CN117410307B - 全彩色Micro LED阵列结构及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了全彩色Micro LED阵列结构及制备方法，涉及LED技术领域，包括基板，基板上表面设置若干组发光单元，单组发光单元呈4行4列阵列分布，发光单元从下往上依次包括衬底、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，P‑GaN层上设置P电极，P电极一端与第二引线一端连接，第二引线另一端与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。本发明中，通过在第二引线与P电极连接处设置扭结角度，增大第二引线与P电极连接处的扭结角度，使得第二引线的弯曲程度及长度增大，第二引线能够绕过阵列分布的发光单元，减少了对发光单元的遮挡，增强了发光效果。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，特别涉及全彩色Micro LED阵列结构及制备方法。
背景技术
Micro-LED又称为微发光二极管显示器，是指将传统的LED结构进行微小化，由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、功耗、可视角度等各种性能都要优于LCD和OLED技术，Micro-LED具有自发光、结构简单和极强的环境适应能力等优点。Micro-LED由微米级半导体发光单元阵列组成，是一种将电能转化为光能的电致发光器件，可以通过巨量转移批量地转移到驱动电路基板上，驱动电路基板可以为硬性或柔性衬底。然后利用物理气相沉积等方法在其上制备保护层和外接电极，最后进行封装。其中LED是由II-VI和III-V族化合物，如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)、GaN(氮化镓)等半导体制成的，其核心结构是由p型半导体和n型半导体材料形成的pn结组成的。当对LED施加正向电压时，通过电极从n型半导体和n型半导体经过分别向空间电荷区注入电子和空穴，并在结区复合发光。Micro-LED显示技术就是在微型发光二极管(LED)的基础上进行微缩化与矩阵化，其单个发光单元尺寸在50μm以下，且较高密度地集成在芯片上。
Micro-LED的发光单元通过金属引线与基板的焊盘连接，如授权公告号为“CN115188864B”的发明公开了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括：提供外延片；将外延片刻蚀出台面结构阵列并使最外围台面结构有倾斜侧面；在每个台面结构上依次设置电流扩散层和金属层；在以上结构上设置钝化层，并在钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔以使第一接触孔暴露出部分金属层且第二接触孔暴露出部分半导体层；在暴露出的金属层上设置第一电极并在露出的半导体层及与其相邻的钝化层上设置金属引线，金属引线的位于钝化层上方的部分作为第二电极；在第一电极和第二电极上设置金属凸点，得到微型LED芯片阵列；通过金属凸点将芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型LED器件。根据该方案，可弥补阴极和阳极的高度差。
但是，采用COB工艺封装过程中，焊接的金线会遮挡发光单元发出的光，从而对光源的出光造成影响。
发明内容
本发明提供全彩色Micro LED阵列结构及制备方法，用以解决目前Micro LED阵列结构中焊接的金线会遮挡发光单元发出的光，从而对光源的出光造成影响的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明公开了全彩色Micro LED阵列结构，包括：基板，基板上表面设置若干组发光单元，单组发光单元呈4行4列阵列分布，发光单元从下往上依次包括衬底、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，发光单元通过刻蚀形成台面结构并露出N-GaN层，P-GaN层上设置透明导电层，透明导电层及位于台阶位置的N-GaN层上均设置钝化层，N-GaN层上设置N电极，发光单元的N电极一端延伸至钝化层外部并通过第一引线依次连接实现共阴极，P-GaN层上设置P电极，P电极一端与P-GaN层连接，P电极另一端依次贯穿透明导电层、钝化层，并延伸至钝化层外部与第二引线一端连接，第二引线另一端与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。
优选地，透明导电层采用氧化铟锡制成。
优选地，钝化层材质为二氧化硅。
本发明还提供了全彩色Micro LED阵列结构制备方法，用于制备上述全彩色MicroLED阵列结构，包括以下步骤：
步骤1：在衬底上生长若干N-GaN层，在N-GaN层上生长量子阱层，在量子阱层上生长P-GaN层；
步骤2：在P-GaN层上制备透明导电层；
步骤3：使用感应耦合等离子体刻蚀制备台面结构，并露出N-GaN层；
步骤4：制备钝化层，钝化层覆盖在透明导电层及位于台面结构处的N-GaN层表面；
步骤5：在钝化层表面使用电子束蒸镀工艺制备金属薄膜层，并采用剥离工艺在N-GaN层上制备N电极、在P-GaN层上制备P电极，制得发光单元；
步骤6：将发光单元阵列分布在基板上，并通过COB技术进行封装，通过第一引线将N电极依次连接实现共阴极，通过第二引线将P电极与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。
优选地，在步骤2中，透明导电层的制备包括：使用电子束蒸镀厚度为120nm的氧化铟锡作为透明导电层，在氧气气氛、温度550℃条件下快速退火30sec以提高透明导电层的透光率，并采用湿法腐蚀工艺形成氧化铟锡圆盘。
优选地，在步骤4中，钝化层的制备包括：使用等离子增强化学气相沉积工艺制备厚度为1000nm的钝化层，钝化层采用二氧化硅制成。
优选地，金属薄膜层材质为铬、铂、金中的任意一种。
优选地，通过电子束镀膜装置制备透明导电层，电子束镀膜装置包括箱体，箱体底端连通设置进气管，箱体顶端连通设置出气管，箱体内设置支撑板，支撑板下方设置供气组件，支撑板上设置底座，底座上设置载具，载具内设置容纳腔，载具正上方设置夹具盘，箱体侧壁设置电子枪，电子枪输出端正对容纳腔内部。
优选地，供气组件包括驱动电机，驱动电机设置在支撑板底壁中心位置，驱动电机输出端设置第一转动轴，第一转动轴下端设置转动盘，转动盘下表面偏心位置设置转动柱，支撑板底壁设置若干供气筒，若干供气筒关于支撑板中心呈环形阵列分布，供气筒侧壁与支撑板底壁固定连接，供气筒上侧壁设置若干出气孔，出气孔内设置第一单向阀，支撑板内设置与出气孔相适配的连通孔，供气筒下侧壁设置进气孔，进气孔内设置第二单向阀，供气筒内滑动设置活塞板，活塞板与转动柱之间设置连接杆，连接杆一端与转动柱转动连接，连接杆另一端与活塞板靠近转动柱一侧铰接连接。
优选地，底座两侧对称设置第二转动轴，第二转动轴外侧壁设置若干叶片，第二转动轴下端穿过支撑板并设置从动齿轮，第二转动轴与支撑板贯穿位置转动连接，从动齿轮与主动齿轮啮合，主动齿轮设置在第一转动轴上。
本发明的技术方案具有以下优点：本发明提供了全彩色Micro LED阵列结构及制备方法，涉及LED技术领域，包括基板，基板上表面设置若干组发光单元，单组发光单元呈4行4列阵列分布，发光单元从下往上依次包括衬底、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，P-GaN层上设置P电极，P电极一端与第二引线一端连接，第二引线另一端与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。本发明中，通过在第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，增大第二引线与P电极连接处的扭结角度，使得第二引线的弯曲程度变大，间接增加了第二引线的长度，使得第二引线绕过阵列分布的发光单元，减少了对发光单元的遮挡，增强了发光效果。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及说明书附图中所特别指出的装置来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明全彩色Micro LED阵列结构整体结构示意图；
图2为本发明中P电极通过第二引线与焊盘连接的一种示意图；
图3为本发明中P电极通过第二引线与焊盘连接的另一种示意图；
图4为本发明全彩色Micro LED阵列结构侧视图；
图5为本发明中电子束镀膜装置整体结构示意图；
图6为本发明图5中A处结构放大图；
图7为本发明中供气筒分布示意图。
图中：1、基板；2、发光单元；3、衬底；4、N-GaN层；5、量子阱层；6、P-GaN层；7、透明导电层；8、钝化层；9、N电极；10、第一引线；11、P电极；12、第二引线；13、焊盘；14、箱体；15、进气管；16、出气管；17、支撑板；18、底座；19、载具；20、夹具盘；21、电子枪；22、驱动电机；23、第一转动轴；24、转动盘；25、转动柱；26、供气筒；27、出气孔；28、连通孔；29、活塞板；30、连接杆；31、第二转动轴；32、叶片；33、从动齿轮；34、主动齿轮；35、进气孔。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本发明，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案以及技术特征可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例1：
本发明实施例提供了全彩色Micro LED阵列结构，如图1-4所示，包括：基板1，基板1上表面设置若干组发光单元2，单组发光单元2呈4行4列阵列分布，发光单元2从下往上依次包括衬底3、N-GaN层4、量子阱层5和P-GaN层6，发光单元2通过刻蚀形成台面结构并露出N-GaN层4，P-GaN层6上设置透明导电层7，透明导电层7及位于台阶位置的N-GaN层4上均设置钝化层8，N-GaN层4上设置N电极9，发光单元2的N电极9一端延伸至钝化层8外部并通过第一引线10依次连接实现共阴极，P-GaN层6上设置P电极11，P电极11一端与P-GaN层6连接，P电极11另一端依次贯穿透明导电层7、钝化层8，并延伸至钝化层8外部与第二引线12一端连接，第二引线12另一端与基板1上的焊盘13连接，第二引线12与P电极11连接处、焊盘13连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线12长度的增加而增大；
透明导电层7采用氧化铟锡制成；
钝化层8材质为二氧化硅。
本发明还提供了全彩色Micro LED阵列结构制备方法，用于制备上述全彩色MicroLED阵列结构，包括以下步骤：
步骤1：在衬底3上生长若干N-GaN层4，在N-GaN层4上生长量子阱层5，在量子阱层5上生长P-GaN层6；
步骤2：在P-GaN层6上制备透明导电层7，透明导电层7的制备包括：使用电子束蒸镀厚度为120nm的氧化铟锡作为透明导电层7，在氧气气氛、温度550℃条件下快速退火30sec以提高透明导电层7的透光率，并采用湿法腐蚀工艺形成氧化铟锡圆盘；
步骤3：使用感应耦合等离子体刻蚀制备台面结构，并露出N-GaN层4；
步骤4：制备钝化层8，钝化层8覆盖在透明导电层7及位于台面结构处的N-GaN层4表面，钝化层8的制备包括：使用等离子增强化学气相沉积工艺制备厚度为1000nm的钝化层8，钝化层8采用二氧化硅制成；
步骤5：在钝化层8表面使用电子束蒸镀工艺制备金属薄膜层，金属薄膜层材质为铬、铂、金中的任意一种，并采用剥离工艺在N-GaN层4上制备N电极9、在P-GaN层6上制备P电极11，制得发光单元2；
步骤6：将发光单元2阵列分布在基板1上，并通过COB技术进行封装，通过第一引线10将N电极9依次连接实现共阴极，通过第二引线12将P电极11与基板1上的焊盘13连接，第二引线12与P电极11连接处、焊盘13连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线12长度的增加而增大。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：制备全彩色Micro LED阵列结构时，先在衬底3上生长若干N-GaN层4，在N-GaN层4上生长量子阱层5，在量子阱层5上生长P-GaN层6，接着在P-GaN层6上制备透明导电层7，透明导电层7的制备包括：使用电子束蒸镀厚度为120nm的氧化铟锡作为透明导电层7，在氧气气氛、温度550℃条件下快速退火30sec以提高透明导电层7的透光率，并采用湿法腐蚀工艺形成氧化铟锡圆盘，透明导电层7制备完成后，使用感应耦合等离子体刻蚀制备台面结构，台面结构深度约为1.25μm，台面结构制备完成后，露出N-GaN层4，然后制备钝化层8，钝化层8覆盖在透明导电层7及位于台面结构处的N-GaN层4表面，钝化层8的制备包括：使用等离子增强化学气相沉积工艺制备厚度为1000nm的钝化层8，钝化层8采用二氧化硅制成，接着在钝化层8表面使用电子束蒸镀工艺制备金属薄膜层，金属薄膜层材质为铬、铂、金中的任意一种，并采用剥离工艺在N-GaN层4上制备N电极9、在P-GaN层6上制备P电极11，制得发光单元2，最后将发光单元2阵列分布在基板1上，并通过COB技术进行封装，通过第一引线10将N电极9依次连接实现共阴极，通过第二引线12将P电极11与基板1上的焊盘13依次连接，第一引线10与第二引线12可以为金线，第二引线12与P电极11连接处、焊盘13连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线12长度的增加而增大，以第二引线12与P电极11的连接为例，在焊线的时候把不同发光单元2的电极的线路分批焊接，对于需要将长度加长的P电极11，调节第二引线12一焊的扭结角度，增大使第二引线12键合的曲率，第二引线12弯曲程度变大从而间接增加第二引线12长度，使得第二引线12绕过阵列分布的发光单元2，减少了对发光单元2的遮挡，增强了发光效果；对于第二引线12长度需尽量保持较短的引脚，将一焊的扭结角度减小，让P电极11与焊盘13之间的第二引线12尽可能平滑，避免了第二引线12的浪费，节省成本。
实施例2
在实施例1的基础上，如图5-图7所示，通过电子束镀膜装置制备透明导电层7，电子束镀膜装置包括箱体14，箱体14底端连通设置进气管15，箱体14顶端连通设置出气管16，箱体14内设置支撑板17，支撑板17下方设置供气组件，支撑板17上设置底座18，底座18上设置载具19，载具19内设置容纳腔，载具19正上方设置夹具盘20，箱体14侧壁设置电子枪21，电子枪21输出端正对容纳腔内部。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：透明导电层7通过电子束蒸镀工艺制得，制备透明导电层7时，将待制备的发光单元2的P-GaN层6朝下设置在载具19正上方，发光单元2通过夹具盘20固定，然后在容纳腔内放置蒸镀材料，进气管15输入端连通有氧气源，氧气能够通过进气管15进入支撑板17下部空间，并通过供气组件均匀进入支撑板17上方空间，出气管16外部连通有真空泵，通过真空泵能够抽取箱体14内的气体，启动电子枪21，电子枪21产生的电子束能够照射在蒸镀材料上，从而使蒸镀材料蒸镀在P-GaN层6表面，形成透明导电层7，供气组件能够为蒸镀过程提供均匀的氧气，从而提高透明导电层7的制备效果，提高了透明导电层7的透光率。
实施例3
在实施例2的基础上，如图5-图7所示，供气组件包括驱动电机22，驱动电机22设置在支撑板17底壁中心位置，驱动电机22输出端设置第一转动轴23，第一转动轴23下端设置转动盘24，转动盘24下表面偏心位置设置转动柱25，支撑板17底壁设置若干供气筒26，若干供气筒26关于支撑板17中心呈环形阵列分布，供气筒26侧壁与支撑板17底壁固定连接，供气筒26上侧壁设置若干出气孔27，出气孔27内设置第一单向阀，支撑板17内设置与出气孔27相适配的连通孔28，供气筒26下侧壁设置进气孔35，进气孔35内设置第二单向阀，供气筒26内滑动设置活塞板29，活塞板29与转动柱25之间设置连接杆30，连接杆30一端与转动柱25转动连接，连接杆30另一端与活塞板29靠近转动柱25一侧铰接连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：为了保证透明导电层7制备过程中氧气的均匀程度，在支撑板17下方设置供气组件，进气管15连接有氧气气源，能够源源不断的为箱体14内供气，供气时，启动驱动电机22，驱动电机22转动带动第一转动轴23转动，第一转动轴23转动带动转动盘24转动，转动盘24转动带动偏心设置的转动柱25转动，转动柱25转动时能够带动连接杆30运动，连接杆30与供气筒26相对应，不同连接杆30运动时，依次带动不同的活塞板29在与之对应的供气筒26内往复滑动，当活塞板29向靠近驱动电机22方向运动时，供气筒26内气压减小，氧气便通过进气孔35进入供气筒26内，接着，活塞板29向远离驱动电机22方向运动，从而将供气筒26内的氧气依次通过出气孔27、连通孔28输送至支撑板17上方的空间内，氧气便能对气体的蒸镀材料进行氧化，由于多个供气筒26呈环形阵列分布，因此能够将进气管15输出的氧气呈不同方位均匀输送至支撑板17上方，实现了全方位的提供氧气，避免了由单一进气管15供气造成的供气不均匀的问题，防止箱体14内局部氧气浓度过大，通过供气组件的均匀供气，提高了氧气的均匀程度，能够提高蒸镀材料的氧化效果，从而提高透明导电层7的制备效果，进一步提高了透明导电层7的透光率。
实施例4
在实施例3的基础上，如图5所示，底座18两侧对称设置第二转动轴31，第二转动轴31外侧壁设置若干叶片32，第二转动轴31下端穿过支撑板17并设置从动齿轮33，第二转动轴31与支撑板17贯穿位置转动连接，从动齿轮33与主动齿轮34啮合，主动齿轮34设置在第一转动轴23上。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：第一转动轴23转动时带动主动齿轮34转动，主动齿轮34转动带动从动齿轮33转动，从动齿轮33转动能够带动第二转动轴31转动，第二转动轴31转动带动叶片32转动，从而对连通孔28流出的氧气进行搅动，加速了氧气的流动，并使氧气流动范围增大，扩散了箱体14内氧气范围，使得箱体14内的氧气更加均匀，营造了良好的氧气气氛，使得氧气能够与气态的蒸镀材料更充分的接触，提高了透明导电层7的制备效果，提升了制备效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在衬底(3)上生长若干N-GaN层(4)，在N-GaN层(4)上生长量子阱层(5)，在量子阱层(5)上生长P-GaN层(6)；
步骤2：在P-GaN层(6)上制备透明导电层(7)；
步骤3：使用感应耦合等离子体刻蚀制备台面结构，并露出N-GaN层(4)；
步骤4：制备钝化层(8)，钝化层(8)覆盖在透明导电层(7)及位于台面结构处的N-GaN层(4)表面；
步骤5：在钝化层(8)表面使用电子束蒸镀工艺制备金属薄膜层，并采用剥离工艺在N-GaN层(4)上制备N电极(9)、在P-GaN层(6)上制备P电极(11)，制得发光单元(2)；
步骤6：将发光单元(2)阵列分布在基板(1)上，并通过COB技术进行封装，通过第一引线(10)将N电极(9)依次连接实现共阴极，通过第二引线(12)将P电极(11)与基板(1)上的焊盘(13)连接，第二引线(12)与P电极(11)连接处、焊盘(13)连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线(12)长度的增加而增大；
在步骤2中，透明导电层(7)的制备包括：使用电子束蒸镀厚度为120nm的氧化铟锡作为透明导电层(7)，在氧气气氛、温度550℃条件下快速退火30sec以提高透明导电层(7)的透光率，并采用湿法腐蚀工艺形成氧化铟锡圆盘；
通过电子束镀膜装置制备透明导电层(7)，电子束镀膜装置包括箱体(14)，箱体(14)底端连通设置进气管(15)，箱体(14)顶端连通设置出气管(16)，箱体(14)内设置支撑板(17)，支撑板(17)下方设置供气组件，支撑板(17)上设置底座(18)，底座(18)上设置载具(19)，载具(19)内设置容纳腔，载具(19)正上方设置夹具盘(20)，箱体(14)侧壁设置电子枪(21)，电子枪(21)输出端正对容纳腔内部；
供气组件包括驱动电机(22)，驱动电机(22)设置在支撑板(17)底壁中心位置，驱动电机(22)输出端设置第一转动轴(23)，第一转动轴(23)下端设置转动盘(24)，转动盘(24)下表面偏心位置设置转动柱(25)，支撑板(17)底壁设置若干供气筒(26)，若干供气筒(26)关于支撑板(17)中心呈环形阵列分布，供气筒(26)侧壁与支撑板(17)底壁固定连接，供气筒(26)上侧壁设置若干出气孔(27)，出气孔(27)内设置第一单向阀，支撑板(17)内设置与出气孔(27)相适配的连通孔(28)，供气筒(26)下侧壁设置进气孔(35)，进气孔(35)内设置第二单向阀，供气筒(26)内滑动设置活塞板(29)，活塞板(29)与转动柱(25)之间设置连接杆(30)，连接杆(30)一端与转动柱(25)转动连接，连接杆(30)另一端与活塞板(29)靠近转动柱(25)一侧铰接连接；
还包括采用全彩色Micro LED阵列结构制备方法制备的全彩色Micro LED阵列结构，包括：基板(1)，基板(1)上表面设置若干组发光单元(2)，单组发光单元(2)呈4行4列阵列分布，发光单元(2)从下往上依次包括衬底(3)、N-GaN层(4)、量子阱层(5)和P-GaN层(6)，发光单元(2)通过刻蚀形成台面结构并露出N-GaN层(4)，P-GaN层(6)上设置透明导电层(7)，透明导电层(7)及位于台阶位置的N-GaN层(4)上均设置钝化层(8)，N-GaN层(4)上设置N电极(9)，发光单元(2)的N电极(9)一端延伸至钝化层(8)外部并通过第一引线(10)依次连接实现共阴极，P-GaN层(6)上设置P电极(11)，P电极(11)一端与P-GaN层(6)连接，P电极(11)另一端依次贯穿透明导电层(7)、钝化层(8)，并延伸至钝化层(8)外部与第二引线(12)一端连接，第二引线(12)另一端与基板(1)上的焊盘(13)连接，第二引线(12)与P电极(11)连接处、焊盘(13)连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线(12)长度的增加而增大。
2.根据权利要求1所述的全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，透明导电层(7)采用氧化铟锡制成。
3.根据权利要求1所述的全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，钝化层(8)材质为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，在步骤4中，钝化层(8)的制备包括：使用等离子增强化学气相沉积工艺制备厚度为1000nm的钝化层(8)，钝化层(8)采用二氧化硅制成。
5.根据权利要求1所述的全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，金属薄膜层材质为铬、铂、金中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的全彩色Micro LED阵列结构制备方法，其特征在于，底座(18)两侧对称设置第二转动轴(31)，第二转动轴(31)外侧壁设置若干叶片(32)，第二转动轴(31)下端穿过支撑板(17)并设置从动齿轮(33)，第二转动轴(31)与支撑板(17)贯穿位置转动连接，从动齿轮(33)与主动齿轮(34)啮合，主动齿轮(34)设置在第一转动轴(23)上。
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