CN117498155A - 半导体激光元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能评价半导体层的厚度。所述半导体激光元件具备：第一半导体层；以及有源层，其设置于所述第一半导体层上，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。

Description

半导体激光元件及其制造方法
技术领域
本公开涉及半导体激光元件及其制造方法。
背景技术
用于光通信等的光源需要较高的光输出。作为光源，使用半导体激光元件。在专利文献1中公开了用于控制光的分布的半导体激光元件，其具有半导体层、有源层以及p型半导体层。通过使光分布于有源层之下的半导体层而使光远离光吸收较大的有源层以及p型半导体层来抑制光的吸收。该结果是，输出变高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/0103858号说明书
发明内容
发明所要解决的问题
半导体层的厚度影响光学特性，因此评价厚度尤为重要。对此，本公开的目的在于提供一种能评价半导体层的厚度的半导体激光元件及其制造方法。
用于解决问题的手段
本公开所涉及的半导体激光元件具备：第一半导体层；以及有源层，其设置于所述第一半导体层上，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。
本公开所涉及的半导体激光元件的制造方法具有：设置第一半导体层的工序；通过X射线衍射来测定所述第一半导体层的厚度的工序；以及在测定所述厚度的工序之后，在所述第一半导体层上设置有源层的工序，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。
发明效果
根据本公开，能够提供一种能评价半导体层的厚度的半导体激光元件及其制造方法。
附图说明
图1是举例示出半导体激光元件的俯视图。
图2A是举例示出半导体激光元件的剖视图。
图2B是放大了芯层后的图。
图3是举例示出半导体激光元件的制造方法的流程图。
图4A是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图4B是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图5A是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图5B是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图6A是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图6B是举例示出半导体激光元件的制造方法的剖视图。
图7A是举例示出X射线衍射的摇摆曲线的示意图。
图7B是举例示出芯层的周期与1次峰的衍射角度的关系的图。
附图标记说明
7：高反射膜；
9：反射防止膜；
10：衬底；
11：台面；
12：芯层(第一半导体层)；
14、16：包覆层；
20、28：包覆层(第二半导体层)；
15：衍射光栅层；
17、19：导向层；
18：有源层；
24、26：隐埋层；
29、35：接触层；
30、32：电极；
31：绝缘膜；
34：布线层；
40：磷化铟层(第一层)；
42：镓铟砷磷层(第二层)；
100：半导体激光元件。
具体实施方式
[本公开的实施方式的说明]
首先列举本公开的实施方式的内容进行说明。
本公开的一个实施方式是(1)一种半导体激光元件，其具备：第一半导体层；以及有源层，其设置于所述第一半导体层上，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。第一半导体层具有周期结构，因此能够通过X射线衍射来测定第一半导体层的周期。能够基于周期来评价第一半导体层的厚度。
(2)在上述(1)的基础上，也可以是，所述第一层由磷化铟形成，所述第二层由镓铟砷磷或铝镓铟砷形成。第一半导体层具有周期结构，因此能够通过X射线衍射来测定第一半导体层的周期。
(3)在上述(1)或(2)的基础上，也可以是，所述半导体激光元件具备设置于所述有源层上的第二半导体层，所述第一半导体层的折射率高于所述第二半导体层的折射率。在有源层产生的光分布于第一半导体层，因此基于有源层的吸收被抑制。能够实现半导体激光元件的高输出化。
(4)在上述(1)至(3)中的任一项的基础上，也可以是，所述第一层的厚度以及所述第二层的厚度分别为10nm以上。第一半导体层的物性稳定。
(5)在上述(1)至(4)中的任一项的基础上，也可以是，所述第一半导体层的厚度为1μm以上。使光分布于第一半导体层而远离有源层，由此光的吸收被抑制。
(6)在上述(1)至(5)中的任一项的基础上，也可以是，所述有源层形成台面，所述第一半导体层具有比所述台面的宽度大的宽度。第一半导体层的有效折射率变高，能够使光转移至第一半导体层。光的吸收被抑制。
(7)在上述(1)至(6)中的任一项的基础上，也可以是，所述半导体激光元件具备设置于所述有源层上的第二半导体层，所述第一半导体层的导电型为n型，所述第二半导体层的导电型为p型。也可以是，所述第一半导体层具有n型的导电型。光分布于第一半导体层而远离第二半导体层。p型的第二半导体层对光的吸收被抑制。
(8)在上述(6)的基础上，也可以是，所述半导体激光元件具备设置于所述台面的两侧的隐埋层。隐埋层阻挡电流，由此能够使电流选择性地流向台面11。
(9)一种半导体激光元件的制造方法，其具有：设置第一半导体层的工序；通过X射线衍射来测定所述第一半导体层的厚度的工序；以及在测定所述厚度的工序之后，在所述第一半导体层上设置有源层的工序，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，所述多个第一层具有互相相等的厚度，所述多个第二层具有互相相等的厚度。第一半导体层具有周期结构，因此能够通过X射线衍射来测定第一半导体层的周期。能够基于周期的测定来评价第一半导体层的厚度。
[本公开的实施方式的详细内容]
以下，参照附图对本公开的实施方式所涉及的半导体激光元件及其制造方法的具体例进行说明。需要说明的是，本公开并不限定于这些示例，而是由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的意思以及范围内的全部变更。
图1是举例示出半导体激光元件100的俯视图。半导体激光元件100为分布反馈型(DFB：Distributed Feedback)激光元件。X轴表示光传播的方向。Y轴表示台面11的宽度方向。Z轴表示半导体层被层叠的方向。X轴、Y轴以及Z轴互相正交。在图1中透过电极以及绝缘膜而图示了台面11。
半导体激光元件100的X轴方向的长度L1例如为800μm。在半导体激光元件100的X轴方向上的一个端面设置有高反射膜7(HR：High reflection)。在X轴方向上的另一个端面设置有反射防止膜9(AR：Anti reflection)。
半导体激光元件100具有台面11。台面11位于Y轴方向的中央。台面11从半导体激光元件100的X轴方向上的一个端面沿X轴方向延伸至另一个端面。光在台面11产生，且沿X轴方向传播。光被高反射膜7反射，透过反射防止膜9而向半导体激光元件100的外侧射出。台面11的Y轴方向上的宽度W1例如为2.4μm。
图2A是举例示出半导体激光元件100的剖视图，图示了沿图1的线A-A的剖面。半导体激光元件100具有衬底10以及芯层12。在衬底10上层叠有芯层12(第一半导体层)。
台面11包含芯层12、包覆层14、衍射光栅层15、包覆层16、导向层17、有源层18、导向层19以及包覆层20。芯层12的剖面形状为凸形状。芯层12在Y轴方向的中央部具有突出的部分。在芯层12的该突出部分上，包覆层14、衍射光栅层15、包覆层16、导向层17、有源层18、导向层19以及包覆层20依次层叠而形成台面11。
在衍射光栅层15的上表面设置有凹凸。沿X轴周期性地配置有多个凹凸。在衍射光栅层15中凹陷的部分(凹部分)嵌入有包覆层16。衍射光栅层15的凹凸作为衍射光栅而发挥功能。
台面11的两侧的芯层12的表面比台面11更凹陷。在芯层12中的台面11的两侧的表面上，隐埋层24以及隐埋层26依次层叠。隐埋层24以及隐埋层26设置于台面11的两侧。
在有源层18以及导向层19上设置有包覆层20以及包覆层28(第二半导体层)。包覆层20包含于台面11。在台面11以及隐埋层26上层叠有包覆层28。在包覆层28上层叠有接触层29。包覆层28以及接触层29覆盖台面11以及隐埋层26上。
在接触层29的上表面且台面11的正上方设置有电极30。在接触层29以及电极30上设置有绝缘膜31。绝缘膜31在电极30上具有开口部。电极30的上表面从开口部露出。在绝缘膜31的上表面且台面11的正上方设置有布线层34。布线层34通过绝缘膜31的开口部与电极30的上表面接触，并且与电极30电连接。电极30以及布线层34与接触层29电连接。电极30由钛、铂以及金的层叠体(Ti/Pt/Au)等这样的金属形成。布线层34例如由金(Au)形成。
在衬底10的下表面(与设置有芯层12的表面相对的表面)设置有接触层35。在接触层35的与接触层35接触于衬底10的表面相对的表面设置有电极32。电极32与接触层35电连接。电极32由金、锗以及Ni的合金(AuGeNi)等金属形成。
衬底10以及接触层35例如由n型的磷化铟(n-InP)形成。包覆层14以及包覆层16例如由n-InP形成。作为n型的掺杂剂，例如使用硅(Si)。包覆层14、包覆层16中的掺杂剂浓度例如为5×1017cm-3。包覆层14以及包覆层16的折射率例如为3.204。包覆层14以及16的带隙例如为0.918eV至1eV。衍射光栅层15例如由镓铟砷磷(InGaAsP)形成。
导向层17以及导向层19例如由非掺杂镓铟砷磷(i-InGaAsP)形成。导向层17以及导向层19的折射率例如为3.320。有源层18具有多量子阱结构(MQW：Multi Quantum Well)。有源层18包含多个阱层以及多个势垒层。多个阱层与多个势垒层交替层叠。阱层以及势垒层例如由i-InGaAsP形成。阱层的折射率例如为3.435。势垒层的折射率例如为3.280。
包覆层20以及包覆层28例如由p型磷化铟(p-InP)形成。包覆层20以及包覆层28的折射率例如为3.204。接触层29例如由p+型镓铟砷((p+)-InGaAs)形成。作为p型的掺杂剂，例如使用锌(Zn)。包覆层28中的掺杂剂浓度例如为1×1018cm-3。接触层29中的掺杂剂浓度高于包覆层28中的掺杂剂浓度。
隐埋层24例如由p-InP形成。隐埋层26具有与隐埋层24相反的导电型，隐埋层26例如由n-InP形成。隐埋层24以及隐埋层26的掺杂剂浓度例如为4×1018cm-3。隐埋层24以及隐埋层26的折射率例如为3.204。
图2B是放大了芯层12后的图。芯层12整体的厚度T例如为1μm以上且2μm以下。如图2B所示，芯层12为超晶格层，且包含两种半导体层。芯层12包含磷化铟层40(InP层40、第一层)和镓铟砷磷层42(InGaAsP层42、第二层)。InP层40以及InGaAsP层42具有n型的导电型。InP层40以及InGaAsP层42的掺杂剂浓度(Si浓度)例如为5×1017cm-3。InP层40的折射率例如为3.204。InGaAsP层42的折射率例如为3.320。作为芯层12整体的有效折射率高于包覆层20以及包覆层28的折射率。芯层12的有效折射率例如通过以下方式来计算。计算InP层40的折射率与InP层40的厚度的乘积。计算InGaAsP层42的折射率与InGaAsP层42的厚度的乘积。两个乘积的和除以芯层12整体的厚度，由此获得平均折射率。能够将平均折射率视为有效折射率。芯层12的带隙大于在有源层18产生的光(波长为1310nm)的能量。
多个InP层40与多个InGaAsP层42交替层叠。即，在一个InP层40的上表面设置有一个InGaAsP层42。在一个InGaAsP层42的上表面设置有一个InP层40。
多个InP层40具有互相相等的厚度。InP层40的厚度T1例如为15nm。多个InGaAsP层42具有互相相等的厚度。InGaAsP层42的厚度T2例如为30nm。芯层12以固定的周期层叠由InP层40与InGaAsP层42结成的对而形成。有时将由一个InP层40与一个InGaAsP层42结成的对的厚度记载为芯层12的周期P。对的个数与周期P的乘积等于芯层12的厚度T。在芯层12中成为台面11的部分例如包含10对的InP层40和InGaAsP层42。在芯层12中台面11之下的部分例如包含20对的InP层40和InGaAsP层42。
一个InP层40的厚度T1以及一个InGaAsP层42的厚度T2例如能够使用透射电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)来测定。芯层12的周期P能够通过X射线衍射(XRD)来测定。
通过电极30以及电极32向半导体激光元件100输入电流。在台面11的两侧层叠有n型的芯层12、p型的隐埋层24以及n型的隐埋层26。因此，电流不易流向台面11的外侧而容易流向台面11。通过向有源层18注入载流子而使有源层18产生光。光的波长例如为1.31μm。光在台面11中传播，光在半导体激光元件100中的一个端部处被高反射膜7反射而产生激光振荡。光从半导体激光元件100的另一个端部射出。
有源层18以及p型包覆层28与例如芯层12那样的n型的半导体层相比容易吸收光。在半导体激光元件100中，光分布于芯层12而远离有源层18以及包覆层28。因此光的吸收被抑制。半导体激光元件100作为高输出光源而发挥功能。
(制造方法)
图3是举例示出半导体激光元件100的制造方法的流程图。图4A至图6B是举例示出半导体激光元件100的制造方法的剖视图。
如图4A所示，例如通过有机金属气相生长法(MOCVD：Metal Organic ChemicalVapor Deposition)在衬底10上依次对芯层12、包覆层14、衍射光栅层15以及包覆层16进行外延生长(图3的步骤S10)。通过交替供给InP层40的原料气体和InGaAsP层42的原料气体，由此交替层叠InP层40与InGaAsP层42。在衍射光栅层15的生长后，例如通过电子束光刻以及蚀刻在衍射光栅层15形成凹凸。在凹凸形成后生长出包覆层16。在该工序中不形成导向层17以及导向层19、有源层18、包覆层20以及包覆层28。也不形成台面11。
测定芯层12的厚度(图3的步骤S12)。具体而言，例如向芯层12照射CuKα线(特征X线、波长为)而进行X射线衍射。通过摇摆曲线来测定芯层12的周期。包含于芯层12的InP层40的个数以及InGaAsP层42的个数事先通过制造条件而决定。由一对的InP层40和InGaAsP层42的厚度(周期)与对的个数得知芯层12的厚度T。当厚度T在预定的范围内时进行步骤S12之后的工序。当厚度T在预定的范围外时，该产品设为不良品。
如图4B所示，通过MOCVD法等在包覆层16上外延生长出导向层17、有源层18、导向层19以及包覆层20(图3的步骤S14)。
如图5A所示，例如通过干式蚀刻形成台面11(图3的步骤S16)。在包覆层20的上表面中的中央部设置未图示的掩模。对从掩模露出的部分进行蚀刻。蚀刻从包覆层20进展至芯层12的中途。在用掩模保护的中央部形成台面11。芯层12的表面在台面11的两侧露出。蚀刻结束后除去掩模。
如图5B所示，在台面11的两侧进行隐埋生长(图3的步骤S18)。依次对隐埋层24以及隐埋层26进行外延生长。
如图6A所示，在包覆层20以及隐埋层26的上表面外延生长出包覆层28。在包覆层28的上表面外延生长出接触层29。在衬底10的下表面外延生长出接触层35(图3的步骤S20)。
如图6B所示，例如通过真空蒸镀以及剥离在接触层29的上表面且台面11的正上方形成电极30。在接触层35的下表面且台面11的正下方形成电极32。例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法在接触层29的上表面形成绝缘膜31。通过电镀处理等而形成布线层34(图3的步骤S22)。通过以上工序形成半导体激光元件100。
图7A是举例示出X射线衍射的摇摆曲线的示意图。横轴表示衍射角度。纵轴表示X射线的强度。通过向芯层12照射CuKα线，能够测定如图7A所示的摇摆曲线。P表示芯层12中的周期。图7A示出了P＝P1的例子中的摇摆曲线以及P＝P2的例子中的摇摆曲线。P1小于P2。
图7A中的数字(0、1、-1)表示峰的次数。0次峰是基于衬底10的峰。1次峰是起因于芯层12的峰。0次峰与1次峰之间的角度根据周期P而改变。若周期P变大，则1次峰靠近0次峰。在图7A的例子中，与在周期P＝P1的情况下的峰的间隔相比，在周期P＝P2的情况下的峰的间隔窄。
伴峰(在图7A中为1次峰)的角度由下式来表示。θ0是0次峰的衍射角度。θn是n次峰的衍射角度。n是峰的次数，对于1次峰为n＝1。λ是X射线的波长，例如为
2P(sinθn-sinθ0)＝±nλ (1)
由摇摆曲线的峰之间的间隔(角度)得知芯层12的周期P(图3的步骤S12)。当1次峰过于靠近0次峰时，不能分离峰而导致难以进行周期P的评价。当X射线衍射的角度分辨率较高时，即使周期较大也能进行评价。
图7B是举例示出芯层的周期与1次峰的衍射角度的关系的图。横轴表示周期P。纵轴表示1次峰的衍射角度。图7B的关系通过上述的式(1)来计算。如图7B所示，周期P越小，衍射角度变得越大。周期P越大，衍射角度变得越小。在X射线衍射的角度分辨率为0.01°的情况下，到周期P为440nm左右为止均能通过X射线衍射来评价。
摇摆曲线的峰位置例如以±0.0001°的精度来决定。作为一个例子，基于峰位置的精度能够在以200nm为中心的199.1nm至200.9nm的范围，即在约±1nm的误差范围估算周期P。当将芯层12的厚度T设为2000nm时，能够以约±0.05％的精度来测定周期P。当周期P较小时，峰分离，能够准确地测定峰位置，并且厚度的测定精度也提高。
根据本实施方式，芯层12为超晶格层，其包含多个InP层40以及多个InGaAsP层42。如图2B所示，多个InP层40具有互相相等的厚度T1。多个InGaAsP层42具有互相相等的厚度T2。能够通过X射线衍射来测定芯层12内的周期。InP层40的厚度T1以及InGaAsP层42的厚度T2、对的数量由制造条件而决定。能够基于周期来计算芯层12的厚度T。即，能够通过作为非破坏性检查的X射线衍射来评价芯层12的厚度。
半导体激光元件100中的光的分布受芯层12的厚度T的影响。通过X射线衍射来评价芯层12的厚度T，将厚度T设为适当的大小。因此能够控制光的分布。光分布于芯层12而远离有源层18以及p型的包覆层28。有源层18以及包覆层28的光的吸收被抑制，从而半导体激光元件100的输出变高。
例如能够通过TEM来测定InP层40的厚度T1以及InGaAsP层42的厚度T2。使用TEM来测定厚度T1以及厚度T2，事先获取InP层40以及InGaAsP层42能够成为期望的厚度的生长条件。使用该生长条件生长出芯层12。包含于芯层12的对的个数由制造条件而决定。通过X射线衍射来测定芯层12的周期P。能够根据对的个数和周期P来获取芯层12的厚度T。能够使用作为非破坏性检查的X射线衍射来评价芯层12的厚度T。
X射线衍射在形成了芯层12后且在形成有源层18前实施。有源层18具有周期结构。当在有源层18形成后进行X射线衍射时，能够观察到起因于芯层12的周期结构的摇摆曲线，并且也能够观察到起因于有源层18的周期结构的摇摆曲线。由于两个摇摆曲线重叠，因此难以测定芯层12的周期。在形成有源层18前进行芯层12的X射线衍射，由此能够观察到起因于芯层12的摇摆曲线，从而能够测定芯层12的周期P。
芯层12的折射率高于包覆层20的折射率以及包覆层28的折射率。因此，光容易分布于芯层12，从而有源层18以及包覆层28对光的吸收被抑制。芯层12的带隙波长短于在有源层18产生的光的波长。芯层12对光的吸收被抑制。
芯层12包含InP层40和InGaAsP层42。多个InP层40具有固定的厚度T1。多个InGaAsP层42具有固定的厚度T2。因此，能够通过X射线衍射来测定芯层12的周期。芯层12由InP层40和InGaAsP层42形成，因此能够进行由InP形成的衬底10与芯层12的晶格匹配。芯层12也可以由InP以及InGaAsP以外的半导体形成。例如也可以代替InGaAsP层42而使用铝镓铟砷(AlInGaAs)层。芯层12只要由与衬底10晶格匹配的半导体形成即可。
InP层40的厚度T1以及InGaAsP层42的厚度T2分别设为例如10nm以上。当厚度小于10nm时，由于量子效应而使物性变化。为了使芯层12的物性稳定而将厚度T1以及T2分别设为10nm以上。
芯层12整体的厚度T例如可以为1μm以上，也可以为1.5μm以上、1.8μm以上。由于光远离p型的包覆层28，因此不易被吸收。芯层12的厚度T例如设为2μm以下。当芯层12过厚时，光的分布向有源层18的重叠变得过小而导致半导体激光元件100的增益降低。该结果是，光输出降低。
如图2A所示，n型的芯层12、有源层18以及p型的包覆层28依次层叠。芯层12的中央部以及有源层18形成台面11。电流流向台面11，向有源层18注入载流子。通过载流子的注入而使有源层18产生光。半导体激光元件100作为发光元件而发挥功能。芯层12的宽度W2大于台面11的宽度W1。芯层12的有效折射率变高。通过将光转移至芯层12而能够抑制光的吸收。
在台面11的两侧设置有隐埋层24以及隐埋层26。隐埋层24以及隐埋层26阻挡电流，由此能够使电流选择性地流向台面11。
在芯层12中，台面11中包含10对的InP层40和InGaAsP层42。在台面11之下配置有20对的InP层40和InGaAsP层42。与包含于台面11的对的数量相比，配置于台面11之下的对的数量多。换句话说，在芯层12中，台面11之下的部分厚于包含于台面11的部分。光分布于台面11之下的芯层12而远离有源层18以及p型的包覆层28。光的吸收被抑制。包含于台面11的对的数量也可以设为5以上。当对的数量较少时，光的分布在水平方向(Y轴方向)上过度扩散，导致半导体激光元件100的增益降低、光输出降低。
衬底10、芯层12为n型的半导体层，并且设置于有源层18之下。包覆层20以及包覆层28为p型的半导体层，并且设置于有源层18上。电流流向有源层18。通过向有源层18注入载流子，能够产生光。使光分布于n型的芯层12而远离p型的包覆层20以及包覆层28。光的吸收被抑制。
以上，对本公开的实施方式进行了详述，但本公开并不限定于上述特定的实施方式，能够在权利要求书所记载的本公开的主旨的范围内进行各种变形、变更。

Claims (9)

1.一种半导体激光元件，其中，
所述半导体激光元件具备：
第一半导体层；以及
有源层，其设置于所述第一半导体层上，
所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，
所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，
所述多个第一层具有互相相等的厚度，
所述多个第二层具有互相相等的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，
所述第一层由磷化铟形成，
所述第二层由镓铟砷磷或铝镓铟砷形成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，
所述半导体激光元件具备设置于所述有源层上的第二半导体层，
所述第一半导体层的折射率高于所述第二半导体层的折射率。
4.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，所述第一层的厚度以及所述第二层的厚度分别为10nm以上。
5.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，所述第一半导体层的厚度为1μm以上。
6.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，
所述有源层形成台面，
所述第一半导体层具有比所述台面的宽度大的宽度。
7.根据权利要求6所述的半导体激光元件，其中，
所述半导体激光元件具备设置于所述有源层上的第二半导体层，
所述第一半导体层具有n型的导电型，
所述第二半导体层具有p型的导电型。
8.根据权利要求6所述的半导体激光元件，其中，所述半导体激光元件具备设置于所述台面的两侧的隐埋层。
9.一种半导体激光元件的制造方法，其中，
所述半导体激光元件的制造方法具有：
设置第一半导体层的工序；
通过X射线衍射来测定所述第一半导体层的厚度的工序；以及
在测定所述厚度的工序之后，在所述第一半导体层上设置有源层的工序，所述第一半导体层为超晶格层，且包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替层叠，
所述多个第一层具有互相相等的厚度，
所述多个第二层具有互相相等的厚度。
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