CN117439563A - 一种射频器件、通信设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种射频器件、通信设备及其制造方法，射频器件包括：第一衬底，所述第一衬底中包括第一区域和第二区域；第一区域中形成有第一类型谐振器，第二区域中形成有第二类型谐振器；第一类型谐振器包括第一声波反射区域、第一下电极层、第一压电层和第一上电极层；第二类型谐振器包括第二声波反射区域、第二下电极层、第二压电层和第二上电极层，以及对第二下电极层进行电性连接的第一键合层和第二键合层；其中第一压电层和第二压电层的材料不同，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。

Description

一种射频器件、通信设备及其制造方法

技术领域

本公开涉及一种射频器件、通信设备及其制造方法，更具体而言，涉及一种包括不同压电材料的射频器件、通信设备及其制造方法。

背景技术

压电材料可以应用于多种场景中。示例性的，压电材料可以应用于带阻滤波器、带阻滤波器、双工器、多工器、提取器、复用器、换能器等传感器器件。当同一器件中包括多个压电材料组成的元件时，通常其压电材料的种类和压电材料的厚度都保持一致。将压电材料的种类和厚度都保持一致的好处一方面在于器件的制备工艺相对简单且容易实现，另一方面在于可以确保压电材料晶体学质量。虽然在现有工艺中可以通过剥离工艺或刻蚀的方式来增加或减小压电材料的膜层厚度，但一般需要通过光刻胶来形成特定的图形，会造成一些界面的污染和缺陷，进而影响器件的良率。此外将压电材料的种类和厚度都保持一致也是基于现有工艺流程中在同一晶圆衬底上制备不同种类或不同厚度的压电材料而不破坏压电材料晶体学质量的情况相对比较困难，从而被迫作出的无奈之举。

随着无线通信系统的不断发展，通信设备需要集成的通信标准日趋增多，相应的频带数目增加，频带间隔变短，为满足多频率、多模式的应用需求，需要在通信设备中集成大量窄通带、小体积的高性能滤波器组合。压电材料可以在滤波器中形成压电谐振器。压电谐振器可分为声表面波谐振器、体声波谐振器、兰姆波谐振器、等多种类型。为了优化滤波器的滤波效果，通常会采用优化谐振器包括压电响应、机电耦合系数、品质因数、寄生参数等参数的方式来实现对谐振器的性能调控。也可以采用不同框架结构以形成各谐振器相应的边界结构的方式来实现对谐振器的性能调控。然而通过谐振器的边界结构来优化滤波器滤波效果的可调控空间有限。本领域技术人员希望通过制造具有不同性能响应的谐振器，来达到提升如滤波器的插入损耗、边缘滚降及带外抑制等方面的器件性能，而通过调整压电材料性质以提高可调控空间。为匹配多频率、多模式的应用需求，现有技术中调整压电材料的方式是采用不同的压电材料来构成谐振器，但这样会导致在不同硅片上制造不同的谐振器，再将多个硅片通过封装技术构成滤波器，然而该方式将导致滤波器的器件尺寸过大，不利于小型化。

发明内容

本公开针对上述技术问题，提供了一种包括多种压电材料或多种压电材料厚度构成的射频器件及其制备工艺，以及包括该射频器件的通信设备。

在下文中将给出关于本公开内容的简要概述，以便提供关于本公开内容某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本公开内容的穷举性概述。它并不是意图确定本公开内容的关键或重要部分，也不是意图限定本公开内容的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本公开内容的一方面提供一种滤波器的制造方法，包括：提供第一衬底，在第一衬底的第二区域上形成第一键合层；在第一衬底的第一区域上形成第一类型谐振器的第一下电极层和第一压电层；提供第二衬底，在第二衬底上与第一衬底的第二区域相对应的区域形成第二类型谐振器的第二压电层、第二下电极层和第二键合层；其中第一压电层的材料不同于第二压电层的材料；将第一键合层和第二键合层进行键合，并去除第二衬底；在第一区域形成第一类型谐振器的第一上电极层，在第二区域形成第二类型谐振器的第二上电极层；在第一衬底的第一区域处形成第一类型谐振器的第一声波反射区域，在第一衬底的第二区域处形成第二类型谐振器的第二声波反射区域，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。

进一步的，形成第一上电极层和第二上电极层之前，在第一衬底上沉积绝缘层以覆盖第一衬底，平坦化所述绝缘层，然后图案化所述绝缘层以暴露出第一压电层、第二压电层和部分的第一下电极层。

进一步的，所述第一声波反射区域通过在第一衬底的第一区域处蚀刻第一衬底形成。

进一步的，所述第二声波反射区域通过在第一衬底的第二区域处通过蚀刻第一衬底和部分的第一键合层和第二键合层形成。

进一步的，第二键合层在第二衬底的上表面与第一衬底的上表面相对时，至少部分与第一键合层接触。

进一步的，第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。

进一步的，第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。

本公开内容的另一方面提供一种射频器件，包括：第一衬底，所述第一衬底中包括第一区域和第二区域；第一区域中形成有第一类型谐振器，第二区域中形成有第二类型谐振器；第一类型谐振器包括第一声波反射区域、第一下电极层、第一压电层和第一上电极层；第二类型谐振器包括第二声波反射区域、第二下电极层、第二压电层和第二上电极层，以及对第二下电极层进行电性连接的第一键合层和第二键合层；其中第一压电层和第二压电层的材料不同，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。

进一步的，所述第一声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面。

进一步的，所述第二声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面，第一键合层的上下表面和第二键合层的上下表面。

进一步的，第二键合层至少部分与第一键合层接触。

进一步的，第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。

进一步的，第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。

进一步的，第二类型谐振器具有比第一类型谐振器更高的品质因数和更高的功率承受能力。

本公开内容的另一方面提供一种通信设备，其包括前述的射频器件。

本公开内容的方案至少能有助于实现如下效果之一：具有灵活的工艺自由度、能有效提高产品良率、匹配多频率、多模式的应用需求以及适应器件小型化的发展。

附图说明

参照附图下面说明本公开内容的具体内容，这将有助于更加容易理解本公开内容的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本公开内容的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。

图1a示出比对例提供的滤波器的结构示意图；

图1b示出了本公开提供的滤波器的结构示意图；

图2-图13示出了根据本公开提供的滤波器结构的工艺流程的示意图。

具体实施方式

在下文中将结合附图对本公开内容的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实现本公开内容的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实现本公开内容的过程中可以做出很多特定于本公开内容的决定，以便实现开发人员的具体目标，并且这些决定可能会随着本公开内容的不同而有所改变。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本公开内容，在附图中仅仅示出了与根据本公开内容的方案密切相关的器件结构，而省略了与本公开内容关系不大的其他细节。

应理解的是，本公开内容并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本文中，在可行的情况下，不同实施方案之间的特征可替换或借用、以及在一个实施方案中可省略一个或多个特征。应理解的是，本公开内容的制造步骤在实施例中为示例性的，其顺序步骤可调。

为便于说明，本公开中以滤波器为例，对滤波器的结构和制作方法进行说明。本领域技术人员可以理解的是，本公开的方案不限于滤波器，本公开的方式还可以适用于双工器、多工器、提取器、复用器等包括谐振器元件的多种射频器件。

参见图1a，图1a示出比对例提供的滤波器的结构示意图。

如图1a所示，比对例滤波器的结构包括：衬底1000，在衬底1000中形成有多个谐振器X11，各谐振器X11包括由空气腔或布拉格反射层之类结构构成的声波反射区域R11，覆盖声波反射区域R11的下电极层2000。在下电极层2000上形成的压电层3000，在压电层3000上形成的上电极层4000。

制作时，提供一衬底1000，在衬底1000上沉积形成由空气腔或布拉格反射层之类结构构成的声波反射区域R11。然后沉积下电极材料层，图案化以形成覆盖声波反射区域R11的下电极层2000；沉积压电层3000，压电层3000覆盖下电极层2000，在压电层3000上沉积上电极层材料，图案化上电极层材料以形成上电极层4000。

比较例中压电层3000采用了相同的材料且为不破坏压电材料晶体学质量将其厚度设置为相同，因此为优化滤波器滤波效果，主要通过谐振器的边界结构来进行优化，可调空间有限。

请参阅图1b，图1b示出本公开提供的滤波器的结构示意图。如图1b所示，滤波器的结构包括：第一衬底100，在第一衬底100中包括第一区域A和第二区域B。第一区域A中形成有第一类型谐振器X1，第二区域B中形成有第二类型谐振器X2。第一类型谐振器X1中的压电层材料不同于第二类型谐振器X2的压电层材料。可以理解的是，第一类型谐振器X1和第二类型谐振器X2可以是相同类型的谐振器，也可以是不同类型的谐振器。第一类型谐振器X1包括由空气腔或布拉格反射层之类结构构成的第一声波反射区域R1，第一声波反射区域R1可以贯穿或者不贯穿第一衬底100的上下表面。图1b中示例性的示出两个第一类型谐振器X1，可以理解的是，滤波器结构中可以根据具体设计要求设置第一类型谐振器X1的数量。第二类型谐振器X2包括由空气腔结构构成的第二声波反射区域R2，第二声波反射区域R2贯穿第一衬底100的上下表面，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。图1示例性的示出两个第二类型谐振器X2。同样的，滤波器结构中可以根据具体设计要求设置第二类型谐振器X2的数量。

第一衬底100可以是例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、玻璃、蓝宝石、氧化铝_、SiC等与半导体工艺兼容的材料形成。空气腔可以通过刻蚀而形成；布拉格反射层由不同声阻抗薄膜堆叠而成。更优选的，布拉格反射层是由不同声阻抗薄膜且薄膜厚度控制在约1/4波长堆叠而成。

第一衬底100的第一区域A中的第一类型谐振器X1可以为体声波谐振器(FBAR)。体声波谐振器具有成本低，品质因数(Q)高、功率承受能力强、频率高且与IC技术兼容等特点。示例性的，第一类型谐振器X1可在5.15GHz–5.25GHz、5.25GHz–5.33GHz、5.49GHz–5.735GHz以及5.725GHz–5.835GHz等频带工作。

第一类型谐振器X1包括：第一声波反射区域R1，覆盖第一声波反射区域R1的第一下电极层200。第一下电极层200可以为单层或多层，第一下电极层200可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨(W)、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)，铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等半导体工艺兼容的各种金属。

在第一下电极层200上形成的第一压电层300，第一压电层300可以由例如氮化铝(AlN)、钛酸锶钡(BST)或锆酸钛酸盐(PZT)等与半导体工艺兼容且满足无线移动通信收发信号的带宽需求的材料构成。

以及设置在第一压电层300上的第一上电极层400，第一上电极层400可以为单层或多层。第一上电极层400可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨(W)、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)，铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等半导体工艺兼容的各种金属。第一上电极层400与第一下电极层200的材料可以相同或不同。

第一声波反射区域R1上方的第一上电极层400、第一压电层300和第一下电极层200重叠部分构成体声波谐振器的三明治结构。

可以理解的是，还可以根据具体的滤波器的设计需求，在特定第一类型谐振器的第一压电层300上设置有其他的如质量负载结构、框架结构等功能层。其中框架结构有利于反射横波，减弱或减低了谐振器由于横向模式引发的能量衰减等不利影响，改善谐振器的品质因数和减小谐振器寄生振荡造成的损耗。质量负载结构可设置在体声波谐振器的三明治结构的表面，质量负载结构能使得谐振频率偏移到规定值。

不同的第一类型谐振器X1之间还可以根据具体的设计，进行彼此之间的电性连接。如图1b中示出的两个第一类型谐振器X1的第一上电极300之间彼此相连。可以理解的是，也可以将图1b中第一衬底100第一区域A中的一第一类型谐振器X1的第一下电极200与另一第一类型谐振器X1的第一上电极400进行电性连接。

第一衬底100第二区域B中的第二类型谐振器X2可以为高纯度单晶体声波谐振器(XBAW)。XBAW谐振器可以具有比FBAR谐振器更高的品质因数，通带内的功率损耗较低，功率承受能力更高的优点。示例性的，XBAW滤波器可在5.925GHz–6.425GHz频带、6.425GHz–6.525GHz的频带、6.525GHz–6875GHz的频带以及6.875GHz–7.125GHz频带提供低插入损耗，并满足严格的抑制要求，能够与第一类型谐振器X1的工作频带共存，且满足相关通信标准中的功率要求。

第二类型谐振器X2包括：第二声波反射区域R2，第二下电极层201在第一衬底100上表面的投影能覆盖第二声波反射区域R2在第一衬底100上表面的投影。第二下电极层201可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨(W)、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)，铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等半导体工艺兼容的各种金属。第二下电极层201的材料可以与第一下电极层200的材料相同或不同。

在第二下电极层201上形成的第二压电层301，第二压电层301的压电材料层可选择单晶压电材料。示例性的，第二压电材料层可为采用掺杂剂替换部分Al原子的C轴取向的AlN单晶。更进一步的，第二压电材料层可以是AlxGa(1-x)N或者ScxAl(1-x)N，其中x小于1，大于0。

设置在第二压电层301上的第二上电极层401，第二上电极层401可以为单层或多层。第二上电极层401可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨(W)、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)，铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等半导体工艺兼容的各种金属。第一上电极层400与第二下电极层201的材料可以相同或不同。

进一步的，第二类型谐振器X2还包括第一键合层500和第二键合层501。第一键合层500和第二键合层501能用于作为第二类型谐振器X2的第二下电极层201电性连接的连接组件。且第二声波反射区域R2贯穿第一衬底100的上下表面的同时还贯穿了第一键合层500的上下表面以及第二键合层501的上下表面。

不同的第二类型谐振器X2之间还可以根据具体的设计要求，进行彼此之间的电性连接。以及第一类型谐振器X1和第二类型谐振器X2之间还可以根据具体的设计要求进行彼此之间的电性连接。如图1b中左侧示出可以将图1b中第一衬底100第一区域A中的一第一类型谐振器X1的第一下电极层200与第一衬底100第二区域B中的一个第二类型谐振器X2的第二上电极层401进行电性连接。或者如图1中右侧示出可以将一第一类型谐振器X1的第一下电极层200与一第二类型谐振器X2的第二下电极层201进行电性连接。

本公开提供的滤波器可以具有优良的压电材料晶体学质量，可以仅包括单一的衬底且在同一衬底中可以包括由不同种类的压电材料组成的不同种类的谐振器结构，可以提升在同一衬底上谐振器类型的自由度，为滤波器的设计提供最优解，能匹配多频率、多模式的应用需求，有助于减少器件空间，实现小型化。

基于本公开提供的滤波器结构，结合图1b，请参阅图2-图13，图2-图13示出根据本公开提供的滤波器结构的工艺流程的示意图，其中相同的附图标记表示相同的部件。

如图2所示，提供第一衬底100，第一衬底100材料的选择如前，在此不再赘述。第一衬底100主要起到支撑载体的作用，以Si衬底为例，其机械鲁棒性较好，可保证在加工和封装过程中比较坚固可靠。

在第一衬底100的上表面上沉积一键合材料层，示例性的，该键合材料层可以选择Au、Au-In或AlN。

图形化该键合材料层，在第一衬底100上的第二区域B处形成第一键合层500。应当理解的是，第一键合层500的材料不限于上述材料，具有可塑性好，在键合过程中容易实现键合的材料均可用于形成第一键合层500。

然后，如图3所示，在第一键合层500上沉积第一下电极材料层，第一下电极材料层可以为单层或多层，第一下电极材料层可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨(W、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)、铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等半导体工艺兼容的各种金属。

在第一下电极材料层上共形沉积形成第一压电材料层，第一压电层300材料层选择满足无线移动通信收发信号的带宽需求的材料即可。如前所述，优选考虑与半导体工艺兼容的材料例如钛酸锶钡(BST)或锆酸钛酸盐(PZT)或AlN等。

如图4a所示，同时图案化第一压电材料层和第一下电极材料层，以在第一衬底100的第一区域A处形成第一压电层300和第一下电极层200。可以理解的是，根据器件的具体需求，图形化时第一区域A处的第一压电层300可以形成为带有框架结构的第一压电层300和/或不带有框架结构的第一压电层300。同理，第一下电极层200可以形成带有框架结构的第一下电极层200和/或不带有框架结构的第一下电极层200。

请参阅图4b，图4b为图4a中椭圆框内的局部放大图。如图4b所示，带有框架结构的第一压电层300和第一下电极层200可以延伸至第一衬底100的第二区域B。其中第一压电层300和第一下电极层200在第一键合层500上形成的凸起共同构成框架结构的凸起结构。可以理解的是，可以仅在第一压电层300或第一下电极层200上形成凸起以构成框架结构。进一步可以理解的是，请参阅图4c，如图4c所示，也可以进一步在第一压电层300和/或第一下电极层200上形成凹陷CV，以构成框架结构的凹陷。凹陷CV例如可以如图4c所示设置在与凸起交界的第一压电层300中。图形化时第一区域A处的第一下电极层200可以延伸或不延伸至第一衬底100第二区域B的第一键合层500上。

示例性的，图4a中第一区域A处将形成多个第一类型的谐振器。第一类型的谐振器中的第一谐振器的第一压电层300可以形成为如图4a中右侧所示的带有框架结构形成谐振器的第一压电层300，第一类型的谐振器中的第二谐振器处的第一压电层300可以形成如图4a中左侧所示的不带框架结构的第一压电层300。可以理解的是，第一区域A处的谐振器的数量不限于两个，可以根据具体的滤波器件的需求而设定对应的谐振器的数量。图4a中右侧的第一底电极200延伸至第一衬底100第二区域B的第一键合层500上与第一键合层500直接连接，可以方便与后续形成的第二类型的谐振器的第二底电极进行电性连接，从而实现简化工艺的目的。

如图5所示，提供第二衬底101，第二衬底101的材料选择与第一衬底100的材料一致，或者第二衬底101可以选择价格上更为便宜或者性能上容易去除的衬底材料。在第二衬底101的上表面上依次沉积第二压电材料层和第二下电极材料层。第二压电材料层的材料优选不同于第一压电层的材料。第二压电材料层的选择如前所述，在此不再赘述。可以理解的是，第一下电极材料层的材料可以与第二下电极材料层的材料相同或不同。

如图6所示，在第二下电极材料层上沉积第二键合材料层，图案化第二键合材料层以形成第二键合层501。第二键合材料层的选择可与第一键合材料层的材料选择相同，在此不再赘述。第二键合层501形成在与第一衬底100的第二区域B相对应的区域，即第二键合层501在第二衬底101的上表面与第二衬底101的上表面相对时，应能至少部分与第一键合层500接触。

如图7所示，然后再图案化第二下电极材料层和第二压电材料层以形成第二下电极层201和第二压电层301。

如图8所示，将第二衬底101上表面上的第二键合层501与第一衬底100的上表面的第一键合层500相对。通过键合工艺，将第一衬底100和第二衬底101键合在一起。

然后如图9所示，去除第二衬底101，以将第二衬底101上的第二下电极层201和第二压电层301转移到第一衬底100上。

如图10所示，然后再在第一衬底100上共形沉积绝缘层600以覆盖第一衬底100。绝缘层600的材质可以选自氮化硅、二氧化硅等。化学机械研磨绝缘层以使得绝缘层的上表面平坦化。

如图11所示，图案化绝缘层，以暴露出第一压电层300、第二压电层301和部分的第一下电极层200。在此工艺步骤中，还可以进一步根据滤波器件的需求以在第一压电层300和第二压电层301的边界处形成有绝缘层材料构成的框架结构。

如图12所示，沉积上电极材料层，图案化上电极材料，从而在第一衬底100的第一区域A上形成第一上电极层400以和第一下电极层200、第一压电层300构成第一类型谐振器X1的三明治结构；在第一衬底100的第二区域B上形成第二下电极层201以和第二下电极层201、第二压电层301构成第二类型谐振器X2的三明治结构。按照器件的设计需求，通过图案化上电极材料步骤同时实现第一类型谐振器X1和第二类型谐振器X2的电性连接。

然后，如图13所示，从第一衬底100的背面进行蚀刻以在第一衬底100的第一区域A的第一类型谐振器X1处形成和第二区域B的第二类型谐振器X2处分别形成第一声波反射区域R1和第二声波反射区域R2，从而完成第一类型谐振器X1和第二类型谐振器X2的制备。

示例性的，如图13中所示，在第一衬底100的第一区域A处通过蚀刻第一衬底100形成贯通第一衬底100的空腔，从而在在第一衬底100第一区域A形成体声波谐振器。

通过在第一衬底100第二区域B处通过蚀刻衬底和部分的第一和第二键合层501以露出第二下电极，从而在第一衬底100第一区域A处形成高纯度单晶XBAW谐振器。

本公开可以避免复杂的工艺流程，不破坏压电材料晶体学质量，以及可以实现在同一衬底的滤波器器件中包括由不同厚度/不同种类的压电材料组成的不同种类的谐振器结构，可以提升在同一衬底上谐振器类型的自由度，为滤波器的设计提供最优解，且本公开的滤波器器件中不包括多个衬底，有助于减少器件空间，实现小型化。

可以理解的是，本公开提供的射频器件可以用于手机、个人数字助理(PDA)、个人穿戴设备、电子游戏设备等便携式通信设备。

以上结合具体的实施方案对本公开内容进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本公开内容的保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本公开内容的精神和原理对本公开内容做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本公开内容的范围内。

Claims (15)

1.一种滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，在第一衬底的第二区域上形成第一键合层；

在第一衬底的第一区域上形成第一类型谐振器的第一下电极层和第一压电层；

提供第二衬底，在第二衬底上与第一衬底的第二区域相对应的区域形成第二类型谐振器的第二压电层、第二下电极层和第二键合层；其中第一压电层的材料不同于第二压电层的材料；

将第一键合层和第二键合层进行键合，并去除第二衬底；

在第一区域形成第一类型谐振器的第一上电极层，在第二区域形成第二类型谐振器的第二上电极层；

在第一衬底的第一区域处形成第一类型谐振器的第一声波反射区域，在第一衬底的第二区域处形成第二类型谐振器的第二声波反射区域，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：形成第一上电极层和第二上电极层之前，在第一衬底上沉积绝缘层以覆盖第一衬底，平坦化所述绝缘层，然后图案化所述绝缘层以暴露出第一压电层、第二压电层和部分的第一下电极层。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：所述第一声波反射区域通过在第一衬底的第一区域处蚀刻第一衬底形成。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第二声波反射区域通过在第一衬底的第二区域处通过蚀刻第一衬底和部分的第一键合层和第二键合层形成。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第二键合层在第二衬底的上表面与第一衬底的上表面相对时，至少部分与第一键合层接触。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。

8.一种射频器件，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底中包括第一区域和第二区域；

第一区域中形成有第一类型谐振器，第二区域中形成有第二类型谐振器；

第一类型谐振器包括第一声波反射区域、第一下电极层、第一压电层和第一上电极层；

第二类型谐振器包括第二声波反射区域、第二下电极层、第二压电层和第二上电极层，以及对第二下电极层进行电性连接的第一键合层和第二键合层；

其中第一压电层和第二压电层的材料不同，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。

9.如权利要求8所述的射频器件，其特征在于：所述第一声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面。

10.如权利要求8或9所述的射频器件，其特征在于：所述第二声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面，第一键合层的上下表面和第二键合层的上下表面。

11.如权利要求10所述的射频器件，其特征在于：第二键合层至少部分与第一键合层接触。

12.如权利要求11所述的射频器件，其特征在于：第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。

13.如权利要求11所述的射频器件，其特征在于：第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。

14.如权利要求11-13中任一项所述的射频器件，其特征在于：第二类型谐振器具有比第一类型谐振器更高的品质因数和更高的功率承受能力。

15.一种通信设备，其包括权利要求1-14中任一项所述的射频器件。