中，当研磨压力异常或研磨液流量异常波动后，CMP研磨设备会进行报警并采取对应的终止措施。然而，相关设备急停对研磨界面有很大的应力损伤，更严重的是研磨液会残留晶圆表面继续腐蚀，造成研磨晶圆报废，影响晶圆研磨的效率和CMP工艺的稳定性。此外，现有技术需要操作人员确认急停时晶圆的具体状态，存在反应速度慢、产品良率易受操作人员反应速度、主观因素的影响。故本发明提供一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质，通过对晶圆的吸附和清洗操作，能够避免晶圆被研磨头压在研磨垫上，能够保护晶圆免受应力损伤及研磨垫上残留化学液对晶圆表面的腐蚀，大大提高了晶圆的研磨效率以及CMP工艺的稳定性。

本发明实施例，提供了一种CMP警报处理方法实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

在本实施例中提供了一种CMP警报处理方法，图1是根据本发明实施例的CMP警报处理方法的流程示意图，如图1所示，该流程包括如下步骤：

步骤S101，在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序。

需要说明的是，晶圆制造的工艺流程包括：热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、CMP、清洗、前道量测等工序，在不同工序中都会监测工序的运行，以防发生故障时能够进行相应处理。对于晶圆的CMP工序，参阅图2，CMP设备包括抛光平台也称平台、研磨垫也称抛光垫、钻石碟、晶圆、晶圆载体也称抛光头以及抛光液；其中，抛光垫用于储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等；钻石碟是CMP工艺中必不可少的耗材，用于维持抛光垫表面一定的粗糙状态，通常与抛光垫配套使用；抛光液是研磨材料和化学添加剂的混合物，可使晶圆表面产生一层氧化膜，再由抛光液中的磨粒去除，达到抛光的目的。

在本实施例中，当CMP的研磨工序发生故障时会生成对应的警报信号，通过平台的显示界面进行提示。具体地，警报信号的出现主要表现在事件管理器(Event manage)中，当平台发生宕机时，会将详细警报信号上传至Event manage在界面显示出来。例如晶圆正常传送的问题，Event manage界面显示对应的警报信号。

步骤S102，对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作。

在本实施例中，对目标晶圆进行吸附称为de-chuck模式，其是避免晶圆被晶圆载体压在研磨垫上的一种强制吸片功能，旨在起到保护晶圆免受应力损伤及研磨垫上残留化学液对晶圆表面Cu的腐蚀。对目标晶圆进行清洗操作称为Error recovery模式，其主要是对平台产生报警并通过Event manage显示并对晶圆表面进行保湿的功能，旨在避免晶圆未及时进入后续清洗工序，自身残留化学液对晶圆表面Cu的腐蚀。具体地，如晶圆正常传送的问题，Event manage界面显示对应的警报信号，处于研磨区域就会进入Error recovery模式，对不能及时进入清洗工序的晶圆进行喷水，防止残留研磨液腐蚀晶圆起到保护晶圆的作用。

步骤S103，在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。

在本实施例中，CMP的工艺流程主要包括抛光工序和清洗工序，在本实施例中对于抛光过程的警报，通过对目标晶圆的吸附和清洗的保护，使得晶圆能够正常进入下一CMP工序。

本发明实施例的CMP警报处理方法，能够在研磨工序发生警报后对晶圆进行有效的保护，既能避免因紧急停止带来的应力损伤问题，又能去除晶圆表面的研磨液，防止了薄膜腐蚀的发生，能够减少晶圆的报废率，一定程度上保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。

在本实施例中提供了一种CMP警报处理方法，图3是根据本发明实施例的另一CMP警报处理方法的流程示意图，如图3所示，该流程包括如下步骤：

步骤S301，在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序。详细请参见图1所示实施例的步骤S101，在此不再赘述。

步骤S302，对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作。

具体地，上述步骤S302包括：

步骤S3021，通过晶圆载体将目标晶圆从研磨垫上吸附起来。

本实施例通过对目标晶圆进行吸附，使得目标晶圆能够从研磨垫上离开，避免其被研磨头压在研磨垫上执行紧急停止带来的应力损伤问题，一定程度上也降低了研磨垫上残留化学液对晶圆表面的腐蚀。

需要说明的是，在对目标晶圆进行清洗操作之前，本实施例的CMP警报处理方法还包括：

步骤A1，检测目标晶圆吸附是否成功。

需要说明的是，本实施例对目标晶圆吸附功能的检测方式不做具体限制，依据实际需求适应性调整。例如通过摄像头采集相应图像进行识别或通过传感器感应目标晶圆的位置，仅作为举例说明，不以此为限制。

步骤A2，在目标晶圆吸附成功时，执行对目标晶圆进行清洗操作的步骤S3022。

在本实施例中，在目标晶圆吸附失败时，生成对应的第一警报信号以提示操作人员进行预警处理。需要说明的是，在目标晶圆吸附失败时，此时平台上发生故障而无法正常执行de-chuck强制吸附的功能，需要相关操作人员干预来判定当前目标晶圆的具体状态并进行相应处理。

步骤S3022，基于警报信号确定故障等级。

需要说明的是，本实施例的警报信号分为不同的等级，其能够反映具体的设备故障等级。例如，对于研磨液的流量异常其对应故障影响较小，对于晶圆载体研磨压力异常其对于晶圆的损伤影响较大，故其对应的故障等级较高，需要针对性设置不同的保护手段。

在本实施例中，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。需要说明的是，上述工艺参数的具体的检测方式和其对应的参数阈值在此均不做限定，依据本领域常用的检测方式和项目需求确定。例如通过对应传感器获取工艺参数如压力传感器获取晶圆载体的研磨压力，依据实际项目需求设定预设压力阈值如5psi，如仅作为示例性说明。

步骤S3023，基于故障等级确定目标晶圆对应的目标清洗操作程序。

在本实施例中，目标清洗操作包括三种操作方式，每种操作方式的使用通过执行对应的目标清洗操作程序实现。具体地，目标清洗操作包括第一晶圆清洗操作、第二晶圆清洗操作和第三晶圆清洗操作；其中，第一晶圆清洗操作是对研磨垫的水洗操作，第二晶圆清洗操作是对研磨垫和晶圆的高压水洗操作，第三晶圆清洗操作是对研磨垫、晶圆和晶圆载体的水洗操作，需要说明的是，三种操作方式的清洗效果和清洗力度存在如下关系：第三晶圆清洗操作大于第二晶圆清洗操作，第二晶圆清洗操作大于第一晶圆清洗操作。具体地，基于故障等级确定对应的目标清洗操作，其中，故障等级越高要求的清洗效果和清洗力度越大。

在一具体实施例中，Error recovery模式有三种清洗动，具体包括：第一种为PR，即平台针对抛光垫采取的冲洗动作，晶圆载体保持对目标晶圆的当前吸附状态。第二种为on Pad，即晶圆载体在平台上，晶圆载体和平台停止旋转时，对目标晶圆进行吸附，并且打开高压水high pressure rinse对研磨垫和晶圆进行冲洗。第三种为HR+PR，即对研磨垫、晶圆和晶圆载体的均进行水洗操作，具体地，晶圆载体通过对抛光头Head wash position进行相应的冲洗，目标晶圆和平台也进行相应的冲洗。

步骤S3024，基于目标清洗操作程序对目标晶圆进行清洗操作。

在本实施例中，通过确定的目标清洗操作程序对目标晶圆进行对应的清洗，能够去除残留在晶圆表面的微尘颗粒、有机物、无机物、金属离子、氧化物等杂质，满足了集成电路制造对清洁度的极高要求，对晶圆生产的良率起到了重要的作用。

需要说明的是，本实施例的CMP警报处理方法，在对目标晶圆进行清洗操作时，若监测到目标晶圆清洗操作失败，生成对应的第二警报信号以提示操作人员进行预警处理。具体地，在目标晶圆清洗操作失败时，此时无法正常执行Error recovery模式的清洗功能，需要相关操作人员干预来判定当前目标晶圆的具体状态并进行相应处理。

步骤S303，在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。详细请参见图1所示实施例的步骤S103，在此不再赘述。

在一具体实施例中，参阅图4，CMP警报处理方法及其应用的流程包括：

步骤B1，晶圆配方recipe选择后，启动CMP工艺研磨，进入研磨液研磨工序step。

步骤B2，响应于出现警报信号，终止晶圆的研磨液研磨工序，并执行相关动作。

在本实施例中，进入de-chuck模式，通过晶圆吸附功能将晶圆wafer从研磨垫Pad上强制吸至晶圆载体也称抛光头Head上。

步骤B3，进入Error recovery模式。

在本实施例中，根据设置的不同清洗操作模式对晶圆进行不同动作保湿。具体地，配置了不同喷水的清洗操作以防止残留研磨液腐蚀晶圆wafer起到保护晶圆wafer的作用。

在一具体实施例中，Error recovery模式设置具体处理情况包括：第一，de-chucknot possible error即在此平台上发生故障而无法正常实现de-chuck强制吸起功能，其对应处理需要人为干预；第二，de-chuck success error即在此平台上自动强制吸wafer成功后，其对应处理需要水洗，本实施例的三种清洗操作理论上都可以，依据实际项目需求确定；第三，before polish error即抛光尚未在此平台上开始前发生故障时采取的操作，其对应处理进行保湿动作；第四，WD error即载入晶圆失败，当Wafer deliver或者head发生故障时采取的对应措施；第五，Polish error即(抛光时发生错误)，晶圆在研磨过程中发生故障时采取的措施；第六，External error(外部错误)，即当工艺过程中发生外部错误时，防止wafer损伤需执行吸附功能操作；第七，Cleaner error即当CMP清洗发生故障报警时，其对应处理需要人为干预；仅作为示例说明，不以此为限制。

在本实施例中，Error recovery模式触发后，会弹出对应研磨各个设备的抛光错误(polish error recovery)界面，是对研磨设备的实时数据监控画面，其中包括研抛光压力、抛光液的流速、研磨头的转速、平台的转速等。当操作人员找到报警原因并解决后，可以点击退出Error recovery模式，对晶圆正常清洗后返回晶片盒。

步骤B4，清洗操作结束即确认无误后，关闭Error recovery模式，并进入下一工序。

需要说明的是，在目标晶圆的研磨过程中，若发生报警情况此时其他的待研磨的晶圆会执行退片，并从清洗工序清洗后回到晶圆盒；而目标晶圆则执行吸附和清洗操作处理后，正常进入下一工序流程进行相应晶圆处理。

综上，本发明实施例的CMP警报处理方法，可以大大加快抛光的速度，通过de-chuck模式对晶圆的吸附能够有效避免晶圆压在研磨垫上造成应力损伤，以及通过Errorrecovery模式，能够避免受到研磨液的腐蚀造成的产品无法返工，产品报废的情况。

在本实施例中还提供了一种CMP警报处理系统，该系统用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的术语“模块”，其可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的系统较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。

本发明提供一种CMP警报处理系统，如图5所示，系统包括：

终止模块501，用于在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序。

处理模块502，用于对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作。

控制模块503，用于在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。

在一些可选的实施方式中，处理模块502包括：第一处理子模块、第二处理子模块、第三处理子模块和第四处理子模块；其中，第一处理子模块，用于通过晶圆载体将目标晶圆从研磨垫上吸附起来；第二处理子模块，用于基于警报信号确定故障等级；第三处理子模块，用于基于故障等级确定目标晶圆对应的目标清洗操作程序；第四处理子模块，用于基于目标清洗操作程序对目标晶圆进行清洗操作。

在一些可选的实施方式中，第二处理子模块包括：第一处理单元和第二处理单元；其中，第一处理单元，用于检测目标晶圆吸附是否成功；第二处理单元，用于在目标晶圆吸附成功时，执行对目标晶圆进行清洗操作的步骤。

在一些可选的实施方式中，系统还包括：警报生成子模块，用于当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。

在一些可选的实施方式中，系统还包括：第一预警子模块和第二预警子模块；其中，第一预警子模块，用于在目标晶圆吸附失败时，生成对应的第一警报信号以提示操作人员进行预警处理；第二预警子模块，用于在对目标晶圆进行清洗操作时，若监测到目标晶圆清洗操作失败，生成对应的第二警报信号以提示操作人员进行预警处理。

上述各个模块的更进一步的功能描述与上述对应实施例相同，在此不再赘述。

本实施例中的CMP警报处理系统是以功能单元的形式来呈现，这里的单元是指ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)电路，执行一个或多个软件或固定程序的处理器和存储器，和/或其他可以提供上述功能的器件。

本发明实施例的CMP警报处理系统，能够实现CMP设备在抛光过程中发生报警情况后对晶圆进行的有效保护，通过对目标晶圆的吸附和清洗的保护操作，通过吸附操作能够避免因警报被紧急停止带来的晶圆应力损伤问题，又通过清洗操作去除晶圆表面的研磨液防止薄膜腐蚀，极大地降低了晶圆的报废率，保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。

本发明实施例还提供一种CMP设备，请参阅图6，图6是本发明可选实施例提供的上述CMP设备的结构示意图，如图6所示，该CMP设备包括：一个或多个处理器10、存储器20，以及用于连接各部件的接口，包括高速接口和低速接口。各个部件利用不同的总线互相通信连接，并且可以被安装在公共主板上或者根据需要以其它方式安装。处理器可以对在CMP设备内执行的指令进行处理，包括存储在存储器中或者存储器上以在外部输入/输出装置(诸如，耦合至接口的显示设备)上显示GUI的图形信息的指令。在一些可选的实施方式中，若需要，可以将多个处理器和/或多条总线与多个存储器和多个存储器一起使用。同样，可以连接多个CMP设备，各个设备提供部分必要的操作(例如，作为服务器阵列、一组刀片式服务器、或者多处理器系统)。图6中以一个处理器10为例。

处理器10可以是中央处理器，网络处理器或其组合。其中，处理器10还可以进一步包括硬件芯片。上述硬件芯片可以是专用集成电路，可编程逻辑器件或其组合。上述可编程逻辑器件可以是复杂可编程逻辑器件，现场可编程逻辑门阵列，通用阵列逻辑或其任意组合。

其中，存储器20存储有可由至少一个处理器10执行的指令，以使至少一个处理器10执行实现上述实施例示出的方法。

存储器20可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据CMP设备的使用所创建的数据等。此外，存储器20可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非瞬时存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非瞬时固态存储器件。在一些可选的实施方式中，存储器20可选包括相对于处理器10远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该CMP设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

存储器20可以包括易失性存储器，例如，随机存取存储器；存储器也可以包括非易失性存储器，例如，快闪存储器，硬盘或固态硬盘；存储器20还可以包括上述种类的存储器的组合。

该CMP设备还包括通信接口30，用于该主控芯片与其他设备或通信网络通信。

本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，上述根据本发明实施例的方法可在硬件、固件中实现，或者被实现为可记录在存储介质，或者被实现通过网络下载的原始存储在远程存储介质或非暂时机器可读存储介质中并将被存储在本地存储介质中的计算机代码，从而在此描述的方法可被存储在使用通用计算机、专用处理器或者可编程或专用硬件的存储介质上的这样的软件处理。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体、随机存储记忆体、快闪存储器、硬盘或固态硬盘等；进一步地，存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。可以理解，计算机、处理器、微处理器主控芯片或可编程硬件包括可存储或接收软件或计算机代码的存储组件，当软件或计算机代码被计算机、处理器或硬件访问且执行时，实现上述实施例示出的方法。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法包括：

在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止所述目标晶圆的研磨工序；

对所述目标晶圆进行吸附，并对所述目标晶圆进行清洗操作；

在对所述目标晶圆的清洗操作结束后，控制所述目标晶圆执行下一CMP工序。

2.根据权利要求1所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行吸附，包括：

通过晶圆载体将所述目标晶圆从研磨垫上吸附起来。

3.根据权利要求1所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行清洗操作，包括：

基于警报信号确定故障等级；

基于所述故障等级确定目标晶圆对应的目标清洗操作程序；

基于所述目标清洗操作程序对所述目标晶圆进行清洗操作。

4.根据权利要求3所述的CMP警报处理方法，其特征在于，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。

5.根据权利要求3所述的CMP警报处理方法，其特征在于，在对所述目标晶圆进行清洗操作之前，所述方法还包括：

检测所述目标晶圆吸附是否成功；

在所述目标晶圆吸附成功时，执行对所述目标晶圆进行清洗操作的步骤。

6.根据权利要求5所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述目标晶圆吸附失败时，生成对应的第一警报信号以提示操作人员进行预警处理。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述目标晶圆进行清洗操作时，若监测到所述目标晶圆清洗操作失败，生成对应的第二警报信号以提示操作人员进行预警处理。

8.一种CMP警报处理系统，其特征在于，所述系统包括：

终止模块，用于在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止所述目标晶圆的研磨工序；

处理模块，用于对所述目标晶圆进行吸附，并对所述目标晶圆进行清洗操作；

控制模块，用于在对所述目标晶圆的清洗操作结束后，控制所述目标晶圆执行下一CMP工序。

9.一种CMP设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1至7中任一项所述的CMP警报处理方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1至7中任一项所述的CMP警报处理方法。