CN117491787B - 一种芯片生产设备电磁干扰检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种芯片生产设备电磁干扰检测系统，涉及电磁干扰检测技术领域，包括服务器、抗磁监管单元、细化管理单元、反馈分析单元、划分分析单元以及预警管理单元；本发明通过采集目标芯片生产设备的环境数据，并进行监管预警评估分析，以判断目标芯片生产设备是否存在电磁干扰，以便及时的做出预警操作，且通过信息反馈的方式对风险数据进行深入式影响评估分析，进而根据电磁干扰等级进行合理、有针对性的维护管理，以提高目标芯片生产设备的抗电磁干扰效果，且对预警数据进行预警监管性能评估分析，有助于提醒运管人员结合延误情况再对目标芯片生产设备进行合理、有针对性的管理，有助于提高目标芯片生产设备的预警性能和预警效果。

Description

一种芯片生产设备电磁干扰检测系统

技术领域

本发明涉及电磁干扰检测技术领域，尤其涉及一种芯片生产设备电磁干扰检测系统。

背景技术

电磁干扰是影响电子产品的性能和稳定性的一个重要指标，国际标准和国家标准都对电子产品的电磁兼容方面提出了严格的要求，同一电磁环境中的各种电子元件、设备等都应该能够正常工作而不互相干扰，而且电磁干扰不能对人体和环境造成损害；

在芯片生产过程中，电磁干扰会破坏设备的信息，使设备发生信号丢失、产生误动作以及工作不稳定等现象，进而影响芯片的加工质量和加工效率，但是，现有的芯片生产设备在对电磁干扰进行检测预警时，存在数据单一，分析结果偏差大，进而降低芯片生产设备的加工质量和预警效果，且无法对设备进行预警监管，进而降低预警设备的预警性能，影响芯片生产设备抗干扰管理的合理性；

针对上述的技术缺陷，现提出一种解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片生产设备电磁干扰检测系统，去解决上述提出的技术缺陷，本发明通过采集目标芯片生产设备的环境数据，并进行监管预警评估分析，以判断目标芯片生产设备是否存在电磁干扰，以便及时的做出预警操作，且通过信息反馈的方式对风险数据进行深入式影响评估分析，进而根据电磁干扰等级进行合理、有针对性的维护管理，以提高目标芯片生产设备的抗电磁干扰效果，以及对预警数据进行预警监管性能评估分析，以判断目标芯片生产设备的预警性能是否达标，以便及时的进行优化维护，同时有助于提醒运管人员结合延误情况再对目标芯片生产设备进行合理、有针对性的管理，有助于提高目标芯片生产设备的预警性能和预警效果。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：一种芯片生产设备电磁干扰检测系统，包括服务器、抗磁监管单元、细化管理单元、反馈分析单元、划分分析单元以及预警管理单元；

当服务器生成运管指令时，并将运管指令发送至抗磁监管单元，抗磁监管单元在接收到运管指令后，立即采集目标芯片生产设备的环境数据，环境数据包括传导干扰频率值和环境电磁辐射值，并对环境数据进行监管预警评估分析和深入式曲线分析，将得到的风险信号发送至细化管理单元和反馈分析单元；

细化管理单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的风险数据，风险数据包括阻抗值和设备故障率，并对风险数据进行深入式影响评估分析，将得到的二级影响信号发送至划分分析单元，并将得到的一级影响信号和三级影响信号发送至预警管理单元；

反馈分析单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的预警数据，预警数据包括响应时长和干扰传输值，并对预警数据进行预警监管性能评估分析，将得到的延误信号发送至预警管理单元；

划分分析单元在接收到二级影响信号后，立即对二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G进行深入式划分监管分析，将得到的次二级信号和次一级信号发送至预警管理单元。

优选的，所述抗磁监管单元的监管预警评估分析过程如下：

采集到目标芯片生产设备开始运行时刻到结束运行时刻之间的时长，并将其标记为时间阈值，进而时间阈值划分为i个子时间节点，i为大于零的自然数，获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的传导干扰频率值和环境电磁辐射值，将传导干扰频率值和环境电磁辐射值与存储的预设传导干扰频率值阈值和预设环境电磁辐射值阈值进行比对分析，若传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值，环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值，则将传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值的部分和环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值的部分分别标记为传导干扰值和环境电磁风险值，分别标号为CDi和DFi。

优选的，所述抗磁监管单元的深入式曲线分析过程如下：

根据公式得到各个子时间节点的抗磁影响评估系数，其中，a1和a2分别为传导干扰值和环境电磁风险值的预设比例因子系数，a1和a2均为大于零的正数，a3为预设容错因子系数，取值为1.446，Ki为各个子时间节点的抗磁影响评估系数，以时间为X轴，以抗磁影响评估系数为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制抗磁影响评估系数曲线，同时在该坐标系中绘制预设抗磁影响评估系数阈值曲线，从坐标系中获取到抗磁影响评估系数曲线位于预设抗磁影响评估系数阈值曲线上方线段的长度和上方线段与预设抗磁影响评估系数阈值曲线所围成的面积，并分别标记为风险长度和风险面积，将风险长度和风险面积经数据归一化处理后得到的积值标记为抗磁风险值，将抗磁风险值与其内部录入存储的预设抗磁风险值阈值进行对比分析：

若抗磁风险值小于等于预设抗磁风险值阈值，则不生成任何信号；

若抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值，则生成风险信号。

优选的，所述细化管理单元的深入式影响评估分析过程如下：

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的阻抗值，其中，阻抗值是表示电路阻碍电流通过能力的量，以时间为X轴，以阻抗值为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制阻抗值曲线，从阻抗值曲线中获取到所有上升段两个端点之间的差值和所有下降段两个端点之间的差值，将所有上升段两个端点之间的差值的和值标记为上升趋势值，将所有下降段两个端点之间的差值的和值标记下降趋势值，将上升趋势值减去下降趋势值得到的值标记为变化趋势值BQ；

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的设备故障率，并将其标记为SG，同时从抗磁监管单元中调取抗磁风险值，并将抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值的部分标记为抗磁影响值KY；

根据公式得到电磁影响评估系数G，将电磁影响评估系数G与其内部录入存储的预设电磁影响评估系数区间进行比对分析：

若电磁影响评估系数G大于预设电磁影响评估系数区间中的最大值，则生成一级影响信号；

若电磁影响评估系数G属于预设电磁影响评估系数区间，则生成二级影响信号；

若电磁影响评估系数G小于预设电磁影响评估系数区间中的最小值，则生成三级影响信号。

优选的，所述反馈分析单元的预警监管性能评估分析过程如下：

获取到时间阈值内目标芯片生产设备上报警灯的运行电压，并对运行电压进行判别分析，若运行电压不等于零，则生成反馈指令，当生成反馈指令后，获取到目标芯片生产设备的响应时长，响应时长指的是目标芯片生产设备生成风险信号时刻到报警灯开始闪烁时刻之间的时长，并将响应时长与存储的预设响应时长阈值进行比对分析，若响应时长大于预设响应时长阈值，则将响应时长大于预设响应时长阈值的部分与响应时长之间的比值标记为延误风险倍率值YW；

获取到时间阈值内目标芯片生产设备的干扰传输值，干扰传输值表示目标芯片生产设备的内部环境温度值超出存储的预设环境温度值的部分与环境粉尘含量值经数据归一化处理后得到的积值，并将干扰传输值标号为GC，获取到从细化管理单元中调取电磁影响评估系数G；

根据公式得到预警性能评估系数，其中，b1、b2以及b3分别为延误风险倍率值、干扰传输值以及电磁影响评估系数的预设比例系数，b1、b2以及b3均为大于零的正数，J为预警性能评估系数，将预警性能评估系数J与其内部录入存储的预设预警性能评估系数阈值进行比对分析：

若预警性能评估系数J小于等于预设预警性能评估系数阈值，则不生成任何信号；

若预警性能评估系数J大于预设预警性能评估系数阈值，则生成延误信号。

优选的，所述划分分析单元的深入式划分监管分析过程如下：

获取到时间阈值内二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G，同时获取到预设电磁影响评估系数区间的最小值，并将电磁影响评估系数G与预设电磁影响评估系数区间的最小值之间的差值标记为电磁影响值，同时从反馈分析单元中调取预警性能评估系数J，并将电磁影响值和预警性能评估系数J经数据归一化处理后得到的积值标记为电磁划分评估值，将电磁划分评估值与其内部录入储存的预设电磁划分评估值阈值进行比对分析：

若电磁划分评估值小于等于预设电磁划分评估值阈值，则生成次二级信号；

若电磁划分评估值大于预设电磁划分评估值阈值，则生成次一级信号。

本发明的有益效果如下：

（1）本发明通过采集目标芯片生产设备的环境数据，并进行监管预警评估分析，以判断目标芯片生产设备是否存在电磁干扰，以便及时的做出预警操作，以提高目标芯片生产设备的生产安全性和加工质量，且通过信息反馈的方式对风险数据进行深入式影响评估分析，以判断目标芯片生产设备的电磁影响等级情况，进而根据电磁干扰等级进行合理、有针对性的维护管理，以提高目标芯片生产设备的抗电磁干扰效果；

（2）本发明通过对预警数据进行预警监管性能评估分析，以判断目标芯片生产设备的预警性能是否达标，以便及时的进行优化维护，同时有助于提醒运管人员结合延误情况再对目标芯片生产设备进行合理、有针对性的管理，有助于提高目标芯片生产设备的预警性能和预警效果，且通过结合预警性能评估系数的分析方式，对电磁干扰等级进行深入式划分，进而提醒运管人员及时的对目标芯片生产设备进行合理抗干扰处理，同时有助于提高分析结果的准确性，进而进一步提高抗干扰管理的合理性和精准性。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明；

图1是本发明系统流程框图；

图2是本发明局部分析参考图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：

请参阅图1至图2所示，本发明为一种芯片生产设备电磁干扰检测系统，包括服务器、抗磁监管单元、细化管理单元、反馈分析单元、划分分析单元以及预警管理单元，服务器与抗磁监管单元呈单向通讯连接，抗磁监管单元与细化管理单元和反馈分析单元均呈单向通讯连接，细化管理单元与反馈分析单元、划分分析单元以及预警管理单元均呈单向通讯连接，反馈分析单元与划分分析单元和预警管理单元均呈单向通讯连接，划分分析单元与预警管理单元呈单向通讯连接；

当服务器生成运管指令时，并将运管指令发送至抗磁监管单元，抗磁监管单元在接收到运管指令后，立即采集目标芯片生产设备的环境数据，环境数据包括传导干扰频率值和环境电磁辐射值，并对环境数据进行监管预警评估分析，以判断目标芯片生产设备是否存在电磁干扰，以便及时的做出预警操作，具体的监管预警评估分析过程如下：

采集到目标芯片生产设备开始运行时刻到结束运行时刻之间的时长，并将其标记为时间阈值，进而时间阈值划分为i个子时间节点，i为大于零的自然数，获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的传导干扰频率值和环境电磁辐射值，将传导干扰频率值和环境电磁辐射值与存储的预设传导干扰频率值阈值和预设环境电磁辐射值阈值进行比对分析，若传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值，环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值，则将传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值的部分和环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值的部分分别标记为传导干扰值和环境电磁风险值，分别标号为CDi和DFi；

根据公式得到各个子时间节点的抗磁影响评估系数，其中，a1和a2分别为传导干扰值和环境电磁风险值的预设比例因子系数，比例因子系数用于修正各项参数在公式计算过程中出现的偏差，从而使得计算结果更加准确，a1和a2均为大于零的正数，a3为预设容错因子系数，取值为1.446，Ki为各个子时间节点的抗磁影响评估系数，以时间为X轴，以抗磁影响评估系数为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制抗磁影响评估系数曲线，同时在该坐标系中绘制预设抗磁影响评估系数阈值曲线，从坐标系中获取到抗磁影响评估系数曲线位于预设抗磁影响评估系数阈值曲线上方线段的长度和上方线段与预设抗磁影响评估系数阈值曲线所围成的面积，并分别标记为风险长度和风险面积，将风险长度和风险面积经数据归一化处理后得到的积值标记为抗磁风险值，将抗磁风险值与其内部录入存储的预设抗磁风险值阈值进行对比分析：

若抗磁风险值小于等于预设抗磁风险值阈值，则不生成任何信号；

若抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值，则生成风险信号，并将风险信号发送至细化管理单元和反馈分析单元；

细化管理单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的风险数据，风险数据包括阻抗值和设备故障率，并对风险数据进行深入式影响评估分析，以判断目标芯片生产设备的电磁影响等级情况，进而根据电磁干扰等级进行合理、有针对性的维护管理，以提高目标芯片生产设备的抗电磁干扰效果，具体的深入式影响评估分析过程如下：

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的阻抗值，其中，阻抗值是表示电路阻碍电流通过能力的量，以时间为X轴，以阻抗值为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制阻抗值曲线，从阻抗值曲线中获取到所有上升段两个端点之间的差值和所有下降段两个端点之间的差值，将所有上升段两个端点之间的差值的和值标记为上升趋势值，将所有下降段两个端点之间的差值的和值标记下降趋势值，将上升趋势值减去下降趋势值得到的值标记为变化趋势值，标号为BQ，需要说明的是，变化趋势值BQ是一个反映目标芯片生产设备的抗电磁干扰的影响参数，变化趋势值BQ的数值越大，则目标芯片生产设备的抗电磁干扰异常风险越大；

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的设备故障率，并将其标记为SG，同时从抗磁监管单元中调取抗磁风险值，并将抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值的部分标记为抗磁影响值，标号为KY；

根据公式得到电磁影响评估系数，其中，f1、f2以及f3分别为变化趋势值、设备故障率以及抗磁影响值的预设权重因子系数，f4为预设修正因子系数，f1、f2、f3以及f4均为大于零的正数，G为电磁影响评估系数，系数的大小是为了将各个参数进行量化得到的一个具体的数值，便于后续比较，关于系数的大小，取决于样本数据的多少及本领域技术人员对每一组样本数据初步设定对应的系数，只要不影响参数与量化后数值的比例关系即可，将电磁影响评估系数G与其内部录入存储的预设电磁影响评估系数区间进行比对分析：

若电磁影响评估系数G大于预设电磁影响评估系数区间中的最大值，则生成一级影响信号；

若电磁影响评估系数G属于预设电磁影响评估系数区间，则生成二级影响信号；

若电磁影响评估系数G小于预设电磁影响评估系数区间中的最小值，则生成三级影响信号，其中，一级影响信号、二级影响信号以及三级影响信号所对应的影响程度依次降低，将二级影响信号发送至划分分析单元，并将一级影响信号和三级影响信号发送至预警管理单元，预警管理单元在接收到一级影响信号和三级影响信号后，立即做出一级影响信号和三级影响信号所对应的预设预警操作，同时控制目标芯片生产设备上报警灯进行闪烁，进而提醒运管人员及时的对目标芯片生产设备进行抗干扰处理，以提高目标芯片生产设备的生产安全性和加工质量。

实施例2：

反馈分析单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的预警数据，预警数据包括响应时长和干扰传输值，并对预警数据进行预警监管性能评估分析，以判断目标芯片生产设备的预警性能是否达标，以便及时的进行优化维护，具体的预警监管性能评估分析过程如下：

获取到时间阈值内目标芯片生产设备上报警灯的运行电压，并对运行电压进行判别分析，若运行电压不等于零，则生成反馈指令，当生成反馈指令后，获取到目标芯片生产设备的响应时长，响应时长指的是目标芯片生产设备生成风险信号时刻到报警灯开始闪烁时刻之间的时长，并将响应时长与存储的预设响应时长阈值进行比对分析，若响应时长大于预设响应时长阈值，则将响应时长大于预设响应时长阈值的部分与响应时长之间的比值标记为延误风险倍率值，标号为YW；

获取到时间阈值内目标芯片生产设备的干扰传输值，干扰传输值表示目标芯片生产设备的内部环境温度值超出存储的预设环境温度值的部分与环境粉尘含量值经数据归一化处理后得到的积值，并将干扰传输值标号为GC，获取到从细化管理单元中调取电磁影响评估系数G，需要说明的是，干扰传输值GC的数值越大，则目标芯片生产设备的预警性能异常风险越大；

根据公式得到预警性能评估系数，其中，b1、b2以及b3分别为延误风险倍率值、干扰传输值以及电磁影响评估系数的预设比例系数，b1、b2以及b3均为大于零的正数，J为预警性能评估系数，将预警性能评估系数J与其内部录入存储的预设预警性能评估系数阈值进行比对分析：

若预警性能评估系数J小于等于预设预警性能评估系数阈值，则不生成任何信号；

若预警性能评估系数J大于预设预警性能评估系数阈值，则生成延误信号，并将延误信号发送至预警管理单元，预警管理单元在接收到延误信号后，立即以文字“延误”的方式进行预警展示，以便提醒运管人员结合延误情况再对目标芯片生产设备进行合理、有针对性的管理，同时有助于提高目标芯片生产设备的预警性能和预警效果；

划分分析单元在接收到二级影响信号后，立即对二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G进行深入式划分监管分析，以便合理、有针对性进行管理，具体的深入式划分监管分析过程如下：

获取到时间阈值内二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G，同时获取到预设电磁影响评估系数区间的最小值，并将电磁影响评估系数G与预设电磁影响评估系数区间的最小值之间的差值标记为电磁影响值，同时从反馈分析单元中调取预警性能评估系数J，并将电磁影响值和预警性能评估系数J经数据归一化处理后得到的积值标记为电磁划分评估值，将电磁划分评估值与其内部录入储存的预设电磁划分评估值阈值进行比对分析：

若电磁划分评估值小于等于预设电磁划分评估值阈值，则生成次二级信号；

若电磁划分评估值大于预设电磁划分评估值阈值，则生成次一级信号，并将次二级信号和次一级信号发送至预警管理单元，预警管理单元在接收到次二级信号和次一级信号后，立即做出次二级信号和次一级信号所对应的预设预警操作，同时控制目标芯片生产设备上报警灯进行闪烁，进而提醒运管人员及时的对目标芯片生产设备进行合理抗干扰处理；

综上所述，本发明通过采集目标芯片生产设备的环境数据，并进行监管预警评估分析，以判断目标芯片生产设备是否存在电磁干扰，以便及时的做出预警操作，以提高目标芯片生产设备的生产安全性和加工质量，且通过信息反馈的方式对风险数据进行深入式影响评估分析，以判断目标芯片生产设备的电磁影响等级情况，进而根据电磁干扰等级进行合理、有针对性的维护管理，以提高目标芯片生产设备的抗电磁干扰效果，以及对预警数据进行预警监管性能评估分析，以判断目标芯片生产设备的预警性能是否达标，以便及时的进行优化维护，同时有助于提醒运管人员结合延误情况再对目标芯片生产设备进行合理、有针对性的管理，有助于提高目标芯片生产设备的预警性能和预警效果，且通过结合预警性能评估系数的分析方式，对电磁干扰等级进行深入式划分，进而提醒运管人员及时的对目标芯片生产设备进行合理抗干扰处理，同时有助于提高分析结果的准确性，进而进一步提高抗干扰管理的合理性和精准性。

阈值的大小的设定是为了便于比较，关于阈值的大小，取决于样本数据的多少及本领域技术人员对每一组样本数据设定基数数量；只要不影响参数与量化后数值的比例关系即可。

上述公式均是采集大量数据进行软件模拟得出且选取与真实值接近的一个公式，公式中的系数是由本领域技术人员根据实际情况进行设置，以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种芯片生产设备电磁干扰检测系统，其特征在于，包括服务器、抗磁监管单元、细化管理单元、反馈分析单元、划分分析单元以及预警管理单元；

当服务器生成运管指令时，并将运管指令发送至抗磁监管单元，抗磁监管单元在接收到运管指令后，立即采集目标芯片生产设备的环境数据，环境数据包括传导干扰频率值和环境电磁辐射值，并对环境数据进行监管预警评估分析和深入式曲线分析，将得到的风险信号发送至细化管理单元和反馈分析单元；

细化管理单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的风险数据，风险数据包括阻抗值和设备故障率，并对风险数据进行深入式影响评估分析，将得到的二级影响信号发送至划分分析单元，并将得到的一级影响信号和三级影响信号发送至预警管理单元；

反馈分析单元在接收到风险信号后，立即采集目标芯片生产设备的预警数据，预警数据包括响应时长和干扰传输值，并对预警数据进行预警监管性能评估分析，将得到的延误信号发送至预警管理单元；

划分分析单元在接收到二级影响信号后，立即对二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G进行深入式划分监管分析，将得到的次二级信号和次一级信号发送至预警管理单元；

所述抗磁监管单元的监管预警评估分析过程如下：

采集到目标芯片生产设备开始运行时刻到结束运行时刻之间的时长，并将其标记为时间阈值，进而时间阈值划分为i个子时间节点，i为大于零的自然数，获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的传导干扰频率值和环境电磁辐射值，将传导干扰频率值和环境电磁辐射值与存储的预设传导干扰频率值阈值和预设环境电磁辐射值阈值进行比对分析，若传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值，环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值，则将传导干扰频率值大于预设传导干扰频率值阈值的部分和环境电磁辐射值大于预设环境电磁辐射值阈值的部分分别标记为传导干扰值和环境电磁风险值，分别标号为CDi和DFi；

所述抗磁监管单元的深入式曲线分析过程如下：

根据公式得到各个子时间节点的抗磁影响评估系数，其中，a1和a2分别为传导干扰值和环境电磁风险值的预设比例因子系数，a1和a2均为大于零的正数，a3为预设容错因子系数，取值为1.446，Ki为各个子时间节点的抗磁影响评估系数，以时间为X轴，以抗磁影响评估系数为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制抗磁影响评估系数曲线，同时在该坐标系中绘制预设抗磁影响评估系数阈值曲线，从坐标系中获取到抗磁影响评估系数曲线位于预设抗磁影响评估系数阈值曲线上方线段的长度和上方线段与预设抗磁影响评估系数阈值曲线所围成的面积，并分别标记为风险长度和风险面积，将风险长度和风险面积经数据归一化处理后得到的积值标记为抗磁风险值，将抗磁风险值与其内部录入存储的预设抗磁风险值阈值进行对比分析：

若抗磁风险值小于等于预设抗磁风险值阈值，则不生成任何信号；

若抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值，则生成风险信号；

所述细化管理单元的深入式影响评估分析过程如下：

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的阻抗值，其中，阻抗值是表示电路阻碍电流通过能力的量，以时间为X轴，以阻抗值为Y轴建立直角坐标系，通过描点的方式绘制阻抗值曲线，从阻抗值曲线中获取到所有上升段两个端点之间的差值和所有下降段两个端点之间的差值，将所有上升段两个端点之间的差值的和值标记为上升趋势值，将所有下降段两个端点之间的差值的和值标记下降趋势值，将上升趋势值减去下降趋势值得到的值标记为变化趋势值BQ；

获取到各个子时间节点内目标芯片生产设备的设备故障率，并将其标记为SG，同时从抗磁监管单元中调取抗磁风险值，并将抗磁风险值大于预设抗磁风险值阈值的部分标记为抗磁影响值KY；

根据公式得到电磁影响评估系数G，将电磁影响评估系数G与其内部录入存储的预设电磁影响评估系数区间进行比对分析：

若电磁影响评估系数G大于预设电磁影响评估系数区间中的最大值，则生成一级影响信号；

若电磁影响评估系数G属于预设电磁影响评估系数区间，则生成二级影响信号；

若电磁影响评估系数G小于预设电磁影响评估系数区间中的最小值，则生成三级影响信号；

所述反馈分析单元的预警监管性能评估分析过程如下：

获取到时间阈值内目标芯片生产设备上报警灯的运行电压，并对运行电压进行判别分析，若运行电压不等于零，则生成反馈指令，当生成反馈指令后，获取到目标芯片生产设备的响应时长，响应时长指的是目标芯片生产设备生成风险信号时刻到报警灯开始闪烁时刻之间的时长，并将响应时长与存储的预设响应时长阈值进行比对分析，若响应时长大于预设响应时长阈值，则将响应时长大于预设响应时长阈值的部分与响应时长之间的比值标记为延误风险倍率值YW；

获取到时间阈值内目标芯片生产设备的干扰传输值，干扰传输值表示目标芯片生产设备的内部环境温度值超出存储的预设环境温度值的部分与环境粉尘含量值经数据归一化处理后得到的积值，并将干扰传输值标号为GC，获取到从细化管理单元中调取电磁影响评估系数G；

根据公式得到预警性能评估系数，其中，b1、b2以及b3分别为延误风险倍率值、干扰传输值以及电磁影响评估系数的预设比例系数，b1、b2以及b3均为大于零的正数，J为预警性能评估系数，将预警性能评估系数J与其内部录入存储的预设预警性能评估系数阈值进行比对分析：

若预警性能评估系数J小于等于预设预警性能评估系数阈值，则不生成任何信号；

若预警性能评估系数J大于预设预警性能评估系数阈值，则生成延误信号；

所述划分分析单元的深入式划分监管分析过程如下：

获取到时间阈值内二级影响信号所对应的电磁影响评估系数G，同时获取到预设电磁影响评估系数区间的最小值，并将电磁影响评估系数G与预设电磁影响评估系数区间的最小值之间的差值标记为电磁影响值，同时从反馈分析单元中调取预警性能评估系数J，并将电磁影响值和预警性能评估系数J经数据归一化处理后得到的积值标记为电磁划分评估值，将电磁划分评估值与其内部录入储存的预设电磁划分评估值阈值进行比对分析：

若电磁划分评估值小于等于预设电磁划分评估值阈值，则生成次二级信号；

若电磁划分评估值大于预设电磁划分评估值阈值，则生成次一级信号。