CN111865261A - 前端模块 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种前端模块，所述前端模块包括：第一滤波器，被配置为操作为带通滤波器，并且支持4.4GHz至5.0GHz频带的通信；以及第二滤波器，被配置为操作为高通滤波器，并且支持5.15GHz至5.835GHz频带的通信。
Description
本申请要求于2019年4月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0050540号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种前端模块。
背景技术
已经开发了5G移动通信以使用28GHz至29GHz之间的频带、毫米波(mmWave)和5GHz的频带(为低于6GHz频带)。
在5G移动通信中，由于相邻频带之间的宽度减小，所以有必要通过使用具有优异衰减特性的体声波(BAW)滤波器来减少相邻频带之间的干扰。然而，因为谐振频率和反谐振频率之间的频率间隔窄至约200MHz，所以具有带通特性的BAW滤波器在相邻频带之间具有优异的衰减特性。然而，由于难以形成比600MHz宽的通带，因此可能难以将这种BAW滤波器应用于需要宽带频率特性的5G通信。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面中，一种前端模块包括：第一滤波器，被配置为操作为带通滤波器，并且支持4.4GHz至5.0GHz频带的通信；以及第二滤波器，被配置为操作为高通滤波器，并且支持5.15GHz至5.835GHz频带的通信。
所述第一滤波器和所述第二滤波器均可包括至少一个体声波谐振器。
所述第一滤波器可具有4.4GHz的下限频率和5.0GHz的上限频率。
所述第二滤波器可具有5.15GHz的下限频率。
所述第二滤波器可被配置为支持5.15GHz或更高频率的射频信号。
所述第一滤波器可被配置为支持蜂窝通信。
所述第二滤波器可被配置为支持Wi-Fi通信。
所述第一滤波器和所述第二滤波器可被实现为单个芯片。
在另一总的方面中，一种前端模块包括：天线；双工器，连接到所述天线；以及滤波器单元，包括第一滤波器和第二滤波器，所述第一滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持4.4GHz至5.0GHz频带的通信，所述第二滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持5.15GHz至5.835GHz频带的通信。所述第一滤波器可被配置为操作为带通滤波器，并且所述第二滤波器可被配置为操作为高通滤波器。
所述第二滤波器可具有5.15GHz的下限频率。
所述第二滤波器可被配置为覆盖5.15GHz或更高频率的射频信号。
所述滤波器单元还可包括第三滤波器，所述第三滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持2.4GHz至2.4835GHz频带的通信。
所述第一滤波器、所述第二滤波器和所述第三滤波器均可包括至少一个体声波谐振器。
所述第一滤波器、所述第二滤波器和所述第三滤波器可被实现为单个芯片。
所述第一滤波器可被配置为支持蜂窝通信。所述第二滤波器和所述第三滤波器可被配置为支持Wi-Fi通信。
所述第一滤波器可被配置为支持蜂窝通信。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的滤波器的剖视图。
图2是根据实施例的包括体声波谐振器的滤波器的电路图。
图3示出了图2的滤波器的频率响应。
图4是根据实施例的前端模块的框图。
图5是根据实施例的仿真曲线图。
图6是根据实施例的前端模块的框图。
在所有的附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切的说，已经提供在此描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的很多可行方式中的一些可行方式。
在此，应注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括什么或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有示例和实施例不限于此。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，这种空间相对术语旨在还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上面”的元件随后将相对于所述另一元件位于“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包括上方和下方两种方位。装置还可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可能发生附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状的变化。
在此描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造是可行的。
图1是示出根据实施例的滤波器10的剖视图。
参照图1，滤波器10可至少包括体声波谐振器100和盖200。在图1中，滤波器10被示出为包括两个体声波谐振器100，但根据其他实施例，滤波器10可包括一个体声波谐振器100或者三个或更多个体声波谐振器100。体声波谐振器100可以是薄膜体声波谐振器(FBAR)。
体声波谐振器100可通过由多个膜组成的层叠结构构成。构成体声波谐振器100的层叠结构可包括基板110、绝缘层115、腔133、支撑构件134、辅助支撑构件135和谐振单元155(包括第一电极140、压电层150和第二电极160)。构成体声波谐振器100的层叠结构还可包括保护层170和金属层180。
根据体声波谐振器100的示例性制造工艺，可在绝缘层115上形成牺牲层，然后可去除牺牲层的一部分以形成图案。图案的上表面的宽度可比图案的下表面的宽度宽，并且图案的连接上表面和下表面的侧表面可以是倾斜的。在牺牲层上形成图案之后，可在绝缘层115的暴露在外部的部分和牺牲层上形成膜130。在形成膜130之后，形成作为支撑构件134的形成的基础的蚀刻停止材料以覆盖膜130。
在形成蚀刻停止材料之后，使蚀刻停止材料的一个表面平坦化，使得膜130的形成在牺牲层的上表面上的一部分暴露在外部。在使蚀刻停止材料的一个表面平坦化的工艺中，蚀刻停止材料的一部分可被去除，然后在蚀刻停止材料的一部分被去除之后，可通过蚀刻停止材料的保留在图案中的部分来形成支撑构件134。作为蚀刻停止材料的平坦化工艺的结果，支撑构件134和牺牲层的上表面可以是基本上平坦的。膜130可用作蚀刻停止材料的平坦化工艺的停止层。
此后，可通过蚀刻工艺形成腔133，在所述蚀刻工艺中，在将第一电极140、压电层150和第二电极160以及其他可能的层层叠之后蚀刻并去除牺牲层。例如，牺牲层可包括多晶硅(Poly-Si)。腔133可位于谐振单元155的下部，使得由第一电极140、压电层150和第二电极160组成的谐振单元155可沿预定方向振动。
基板110可利用硅基板构成，并且可在基板110的上表面上设置绝缘层115以将谐振单元155与基板110电隔离。绝缘层115可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成，并且可通过化学气相沉积、RF磁控溅射或蒸镀形成在基板110上。
腔133和支撑构件134可形成在绝缘层115上。如上所述，腔133可通过蚀刻工艺形成，在所述蚀刻工艺中，牺牲层形成在绝缘层115上并且设置有支撑构件134的图案形成在牺牲层上，然后在将第一电极140、压电层150、第二电极160和其他可能的层层叠之后，蚀刻并去除牺牲层。
腔133可位于谐振单元155的下部，使得由第一电极140、压电层150和第二电极160组成的谐振单元155可沿预定方向振动。支撑构件134可设置在腔133的一侧上。
支撑构件134的厚度可与腔133的厚度相同。因此，由腔133和支撑构件134提供的上表面可以是基本上平坦的。根据实施例，谐振单元155可设置在去除台阶的平坦化的表面上，使得可改善体声波谐振器100的插入损耗和衰减特性。
支撑构件134的剖面可具有大致梯形的形状。具体地，支撑构件134的上表面的宽度可比支撑构件134的下表面的宽度宽，并且连接上表面和下表面的侧表面可以是倾斜的。支撑构件134可利用在去除牺牲层的蚀刻工艺中不被蚀刻的材料形成。例如，支撑构件134可利用与绝缘层115的材料相同的材料形成。例如，支撑构件134可利用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)或者二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)的组合形成。
根据实施例，支撑构件134的侧表面可形成为倾斜的，以防止在支撑构件134与牺牲层之间的边界处出现陡峭的台阶，并且支撑构件134的下表面的宽度可形成为窄的以防止出现凹陷现象。例如，支撑构件134的下表面与侧表面之间的角度可以是110°至160°，并且支撑构件134的下表面的宽度可以是2μm至30μm。
辅助支撑构件135可设置在支撑构件134的外侧(例如，横向方向)。辅助支撑构件135可利用与支撑构件134的材料相同的材料形成。另外，根据实施例，辅助支撑构件135可利用与支撑构件134的材料不同的材料形成。例如，当辅助支撑构件135利用与支撑构件134的材料不同的材料形成时，辅助支撑构件135可对应于形成在绝缘层115上的牺牲层的在蚀刻工艺之后保留的一部分。
如上所述，谐振单元155可包括第一电极140、压电层150和第二电极160。第一电极140、压电层150和第二电极160的在竖直方向上重叠的公共区域可位于腔133的上部。第一电极140和第二电极160可利用金(Au)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钌(Ru)、铂(Pt)、钨(W)、铝(Al)、铱(Ir)和镍(Ni)中的任意一种或者它们的合金形成。压电层150是引起将电能转换成弹性波形式的机械能的压电效应的层。可在压电层150中选择性地使用氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、掺杂的氮化铝、锆钛酸铅、石英等中的一种。在压电层150利用掺杂的氮化铝形成的示例中，压电层150可进一步包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。例如，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合，并且稀土含量可以是1at％至20at％。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。此外，碱土金属还可包括镁(Mg)。
膜130利用在形成腔133的工艺中不容易被去除的材料形成。例如，当诸如氟(F)、氯(CI)等的卤化物基的蚀刻气体用于去除一部分牺牲层以形成腔133时，膜130可利用与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在这种情况下，膜130可包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)中的任意一种或两种。另外，膜130可利用包含氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的介电层形成，或者可利用包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的金属层形成。
根据实施例，可在膜130上形成利用氮化铝(AlN)制成的种子层。例如，种子层可设置在膜130与第一电极140之间。除了氮化铝(AlN)之外，还可使用具有密排六方(HCP)结构的电介质或金属形成种子层。在种子层利用金属形成的示例中，种子层可利用钛(Ti)形成。
保护层170可设置在第二电极160上以防止第二电极160暴露在外部。保护层170可利用二氧化硅基绝缘材料、氮化硅基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料和氧化铝基绝缘材料中的任意一种形成。可在暴露在外部的第一电极140和第二电极160上形成金属层180。
谐振单元155可包括有效区域和无效区域。谐振单元155的有效区域是当诸如射频信号的电能施加到第一电极140和第二电极160时通过在压电层150中产生的压电现象在预定方向上振动和谐振的区域。谐振单元155的有效区域可对应于其中第一电极140、压电层150和第二电极160在竖直方向上叠置在腔133的上部的区域。谐振单元155的无效区域是即使将电能施加到第一电极140和第二电极160也不通过压电现象谐振的区域，并且可对应于设置在有效区域外部的区域。
谐振单元155通过利用压电现象输出具有特定频率的射频信号。具体地，谐振单元155可根据压电层150的压电现象输出具有与振动对应的谐振频率的射频信号。
盖200可结合到形成多个体声波谐振器100的层叠结构。盖200可形成为具有在其中容纳多个体声波谐振器100的内部空间的盖形状。盖200可形成为具有敞开的下表面的六面体形状，并且可包括上部和连接到上部的多个侧部。
盖200可形成有位于盖200的中央的容纳区域，以容纳多个体声波谐振器100的谐振单元155。层叠结构可在结合区域中结合到多个侧部，并且层叠结构的结合区域可对应于层叠结构的边缘。盖200可结合到基板110。另外，盖200可结合到保护层170、膜130、绝缘层115、第一电极140、压电层150、第二电极160和金属层180中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。
图2是根据实施例的滤波器10的电路图。图3示出了图2的滤波器的频率响应。
参照图2，滤波器10可包括设置在第一端口P1与第二端口P2之间的串联谐振器(SE)以及设置在串联谐振器(SE)与地之间的并联谐振器(SH)。串联谐振器(SE)和并联谐振器(SH)均可对应于图1中所示的体声波谐振器100。
图2中示出了一个串联谐振器(SE)和一个并联谐振器(SH)，但根据实施例，多个串联谐振器(SE)可设置在第一端口P1与第二端口P2之间，并且多个彼此不同的并联谐振器(SH)可设置在串联谐振器(SE)中的每个与地之间。另外，在图2中示出滤波器10被配置为包括串联谐振器(SE)和并联谐振器(SH)的梯型滤波器。然而，根据实施例，滤波器10可被配置为格型滤波器。
参照图3，第一曲线图(曲线图1)表示串联谐振器(SE)的频率响应(Z，阻抗)，第二曲线图(曲线图2)表示并联谐振器(SH)的频率响应(Z，阻抗)，并且第三曲线图(曲线图3)表示包括串联谐振器(SE)和并联谐振器(SH)的滤波器的频率响应(S-参数)。
串联谐振器(SE)的频率响应具有谐振频率(fr_SE)和反谐振频率(fa_SE)，并且并联谐振器(SH)的频率响应具有谐振频率(fr_SH)和反谐振频率(fa_SH)。
参照滤波器的频率响应，滤波器的通带和带宽可由串联谐振器(SE)的反谐振频率(fa_SE)和并联谐振器(SH)的谐振频率(fr_SH)确定。
与现有的长期演进(LTE)通信相比，期望5G通信以更高的数据容量和更快的数据传输速率高效地连接更多设备。由于在5G通信中相邻频带之间的宽度减小，因此有必要通过使用具有优异衰减特性的BAW滤波器来减少相邻频带之间的干扰。
然而，由于具有带通特性的BAW滤波器在谐振频率与反谐振频率之间具有约200MHz的窄频率间隔，因此衰减特性优异，但难以形成比600MHZ宽的通带。因此，存在的问题是难以将BAW滤波器应用于需要宽带频率特性的5G通信。
图4是根据实施例的前端模块1的框图。
参照图4，前端模块可包括第一滤波器10A和第二滤波器10B。第一滤波器10A和第二滤波器10B可通过单个芯片实现。第一滤波器10A和第二滤波器10B可称为滤波器单元。
第一滤波器10A可设置在第一输入端子(IN1)与第一输出端子(OUT1)之间，并且第二滤波器10B可设置在第二输入端子(IN2)与第二输出端子(OUT2)之间。
第一输入端子(IN1)和第二输入端子(IN2)共同连接到天线(ANT)。根据实施例，双工器4可设置在天线(ANT)与第一输入端子(IN1)之间以及天线(ANT)与第二输入端子(IN2)之间。
第一输出端子(OUT1)和第二输出端子(OUT2)均可连接到诸如功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)等的信号处理元件。例如，第一输出端子(OUT1)和第二输出端子(OUT2)中的任意一个可连接到PA和LNA两者，并且在这种情况下，PA可设置在射频信号的发送路径中，并且LNA可设置在射频信号的接收路径中。
第一滤波器10A可操作为带通滤波器。例如，第一滤波器10A可操作为具有4.4GHz的下限频率和5.0GHz的上限频率的带通滤波器。第一滤波器10A可支持4.4GHz至5.0GHz频带的蜂窝通信。根据实施例，第一滤波器10A可支持3.3GHz至4.2GHz频带的蜂窝通信。
第二滤波器10B可操作为高通滤波器。例如，第二滤波器10B可操作为具有5.15GHz的下限频率的高通滤波器。第二滤波器10B可支持5.15GHz至5.835GHz频带的Wi-Fi通信。
第一滤波器10A和第二滤波器10B均可包括至少一个体声波谐振器。由体声波谐振器构成的第一滤波器10A和第二滤波器10B可实现优异的衰减特性。因此，尽管对应于第一滤波器10A的上限频率和第二滤波器10B的下限频率的5.0GHz的带隙非常窄，但是第一滤波器10A的通带与第二滤波器10B的通带之间的干扰可降低。
此外，第二滤波器10B可实现为高通滤波器，并且可支持具有超过600MHz带宽的5.15GHz至5.835GHz频带的Wi-Fi通信。
图5是根据实施例的仿真曲线图。
在图5中，第一曲线图(曲线图1)表示根据图4的前端模块1的实施例的频率响应，第二曲线图(曲线图2)表示比较示例的频率响应。比较示例包括图4的第一滤波器10A和带通滤波器(而不是图4的第二滤波器10B)。
参照第一曲线图1和第二曲线图2，可看出，与比较示例相比，在本公开的实施例中，在5.15GHz至5.835GHz或更高频率的区域中插入损耗改善了约0.9dB。另外，与比较示例不同，公开的实施例表明可完全覆盖5.15GHz或更高频率的频带，并且还可确保6GHz的Wi-Fi频带(预期稍后将使用)。
图6是根据另一实施例的前端模块1-1的框图。
由于前端模块1-1类似于图4的前端模块1，因此将省略重复的描述，并且以下描述将关注于前端模块1-1与前端模块1之间的差异。
参照图6，与图4的前端模块1相比，除了第一滤波器10A和第二滤波器10B之外，前端模块1-1还包括第三滤波器10C。第一滤波器10A、第二滤波器10B和第三滤波器10C可通过单个芯片实现。第一滤波器10A、第二滤波器10B和第三滤波器10C可称为滤波器单元。
第一滤波器10A可设置在第一输入端子(IN1)与第一输出端子(OUT1)之间，第二滤波器10B可设置在第二输入端子(IN2)与第二输出端子(OUT2)之间，并且第三滤波器10C可设置在第三输入端子(IN3)与第三输出端子(OUT3)之间。
第一输入端子(IN1)、第二输入端子(IN2)和第三输入端子(IN3)可共同连接到天线(ANT)。根据实施例，双工器4-1可设置在天线(ANT)与第一输入端子(IN1)之间、天线(ANT)与第二输入端子(IN2)之间以及天线(ANT)与第三输入端子(IN3)之间。
第一输出端子(OUT1)、第二输出端子(OUT2)和第三输出端子(OUT3)中的每个可连接到诸如功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)等的信号处理装置。例如，第一输出端子(OUT1)、第二输出端子(OUT2)和第三输出端子(OUT3)中的一个可连接到PA和LNA两者，并且PA可连接到射频信号的发送路径，并且LNA可设置在射频信号的接收路径中。
第一滤波器10A可操作为带通滤波器。例如，第一滤波器10A可操作为具有4.4GHz的下限频率和5.0GHz的上限频率的带通滤波器。第一滤波器10A可支持4.4GHz至5.0GHz频带的蜂窝通信。
第二滤波器10B可操作为高通滤波器。例如，第二滤波器10B可操作为具有5.15GHz的下限频率的高通滤波器。第二滤波器10B可支持5.15GHz至5.835GHz频带的Wi-Fi通信。
第三滤波器10C可操作为带通滤波器。例如，第三滤波器10C可操作为包括2.4GHz的下限频率和2.4835GHz的上限频率的带通滤波器。第三滤波器10C可支持2.4GHz至2.4835GHz频带的Wi-Fi通信。
根据实施例，由体声波谐振器构成的第二滤波器10B可实现为高通滤波器，并且可支持具有超过600MHz的带宽的5.15GHz至5.835GHz频带。
如上所述，根据在此公开的前端模块，可减少设计的信道之间的干扰，同时覆盖下一代移动通信的宽频带。
虽然本公开包括具体示例，但在理解本申请的公开内容之后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被理解为描述性意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的相似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或增补描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围并不通过具体实施方式限定，而是通过权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围之内的全部变型将被解释为包括在本公开中。
Claims (16)
1.一种前端模块，包括：
第一滤波器，被配置为操作为带通滤波器，并且支持4.4GHz至5.0GHz频带的通信；以及
第二滤波器，被配置为操作为高通滤波器，并且支持5.15GHz至5.835GHz频带的通信。
2.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第一滤波器和所述第二滤波器均包括至少一个体声波谐振器。
3.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第一滤波器具有4.4GHz的下限频率和5.0GHz的上限频率。
4.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第二滤波器具有5.15GHz的下限频率。
5.根据权利要求4所述的前端模块，其中，所述第二滤波器被配置为支持5.15GHz或更高频率的射频信号。
6.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第一滤波器被配置为支持蜂窝通信。
7.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第二滤波器被配置为支持Wi-Fi通信。
8.根据权利要求1所述的前端模块，其中，所述第一滤波器和所述第二滤波器被实现为单个芯片。
9.一种前端模块，包括：
天线；
双工器，连接到所述天线；以及
滤波器单元，包括第一滤波器和第二滤波器，所述第一滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持4.4GHz至5.0GHz频带的通信，所述第二滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持5.15GHz至5.835GHz频带的通信，
其中，所述第一滤波器被配置为操作为带通滤波器，并且所述第二滤波器被配置为操作为高通滤波器。
10.根据权利要求9所述的前端模块，其中，所述第二滤波器具有5.15GHz的下限频率。
11.根据权利要求10所述的前端模块，其中，所述第二滤波器被配置为覆盖5.15GHz或更高频率的射频信号。
12.根据权利要求9所述的前端模块，其中，所述滤波器单元还包括第三滤波器，所述第三滤波器连接到所述双工器并且被配置为支持2.4GHz至2.4835GHz频带的通信。
13.根据权利要求12所述的前端模块，其中，所述第一滤波器、所述第二滤波器和所述第三滤波器均包括至少一个体声波谐振器。
14.根据权利要求12所述的前端模块，其中，所述第一滤波器、所述第二滤波器和所述第三滤波器被实现为单个芯片。
15.根据权利要求12所述的前端模块，其中，所述第二滤波器和所述第三滤波器被配置为支持Wi-Fi通信。
16.根据权利要求9所述的前端模块，其中，所述第一滤波器被配置为支持蜂窝通信。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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