CN117452059A - 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法 - Google Patents

光器件多通道背光探测器的测试电路和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117452059A
CN117452059A CN202311788504.XA CN202311788504A CN117452059A CN 117452059 A CN117452059 A CN 117452059A CN 202311788504 A CN202311788504 A CN 202311788504A CN 117452059 A CN117452059 A CN 117452059A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
voltage
control unit
current
mcu control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311788504.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN117452059B (zh
Inventor
刘伟
许远忠
张强
姚娜
熊伟霖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Eugenlight Technologies Co ltd
Original Assignee
Chengdu Eugenlight Technologies Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Eugenlight Technologies Co ltd filed Critical Chengdu Eugenlight Technologies Co ltd
Priority to CN202311788504.XA priority Critical patent/CN117452059B/zh
Publication of CN117452059A publication Critical patent/CN117452059A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117452059B publication Critical patent/CN117452059B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/25—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques
    • G01R19/2506—Arrangements for conditioning or analysing measured signals, e.g. for indicating peak values ; Details concerning sampling, digitizing or waveform capturing
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
    • G05B19/042—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers using digital processors
    • G05B19/0423—Input/output

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明涉及光器件多通道背光探测器的测试电路和方法，包括步骤：MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值，并与电路获得的实际电流值做差，得到补偿值；MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载与电路断开，控制需要被测试的背光探测器接入电路，调整等效电阻的阻值，使MCU控制单元能够接收到电路的电压，从而计算出背光探测器的电流值，使用补偿值对背光探测器的电流值进行补偿，得到最终的背光探测器电流值。本发明在不拆装PD和LD的情况下，能对PD的暗电流、光电流进行测试；在对PD电流测试之前，对电路进行校正，使得测试时得到的PD电流更加准确。

Description

光器件多通道背光探测器的测试电路和方法
技术领域
本发明涉及光器件测试技术领域，特别涉及一种光器件多通道背光探测器的测试电路和方法。
背景技术
光器件结构中，通常都装配有多种波长的光源，如100G高速光器件，内置多通道激光器（以下简称LD）和对应的背光探测器（以下简称PD），如4通道。所有PD的阳极在光器件中全部接地。目前对PD性能进行测试的电路只适用于单通道测试，并且暗电流和光电流需要单独的测试电路。对于生产效率来说非常耗时，且反复拆装光器件及其工装夹具，容易导致光器件产品的外观及性能损伤。
发明内容
本发明的目的在于解决两个技术问题，一是在不拆装PD和LD的情况下，能对PD的暗电流、光电流进行测试；二是在对PD电流（具体指光电流、暗电流）测试之前，对电路进行校正，使得测试时得到的PD电流更加准确，提供一种光器件多通道背光探测器的测试电路和方法。
为了实现上述发明目的，本发明实施例提供了以下技术方案：
光器件多通道背光探测器的测试电路，用于对背光探测器进行测试，包括：
MCU控制单元，用于向偏置电压调整单元输出可调整的模拟电压；用于控制I/V转换单元的等效增益；用于控制校正等效负载接入或不接入电路；用于控制通道复用切换单元的通断，使背光探测器接入或不接入电路；用于根据检出单元输出的电压计算电流值；
偏置电压调整单元，用于对模拟电压进行放大后分别传输至I/V转换单元和检出单元；
I/V转换单元，用于对偏置电压进行等效增益后，将得到的电压输出至检出单元；
检出单元，用于对偏置电压调整单元输出的偏置电压和I/V转换单元输出的电压做差分运算，将得到的电压传输至MCU控制单元；
校正等效负载，在接入电路时用于对检出单元输出的电压进行补偿；
通道复用切换单元，用于接入或断开背光探测器。
在上述方案中，通过I/V转换单元可调整等效增益，当测试PD光电流时，调整等效增益较小，当测试PD暗电流时，调整等效增益较大，实现在不拆装PD和LD的情况下，能对PD的暗电流、光电流进行测试。
所述偏置电压调整单元包括包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容；所述第一电阻的第一端与MCU控制单元的DAC口连接，用于接入MCU控制单元输出的电压信号V_DAC，第一电阻的第二端分别与第一电容的第一端、第一运算放大器的正向输入端连接，第一电容的第二端接地；第一运算放大器的反向输入端分别与第二电阻的第一端、第三电阻的第一端连接，第二电阻的第二端接地，第三电阻的第二端与第一运算放大器的输出端连接，第一运算放大器的输出端与I/V转换单元的输入端连接。
在上述方案中，通过MCU控制单元调整电压信号V_DAC的大小，偏置电压调整单元可实现对V_DAC等比例放大，实现PD偏置电压可调整。
所述I/V转换单元包括第二运算放大器、第四电阻、等效电阻；所述第四电阻的第一端与第一运算放大器的输出端连接，第四电阻的第二端分别与第二运算放大器的正向输入端、检出单元的输入端连接；第二运算放大器的反向输入端分别与等效电阻的第二端、校正等效负载、通道复用切换单元连接；第二运算放大器的输出端分别与等效电阻的第一端、检出单元的输入端连接。
在上述方案中，通过调整等效电阻的阻值，实现MCU控制单元接收的电压在可接收的有效范围内。
所述检出单元包括差分运算放大器、第六电阻、第八电容；所述差分运算放大器的正向输入端与第二运算放大器的输出端连接，反向输入端与第四电阻的第二端连接，输出端与第六电阻的第一端连接，第六电阻的第二端分别与第八电容的第一端、MCU控制单元的ADC口连接，第八电容的第二端接地。
所述校正等效负载包括至少一路校正回路，每路校正回路包括一个校正开关、一个电阻，校正开关的第一端与第二运算放大器的反向输入端连接，校正开关的第二端与电阻的第一端连接，电阻的第二端接地；
当有多路校正回路时，各路中的电阻阻值均不相等；MCU控制单元通过GPIO口控制校正回路中校正开关的通断使校正回路接入电路，且每次仅有一路校正回路接入电路。
在上述方案中，通过分别设置不同电流等级的校正等效负载，根据预置的负载值和设置的偏置电压，计算出理论电流值，同时根据ADC口的采样值，计算出实际电流值，得到电流补偿值；当进行PD测试时，根据不同的电流取值范围，进行相对应的补偿，以提升电路采样精度。
光器件多通道背光探测器的测试方法，基于上述任一方式所述的光器件多通道背光探测器的测试电路实现，包括以下步骤：
步骤1，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值，并与电路获得的实际电流值做差，得到补偿值；
步骤2，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载与电路断开，控制需要被测试的背光探测器接入电路，调整等效电阻的阻值，使MCU控制单元能够接收到电路的电压，从而计算出背光探测器的电流值，使用补偿值对背光探测器的电流值进行补偿，得到最终的背光探测器电流值。
在上述方案中，步骤1为校正阶段，在测试之前获取多种电流等级下的补偿值，步骤2为测试阶段，对测试的PD电流加上对应电流等级的补偿值，从而确保PD电流精度。
所述步骤1具体包括以下步骤：
步骤1-1，MCU控制器通过IIC口设置等效电阻的阻值为K2；
步骤1-2，MCU控制器向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元；
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器U1反向输入端的第二电阻、第三电阻的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
其中，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1；
步骤1-3，MCU控制单元控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值；
MCU控制单元通过GPIO口控制一个校正开关闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经该校正开关所在校正回路的电流，此为该校正回路对应电流等级的理论电流值；
步骤1-4，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元；
流经等效电阻的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5；其中R5为等效电阻的阻值；
步骤1-5，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到实际电流值I2；
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2；
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，此为实际电流值；
步骤1-6，MCU控制单元将理论电流值与实际电流值做差，得到补偿值；
步骤1-7，重复步骤1-3至步骤1-6，得到多种电流等级下的补偿值；
返回步骤1-3，MCU控制单元通过GPIO口控制另一校正开关闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经校正回路的电流，继续执行步骤1-4至步骤1-6，得到不同电流等级下的补偿值。
所述步骤1-6具体为：
步骤1-6结束后，返回步骤1-1，改变等效电阻的阻值K2，继续执行步骤1-2至步骤1-6，将得到的补偿值记入该校正回路对应电流等级下的补偿值数组中；经过设置多次等效电阻的阻值K2，得到该校正回路对应电流等级下多个补偿值构成的数组，将数组中最大值、最小值剔除，求取数组平均值作为该校正回路对应电流等级下最终的补偿值。
在上述方案中，通过多次采样求取平均值，得到稳定的电流补偿值。
所述步骤2具体包括以下步骤：
步骤2-1，MCU控制单元向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元；
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器U1的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器反向输入端的第二电阻、第三电阻的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
其中，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值；根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1；
步骤2-2，MCU控制单元控制被测试的背光探测器接入电路；
步骤2-3，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元；
流经等效电阻和背光探测器的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5；其中R5为等效电阻的阻值；
步骤2-4，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到流经背光探测器的电流值I_ADC；
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2；
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，I2为流经背光探测器的电流值I_ADC；
步骤2-5，MCU控制器将背光探测器的电流值与对应电流等级下的补偿值相结合，得到最终的背光探测器电流值。
所述步骤2-4具体为：若电压V7不在MCU控制单元的ADC口可接收的电压范围[Vlow,Vhigh]内，Vlow为MCU控制单元的ADC口可接收的最小电压值，Vhigh为MCU控制单元的ADC口可接收的最大电压值，则MCU控制单元通过IIC口调整等效电阻的阻值K2，使得V7在[Vlow,Vhigh]范围内。
在上述方案中，调整电路等效增益，以确保电流的采样值在MCU控制单元的最佳采样范围内。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
（1）由于PD的光电流和暗电流的量级相差很大，因此本发明需要实现检测PD极小电流（即暗电流）和较大电流（即光电流）的采样，采用了增益可调整的电流检出模式，当电流值在nA等级时，需要调整出较高的电路增益；当电流在mA等级时，则需要调整出较低的电路增益，以确保电流的采样值在MCU控制单元的最佳采样范围内。
（2）本发明为了保证电路的采样精度，消除电路的综合误差，在PD测试前，分别设置不同电流等级的校正等效负载，根据预置的负载值和设置的偏置电压，计算出理论电流值，同时根据ADC口的采样值，计算出实际电流值，并通过多次采样求取平均值，得到稳定的电流补偿值；当进行PD测试时，根据不同的电流取值范围，进行相对应的补偿，以提升电路采样精度。
（3）本发明为了适应对不同类型PD的测试，对偏置电压调整单元的输出回路同样采用等比例的运放模式，由MCU控制单元灵活设置不同的偏置电压，以适应不同的PD偏压方式。
（4）本发明为了适应多通道PD的测试需求，采用通道复用切换单元的方式，通过GPIO口切换PD通道，而采样检测采用一路通道，既实现了电路采样的一致性，又省去了频繁拆装PD的操作，在不拆装PD和LD的情况下，对PD电流进行测试，避免了光器件产品外观及性能损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明电路模块框图；
图2为本发明电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性，或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。另外，术语“相连”、“连接”等可以是元件之间直接相连，也可以是经由其他元件的间接相连。
实施例1：
本发明通过下述技术方案实现，如图1所示，一种光器件多通道背光探测器的测试电路，用于测试PD的光电流，所述电路包括MCU控制单元、偏置电压调整单元、I/V转换单元、检出单元、校正等效负载、通道复用切换单元。本方案目的是对PD的暗电流、光电流进行测试，暗电流是指PD对应的LD不工作时，流经PD的电流；光电流是指PD对应的LD工作时，流经PD的电流。通常来说，PD的暗电流非常微小，在pA~nA级之间，要检测暗电流则需要极高的增益；PD的光电流相对较大，在uA~mA级之间，要检测光电流需要的增益则较小。本方案提出的电路不仅可以在不拆装PD和LD的情况下，对PD的暗电流、光电流进行测试；还能通过测试前的校正，使测试时得到的PD电流更加准确，从而根据PD电流判断PD的性能。
在校正时，所述MCU控制单元通过DAC口向偏置电压调整单元输出可调整的模拟电压，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压，并将偏置电压分别传输至I/V转换单元和检出单元；MCU控制单元通过GPIO口控制校正等效负载接入电路，推算出理论电流值；I/V转换单元对偏置电压进行等效增益后，将得到的电压输出至检出单元，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压和I/V转换单元输出的电压做差分运算，将得到的电压传输至MCU控制单元的ADC口；MCU控制单元根据检出单元输出的电压转换得到实际电流值，将理论电流值减去实际电流值，得到补偿值。
在测试时，所述MCU控制单元通过DAC口向偏置电压调整单元输出可调整的模拟电压，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压，并将偏置电压分别传输至I/V转换单元和检出单元；MCU控制单元通过GPIO口控制校正等效负载不接入电路，同时通过GPIO口控制需要被测试的PD接入电路；MCU控制单元通过IIC口调整I/V转换单元合适的等效增益，I/V转换单元对偏置电压进行等效增益后，将得到的电压输出至检出单元，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压和I/V转换单元输出的电压做差分运算，将得到的电压传输至MCU控制单元的ADC口；MCU控制单元根据检出单元输出的电压转换得到流经PD的电流值，将该电流值加上补偿值，得到最终的PD电流值。
详细来说，请参见图2，所述偏置电压调整单元包括第一运算放大器U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3；所述第一电阻R1的第一端与MCU控制单元的DAC口连接，用于接入MCU控制单元输出的电压信号V_DAC（模拟电压），第一电阻R1的第二端分别与第一电容C1的第一端、第一运算放大器U1的正向输入端连接，第一电容C1的第二端接地；第一运算放大器U1的反向输入端分别与第二电阻R2的第一端、第三电阻R3的第一端连接，第二电阻R2的第二端接地，第三电阻R3的第二端与第一运算放大器U1的输出端连接，第一运算放大器U1的输出端与I/V转换单元的输入端连接。第二电容C2、第三电容C3为第一运算放大器U1的供电电源退耦电容。第一电阻R1、第一电容C1构成低通滤波电路，对电压信号V_DAC滤波。
所述I/V转换单元包括第二运算放大器U2、第四电阻R4、等效电阻R5、第四电容C4、第五电容C5；所述第四电阻R4的第一端与第一运算放大器U1的输出端连接，第四电阻R4的第二端分别与第二运算放大器U2的正向输入端、检出单元的输入端连接；第二运算放大器U2的反向输入端分别与等效电阻R5的第二端、校正等效负载、通道复用切换单元连接；第二运算放大器U2的输出端分别与等效电阻R5的第一端、检出单元的输入端连接。第四电容C4、第五电容C5为第二运算放大器U2的供电电源退耦电容。
所述检出单元包括差分运算放大器U3、第六电阻R6、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8；所述差分运算放大器U3的正向输入端与第二运算放大器U2的输出端连接，反向输入端与第四电阻R4的第二端连接，输出端与第六电阻R6的第一端连接，第六电阻R6的第二端分别与第八电容C8的第一端、MCU控制单元的ADC口连接，第八电容C8的第二端接地。第六电容C6、第七电容C7为差分运算放大器U3的供电电源退耦电容。第六电阻R6、第八电容C8构成低通滤波电路，为MCU控制单元的ADC口提供稳定的被采样电压。
所述校正等效负载包括至少一路校正回路，每路校正回路包括一个校正开关、一个电阻，校正开关的第一端与第二运算放大器U2的反向输入端连接，校正开关的第二端与电阻的第一端连接，电阻的第二端接地。当有多路校正回路时，各路中的电阻阻值均不相等。MCU控制单元通过GPIO口控制校正回路中校正开关的通断使校正回路接入电路，且每次仅有一路校正回路接入电路。
若电路需要对N通道PD进行测试，则所述通道复用切换单元包括N个测试开关，一个测试开关与一个通道的PD一一对应连接，测试开关的第一端与第二运算放大器U2的反向输入端连接，测试开关的第二端与PD的阴极连接，PD的阳极接地。MCU控制单元通过GPIO口控制测试开关的通断使需要被测试的PD接入电路，且每次仅有一个PD接入电路。
作为本实施例的举例，请参见图2，所述校正等效负载包括三路校正回路，第一路校正回路为串联的校正开关K1B、电阻R11，第二路校正回路为串联的校正开关K2B、电阻R12，第三路校正回路为串联的校正开关K2C、电阻R13。电路对4通道PD进行测试，所述通道复用切换单元包括4个测试开关，测试开关K1A与PD1串联，测试开关K2A与PD2串联，测试开关K3A与PD3串联，测试开关K4A与PD4串联。
本电路工作原理分为校正阶段和测试阶段，设定MCU控制单元的DAC口输出的电压信号V_DAC的电压为V1，第一运算放大器U1的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，第一运算放大器U1工作在同相比例放大状态，流经第二电阻R2和第三电阻R3的电流I1相同。设定第二运算放大器U2的正向输入端电压为V4，反向输入端电压为V6，输出端电压为V5，流经等效电阻R5和PD的电流I2相同。设定差分运算放大器U3的正向输入端电压为V5，反向输入端电压为V4，输出端电压为V7。设定阻值R11=50MΩ，R12=500kΩ，R13=500Ω。
（一）校正阶段
流经第二电阻R2和第三电阻R3的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1。
比如当K1=1，V1=2.5V时，则V4=5V，可见，通过MCU控制单元输出不同大小的V_DAC（即V1），即可获得等比例放大的偏置电压V4，实现偏置电压可调整。
流经等效电阻R5的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
比如V1=2.5V，K1=1，则V6=V4=5V，PD的阳极接地，阴极接V6，所以PD工作在5V的反向偏置状态。根据I2=(V5-V4)/R5，得到V5=V4+I2*R5，设R5的数值为K2，则V5=V4+I2*K2。可以看出，V5与I2成比例，当V1固定后，V4也固定，则V5的大小只随I2的变化而变化。
MCU控制单元通过GPIO口控制校正开关K1B闭合，其余校正开关、测试开关均断开，推算流经电阻R11的电流I2R11为：I2R11=V6/R11，若V6=V4=5V，则I2R11=100nA，此为纳安等级的理论电流值。
MCU控制单元通过GPIO口控制校正开关K2B闭合，其余校正开关、测试开关均断开，推算流经电阻R12的电流I2R12为：I2R12=V6/R12，若V6=V4=5V，则I2R12=10uA，此为微安等级的理论电流值。
MCU控制单元通过GPIO口控制校正开关K3B闭合，其余校正开关、测试开关均断开，推算流经电阻R13的电流I2R13为：I2R13=V6/R13，若V6=V4=5V，则I2R13=10mA，此为毫安等级的理论电流值。
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2。MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，此为实际电流值。因校正等效负载接入3次校正回路，依次得到3个理论电流值，则MCU控制单元也会依次得到3个实际电流值，将理论电流值减去对应的实际电流值，则会得到3个补偿值，分别为纳安等级的补偿值，微安等级的补偿值，毫安等级的补偿值。
（二）测试阶段
以PD1的暗电流、光电流测试作为举例，其余PD测试原理相同，不再赘述。MCU控制单元控制测试开关K1A闭合，其余校正开关、测试开关均断开。因V7=I2*K2，可见选择合适的K2数值时，V7的大小只与I2有关，I2即为流经PD1的电流I_ADC。且MCU控制单元的ADC口所接收的电压信号有一个可接收的范围，比如在Vlow～Vhigh之间，Vlow为MCU控制单元的ADC口可接收的最小电压值，Vhigh为MCU控制单元的ADC口可接收的最大电压值，则V7需要在[Vlow,Vhigh]范围内，才能被MCU控制单元有效接收。
当PD1对应的LD1不工作时，流经PD1的暗电流I_ADC非常微小，使得V7可能低于Vlow，因此通过MCU控制单元的IIC口调整等效电阻R5的阻值，使K2增大，从而使V7在[Vlow,Vhigh]范围内。也可以进一步增大K2，使测试暗电流I_ADC的精度提高。
当PD1对应的LD1工作时，流经PD1的光电流I_ADC较大，使得V7可能高于Vhigh，因此通过MCU控制单元的IIC口调整等效电阻R5的阻值，使K2减小，从而使V7在[Vlow,Vhigh]范围内。但为了不降低测试光电流I_ADC的精度，不必调整K2过小。
比如，因有I2=(V5-V6)/K2，当K2=1kΩ时，I2=1mA，则V7=1mA*1k=1V；当K2=1MΩ时，I2=2uA，则V7=2uA*1M=2V；当K2=10MΩ时，I2=250nA，则V7=250nA*10M=2.5V。所以，K2的增益调整可以实现不同范围内电流检出功能，使得检出单元输出的电压V7在MCU控制单元所能接收的范围[Vlow,Vhigh]内。
MCU控制单元根据V7和K2计算得到I_ADC（即I2），若I_ADC在纳安等级，则I_ADC加上纳安等级的补偿值，即为最终的PD电流；若I_ADC在微安等级，则I_ADC加上微安等级的补偿值，即为最终的PD电流；若I_ADC在毫安等级，则I_ADC加上毫安等级的补偿值，即为最终的PD电流。
综上所述，一方面，在校正阶段，通过接入校正等效负载，推算出理论电流值，再与获得的实际电流值作比较，得到补偿值；在测试阶段，通过获取接入的PD电流，将其加上补偿值，得到最终流经PD的电流值，使得对PD电流的测试更加准确。也可以设置更多校正回路，得到多种等级下的补偿值，在测试阶段获取的PD电流接近哪个理论电流值，就使用对应的补偿值对PD电流进行补偿。
另一方面，在测试阶段，通过调整等效电阻R5的阻值，实现不同范围内电流检出功能，提升电流检出精度。
基于上述电路，本发明还提出一种光器件多通道背光探测器的测试方法，包括以下步骤：
步骤1，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值，并与电路获得的实际电流值做差，得到补偿值。
所述步骤1具体包括以下步骤：
步骤1-1，MCU控制器通过IIC口设置等效电阻R5的阻值为K2。
步骤1-2，MCU控制器向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元。
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器U1的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器U1反向输入端的第二电阻R2、第三电阻R3的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1。通过MCU控制单元输出不同大小的V_DAC（即V1），即可获得等比例放大的偏置电压V4，实现偏置电压可调整。
步骤1-3，MCU控制单元控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值。
MCU控制单元通过GPIO口控制校正开关K1B闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经电阻R11的电流I2R11=V6/R11，此为微安等级的理论电流值。
步骤1-4，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元。
流经等效电阻R5的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5。
步骤1-5，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到实际电流值I2。
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2。
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，此为实际电流值。
步骤1-6，MCU控制单元将理论电流值与实际电流值做差，得到补偿值。
MCU控制单元将理论电流值I2R11与实际电流值I2做差，得到补偿值IoffsetR11=I2R11-I2。
在步骤1-6的更进一步方案中，步骤1-6结束后，返回步骤1-1，改变等效电阻R5的阻值K2，继续执行步骤1-2至步骤1-6，将得到的补偿值记入电阻R11对应电流等级下的补偿值数组中。经过设置多次等效电阻R5的阻值K2，得到电阻R11对应电流等级下多个补偿值构成的数组，将数组中最大值、最小值剔除，求取数组平均值作为电阻R11对应电流等级下最终的补偿值IoffsetR11，通过多次量化，以此来提高补偿值的准确度。
步骤1-7，重复步骤1-3至步骤1-6，得到多种电流等级下的补偿值。
返回步骤1-3，MCU控制单元通过GPIO口控制另一校正开关闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经校正回路的电流，继续执行步骤1-4至步骤1-6，得到不同电流等级下的补偿值。比如最终得到了纳安等级下的补偿值IoffsetR11，微安等级下的补偿值IoffsetR12，毫安等级下的补偿值IoffsetR13。
步骤2，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载与电路断开，控制需要被测试的背光探测器接入电路，调整等效电阻的阻值，使MCU控制单元能够接收到电路的电压，从而计算出背光探测器的电流值，使用补偿值对背光探测器的电流值进行补偿，得到最终的背光探测器电流值。
所述步骤2具体包括以下步骤：
步骤2-1，MCU控制单元向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元。
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器U1的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器U1反向输入端的第二电阻R2、第三电阻R3的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1。
通过MCU控制单元输出不同大小的V_DAC（即V1），即可获得等比例放大的偏置电压V4，实现偏置电压可调整。
步骤2-2，MCU控制单元控制被测试PD接入电路。
如需对PD1的电流进行测试时，MCU控制单元通过GPIO口控制测试开关K1A闭合，其余测试开关、校正开关均断开。
步骤2-3，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元。
流经等效电阻R5和PD1的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5。
步骤2-4，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到流经PD1的电流值I_ADC。
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2。
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，I2为流经PD1的电流值I_ADC。
在步骤2-4的更进一步方案中，若电压V7不在MCU控制单元的ADC口可接收的电压范围[Vlow,Vhigh]内，则MCU控制单元通过IIC口调整等效电阻R5的阻值K2，使得V7在[Vlow,Vhigh]范围内。
步骤2-5，MCU控制器将PD1的电流值与对应电流等级下的补偿值相结合，得到最终的PD1电流值。
比如PD1对应的LD1不工作时，流经PD1的暗电流在pA~nA等级之间，则选择与PD1电流值等级最相近的补偿值相结合，得到最终的PD1电流值I_ADC`：
I_ADC`=I_ADC+Ioffset。
实施例2：
本实施例在实施例1的基础上进行实验，通过调整数值K1、K2，得到不同的补偿值。
表1 V_DAC=2.5V，K1=1，K2=10000000时，电路的参数表
表2 V_DAC=2.5V，K1=1，K2=10000时，电路的参数表
表3 V_DAC=2.5V，K1=1，K2=100时，电路的参数表
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.光器件多通道背光探测器的测试电路，用于对背光探测器进行测试，其特征在于：包括：
MCU控制单元，用于向偏置电压调整单元输出可调整的模拟电压；用于控制I/V转换单元的等效增益；用于控制校正等效负载接入或不接入电路；用于控制通道复用切换单元的通断，使背光探测器接入或不接入电路；用于根据检出单元输出的电压计算电流值；
偏置电压调整单元，用于对模拟电压进行放大后分别传输至I/V转换单元和检出单元；
I/V转换单元，用于对偏置电压进行等效增益后，将得到的电压输出至检出单元；
检出单元，用于对偏置电压调整单元输出的偏置电压和I/V转换单元输出的电压做差分运算，将得到的电压传输至MCU控制单元；
校正等效负载，在接入电路时用于对检出单元输出的电压进行补偿；
通道复用切换单元，用于接入或断开背光探测器。
2.根据权利要求1所述的光器件多通道背光探测器的测试电路，其特征在于：所述偏置电压调整单元包括包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容；所述第一电阻的第一端与MCU控制单元的DAC口连接，用于接入MCU控制单元输出的电压信号V_DAC，第一电阻的第二端分别与第一电容的第一端、第一运算放大器的正向输入端连接，第一电容的第二端接地；第一运算放大器的反向输入端分别与第二电阻的第一端、第三电阻的第一端连接，第二电阻的第二端接地，第三电阻的第二端与第一运算放大器的输出端连接，第一运算放大器的输出端与I/V转换单元的输入端连接。
3.根据权利要求2所述的光器件多通道背光探测器的测试电路，其特征在于：所述I/V转换单元包括第二运算放大器、第四电阻、等效电阻；所述第四电阻的第一端与第一运算放大器的输出端连接，第四电阻的第二端分别与第二运算放大器的正向输入端、检出单元的输入端连接；第二运算放大器的反向输入端分别与等效电阻的第二端、校正等效负载、通道复用切换单元连接；第二运算放大器的输出端分别与等效电阻的第一端、检出单元的输入端连接。
4.根据权利要求3所述的光器件多通道背光探测器的测试电路，其特征在于：所述检出单元包括差分运算放大器、第六电阻、第八电容；所述差分运算放大器的正向输入端与第二运算放大器的输出端连接，反向输入端与第四电阻的第二端连接，输出端与第六电阻的第一端连接，第六电阻的第二端分别与第八电容的第一端、MCU控制单元的ADC口连接，第八电容的第二端接地。
5.根据权利要求3所述的光器件多通道背光探测器的测试电路，其特征在于：所述校正等效负载包括至少一路校正回路，每路校正回路包括一个校正开关、一个电阻，校正开关的第一端与第二运算放大器的反向输入端连接，校正开关的第二端与电阻的第一端连接，电阻的第二端接地；
当有多路校正回路时，各路中的电阻阻值均不相等；MCU控制单元通过GPIO口控制校正回路中校正开关的通断使校正回路接入电路，且每次仅有一路校正回路接入电路。
6.光器件多通道背光探测器的测试方法，基于权利要求1-5任一项所述的光器件多通道背光探测器的测试电路实现，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值，并与电路获得的实际电流值做差，得到补偿值；
步骤2，MCU控制单元向电路输出模拟电压，控制校正等效负载与电路断开，控制需要被测试的背光探测器接入电路，调整等效电阻的阻值，使MCU控制单元能够接收到电路的电压，从而计算出背光探测器的电流值，使用补偿值对背光探测器的电流值进行补偿，得到最终的背光探测器电流值。
7.根据权利要求6所述的光器件多通道背光探测器的测试方法，其特征在于：所述步骤1具体包括以下步骤：
步骤1-1，MCU控制器通过IIC口设置等效电阻的阻值为K2；
步骤1-2，MCU控制器向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元；
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器U1反向输入端的第二电阻、第三电阻的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
其中，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1；
步骤1-3，MCU控制单元控制校正等效负载接入电路，推算理论电流值；
MCU控制单元通过GPIO口控制一个校正开关闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经该校正开关所在校正回路的电流，此为该校正回路对应电流等级的理论电流值；
步骤1-4，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元；
流经等效电阻的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5；其中R5为等效电阻的阻值；
步骤1-5，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到实际电流值I2；
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2；
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，此为实际电流值；
步骤1-6，MCU控制单元将理论电流值与实际电流值做差，得到补偿值；
步骤1-7，重复步骤1-3至步骤1-6，得到多种电流等级下的补偿值；
返回步骤1-3，MCU控制单元通过GPIO口控制另一校正开关闭合，其余校正开关、测试开关断开，推算流经校正回路的电流，继续执行步骤1-4至步骤1-6，得到不同电流等级下的补偿值。
8.根据权利要求7所述的光器件多通道背光探测器的测试方法，其特征在于：所述步骤1-6具体为：
步骤1-6结束后，返回步骤1-1，改变等效电阻的阻值K2，继续执行步骤1-2至步骤1-6，将得到的补偿值记入该校正回路对应电流等级下的补偿值数组中；经过设置多次等效电阻的阻值K2，得到该校正回路对应电流等级下多个补偿值构成的数组，将数组中最大值、最小值剔除，求取数组平均值作为该校正回路对应电流等级下最终的补偿值。
9.根据权利要求7所述的光器件多通道背光探测器的测试方法，其特征在于：所述步骤2具体包括以下步骤：
步骤2-1，MCU控制单元向偏置电压调整单元输出模拟电压V_DAC，经偏置电压调整单元放大后得到偏置电压V4，偏置电压调整单元将偏置电压V4分别传输至I/V转换单元和检出单元；
模拟电压V_DAC的电压为V1，偏置电压调整单元的第一运算放大器U1的正向输入端电压为V2，反向输入端电压为V3，输出端电压为V4，流经连接在第一运算放大器反向输入端的第二电阻、第三电阻的电流I1为：
I1=V4/(R2+R3)；
I1=V3/R2；
其中，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值；
根据运放特性，有V2=V3=V1，因此：
I1=V4/(R2+R3)=V3/R2=V1/R2；
即V4=(1+R3/R2)*V1；
设置比值R3/R2为K1，则V4=(K1+1)*V1；
步骤2-2，MCU控制单元控制被测试的背光探测器接入电路；
步骤2-3，I/V转换单元对偏置电压V4进行等效增益后，将得到的电压V5输出至检出单元；
流经等效电阻和背光探测器的电流I2为：
I2=(V5-V6)R5=(V5-V4)/R5；
得到V5=V4+I2*R5；其中R5为等效电阻的阻值；
步骤2-4，检出单元对偏置电压调整单元输出的偏置电压V4和I/V转换单元输出的电压V5进行差分运算，将得到的电压V7传输至MCU控制单元的ADC口，得到流经背光探测器的电流值I_ADC；
根据差分运放特性，有V7=V5-V4，因V4=V6，所以V7=V5-V6；
因I2=(V5-V6)/K2，得到I2=V7/K2，V7=I2*K2；
MCU控制单元的ADC口根据接收到的V7获得电流I2=V7/K2，I2为流经背光探测器的电流值I_ADC；
步骤2-5，MCU控制器将背光探测器的电流值与对应电流等级下的补偿值相结合，得到最终的背光探测器电流值。
10.根据权利要求9所述的光器件多通道背光探测器的测试方法，其特征在于：所述步骤2-4具体为：若电压V7不在MCU控制单元的ADC口可接收的电压范围[Vlow,Vhigh]内，Vlow为MCU控制单元的ADC口可接收的最小电压值，Vhigh为MCU控制单元的ADC口可接收的最大电压值，则MCU控制单元通过IIC口调整等效电阻的阻值K2，使得V7在[Vlow,Vhigh]范围内。
CN202311788504.XA 2023-12-25 2023-12-25 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法 Active CN117452059B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311788504.XA CN117452059B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311788504.XA CN117452059B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117452059A true CN117452059A (zh) 2024-01-26
CN117452059B CN117452059B (zh) 2024-02-27

Family

ID=89580280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311788504.XA Active CN117452059B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117452059B (zh)

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009266297A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sony Corp フォトディテクタ回路及びそれを備えた光ディスク装置
JP2012089564A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Hitachi Ltd 光通信モジュールおよび光通信装置
WO2014097747A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 株式会社村田製作所 微弱電流測定装置
WO2016028043A1 (ko) * 2014-08-18 2016-02-25 (주)포인트텍 동기식 다채널 발광 다이오드 구동 장치
CN206132831U (zh) * 2016-09-21 2017-04-26 深圳新飞通光电子技术有限公司 光探测器高端电流检测电路
CN107271034A (zh) * 2017-07-14 2017-10-20 成都光创联科技有限公司 一种单通道pd监控多通道激光器ld光功率的系统及方法
CN110849476A (zh) * 2019-11-19 2020-02-28 北京无线电计量测试研究所 一种高精度宽带平衡光电探测方法和装置
CN211478919U (zh) * 2020-02-25 2020-09-11 深圳市迅特通信技术有限公司 一种光模块测试装置
CN112000163A (zh) * 2020-08-17 2020-11-27 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种光电探测器的偏压供电电路
CN112859035A (zh) * 2021-01-13 2021-05-28 武汉大学 一种高动态范围多卫星兼容有源激光探测器
CN213689760U (zh) * 2020-08-27 2021-07-13 深圳市安拓森仪器仪表有限公司 一种多通道的微安电流测量电路
CN113375796A (zh) * 2021-05-11 2021-09-10 西安电子科技大学 一种面向线性apd阵列非均匀性的自适应校正电路
CN113708842A (zh) * 2021-07-19 2021-11-26 武汉联特科技股份有限公司 一种光模块快速调试方法、装置及系统
CN114062831A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 适用于单光子探测器的故障自检测方法及装置
CN114414876A (zh) * 2021-12-24 2022-04-29 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 半导体光源模块、多通道半导体光源模块及补偿方法
CN114895130A (zh) * 2022-05-24 2022-08-12 辽宁优迅科技有限公司 一种光器件多通道间背光串扰率的测试系统及方法
CN115684696A (zh) * 2022-10-31 2023-02-03 深圳数马电子技术有限公司 电流检测电路
CN115753022A (zh) * 2022-11-18 2023-03-07 成都光创联科技有限公司 光器件性能的测试系统及测试方法
CN115979417A (zh) * 2023-02-15 2023-04-18 成都光创联科技有限公司 一种光器件的过流动态保护电路、光功率检测方法
CN116482433A (zh) * 2023-04-19 2023-07-25 吉林大学 一种光电探测器的电流检测装置及方法
CN117054796A (zh) * 2023-10-11 2023-11-14 成都光创联科技有限公司 一种光器件测试电路与方法

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009266297A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sony Corp フォトディテクタ回路及びそれを備えた光ディスク装置
JP2012089564A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Hitachi Ltd 光通信モジュールおよび光通信装置
WO2014097747A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 株式会社村田製作所 微弱電流測定装置
WO2016028043A1 (ko) * 2014-08-18 2016-02-25 (주)포인트텍 동기식 다채널 발광 다이오드 구동 장치
CN206132831U (zh) * 2016-09-21 2017-04-26 深圳新飞通光电子技术有限公司 光探测器高端电流检测电路
CN107271034A (zh) * 2017-07-14 2017-10-20 成都光创联科技有限公司 一种单通道pd监控多通道激光器ld光功率的系统及方法
CN110849476A (zh) * 2019-11-19 2020-02-28 北京无线电计量测试研究所 一种高精度宽带平衡光电探测方法和装置
CN211478919U (zh) * 2020-02-25 2020-09-11 深圳市迅特通信技术有限公司 一种光模块测试装置
CN112000163A (zh) * 2020-08-17 2020-11-27 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种光电探测器的偏压供电电路
CN213689760U (zh) * 2020-08-27 2021-07-13 深圳市安拓森仪器仪表有限公司 一种多通道的微安电流测量电路
CN112859035A (zh) * 2021-01-13 2021-05-28 武汉大学 一种高动态范围多卫星兼容有源激光探测器
CN113375796A (zh) * 2021-05-11 2021-09-10 西安电子科技大学 一种面向线性apd阵列非均匀性的自适应校正电路
CN113708842A (zh) * 2021-07-19 2021-11-26 武汉联特科技股份有限公司 一种光模块快速调试方法、装置及系统
CN114414876A (zh) * 2021-12-24 2022-04-29 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 半导体光源模块、多通道半导体光源模块及补偿方法
CN114062831A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 适用于单光子探测器的故障自检测方法及装置
CN114895130A (zh) * 2022-05-24 2022-08-12 辽宁优迅科技有限公司 一种光器件多通道间背光串扰率的测试系统及方法
CN115684696A (zh) * 2022-10-31 2023-02-03 深圳数马电子技术有限公司 电流检测电路
CN115753022A (zh) * 2022-11-18 2023-03-07 成都光创联科技有限公司 光器件性能的测试系统及测试方法
CN115979417A (zh) * 2023-02-15 2023-04-18 成都光创联科技有限公司 一种光器件的过流动态保护电路、光功率检测方法
CN116482433A (zh) * 2023-04-19 2023-07-25 吉林大学 一种光电探测器的电流检测装置及方法
CN117054796A (zh) * 2023-10-11 2023-11-14 成都光创联科技有限公司 一种光器件测试电路与方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨红伟: "雪崩光电二极管芯片自动测试系统", 《半导体器件》, vol. 40, no. 6, 30 June 2015 (2015-06-30), pages 473 - 477 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN117452059B (zh) 2024-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7912380B2 (en) Optical receiver
CN101688889B (zh) 带波峰因数测量的rf检测器
EP1881600A2 (en) DC offset cancellation for a trans-impedance amplifier
Orozco Programmable-gain transimpedance amplifiers maximize dynamic range in spectroscopy systems
JP5630325B2 (ja) 利得可変差動増幅回路
JP2012235376A (ja) 電子回路及び光受光回路
CN101807885A (zh) 跨阻放大器的输出信号控制方法及电路
CN110849476A (zh) 一种高精度宽带平衡光电探测方法和装置
CN101895336A (zh) 监视电路、监视信号输出方法以及光接收器
US20110293293A1 (en) Trans-impedance amplifier with variable bandwidth and digital coherent optical receiver installing the same
CN201476877U (zh) 一种用于亮度测量的电路及亮度测量装置
CN117452059B (zh) 光器件多通道背光探测器的测试电路和方法
CN109039473B (zh) 高速光接收机的前端电路及其低噪声处理方法
CN110855370B (zh) 一种基于stm32处理器的mz调制器阵列偏压控制系统
CN113329278B (zh) 一种光源通道切换模块、功率调节装置及功率定标方法
US8174759B2 (en) Apparatus for gain control in optical amplifiers
CN110677134A (zh) 一种自适应带宽调整电路
CN116155374A (zh) 一种基于pid算法的光模块soa输入输出光功率监控方法
CN106341189B (zh) 光模块
CN111835429B (zh) 一种光模块、光模块的发送光功率校正方法及控制器
CN216390921U (zh) 功率放大器
CN103235629B (zh) 实现输出功率自动调节控制电路结构及其方法
CN212965147U (zh) 一种电压模拟量信号隔离差分采集电路结构
CN117420479B (zh) 共阴光器件背光探测器负偏置电流测试电路
CN111600659B (zh) 一种光接收电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant