CN117418204A - 一种磁控溅射设备 - Google Patents
一种磁控溅射设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117418204A CN117418204A CN202311282607.9A CN202311282607A CN117418204A CN 117418204 A CN117418204 A CN 117418204A CN 202311282607 A CN202311282607 A CN 202311282607A CN 117418204 A CN117418204 A CN 117418204A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- feeding
- conveying
- lifting
- sheet support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 158
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 156
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开一种磁控溅射设备包括依次设置的上料腔、传送腔和下料腔，所述上料腔、传送腔和下料腔均为真空腔室，所述传送腔设有工艺传送机构、多个工艺片托和多个工艺工位，所述工艺传送机构用于带动工艺片托沿上料腔、传送腔和下料腔水平移动，所述工艺工位包括同轴布置的工艺腔和升降装置，所述升降装置用于带动工艺片托上的基片升降，所述工艺腔和升降装置分别密封连接于传送腔顶部和底部，所述工艺腔底部设有可与升降装置密封配合的开口，各工艺腔内分别设有可对基片进行不同的工艺加工的工艺部件。本磁控溅射设备具有结构简单、成本低、效率高和能够多靶多片同时工艺加工且避免交叉污染的优点。
Description
技术领域
本发明涉及磁控溅射技术领域，具体为一种磁控溅射设备。
背景技术
随着薄膜器件性能的不断提升，线宽越来越小，对磁控溅射膜层的要求也越来越高，尤其大规模集成电路芯片的制程中，对晶圆片在设备内部的机械颗粒污染、膜层材料的纯度均有着严格的要求，直接关系着产品的良率。集成电路工艺线磁控溅射设备一般为群集式构架，中间为多边形传送腔，外接预装载腔和多个工艺腔，采用预装载腔装卸片，抽真空后再通过传送腔配置的真空机械手实现晶圆片从预装载腔与工艺腔之间传送，工艺腔采用单靶单片模式，不同的膜层在不同的工艺腔室内进行镀膜工艺，避免靶材之间的交叉污染。
这种单靶单片模式的设备虽然避免了靶材之间的交叉污染，但因为腔体多、需要配置的真空泵也多、传送腔内还需要配置真空机械手，结构复杂，总体价格昂贵，并且单靶单片模式下的晶圆片生产效率低。
发明内容
本发明为解决现有技术在使用中存在的问题，提供一种结构简单、成本低、效率高和能够多靶多片同时工艺加工且避免交叉污染的的磁控溅射设备。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种磁控溅射设备包括依次设置的上料腔、传送腔和下料腔，所述上料腔、传送腔和下料腔均为真空腔室，所述传送腔设有工艺传送机构、多个工艺片托和多个工艺工位，所述工艺传送机构用于带动工艺片托沿上料腔、传送腔和下料腔水平移动，所述工艺工位包括同轴布置的工艺腔和升降装置，所述升降装置用于带动工艺片托上的基片升降，所述工艺腔和升降装置分别密封连接于传送腔顶部和底部，所述工艺腔底部设有可与升降装置密封配合的开口，各工艺腔内分别设有可对基片进行不同的工艺加工的工艺部件。
作为上述技术方案的进一步改进：
所述工艺腔底部设有用于定位升降装置位置的定位部。
所述工艺腔底部还设有压环，所述开口和所述定位部均设于压环上。
所述升降装置包括用于托举工艺片托上的基片的托举平台及用于驱动托举平台升降的升降驱动，所述升降驱动偏离工艺片托的移动方向设置，所述工艺片托上设有用于供托举平台通过的避让槽，所述托举平台可与压环与密封配合，且所述开口的直径小于托举平台的直径。
所述上料腔设有上料片托及用于驱动上料片托水平移动的上料传送机构，所述上料片托位于工艺片托上方，所述上料片托下方设有上料升降台，所述上料升降台用于带动上料片托上的基片升降；
所述下料腔设有下料片托及用于驱动下料片托水平移动的下料传送机构，所述下料片托位于工艺片托上方，所述下料片托下方设有下料升降台，所述下料升降台用于带动下料片托上的基片升降。
所述工艺片托数量多于工艺工位数量。
所述上料腔与传送腔之间设有可开关的上料真空隔离机构，所述下料腔与传送腔之间设有可开关的下料真空隔离机构，所述上料腔、传送腔和下料腔分别设有真空抽取机构。
所述上料传送机构、工艺传送机构和下料传送机构均为磁力耦合机构。
所述磁力耦合机构包括驱动件，设于真空腔室腔外的腔外滑轨、腔外磁体和设于真空腔室腔内的腔内磁体、腔内滑轨，所述驱动件驱动腔外磁体沿腔外滑轨滑动，所述腔外磁体与腔内磁体极性相反，可带动腔内磁体沿腔内滑轨滑动。
所述上料片托与上料传送机构的腔内磁体连接，所述工艺片托与工艺传送机构的腔内磁体连接，所述下料片托与下料传送机构的腔内磁体连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明的磁控溅射设备通过设置上料腔、传送腔和下料腔均为真空腔室，基片在转运和工艺加工结束后，基片始终处于真空状态，确保基片的洁净度；通过工艺腔和升降装置的密封设置，形成临时密封的独立区域，确保多个基片进行溅射等工艺时，从溅射靶上溅射出来的靶材粒子被限制在这个独立区域内，靶材粒子除了沉积到晶圆基片表面外，只能被做了喷砂处理的工艺套件内侧表面附着，不会扩散沉积到其他靶材、基片或传送腔内其他零部件表面，避免交叉污染，可以多靶多片同时进行工艺加工；通过工艺传送机构与工艺片托等的协同作用，能够实现基片在上料腔、传送腔和下料腔的转运，无需使用机械手操作，提高了生产效率，降低了成本。本磁控溅射设备具有结构简单、成本低、效率高和能够多靶多片同时工艺加工且避免交叉污染的优点。
附图说明
图1为本发明磁控溅射设备的结构示意图。
图2为本发明磁控溅射设备的剖视结构示意图。
图3为本发明工艺腔和升降装置形成临时密封的独立区域的结构示意图。
图4为本发明磁控溅射设备的基片传送装置的结构示意图。
图5为本发明磁控溅射设备的基片传送装置的分解结构示意图。
图6是本发明中传送机构的结构示意图。
图例说明：
1、上料腔；11、上料传送机构；12、上料片托；13、上料片盒工位；131、上料升降驱动；14、上料工位；141、上料升降台；15、上料腔门；2、传送腔；21、工艺传送机构；22、工艺片托；221、避让槽；23、工艺工位；231、工艺腔；2311、工艺部件；2312、开口；2313、定位部；2314、压环；232、升降装置；2321、托举平台；2322、升降驱动；3、下料腔；31、下料传送机构；32、下料片托；33、下料片盒工位；331、下料升降驱动；34、下料工位；341、下料升降台；35、下料腔门；41、上料真空隔离机构；42、下料真空隔离机构；51、驱动件；52、腔外滑轨；53、腔外磁体；54、腔内磁体；55、腔内滑轨；6、真空抽取机构。
具体实施方式
以下将结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
如图1至图6所示，本实施例的磁控溅射设备包括依次设置的上料腔1、传送腔2和下料腔3，上料腔1、传送腔2和下料腔3均为真空腔室，传送腔2设有工艺传送机构21、多个工艺片托22和多个工艺工位23，工艺传送机构21用于带动工艺片托22沿上料腔1、传送腔2和下料腔3水平移动，工艺工位23包括同轴布置的工艺腔231和升降装置232，升降装置232用于带动工艺片托22上的基片升降，工艺腔231和升降装置232分别密封连接于传送腔2顶部和底部，工艺腔231底部设有可与升降装置232密封配合的开口2312，各工艺腔231内分别设有可对基片进行不同的工艺加工的工艺部件2311。
本实施例中，工艺传送机构21带动装载有待工艺基片的各工艺片托22移动至各工艺工位23，此时，工艺腔231、升降装置232和工艺片托22同轴布置。升降装置232上升，将基片托离工艺片托22，并继续上升至与开口2312贴合，配合密封。此时，工艺腔231和升降装置232形成一个临时密封的独立区域，由工艺部件2311对基片进行工艺加工。工艺加工完成后，升降装置232下降，将基片托至工艺片托22，工艺传送机构21带动装载有完成工艺基片的各工艺片托22移动至上料腔1和下料腔3进行上、下料作业。
本设备通过设置上料腔1、传送腔2和下料腔3均为真空腔室，基片在转运和工艺加工结束后，基片始终处于真空状态，确保基片的洁净度；通过工艺腔231和升降装置232的密封设置，形成临时密封的独立区域，确保多个基片进行溅射等工艺时，从溅射靶上溅射出来的靶材粒子被限制在这个独立区域内，靶材粒子除了沉积到晶圆基片表面外，只能被做了喷砂处理的工艺套件内侧表面附着，不会扩散沉积到其他靶材、基片或传送腔2内其他零部件表面，避免交叉污染，可以多靶多片同时进行工艺加工；通过工艺传送机构21与工艺片托22等的协同作用，能够实现基片在上料腔1、传送腔2和下料腔3的转运，无需使用机械手操作，提高了生产效率，降低了成本。本磁控溅射设备具有结构简单、成本低、效率高和能够多靶多片同时工艺加工且避免交叉污染的优点。
优选地，多个工艺工位23可以根据工艺需要配置不同的功能，如溅射、清洗、烘烤等，可配置不同的工艺部件2311，如溅射工艺的溅射靶，清洗工艺的等离子耦合组件，烘烤工艺的烘烤热源等。
进一步地，本实施例中，工艺腔231底部设有用于定位升降装置232位置的定位部2313。升降装置232上升至与定位部2313抵触，完成定位对准，防止密封时偏心，确保密封更加可靠。
进一步地，本实施例中，工艺腔231底部还设有压环2314，开口2312和定位部2313均设于压环2314上。通过设置压环2314，避免直接将工艺腔231腔体作为与升降装置232的接触面，便于更换，提高设备使用寿命。
进一步地，本实施例中，升降装置232包括用于托举工艺片托22上的基片的托举平台2321及用于驱动托举平台2321升降的升降驱动2322，升降驱动2322偏离工艺片托22的移动方向设置，工艺片托22上设有用于供托举平台2321通过的避让槽221，托举平台2321可与压环2314与密封配合，且开口2312的直径小于托举平台2321的直径。优选地，压环2314与托举平台2321为金属密封。因压环2314内径小于托举平台2321外径，托举平台2321上升无法通过开口2312，留有密封余量，提高密封效果。托举平台2321和压环2314定位对准后，托举平台2321的上升将压环2314顶升一定距离，一般为3-5mm，托举平台2321与压环2314的接触端面紧密贴合，实现密封。
优选地，工艺片托22为圆形，避让槽221为开设在对应升降驱动2322方向的缺口，便于当托举平台2321托举工艺片托22进行工艺加工时，不干涉工艺片托22的移动。
优选地，定位部2313为定位凹槽，托举平台2321上设有与定位凹槽配合的定位凸块。
进一步地，本实施例中，上料腔1设有上料片托12及用于驱动上料片托12水平移动的上料传送机构11，上料片托12位于工艺片托22上方，上料片托12下方设有上料升降台141，上料升降台141用于带动上料片托12上的基片升降；
下料腔3设有下料片托32及用于驱动下料片托32水平移动的下料传送机构31，下料片托32位于工艺片托22上方，下料片托32下方设有下料升降台341，下料升降台341用于带动下料片托32上的基片升降。
本实施例中，以设置四个工艺工位23和五个工艺片托22，(“第一个工艺片托22”即靠近上料腔1的第一个工艺片托22，“最后一个工艺片托22”即靠近下料腔3的第一个工艺片托22)来举例说明传送方法：
在传送过程中，工艺传送机构21带动第一个工艺片托22移动至上料腔1，此时，上料片托12位于第一个工艺片托22上方，上料升降台141上升带动基片托离上料片托12，上料传送机构11带动上料片托12移动并远离上料升降台141，上料升降台141下降带动基片托至第一个工艺片托22，完成上料。五个工艺片托22整体朝下料腔3方向平移一个工位的距离。此时，靠近上料腔1端的第一个工艺片托22位于靠近上料腔1端的第一个工艺工位23，最后一个工艺片托22移动到下料腔3。升降驱动2322带动托举平台2321上升，将四个与工艺工位23对应的四个工艺片托22上的基片托举至各工艺工位23对应的工艺加工部进行工艺加工。下料升降台341上升将基片托离最后一个工艺片托22，下料片托32移动至工艺片托22上方，下料升降台341下降将基片托至下料片托32，完成下料。由于升降驱动2322偏离工艺片托22的移动方向设置，工艺片托22上设有能使托举平台2321通过的避让槽221，使得托举平台2321托举基片在工艺加工时，工艺片托22可以复位，再次进行上下料等作业，不发生干涉。
优选地，上料片托12和下料片托32均为U型，且均设有朝向传送腔2的开口。上料升降台141和下料升降台341在升降转移基片时，上料片托12和下料片托32能够不与上料升降台141和下料升降台341产生干涉，自由移动。
进一步地，本实施例中，工艺片托22数量多于工艺工位23数量。多出的工艺片托22能够在其他工艺片托22进行工艺加工的同步进行上料和下料作业，效率高，能够实现基片的步进式传递和连续工艺生产。
本实施例中，上料腔1还设有上料片盒工位13和上料工位14，上料片盒工位13下方设有上料升降驱动131，上料升降驱动131用于将片盒内基片托至上料片托12，上料升降台141位于上料工位14正下方；
下料腔3设有下料片盒工位33和下料工位34，下料片盒工位33下方设有下料升降驱动331，下料升降驱动331用于将基片从下料片托32托至片盒内，下料升降台341位于下料工位34正下方。晶圆片盒在上料片盒工位13和下料片盒工位33进行装载和卸载，通过上料传送机构11、下料传送机构31和上料升降驱动131、下料升降驱动331的配合，实现基片在片盒、上料片托12和下料片托32之间的转移。
优选地，上料工位14、下料工位34和各工艺工位23均匀布置，间隔距离相同，有利于工艺片托22转运时，工艺片托22与上料升降台141、下料升降台341和托举平台2321对齐，结构简单紧凑。
进一步地，本实施例中，上料腔1与传送腔2之间设有可开关的上料真空隔离机构41，下料腔3与传送腔2之间设有可开关的下料真空隔离机构42，上料腔1、传送腔2和下料腔3分别设有真空抽取机构6。
本实施例中，上料腔1上设有上料腔门15，下料腔3上设有下料腔门35。上料真空隔离机构41和下料真空隔离机构42将上料腔1、传送腔2和下料腔3分为可断开、可连通的三个真空腔室，当上料片盒内均被取走后，关闭上料真空隔离机构41，单独对上料腔1充气，打开上料腔门15更换待工艺基片的晶圆片盒，更换完成后，上料腔1的真空抽取机构6对上料腔1抽真空；当下料片盒均已装满，关闭下料真空隔离机构42，单独对下料腔3充气，打开下料腔门35取走完成工艺基片的晶圆片盒，取走后，下料腔3的真空抽取机构6对下料腔3抽真空，可以始终保持传送腔2的真空度，实现连续工艺生产。
进一步地，本实施例中，上料传送机构11、工艺传送机构21和下料传送机构31均为磁力耦合机构。无需真空专用电机等真空传动装置，结构简单，检修方便，成本降低。
进一步地，本实施例中，磁力耦合机构包括驱动件51，设于真空腔室腔外的腔外滑轨52、腔外磁体53和设于真空腔室腔内的腔内磁体54、腔内滑轨55，驱动件51驱动腔外磁体53沿腔外滑轨52滑动，腔外磁体53与腔内磁体54极性相反，可带动腔内磁体54沿腔内滑轨55滑动。优选地，腔外磁体53和腔内磁体54距离腔壁间距约1-2mm，磁体充磁约5000高斯，腔体为不导磁不锈钢材质。腔外磁体53和腔内磁体54同心布置，同心的磁体产生引力作用，腔外磁体53在驱动件51驱动力作用下运动时，可带动腔内磁体54同步运动，实现真空内外的动力传递。当真空腔室内负载较重时可增加多组磁体和驱动件51，提高驱动力。
进一步地，本实施例中，上料片托12与上料传送机构11的腔内磁体54连接，工艺片托22与工艺传送机构21的腔内磁体54连接，下料片托32与下料传送机构31的腔内磁体54连接。优选地，工艺传送机构21的腔内磁体54通过一根连接横杠与各工艺片托22连接，各工艺片托22均匀安装在连接横杠上，因此在本实施例中，只需各工艺片托22移动一个工位的距离，所以通过采用该设置，无需增加传送腔2的腔外滑轨52和腔内滑轨55的长度，也无需使得腔内滑轨55伸入到上料腔1和下料腔3内，即可实现工艺片托22在上料腔1、传送腔2和下料腔3腔内水平移动进行上下料作业，能够更好的保证密封性。
本实施例中，上料腔1设有用于检测上料片托12位置的位置传感器，传送腔2设有用于检测工艺片托22位置的位置传感器，下料腔3设有用于检测下料片托32位置的位置传感器。确保传送准确可靠。各位置传感器均可设置在真空腔室外，可不需使用真空专用位置传感器，降低了真空腔室内零部件复杂度，有利整个装置高真空的获得，降低成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种磁控溅射设备，包括依次设置的上料腔(1)、传送腔(2)和下料腔(3)，其特征在于：所述上料腔(1)、传送腔(2)和下料腔(3)均为真空腔室，所述传送腔(2)设有工艺传送机构(21)、多个工艺片托(22)和多个工艺工位(23)，所述工艺传送机构(21)用于带动工艺片托(22)沿上料腔(1)、传送腔(2)和下料腔(3)水平移动，所述工艺工位(23)包括同轴布置的工艺腔(231)和升降装置(232)，所述升降装置(232)用于带动工艺片托(22)上的基片升降，所述工艺腔(231)和升降装置(232)分别密封连接于传送腔(2)顶部和底部，所述工艺腔(231)底部设有可与升降装置(232)密封配合的开口(2312)，各工艺腔(231)内分别设有可对基片进行不同的工艺加工的工艺部件(2311)。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺腔(231)底部设有用于定位升降装置(232)位置的定位部(2313)。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺腔(231)底部还设有压环(2314)，所述开口(2312)和所述定位部(2313)均设于压环(2314)上。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述升降装置(232)包括用于托举工艺片托(22)上的基片的托举平台(2321)及用于驱动托举平台(2321)升降的升降驱动(2322)，所述升降驱动(2322)偏离工艺片托(22)的移动方向设置，所述工艺片托(22)上设有用于供托举平台(2321)通过的避让槽(221)，所述托举平台(2321)可与压环(2314)与密封配合，且所述开口(2312)的直径小于托举平台(2321)的直径。
5.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述上料腔(1)设有上料片托(12)及用于驱动上料片托(12)水平移动的上料传送机构(11)，所述上料片托(12)位于工艺片托(22)上方，所述上料片托(12)下方设有上料升降台(141)，所述上料升降台(141)用于带动上料片托(12)上的基片升降；
所述下料腔(3)设有下料片托(32)及用于驱动下料片托(32)水平移动的下料传送机构(31)，所述下料片托(32)位于工艺片托(22)上方，所述下料片托(32)下方设有下料升降台(341)，所述下料升降台(341)用于带动下料片托(32)上的基片升降。
6.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺片托(22)数量多于工艺工位(23)数量。
7.根据权利要求5所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述上料腔(1)与传送腔(2)之间设有可开关的上料真空隔离机构(41)，所述下料腔(3)与传送腔(2)之间设有可开关的下料真空隔离机构(42)，所述上料腔(1)、传送腔(2)和下料腔(3)分别设有真空抽取机构(6)。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述上料传送机构(11)、工艺传送机构(21)和下料传送机构(31)均为磁力耦合机构。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述磁力耦合机构包括驱动件(51)，设于真空腔室腔外的腔外滑轨(52)、腔外磁体(53)和设于真空腔室腔内的腔内磁体(54)、腔内滑轨(55)，所述驱动件(51)驱动腔外磁体(53)沿腔外滑轨(52)滑动，所述腔外磁体(53)与腔内磁体(54)极性相反，可带动腔内磁体(54)沿腔内滑轨(55)滑动。
10.根据权利要求9所述的磁控溅射设备，其特征在于：所述上料片托(12)与上料传送机构(11)的腔内磁体(54)连接，所述工艺片托(22)与工艺传送机构(21)的腔内磁体(54)连接，所述下料片托(32)与下料传送机构(31)的腔内磁体(54)连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311282607.9A CN117418204A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种磁控溅射设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311282607.9A CN117418204A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种磁控溅射设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117418204A true CN117418204A (zh) | 2024-01-19 |
Family
ID=89523824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311282607.9A Pending CN117418204A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种磁控溅射设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117418204A (zh) |
-
2023
- 2023-09-28 CN CN202311282607.9A patent/CN117418204A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10752987B2 (en) | System architecture for combined static and pass-by processing | |
| US10204810B2 (en) | Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm | |
| TWI696231B (zh) | 基板的雙面加工系統及方法 | |
| KR102072872B1 (ko) | 진공 처리용 시스템 아키텍처 | |
| WO2015096820A1 (zh) | 工艺腔室以及半导体加工设备 | |
| TWI611998B (zh) | 製造基板所用的晶圓承載板與光罩配置 | |
| US4558984A (en) | Wafer lifting and holding apparatus | |
| JP2002517055A (ja) | 基板取扱いおよび処理システムと方法 | |
| US20090191030A1 (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
| WO1999061350A2 (en) | Substrate transfer shuttle having a magnetic drive | |
| EP3394881A1 (en) | Methods of handling a mask device in a vacuum system, mask handling apparatus, and vacuum system | |
| JP2001135704A (ja) | 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法 | |
| CN109496348A (zh) | 半导体工艺设备 | |
| JP5247094B2 (ja) | 基板処理システム | |
| CN103173730B (zh) | 一种磁控溅射设备及其工艺方法 | |
| EP1749116B1 (en) | Methods and apparatuses for transferring articles through a load lock chamber under vacuum | |
| CN117418204A (zh) | 一种磁控溅射设备 | |
| CN104616955A (zh) | 一种等离子体加工设备 | |
| CN117418203A (zh) | 一种磁控溅射设备的基片传送装置及方法 | |
| CN215628274U (zh) | 具有对开式遮蔽构件的沉积设备 | |
| CN216141613U (zh) | 遮蔽机构及具有遮蔽机构的沉积腔体 | |
| KR101649299B1 (ko) | 선형 기판이송장치를 갖는 기판처리시스템 | |
| JP3666636B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| JPH03273606A (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN117802470A (zh) | 卡盘机构及成膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |