CN117438512A - 一种高压Micro LED芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高压Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；在支撑层之上制作外延层；对外延层进行刻蚀，暴露出支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；在外延层之上制作芯片层；在外延隔离槽内的支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，桥接电极将芯片层的正负极串联；采用激光对激光剥离层进行照射，激光剥离层在高温作用下分解，使衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。本发明解决了现有技术中旨在解决现有技术中Micro LED芯片需要剥离衬底，导致无法制备Micro高压LED芯片，无法有效提升Micro LED芯片的光效的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高压Micro LED芯片及其制备方法。
背景技术
Micro LED微显示技术，具有自发光特性，每一点像素都能单独驱动发光，优点包括高亮度、低功耗、体积小、超高分辨率与色彩饱和度等。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象，所以Micro LED显示技术是未来的发展趋势，具有很大的市场前景。
Micro LED芯片的光效会随着电流密度的变化而变化，当小于某个特定值，电流密度越大，光效越高；当大于某个特定值，电流密度越大，光效越低，也就是光效在某个特定电流密度下具有最高值。而Micro LED芯片的应用电流密度往往都比较小，从而导致光效低。
然而，在常规传统LED芯片中，通过制备出高压LED芯片可以改善这个问题，但目前因为Micro LED芯片在制作过程中需要剥离衬底，衬底剥离后并不能有效保证芯片的结构强度，使得用于将外延层正负极高压串联的电极发生断裂，无法制备Micro高压LED芯片，无法有效提升Micro LED芯片的光效。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种高压Micro LED芯片及其制备方法，旨在解决现有技术中Micro LED芯片需要剥离衬底，导致无法制备Micro高压LED芯片，无法有效提升Micro LED芯片的光效的技术问题。
本发明的第一方面提供了一种高压Micro LED芯片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；
在所述支撑层之上制作外延层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，暴露出所述支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；
在所述外延层之上制作芯片层，所述芯片层包括设于所述N型半导体层中Mesa台阶之上的N型电极，以及与所述P型半导体层连接的P型电极；
在所述外延隔离槽内的所述支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联；
采用激光对所述激光剥离层进行照射，所述激光剥离层在高温作用下分解，使所述衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。
根据上述技术方案的一方面，在所述衬底之上制作激光剥离层的步骤，包括：
在PECVD设备中，在所述衬底之上沉积第一预设厚度的第一预设材料，得到位于所述衬底之上的激光剥离层。
根据上述技术方案的一方面，所述第一预设厚度为0.5μm-3μm，所述第一预设材料为GaN材料。
根据上述技术方案的一方面，在所述激光剥离层上制作支撑层的步骤，包括：
在所述激光剥离层上沉积第二预设厚度的第二预设材料，得到位于所述激光剥离层之上的支撑层。
根据上述技术方案的一方面，所述第二预设厚度为2μm-20μm，所述第二预设材料包括AlN、SiO2、Al2O3材料。
根据上述技术方案的一方面，采用激光对所述激光剥离层进行照射时，所述激光为UV激光，激光透过所述衬底对所述激光剥离层进行照射，激光波长为140nm-360nm，激光功率为200W-800W。
根据上述技术方案的一方面，在所述外延层之上制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括：
对所述外延层、所述支撑层与所述激光剥离层进行刻蚀，暴露出所述衬底的表面，得到芯片隔离槽。
本发明的第二方面在于提供一种高压Micro LED芯片，由上述技术方案当中所述的制备方法制备，所述芯片包括：
支撑层；
以及层叠于所述支撑层之上的外延层与芯片层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
其中，所述外延层经刻蚀暴露出所述支撑层的表面，形成使所述外延层断开的外延隔离槽，所述外延隔离槽内所述支撑层之上设有电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联。
根据上述技术方案的一方面，所述支撑层由AlN、SiO2或Al2O3材料制成，所述支撑层的厚度为2μm-20μm。
根据上述技术方案的一方面，所述芯片层包括电流阻挡层、桥接电极、透明导电层、N型电极、P型电极与钝化层。
与现有技术相比，采用本发明所示的高压Micro LED芯片及其制备方法，有益效果在于：
通过在衬底之上制作激光剥离层与支撑层，在支撑层之上制作包括N型半导体层、发光层与P型半导体层的外延层，然后对外延层进行蚀刻以暴露出支撑层的表面，得到将外延层分隔的外延隔离槽，然后基于当前的外延结构进行芯片层的制作，包括在外延隔离槽内的支撑层之上制作用于将N型半导体层与P型半导体层隔绝的电流阻挡层，以及用于将分隔后外延层的正负极进行高压串联的桥接电极，以制作出高压LED芯片，提升了芯片光效，最后通过激光剥离层的牺牲将衬底剥离，保留厚度较薄的支撑层，既能够满足Micro LED芯片的微尺寸要求，又能够为芯片提供较好的结构强度，则位于外延隔离槽内用于高压串联的桥接电极不易发生断裂，从而保证了芯片的使用寿命，则可以基于本发明制作出高压Micro LED芯片。
附图说明
本发明的上述与/或附加的方面与优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显与容易理解，其中：
图1为本发明一实施例中高压Micro LED芯片制备方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例中高压Micro LED芯片的晶圆结构图；
图3为本发明一实施例中高压Micro LED芯片在初始状态的结构示意图；
图4为本发明一实施例中高压Micro LED芯片在目标状态的结构示意图；
附图符号说明：
衬底10、激光剥离层20、支撑层30、N型半导体层40、N型电极41、发光层50、P型半导体层60、外延隔离槽70、电流阻挡层71、桥接电极72、透明导电层80、P型电极81。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征与优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明的第一方面在于提供一种高压Micro LED芯片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；
在所述支撑层之上制作外延层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，暴露出所述支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；
在所述外延层之上制作芯片层，所述芯片层包括设于所述N型半导体层中Mesa台阶之上的N型电极，以及与所述P型半导体层连接的P型电极；
在所述外延隔离槽内的所述支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联；
采用激光对所述激光剥离层进行照射，所述激光剥离层在高温作用下分解，使所述衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。
进一步地，在所述衬底之上制作激光剥离层的步骤，包括：
在PECVD设备中，在所述衬底之上沉积第一预设厚度的第一预设材料，得到位于所述衬底之上的激光剥离层。
进一步地，所述第一预设厚度为0.5μm-3μm，所述第一预设材料为GaN材料。
进一步地，在所述激光剥离层上制作支撑层的步骤，包括：
在所述激光剥离层上沉积第二预设厚度的第二预设材料，得到位于所述激光剥离层之上的支撑层。
进一步地，所述第二预设厚度为2μm-20μm，所述第二预设材料包括AlN、SiO2、Al2O3材料。
进一步地，采用激光对所述激光剥离层进行照射时，所述激光为UV激光，激光透过所述衬底对所述激光剥离层进行照射，激光波长为140nm-360nm，激光功率为200W-800W。
进一步地，在所述外延层之上制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括：
对所述外延层、所述支撑层与所述激光剥离层进行刻蚀，暴露出所述衬底的表面，得到芯片隔离槽。
本发明的第二方面在于提供一种高压Micro LED芯片，由上述技术方案当中所述的制备方法制备，所述芯片包括：
支撑层；
以及层叠于所述支撑层之上的外延层与芯片层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
其中，所述外延层经刻蚀暴露出所述支撑层的表面，形成使所述外延层断开的外延隔离槽，所述外延隔离槽内所述支撑层之上设有电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联。
进一步地，所述支撑层由AlN、SiO2或Al2O3材料制成，所述支撑层的厚度为2μm-20μm。
进一步地，所述芯片层包括电流阻挡层、桥接电极、透明导电层、N型电极、P型电极与钝化层。
与现有技术相比，采用本发明所示的高压Micro LED芯片及其制备方法，有益效果在于：
通过在衬底之上制作激光剥离层与支撑层，在支撑层之上制作包括N型半导体层、发光层与P型半导体层的外延层，然后对外延层进行蚀刻以暴露出支撑层的表面，得到将外延层分隔的外延隔离槽，然后基于当前的外延结构进行芯片层的制作，包括在外延隔离槽内的支撑层之上制作用于将N型半导体层与P型半导体层隔绝的电流阻挡层，以及用于将分隔后外延层的正负极进行高压串联的桥接电极，以制作出高压LED芯片，提升了芯片光效，最后通过激光剥离层的牺牲将衬底剥离，保留厚度较薄的支撑层，既能够满足Micro LED芯片的微尺寸要求，又能够为芯片提供较好的结构强度，则位于外延隔离槽内用于高压串联的桥接电极不易发生断裂，从而保证了芯片的使用寿命，则可以基于本发明制作出高压Micro LED芯片。
实施例一
请参阅图1-图4，本发明的第一实施例提供了一种高压Micro LED芯片的制备方法，用于制备高压Micro LED芯片，用于在Micro LED芯片为微尺寸的基础上通过制作高压芯片以获得较高的光效，得到高压Micro LED芯片，以提升Micro LED芯片的光效。
在本实施例当中，该高压Micro LED芯片的制备方法，包括步骤S1-步骤S7：
步骤S1，提供一衬底。
在本实施例当中，衬底10要求其具有良好的透光性，优选为蓝宝石衬底，即Al2O3衬底，其具有较为良好的透光性。
在其它一些可行的实施例当中，衬底10还可以是Si衬底、SiO2衬底等，本实施例当中选用蓝宝石衬底是因为其技术成熟度高、制作良率高，且制作成本较低。
步骤S2，在所述衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层。
在本实施例当中，在提供衬底10之后，需要在衬底10之上制作激光剥离层20，以及在激光剥离层20之上制作支撑层30，即在衬底10之上依次制作激光剥离层20与支撑层30。
具体而言，在衬底10之上制作激光剥离层20时，采用MOCVD设备进行制作，通过将衬底10放置于MOCVD设备的反应腔中，在预设条件下，在衬底10之上沉积用于制作激光剥离层20的第一预设材料，要求在激光照射时激光剥离层20能够因高温作用而产生分解，实现衬底10的剥离，故激光剥离层20又称牺牲层。激光剥离层20的厚度为第一预设厚度。
其中，用于制作激光剥离层20的第一预设材料为GaN材料，即氮化镓材料，GaN材料具有较好的粘合性，易在激光照射下受高温作用而产生分解，实现激光剥离层20的逐渐分解，则衬底10能够跟随其剥离。激光剥离层20的第一预设厚度为2μm，其厚度较薄，在激光照射时能够快速的分解，从而使得衬底10的剥离时间较短。
另外，在激光剥离层20之上制作支撑层30时，采用PECVD设备进行制作，通过将制作有激光剥离层20的衬底10放置于PECVD设备的反应腔中，在预设条件下，在激光剥离层20之上沉积用于制作支撑层30的第二预设材料，要求其具有一定的结构强度，最后在衬底10剥离后通过支撑层30对芯片进行支撑，使其具有衬底10的作用，以保证芯片的结构强度。支撑层30的厚度为第二预设厚度。
其中，用于制作支撑层30的第二预设材料为SiO2材料，其在沉积之后具有较高的结构强度，且在激光照射下不会因高温作用而产生分解，则激光剥离层20受高温作用分解使得衬底10剥离之后，支撑层30能够对芯片起到有效支撑，保证芯片的结构强度。支撑层30的第二预设厚度为20μm，其厚度较薄，以此满足Micro LED芯片的微尺寸要求。
步骤S3，在所述支撑层之上制作外延层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层。
在本实施例当中，在衬底10之上依次制作激光剥离层20与支撑层30之后，需要按照正常的外延工艺，在支撑层30之上制作外延层，该外延层包括N型半导体层40、发光层50与P型半导体层60，即在支撑层30之上通过外延工艺依次外延生长得到N型半导体层40、发光层50与P型半导体层60。
步骤S4，对所述外延层进行刻蚀，暴露出所述支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开。
在本实施例当中，对外延层进行蚀刻，暴露出支撑层30的表面，实际上是对P型半导体层60、发光层50与N型半导体层40进行蚀刻，去除其外延材料，暴露出支撑层30的表面，从而得到外延隔离槽70，以将外延PN结隔开。
具体而言，在对外延层进行蚀刻时，采用光刻和干法刻蚀技术，对P型半导体层60、发光层50与N型半导体层40进行蚀刻，去除其外延材料，暴露出支撑层30的表面，得到外延隔离槽70，以通过外延隔离槽70将外延层的多个PN结隔开。
其中，经刻蚀形成的外延隔离槽70，其表面上是将外延层分成多个互不连通的区域，但实际上是将外延层的PN结隔开，从而能够通过后期的串联得到高压Micro LED芯片。
步骤S5，在所述外延层之上制作芯片层，所述芯片层包括设于所述N型半导体层中Mesa台阶之上的N型电极，以及与所述P型半导体层连接的P型电极。
在本实施例当中，在支撑层30上制作外延层，以及将外延层分隔后，需要在分隔后的外延层上制作芯片层，包括设于N型半导体层40中Mesa台阶之上的N型电极41，从而通过N型电极41实现N型半导体层40与电路板的连接，以及与P型半导体层60连接的P型电极81，从而通过P型电极81实现P型半导体层60与电路板的连接。
在此需要说明的是，P型电极81并非是直接设置在P型半导体层60之上的，而是设于P型半导体层60上透明导电层80之上的，以通过透明导电层80作为电介质通道实现P型半导体层60与P型电极81的电性连接。因此，在进行芯片层的制作过程中，还需要在P型半导体层60之上制作透明导电层80。
步骤S6，在所述外延隔离槽内的所述支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联。
为了实现外延层中相邻外延区域之间的正负极串联得到高压Micro LED芯片，本实施例当中在相邻外延区域之间外延隔离槽70内的支撑层30之上制作用于芯片串联的桥接电极72，从而将多个外延区域串联。
具体而言，在外延隔离槽70内的支撑层30之上，通过PECVD设备沉积SiO2材料，并通过光刻与湿法蚀刻，形成位于支撑层30之上的电流阻挡层71，且该电流阻挡层71的两侧分别将芯片层的N型半导体层40和\或P型半导体层60覆盖，避免N型半导体层40与P型半导体层60的电路导通，以避免芯片产生短路而烧毁。
并且，在电流阻挡层71之上制作桥接电极72之前，应当在P型半导体层60之上制作透明导电层80，具体沉积ITO材料，通过光刻与湿法蚀刻，形成位于P型半导体层60之上的透明导电层80。
最后，在电流阻挡层71之上制作桥接电极72时，通过光刻与镀膜，在电流阻挡层71之上制作出桥接电极72，且该桥接电极72的两侧分别覆盖于相邻外延区域的透明导电层80与N型半导体层40上，从而通过桥接电极72将相邻芯片区域的P型半导体层60与N型半导体层40之间的电路导通，实现相邻芯片区域的桥接，从而使相邻芯片区域及PN结实现桥接。
采用上述步骤S1-步骤S6，已然完成了高压Micro LED芯片的高压串联，为了使得高压Micro LED芯片具有微尺寸特性，还需要将预先制作的衬底10进行剥离，仅保留厚度较薄的支撑层30来保持芯片的基本架构，如步骤S7所示。
步骤S7，采用激光对所述激光剥离层进行照射，所述激光剥离层在高温作用下分解，使所述衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。
在剥离衬底10时，具体是采用激光设备照射出UV激光，UB激光透过透光性能良好的蓝宝石衬底10对激光剥离层20进行照射，激光能量在激光剥离层20处汇集产生高温，由于激光剥离层20采用GaN材料制成，在激光照射下受高温作用而产生分解，实现激光剥离层20的逐渐脱落，则衬底10能够跟随其脱落、剥离，在外延层的底层仅保留支撑层30对芯片的基本架构进行支撑。
其中，对激光剥离层20进行照射时，其激光波长为140nm-360nm，激光功率为200W-800W，照射时间为12min-18min。
通过上述制备方法所示的技术方案，能够制备得到高压Micro LED芯片，其在满足微尺寸的基础上，又实现了Micro LED芯片的高压形式，从而能够有效提升Micro LED芯片的光效，以得到高压Micro LED芯片。
本实施例当中所示的高压Micro LED芯片，包括：
支撑层30；
以及层叠于所述支撑层30之上的外延层与芯片层，所述外延层包括N型半导体层40、发光层50与P型半导体层60；
其中，所述外延层经刻蚀暴露出所述支撑层30的表面，形成使所述外延层断开的外延隔离槽70，所述外延隔离槽内所述支撑层30之上设有电流阻挡层71与桥接电极72，所述桥接电极72将所述芯片层的正负极串联。
在本实施例当中，在制作高压Micro LED芯片前，通过在衬底10上面制作激光剥离层20和支撑层30，利用激光剥离层20的牺牲将衬底10剥离，实现支撑层30的保留，而支撑层30的存在，能够有效提升芯片的结构强度，防止设于外延隔离槽70之上的桥接电极72发生断裂，从而制备出高压Micro LED芯片。
在本实施例当中，通过在衬底10之上制作激光剥离层20与支撑层30，在支撑层30之上制作包括N型半导体层40、发光层50与P型半导体层60的外延层，然后对外延层进行蚀刻以暴露出支撑层30的表面，得到将外延层分隔的外延隔离槽70，然后基于当前的外延结构进行芯片层的制作，包括在外延隔离槽70内的支撑层30之上制作用于将N型半导体层40与P型半导体层60隔绝的电流阻挡层71，以及用于将分隔后外延层的正负极进行高压串联的桥接电极72，以制作出高压LED芯片，提升了芯片光效，最后通过激光剥离层20的牺牲将衬底10剥离，保留厚度较薄的支撑层30，既能够满足Micro LED芯片的微尺寸要求，又能够为芯片提供较好的结构强度，则位于外延隔离槽70内用于高压串联的桥接电极72不易发生断裂，从而保证了芯片的使用寿命，则可以基于本发明制作出高压Micro LED芯片。
实施例二
本发明的第二实施例同样提供了一种高压Micro LED芯片的制备方法，本实施例当中所示的制备方法与第一实施例当中所示的制备方法流程基本相似，不同之处在于：
在本实施例当中，在所述外延层之上制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括：
对所述外延层、所述支撑层与所述激光剥离层进行刻蚀，暴露出所述衬底的表面，得到芯片隔离槽。
具体而言，对预先制作的外延层、支撑层与激光剥离层进行蚀刻，去除其材料，暴露出衬底的表面，得到芯片隔离槽，在通过激光照射使激光剥离层分解而衬底脱落后，将得到多个芯片单元，即多个高压Micro LED芯片。也就是说，本实施例当中，对外延层、支撑层与激光剥离层进行刻蚀后，能够将芯片晶圆分成多个独立的芯片，通过实施该步骤，能够提升高压Micro LED芯片的制作效率。
其中，在蚀刻支撑层时，通过光刻和湿法刻蚀，通过BOE刻蚀液，蚀刻去除支撑层的至少部分材料，露出衬底表面，从而制备出芯片隔离槽。BOE溶液为49%HF水溶液：40%NH4F水溶液=1：6混合而成，刻蚀温度为常温，刻蚀时间为20min。
需要说明的是，在对芯片隔离槽进行蚀刻时，可以仅蚀刻去除外延层与支撑层，暴露出激光剥离层的表面，而激光剥离层通过后期的激光照射以分解，同样能够得到芯片隔离槽。并且，外延层可以在步骤S4时与外延隔离槽共同执行蚀刻工艺，蚀刻深度相同，但能够得到两个蚀刻深度的表面，即完全蚀刻的外延隔离槽，以及部分深度的芯片隔离槽，最终通过本实施例所示方案得到完整的芯片隔离槽。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体与详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形与改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；
在所述支撑层之上制作外延层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，暴露出所述支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；
在所述外延层之上制作芯片层，所述芯片层包括设于所述N型半导体层中Mesa台阶之上的N型电极，以及与所述P型半导体层连接的P型电极；
在所述外延隔离槽内的所述支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联；
采用激光对所述激光剥离层进行照射，所述激光剥离层在高温作用下分解，使所述衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。
2.根据权利要求1所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述衬底之上制作激光剥离层的步骤，包括：
在PECVD设备中，在所述衬底之上沉积第一预设厚度的第一预设材料，得到位于所述衬底之上的激光剥离层。
3.根据权利要求2所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为0.5μm-3μm，所述第一预设材料为GaN材料。
4.根据权利要求1所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述激光剥离层上制作支撑层的步骤，包括：
在所述激光剥离层上沉积第二预设厚度的第二预设材料，得到位于所述激光剥离层之上的支撑层。
5.根据权利要求4所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度为2μm-20μm，所述第二预设材料包括AlN、SiO2、Al2O3材料。
6.根据权利要求1所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，采用激光对所述激光剥离层进行照射时，所述激光为UV激光，激光透过所述衬底对所述激光剥离层进行照射，激光波长为140nm-360nm，激光功率为200W-800W。
7.根据权利要求1-6任一项所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述外延层之上制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括：
对所述外延层、所述支撑层与所述激光剥离层进行刻蚀，暴露出所述衬底的表面，得到芯片隔离槽。
8.一种高压Micro LED芯片，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备，所述芯片包括：
支撑层；
以及层叠于所述支撑层之上的外延层与芯片层，所述外延层包括N型半导体层、发光层与P型半导体层；
其中，所述外延层经刻蚀暴露出所述支撑层的表面，形成使所述外延层断开的外延隔离槽，所述外延隔离槽内所述支撑层之上设有电流阻挡层与桥接电极，所述桥接电极将所述芯片层的正负极串联。
9.根据权利要求8所述的高压Micro LED芯片，其特征在于，所述支撑层由AlN、SiO2或Al2O3材料制成，所述支撑层的厚度为2μm-20μm。
10.根据权利要求8所述的高压Micro LED芯片，其特征在于，所述芯片层包括电流阻挡层、桥接电极、透明导电层、N型电极、P型电极与钝化层。
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