CN117389108B - 用于光学邻近效应修正的方法、设备和介质 - Google Patents
用于光学邻近效应修正的方法、设备和介质 Download PDFInfo
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Abstract
根据本公开的示例实施例提供了用于光学邻近效应修正的方法、设备和介质。在该方法中，基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段。多个目标片段被划分到至少一个片段组中。进一步地，基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于同一片段组来生成约束影响信息。针对多个目标片段中的每对目标片段，约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反掩模制造约束的影响。此外，基于约束影响信息来确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。以此方式，可以有效地提高光学邻近效应修正的效率和质量。
Description
技术领域
本公开的实施例主要涉及计算机辅助设计领域，并且更具体地，涉及用于光学邻近效应修正的方法、设备和介质。
背景技术
在集成电路（Integrated Circuit，IC）制造中，光刻是指利用光学投影曝光的方法将掩模上的图形转移到晶圆上的过程，其是集成电路制造的关键步骤。计算光刻技术是90年代至今图形微缩技术继续向前发展的重要推动力，其旨在现有光刻机等设备硬件环境不变的情况下，通过提升分辨率等软件技术来使曝光最小尺寸突破硬件的限制。
随着光刻技术的日益发展，光刻过程受光学邻近效应的影响越来越严重。这会导致晶圆上的图形与所期望的图形之间存在不期望有的差异，进而造成集成电路的电学特性出现偏差，并且影响最终所获得的芯片的功能和良率。光学邻近效应修正（OpticalProximity Correction，OPC）是一种针对掩模的预补偿技术。通过对掩模上的版图图形进行补偿修正，使其经过曝光显影后在晶圆上得到图形与所期望的图形一致。因此，如何更高效地进行光学邻近效应修正成为亟待解决的问题。
发明内容
在本公开的第一方面中，提供了一种用于光学邻近效应修正的方法。该方法包括：基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段，多个目标片段被划分到至少一个片段组中，其中多个可移动片段中的每个可移动片段是目标版图中的图形的一部分，并且能够在针对目标版图的光学邻近效应修正中被移动；基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于至少一个片段组中的同一片段组，生成约束影响信息，其中针对多个目标片段中的每对目标片段，约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反掩模制造约束的影响；以及基于约束影响信息，确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。
在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的用于芯片排版的方法。
在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的用于芯片排版的方法。
在根据本公开的各实施例的光学邻近效应修正方案中，通过考虑基于掩模制造约束和移动距离信息挑选的多个目标片段及其约束影响信息，来确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离。通过这种方式，一方面，可以基于掩模制造约束和移动距离信息挑选出具有违反掩模制造约束的可能性的目标片段，从而可以有效地控制后续确定OPC结果所需要的计算资源。以此方式，可以有效地提高光学邻近效应修正的效率。另一方面，通过基于挑选出的目标片段及其约束影响信息来进行光学邻近效应修正，可以在确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离的同时，考虑片段移动距离对OPC结果是否符合掩模制造约束的影响。以此方式，可以高效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果。根据本公开的各实施例的光学邻近效应修正方案可以有效地提高光学邻近效应修正的效率和质量。
应当理解，本发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：
图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；
图2示出了根据本公开的一些实施例的第一图形的示意图；
图3示出了根据本公开的一些实施例的第二图形和第三图形的示意图；
图4示出了根据本公开的一些实施例的用于光学邻近效应修正的方法的流程图；以及
图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至 少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
如上文所简要提及的，为了减小光刻过程中的光学邻近效应的影响，可以通过执行光学邻近效应修正来对掩模上的版图图形进行补偿修正。目前已有的一种方案是在OPC修正程序中，采用仿真的方法来推断版图中每个图形片段（segment）的最后摆放位置。由于最终OPC的结果要具现在掩模上，并且较高的掩模制造规格需要较高的成本，因此期望OPC修正程序所生成OPC结果符合对应规格掩模的制造规则。
在目前已有的OPC修正程序中，往往只是简单地对违反掩模制造规则的图形做了限制，使得实现OPC最佳效果和符合掩模制造规则这两个目标相互冲突，而只能满足其中一个目标。在对特殊工艺热点的修正必须要同时兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的情况下，OPC修正程序往往需要相对较长的时间才能收敛到满足要求的OPC结果，有时甚至需要推翻全芯片的运行结果再重新开始，从而使得目前已有的OPC修正程序效率较低，无法高效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果。
为此，本公开的一些实施例提出了一种用于光学邻近效应修正的改进方案。在该方案中，基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段。该多个目标片段被划分到至少一个片段组中。进一步地，基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于至少一个片段组中的同一片段组，生成约束影响信息。针对多个目标片段中的每对目标片段，约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反掩模制造约束的影响。进而，基于约束影响信息来确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。
通过下文描述将会更清楚地理解，根据本公开的实施例，通过考虑基于掩模制造约束和移动距离信息挑选的多个目标片段及其约束影响信息，来确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离。通过这种方式，一方面，可以基于掩模制造约束和移动距离信息挑选出具有违反掩模制造约束的可能性的目标片段，从而可以有效地控制后续确定OPC结果所需要的计算资源。以此方式，可以有效地提高光学邻近效应修正的效率。另一方面，通过基于挑选出的目标片段及其约束影响信息来进行光学邻近效应修正，可以在确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离的同时，考虑片段移动距离对OPC结果是否符合掩模制造约束的影响。以此方式，可以高效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果。根据本公开的各实施例的光学邻近效应修正方案可以有效地提高光学邻近效应修正的效率和质量。
以下将参考附图来详细描述所提出的方案的各种示例实现。
首先参见图1，其示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。示例环境100总体上可以包括电子设备120。在一些实施例中，电子设备120可以是诸如个人计算机、工作站、服务器等具有计算功能的设备。本公开的范围在此方面不受限制。
电子设备120可以获取待修正的目标版图110。在一些实施例中，目标版图110可以由用户输入电子设备120。在另一些实施例中，目标版图110可以已经预先被存储在电子设备120中。在又一些实施例中，目标版图110可以由电子设备120生成。在再一些实施例中，电子设备120还可以通信地耦连到其他设备，以从其他设备获取目标版图110。本公开的范围在此方面不受限制。
电子设备120可以基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从目标版图110包括的多个可移动片段中确定多个目标片段，并且将多个目标片段划分到至少一个片段组中。进一步地，基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于同一片段组来生成约束影响信息，并且基于约束影响信息来确定目标移动量信息130。目标移动量信息130例如可以包括多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的目标移动距离。这将在下文中结合图2至图3进一步详细描述。应当理解的是，仅出于示例性的目的描述环境100的结构和功能，而不暗示对于本公开的范围的任何限制。
为了便于理解的目的，首先参考图2来描述本公开的上下文所涉及的图形、片段和采样点。图2示出了根据本公开的一些实施例的第一图形200的示意图。如图2所示，第一图形200属于多边形类型，并且包括4个顶点，即点Q1、Q2、Q3和Q4。在一些实施例中，可以基于预设规则来将图形的边缘划分成多个线段，以获得多个图形片段。为了描述的简洁性，在本公开的上下文中，“图形片段”也可以被简称为“片段”。
在一些实施例中，可以以等间距方式来对图形的边缘进行划分。在图2的示例中，可以以等间距的方式将第一图形200的由点Q1和Q2限定的边缘（记作边缘Q1Q2）划分成（由虚线示出）两个线段，以获得两个片段，即片段211和片段212。类似地，可以将第一图形200的由点Q3和Q4限定的边缘（记作边缘Q3Q4）划分成（由虚线示出）两个线段，以获得两个片段，即片段214和片段215。此外，可以将第一图形200的由点Q2和Q3限定的边缘（记作边缘Q2Q3）作为一个线段，以获得一个片段213。类似地，可以将第一图形200的由点Q4和Q1限定的边缘（记作边缘Q4Q1）作为一个线段，以获得一个片段216。因此，第一图形200包括6个图形片段，即片段211、片段212、片段213、片段214、片段215和片段216。
在另一些实施例中，可以直接将图形的各个边缘作为图形片段。在图2的示例中，可以直接将图2所包括的4个边缘（即，边缘Q1Q2、边缘Q2Q3、边缘Q3Q4以及边缘Q4Q1）作为4个图形片段。应当理解的是，还可以基于其他任何合适的方式来对图形进行划分以获得图形片段，本公开的范围在此方面不受限制。
在一些实施例中，针对每个图形片段可以确定一个采样点来代表该图形片段，以用于后续针对版图的仿真。在一些实施例中，可以将每个图形片段的中点作为相应的采样点。在图2的示例中，可以将点P1作为片段211的采样点，将点P2作为片段212的采样点，将点P3作为片段213的采样点，将点P4作为片段214的采样点，将点P5作为片段215的采样点，并且将点P6作为片段216的采样点。应当理解的是，一个图形片段还可以具有两个或更多个采样点。此外，还可以基于其他任何合适的方式来确定图形片段的采样点，本公开的范围在此方面不受限制。
通过这种方式，可以将版图中的图形拆解为多个图形片段，进而通过对每个图形片段的采样点进行仿真来获取对版图曝光结果的仿真，从而提高仿真效率。
下面描述根据本公开的示例性实施例的光学邻近效应修正过程的概要。如上文中简要提及的，电子设备120可以获取待修正的目标版图110。目标版图110可以包括一个或多个图形，并且每个图形可以包括一个或多个片段。目标版图110所包括的所有片段中的至少一部分片段能够在针对目标版图110的光学邻近效应修正中被移动。这样的片段也可以被称为可移动片段。
在一些实施例中，电子设备120还可以获取掩模制造约束。掩模制造约束描述了将版图具现在掩模上所需要满足的约束条件。在本公开的上下文中，掩模制造约束也可以被称为掩模制造规则。示例性地，掩模制造约束可以包括掩模上图形的最小间距、最小宽度，等等。
附加地，电子设备120还可以获取与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息。在一些实施例中，移动距离信息可以包括针对OPC的修正限制参数。例如，移动距离信息可以包括针对版图中不同类型的图形片段的最大可移动距离，即相应图形片段在光学邻近效应修正中被允许移动的最大距离。在另一些实施例中，移动距离信息可以包括针对版图中的各个可移动片段的预测移动距离。该预测移动距离可以基于对目标版图110的曝光仿真而被确定。
例如，可以在对目标版图110的曝光仿真（例如，第一次曝光仿真）后，根据仿真结果来确定针对一个可移动片段的参考移动距离。该参考移动距离也可以被称为拟移动值（Proposed Moving Value，PMV），其相当于针对该可移动片段的初步OPC结果。在一些实施例中，可以直接将针对一个可移动片段的参考移动距离作为针对该可移动片段的预测移动距离。在另一些实施例中，可以利用针对参考移动距离的调节因子来调节参考移动距离，以获得针对该可移动片段的预测移动距离。该预测移动距离相当于对该可移动片段在光学邻近效应修正中实际移动的距离的预测值。该调节因子的取值例如可以取决于目标版图110的工艺节点等因素。调节因子的示例值可以是1.2或1.3，等等。示例性地，可以将该调节因子与参考移动距离的乘积作为相应的预测移动距离。可以以类似的方式来确定针对版图中的各个可移动片段的预测移动距离。
通过这种方式，可以直接基于对目标版图110的曝光仿真来预测OPC修正过程中实际需要采用的移动距离，以便后续据此挑选具有违反掩模制造规则的可能性的图形片段，从而可以提高后续光学邻近效应修正的效率。这将在下文中进一步详细描述。应当理解的是，还可以以其他任何合适的方式来基于对目标版图110的曝光仿真确定预测移动距离。此外，移动距离信息还可以包括其他任何合适的信息，本公开的范围在此方面不受限制。
在一些实施例中，掩模制造约束和/或移动距离信息可以由用户输入电子设备120。在另一些实施例中，掩模制造约束和/或移动距离信息可以已经预先被存储在电子设备120中。在又一些实施例中，掩模制造约束和/或移动距离信息可以由电子设备120生成。在再一些实施例中，电子设备120还可以通信地耦连到其他设备，以从其他设备获取掩模制造约束和/或移动距离信息。本公开的范围在此方面不受限制。
进一步地，电子设备120可以基于掩模制造约束和移动距离信息，来从目标版图110包括的多个可移动片段中确定多个目标片段，并且将多个目标片段划分到至少一个片段组中。该多个目标片段例如可以具有违反掩模制造约束的可能性。在本公开的上下文中，该至少一个片段组也可以被称为至少一组目标片段。
在一些实施例中，针对多个可移动片段中的两个可移动片段，可以基于掩模制造约束、移动距离信息以及在目标版图110中这两个可移动片段之间的间距，来确定针对两个可移动片段是否违反掩模制造约束的预测结果。示例性地而非限制性地，两个可移动片段之间的间距可以对应于工艺节点设计规则中的最小间距，或者大于该最小间距。应当理解的是，这两个可移动片段可以是多个可移动片段中的任意两个可移动片段。例如，可以针对多个可移动片段中的每两个可移动片段都确定相应的预测结果。
在一个示例中，移动距离信息可以包括针对两个可移动片段中的第一可移动片段的最大可移动距离。如果确定两个可移动片段之间的间距与针对该第一可移动片段的最大可移动距离之差违反掩模制造约束，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。例如，在这两个可移动片段属于同一图形的情况下，如果上述差值小于掩模制造约束所规定的图形最小宽度，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。又例如，在这两个可移动片段属于不同图形的情况下，如果上述差值小于掩模制造约束所规定的图形最小间距，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。通过这种方式，可以直接基于针对OPC的修正限制参数来判断图形片段是否具有违反掩模制造规则的可能性，从而可以更加高效地挑选具有违反掩模制造规则的可能性的图形片段。
在另一个示例中，移动距离信息可以包括针对两个可移动片段中的第二可移动片段的预测移动距离。如果确定两个可移动片段之间的间距与针对第二可移动片段的预测移动距离之差违反掩模制造约束，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。例如，在这两个可移动片段属于同一图形的情况下，如果上述差值小于掩模制造约束所规定的图形最小宽度，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。又例如，在这两个可移动片段属于不同图形的情况下，如果上述差值小于掩模制造约束所规定的图形最小间距，则可以将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。通过这种方式，可以直接基于预测移动距离来判断图形片段是否具有违反掩模制造规则的可能性，从而可以更加高效地挑选具有违反掩模制造规则的可能性的图形片段。
需要指出的是，上文提及的第一可移动片段和第二可移动片段可以是两个可移动片段中的任一可移动片段，并且第一可移动片段可以与第二可移动片段相同或不同。本公开的范围在此方面不受限制。
进一步地，如果确定预测结果指示两个可移动片段违反掩模制造约束，则可以基于两个可移动片段来确定一组目标片段。例如，可以将这两个可移动片段确定为两个目标片段，并且划分到同一片段组中，以获得一组目标片段。又例如，在基于上述方式确定三个或更多个可移动片段彼此之间相互影响而可能违反掩模制造约束的情况下，可以将这些可移动片段都确定为目标片段，并且划分到同一片段组中，以获得一组目标片段。可以理解的是，与一个可移动片段相对应的一个目标片段可以被包括在一个或多个片段组中。
通过上述方式，可以筛选出具有违反掩模制造规则的可能性的图形片段，从而可以有效地控制后续确定OPC结果所需要的计算资源。以此方式，可以有效地提高光学邻近效应修正的效率。
然后，电子设备120可以基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于至少一个片段组中的同一片段组来生成约束影响信息。针对多个目标片段中的每对目标片段，约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反掩模制造约束的影响。
示例性地，多个目标片段中的第一对目标片段例如可以包括第一目标片段和第二目标片段。如果第一目标片段和第二目标片段不属于同一片段组，则约束影响信息可以指示：第一目标片段的移动对第二目标片段是否违反掩模制造约束没有影响、以及第二目标片段的移动对第一目标片段是否违反掩模制造约束没有影响。如果第一目标片段和第二目标片段属于同一片段组，则约束影响信息可以指示：第一目标片段的移动对第二目标片段是否违反掩模制造约束的影响程度、以及第二目标片段的移动对第一目标片段是否违反掩模制造约束的影响程度。附加地，约束影响信息还可以指示第一目标片段的移动对第一目标片段自身是否违反掩模制造约束的影响程度、以及第二目标片段的移动对第二目标片段自身是否违反掩模制造约束的影响程度。
在一些实施例中，可以将满足掩模制造约束和违反掩模制造约束这两个离散状态转化为连续数值。例如，小于预定阈值的数值可以对应于违反掩模制造约束的状态，大于或等于该预定阈值的数值可以对应于满足掩模制造约束的状态。在一数值小于预定阈值的情况下，该数值与预定阈值的差异越大指示违反掩模制造约束的程度越大。类似地，在一数值大于预定阈值的情况下，该数值与预定阈值的差异越大指示满足掩模制造约束的程度越大。
在一些实施例中，可以通过仿真的方式来确定上述约束影响信息。示例性地而非限制性地，可以尝试性地将第一目标片段移动一定距离，并且通过仿真来确定该移动距离对第一目标片段自身是否违反掩模制造约束的影响大小、以及该移动距离对第二目标片段是否违反掩模制造约束的影响大小。进一步地，可以通过将该移动距离对第一目标片段自身是否违反掩模制造约束的影响大小所对应的数值除以该移动距离，来确定一个影响系数。该影响系数指示第一目标片段的每单位移动距离对第一目标片段自身是否违反掩模制造约束的影响程度。类似地，可以通过将该移动距离对第二目标片段是否违反掩模制造约束的影响大小所对应的数值除以该移动距离，来确定另一影响系数。该另一影响系数指示第一目标片段的每单位移动距离对第二目标片段是否违反掩模制造约束的影响程度。
应当理解的是，还可以通过其他任何合适的方式来将满足掩模制造约束和违反掩模制造约束这两个离散状态转化为连续数值，例如借助于阶跃函数，等等。此外，还可以以其他任何合适的方式来确定约束影响信息，例如通过构造数学模型来推导约束影响信息，或者通过机器学习模型来确定约束影响信息，等等。本公开的范围在此方面不受限制。
进一步地，电子设备120可以基于约束影响信息，确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。在一些实施例中，可以基于所确定的多个目标片段的相应候选移动距离、约束影响信息、以及与掩模制造约束有关的修正目标，确定约束扰动强度。该约束扰动强度可以指示：根据多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图110对修正目标的违反程度。约束扰动强度例如可以对应于掩模制造规则检查（MaskRule Check，MRC）的修正误差。
例如，与掩模制造约束有关的修正目标可以包括：所确定的多个目标片段的每个目标片段在光学邻近效应修正之后都应当满足掩模制造约束。又例如，在一些特定的应用场景中，部分目标片段可以被允许在较小的程度上不满足掩模制造约束。因此，修正目标可以包括：部分目标片段违反掩模制造约束在可允许范围内，而其余目标片段都应当满足掩模制造约束。上述修正目标可以通过上文描述的方式表征为具体数值或数值范围。
在一些实施例中，约束扰动强度可以包括多个约束扰动分量。多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量与多个目标片段中的一个目标片段相对应。每个约束扰动分量例如可以指示：在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图110中，相应目标片段对修正目标的违反程度。
附加地，可以基于多个可移动片段的相应候选移动距离，确定曝光扰动强度。该曝光扰动强度可以指示：根据多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图110受光学邻近效应的影响程度。曝光扰动强度例如可以对应OPC的修正误差。示例性地而非限制性地，可以基于多个可移动片段的相应候选移动距离、针对目标版图110中的全部片段的曝光影响信息、以及针对全部片段的曝光修正信号，确定曝光扰动强度。
例如，曝光影响信息可以指示多个可移动片段中的每个可移动片段的移动对全部图形片段中的每个片段的曝光信号的影响，并且可以通过仿真、数学建模推导、机器学习模型等方式来确定。这与上文参考约束影响信息描述的方式类似，本公开在此不再赘述。此外，曝光修正信号例如可以基于针对目标版图110的曝光结果的仿真来确定。示例性地，针对一个图形片段，曝光修正信号例如可以包括基于曝光仿真确定的该图形片段在光学邻近效应修正中需要移动的距离。应当理解的是，曝光修正信号还可以通过其他任何合适的方式（例如，建模推导，等等）来确定。
在一些实施例中，曝光扰动强度可以包括多个曝光扰动分量。多个曝光扰动分量中的每个曝光扰动分量与目标版图110中的全部片段中的一个片段相对应。每个曝光扰动分量例如可以指示：在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图110中，相应片段受光学邻近效应的影响程度。
在一些实施例中，可以通过下面的式子来计算曝光扰动强度和约束扰动强度：
其中N表示目标版图中的图形片段的总数目；M表示目标版图中的可移动片段的总数目；L表示所确定的多个目标片段中的目标片段的总数目；Fi表示针对第i个图形片段的曝光修正信号，并且变量i的取值范围是1到N；Bs表示针对第s个目标片段的与掩模制造约束有关的修正目标，并且变量s的取值范围是1到L；Dj表示第j个可移动片段的移动距离，并且变量j的取值范围是1到M；DM+t表示第t个目标片段的移动距离，并且变量t的取值范围是1到L；FDi,j表示第j个可移动片段的移动对第i个图形片段的曝光信号的影响；BDs,M+t表示第t个目标片段的移动对第s个目标片段是否违反掩模制造约束的影响；Ei表示在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图中第i个图形片段受光学邻近效应的影响程度，并且Gs表示在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图中第s个目标片段对与掩模制造约束有关的修正目标的违反程度。
需要指出的是，由于目标片段是从可移动片段中挑选出来的，因此所确定的多个目标片段的相应移动距离被包括在多个可移动片段的相应移动距离中。因此，在以上式子中，目标片段的移动距离和可移动片段的移动距离都借助于符号D来表示，并通过不同的下标来加以区分。应当理解的是，取决于上述式子中各项所对应的量纲中正负号的不同含义，式子中的加号也可以用减号替换。此外，上述式子仅是示例性的而非限制性的，根据本公开的实施例的方案还可以借助于其他任何合适方式来体现。本公开的范围在此方面不受限制。
进一步地，电子设备120可以基于曝光扰动强度和约束扰动强度，借助于适当的成本函数来确定与多个可移动片段的相应候选移动距离相对应的成本。示例性地而非限制性地，可以借助于相应的权重来调节曝光扰动分量和/或约束扰动分量，以用于确定成本。在一个示例中，可以将多个曝光扰动分量与多个约束扰动分量的加权和确定为成本。在又一个示例中，可以将多个曝光扰动分量与多个约束扰动分量的加权平均确定为成本。应当理解的是，还可以以任何其他合适的方式来基于曝光扰动强度和约束扰动强度确定成本，本公开的范围在此方面不受限制。
在一些实施例中，针对多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量的权重可以基于以下至少一项而被确定：与该约束扰动分量相对应的目标片段所属的图形的宽度、该目标片段所属的图形与所确定的多个目标片段中的一个或多个其他目标片段所属的图形之间的重合程度、在目标版图110中该目标片段的上方或下方是否具有接触孔、在目标版图110中该目标片段的上方或下方是否具有通孔、或者在目标版图110中该目标片段的上方或下方是否具有多晶硅。
图3示出了根据本公开的一些实施例的第二图形310和第三图形320的示意图。如图3所示，第二图形310与第三图形320在水平方向上重合，并且重合长度为Y。在一些实施例中，可以将重合长度Y作为第二图形310与第三图形320两者重合程度的度量。换言之，重合长度Y越大，则第二图形310与第三图形320的重合程度越大。示例性地，两个图形间的重合程度越大，则这些图形中的目标片段对应的约束扰动分量的权重越大。
在一些实施例中，如果与一个约束扰动分量相对应的目标片段所属的图形的宽度越大，则针对该约束扰动分量的权重越大。上方或下方具有接触孔的目标片段所对应的约束扰动分量的权重例如可以大于上方或下方没有接触孔的目标片段所对应的约束扰动分量。上方或下方具有通孔的目标片段所对应的约束扰动分量的权重例如可以大于上方或下方没有通孔的目标片段所对应的约束扰动分量。上方或下方具有多晶硅的目标片段所对应的约束扰动分量的权重例如可以大于上方或下方没有多晶硅的目标片段所对应的约束扰动分量。应当理解的是，针对多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量的权重还可以取决于其他任何合适的因素，本公开的范围在此方面不受限制。
此外，可以通过类似的方式来确定针对多个曝光扰动分量中的每个曝光扰动分量的权重，本公开在此不再赘述。通过这种方式，可以更加有针对性地来为各个目标片段确定权重，使得可以在确定成本的过程中考虑版图中不同图形或图形片段的重要性，从而使得所确定的成本可以更好地体现兼顾OPC最佳效果与满足掩模制造约束的要求。以此方式，可以更加有效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果，从而提高OPC结果的质量。
进一步地，电子设备120可以基于成本来确定多个可移动片段的相应目标移动距离。在一些实施例中，如果确定成本满足预设条件，则可以直接将多个可移动片段的相应候选移动距离确定为多个可移动片段的相应目标移动距离。示例性地而非限制性地，预设条件可以包括成本小于预定成本阈值。
如果确定成本不满足预设条件，则可以更新多个可移动片段的相应候选移动距离，并且通过上述方式确定针对更新后的候选移动距离的成本，以此类推。通过以降低成本为目标，可以不断更新多个可移动片段的相应候选移动距离，直至成本满足预设条件或者迭代轮次到达预定数目为止。通过这种方式，可以高效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果。
在一些实施例中，还可以基于所确定的OPC结果来微调针对曝光扰动分量和/或约束扰动分量的权重。例如，通过微调权重来提高程序收敛到符合期望的OPC结果的速度。以此方式，可以形成基于本公开实施例的方案的可供量产使用的OPC修正程序。
在另一些实施例中，可以将上述式子中的曝光扰动强度和约束扰动强度的每个分量（即，E1至EN和G1至GL）设置为期望值（例如，0），并且通过直接求解该等式来确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。以此方式，可以一次性获得同时满足OPC修正目标和掩模制造规则的OPC结果，从而进一步地提高光学邻近效应修正的效率和质量。应当理解的是，还可以以其他任何合适方式来基于约束影响信息来确定多个可移动片段的相应目标移动距离。本公开的范围在此方面不受限制。
通过以上结合图1至图3的描述可以看到，在根据本公开的各实施例的光学邻近效应修正方案中，通过考虑基于掩模制造约束和移动距离信息挑选的多个目标片段及其约束影响信息，来确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离。通过这种方式，一方面，可以基于掩模制造约束和移动距离信息挑选出具有违反掩模制造约束的可能性的目标片段，从而可以有效地控制后续确定OPC结果所需要的计算资源。以此方式，可以有效地提高光学邻近效应修正的效率。另一方面，通过基于挑选出的目标片段及其约束影响信息来进行光学邻近效应修正，可以在确定用于光学邻近效应修正的片段移动距离的同时，考虑片段移动距离对OPC结果是否符合掩模制造约束的影响。以此方式，可以高效地获得兼顾OPC最佳效果和掩模制造规则的OPC结果。根据本公开的各实施例的光学邻近效应修正方案可以有效地提高光学邻近效应修正的效率和质量。
图4示出了根据本公开的一些实施例的用于光学邻近效应修正的方法400的流程图。在一些实施例中，方法400可以在如图1所示的电子设备120处执行。应当理解的是，方法400还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某个（或者某些）框，本公开的范围在此方面不受限制。
在框402，基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段，多个目标片段被划分到至少一个片段组中，其中多个可移动片段中的每个可移动片段是目标版图中的图形的一部分，并且能够在针对目标版图的光学邻近效应修正中被移动。
在框404，基于多个目标片段中的每对目标片段是否属于至少一个片段组中的同一片段组，生成约束影响信息，其中针对多个目标片段中的每对目标片段，约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反掩模制造约束的影响。
在框406，基于约束影响信息，确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离。
在一些实施例中，基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段包括：针对多个可移动片段中的两个可移动片段，基于两个可移动片段之间的间距、掩模制造约束和移动距离信息，确定针对两个可移动片段是否违反掩模制造约束的预测结果；以及响应于预测结果指示两个可移动片段违反掩模制造约束，基于两个可移动片段来确定一组目标片段。
在一些实施例中，移动距离信息包括针对两个可移动片段中的第一可移动片段的最大可移动距离，并且基于两个可移动片段之间的间距、掩模制造约束和移动距离信息，确定针对两个可移动片段是否违反掩模制造约束的预测结果包括：响应于间距与最大可移动距离之差违反掩模制造约束，将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。
在一些实施例中，移动距离信息包括针对两个可移动片段中的第二可移动片段的预测移动距离，预测移动距离基于对目标版图的曝光仿真而被确定，并且基于两个可移动片段之间的间距、掩模制造约束和移动距离信息，确定针对两个可移动片段是否违反掩模制造约束的预测结果包括：响应于间距与预测移动距离之差违反掩模制造约束，将预测结果确定为指示两个可移动片段违反掩模制造约束。
在一些实施例中，针对第二可移动片段的预测移动距离通过以下方式而被确定：基于对目标版图的曝光仿真，确定针对第二可移动片段的参考移动距离；以及利用针对参考移动距离的调节因子来调节参考移动距离，以获得预测移动距离。
在一些实施例中，多个目标片段中的第一对目标片段包括第一目标片段和第二目标片段，如果第一目标片段和第二目标片段属于至少一个片段组中的同一片段组，则约束影响信息指示：第一目标片段的移动对第二目标片段是否违反掩模制造约束的影响程度、以及第二目标片段的移动对第一目标片段是否违反掩模制造约束的影响程度，并且如果第一目标片段和第二目标片段不属于至少一个片段组中的同一片段组，则约束影响信息指示：第一目标片段的移动对第二目标片段是否违反掩模制造约束没有影响、以及第二目标片段的移动对第一目标片段是否违反掩模制造约束没有影响。
在一些实施例中，基于约束影响信息，确定多个可移动片段的用于光学邻近效应修正的相应目标移动距离包括：基于多个可移动片段的相应候选移动距离，确定曝光扰动强度，曝光扰动强度指示根据多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图受光学邻近效应的影响程度；基于多个目标片段的相应候选移动距离、约束影响信息、以及与掩模制造约束有关的修正目标，确定约束扰动强度，约束扰动强度指示根据多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图对修正目标的违反程度；基于曝光扰动强度和约束扰动强度，确定与多个可移动片段的相应候选移动距离相对应的成本；以及基于成本，确定多个可移动片段的相应目标移动距离。
在一些实施例中，基于成本，确定多个可移动片段的相应目标移动距离包括：响应于成本满足预设条件，将多个可移动片段的相应候选移动距离确定为多个可移动片段的相应目标移动距离；以及响应于成本不满足预设条件，通过降低成本来更新多个可移动片段的相应候选移动距离，以确定多个可移动片段的相应目标移动距离。
在一些实施例中，曝光扰动强度包括多个曝光扰动分量，多个曝光扰动分量中的每个曝光扰动分量与目标版图包括的全部片段中的一个片段相对应，并且指示在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图中该片段受光学邻近效应的影响程度，约束扰动强度包括多个约束扰动分量，多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量与多个目标片段中的一个目标片段相对应，并且指示在根据针对多个可移动片段的相应候选移动距离修正后的目标版图中该目标片段对修正目标的违反程度，并且基于曝光扰动强度和约束扰动强度，确定与多个可移动片段的相应候选移动距离相对应的成本包括：基于多个曝光扰动分量和多个约束扰动分量的加权和，确定成本。
在一些实施例中，针对多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量的权重基于以下至少一项而被确定：与该约束扰动分量相对应的目标片段所属的图形的宽度，该目标片段所属的图形与多个目标片段中的一个或多个其他目标片段所属的图形之间的重合程度，在目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有接触孔，在目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有通孔，或在目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有多晶硅。
在一些实施例中，掩模制造约束包括以下至少一项：图形最小间距或图形最小宽度。
本公开的实施例还提供了用于实现上述方法或过程的相应设备。图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备500的框图。该电子设备500例如可以用于实现如图1所示的电子设备120。应当理解，图5所示出的电子设备500仅仅是示例性的，而不应当构成对本文所描述的实施例的功能和范围的任何限制。
如图5所示，电子设备500是通用电子设备的形式。电子设备500的组件可以包括但不限于一个或多个处理器或处理单元510、存储器520、存储设备530、一个或多个通信单元540、一个或多个输入设备550以及一个或多个输出设备560。处理单元510可以是实际或虚拟处理器并且能够根据存储器520中存储的程序来执行各种处理。在多处理器系统中，多个处理单元并行执行计算机可执行指令，以提高电子设备500的并行处理能力。
电子设备500通常包括多个计算机存储介质。这样的介质可以是电子设备500可访问的任何可以获得的介质，包括但不限于易失性和非易失性介质、可拆卸和不可拆卸介质。存储器520可以是易失性存储器（例如寄存器、高速缓存、随机访问存储器（RAM））、非易失性存储器（例如，只读存储器（ROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪存）或它们的某种组合。存储设备530可以是可拆卸或不可拆卸的介质，并且可以包括机器可读介质，诸如闪存驱动、磁盘或者任何其他介质，其可以能够用于存储信息和/或数据（例如用于训练的训练数据）并且可以在电子设备500内被访问。
电子设备500可以进一步包括另外的可拆卸/不可拆卸、易失性/非易失性存储介质。尽管未在图5中示出，可以提供用于从可拆卸、非易失性磁盘（例如“软盘”）进行读取或写入的磁盘驱动和用于从可拆卸、非易失性光盘进行读取或写入的光盘驱动。在这些情况中，每个驱动可以由一个或多个数据介质接口被连接至总线（未示出）。存储器520可以包括计算机程序产品525，其具有一个或多个程序模块，这些程序模块被配置为执行本公开的各种实施例的各种方法或动作。
通信单元540实现通过通信介质与其他电子设备进行通信。附加地，电子设备500的组件的功能可以以单个计算集群或多个计算机器来实现，这些计算机器能够通过通信连接进行通信。因此，电子设备500可以使用与一个或多个其他服务器、网络个人计算机（PC）或者另一个网络节点的逻辑连接来在联网环境中进行操作。
输入设备550可以是一个或多个输入设备，例如鼠标、键盘、追踪球等。输出设备560可以是一个或多个输出设备，例如显示器、扬声器、打印机等。电子设备500还可以根据需要通过通信单元540与一个或多个外部设备（未示出）进行通信，外部设备诸如存储设备、显示设备等，与一个或多个使得用户与电子设备500交互的设备进行通信，或者与使得电子设备500与一个或多个其他电子设备通信的任何设备（例如，网卡、调制解调器等）进行通信。这样的通信可以经由输入/输出（I/O）接口（未示出）来执行。
根据本公开的示例性实现方式，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有一条或多条计算机指令，其中一条或多条计算机指令被处理器执行以实现上文描述的方法。
这里参照根据本公开实现的方法、装置（系统）和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上，使得在计算机、其他可编程数据处理装置或其他设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实现的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上已经描述了本公开的各实现，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所公开的各实现。在不偏离所说明的各实现的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实现的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的各实现。
Claims (12)
1.一种用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述方法包括：
基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段，所述多个目标片段被划分到至少一个片段组中，其中所述多个可移动片段中的每个可移动片段是所述目标版图中的图形的一部分，并且能够在针对所述目标版图的光学邻近效应修正中被移动；
基于所述多个目标片段中的每对目标片段是否属于所述至少一个片段组中的同一片段组，生成约束影响信息，其中针对所述多个目标片段中的每对目标片段，所述约束影响信息指示该对目标片段中的一个目标片段的移动对另一目标片段是否违反所述掩模制造约束的影响；
基于所述多个可移动片段的相应候选移动距离，确定曝光扰动强度，所述曝光扰动强度指示根据所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离修正后的所述目标版图受光学邻近效应的影响程度；
基于所述多个目标片段的相应候选移动距离、所述约束影响信息、以及与所述掩模制造约束有关的修正目标，确定约束扰动强度，所述约束扰动强度指示根据所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离修正后的所述目标版图对所述修正目标的违反程度；
基于所述曝光扰动强度和所述约束扰动强度，确定与所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离相对应的成本；以及
基于所述成本，确定所述多个可移动片段的用于所述光学邻近效应修正的相应目标移动距离。
2. 根据权利要求1所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，基于掩模制造约束和与光学邻近效应修正中对图形片段的移动有关的移动距离信息，从待修正的目标版图包括的多个可移动片段中确定多个目标片段包括：
针对所述多个可移动片段中的两个可移动片段，基于所述两个可移动片段之间的间距、所述掩模制造约束和所述移动距离信息，确定针对所述两个可移动片段是否违反所述掩模制造约束的预测结果；以及
响应于所述预测结果指示所述两个可移动片段违反所述掩模制造约束，基于所述两个可移动片段来确定一组目标片段。
3.根据权利要求2所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述移动距离信息包括针对所述两个可移动片段中的第一可移动片段的最大可移动距离，并且基于所述两个可移动片段之间的间距、所述掩模制造约束和所述移动距离信息，确定针对所述两个可移动片段是否违反所述掩模制造约束的预测结果包括：
响应于所述间距与所述最大可移动距离之差违反所述掩模制造约束，将所述预测结果确定为指示所述两个可移动片段违反所述掩模制造约束。
4.根据权利要求2所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述移动距离信息包括针对所述两个可移动片段中的第二可移动片段的预测移动距离，所述预测移动距离基于对所述目标版图的曝光仿真而被确定，并且基于所述两个可移动片段之间的间距、所述掩模制造约束和所述移动距离信息，确定针对所述两个可移动片段是否违反所述掩模制造约束的预测结果包括：
响应于所述间距与所述预测移动距离之差违反所述掩模制造约束，将所述预测结果确定为指示所述两个可移动片段违反所述掩模制造约束。
5. 根据权利要求4所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，针对所述第二可移动片段的所述预测移动距离通过以下方式而被确定：
基于对所述目标版图的所述曝光仿真，确定针对所述第二可移动片段的参考移动距离；以及
利用针对所述参考移动距离的调节因子来调节所述参考移动距离，以获得所述预测移动距离。
6. 根据权利要求1所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述多个目标片段中的第一对目标片段包括第一目标片段和第二目标片段，
如果所述第一目标片段和第二目标片段属于所述至少一个片段组中的同一片段组，则所述约束影响信息指示：所述第一目标片段的移动对所述第二目标片段是否违反所述掩模制造约束的影响程度、以及所述第二目标片段的移动对所述第一目标片段是否违反所述掩模制造约束的影响程度，并且
如果所述第一目标片段和第二目标片段不属于所述至少一个片段组中的同一片段组，则所述约束影响信息指示：所述第一目标片段的移动对所述第二目标片段是否违反所述掩模制造约束没有影响、以及所述第二目标片段的移动对所述第一目标片段是否违反所述掩模制造约束没有影响。
7. 根据权利要求1所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，基于所述成本，确定所述多个可移动片段的所述相应目标移动距离包括：
响应于所述成本满足预设条件，将所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离确定为所述多个可移动片段的所述相应目标移动距离；以及
响应于所述成本不满足所述预设条件，通过降低所述成本来更新所述多个可移动片段的相应候选移动距离，以确定所述多个可移动片段的所述相应目标移动距离。
8. 根据权利要求1所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述曝光扰动强度包括多个曝光扰动分量，所述多个曝光扰动分量中的每个曝光扰动分量与所述目标版图包括的全部片段中的一个片段相对应，并且指示在根据针对所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离修正后的所述目标版图中该片段受光学邻近效应的影响程度，
所述约束扰动强度包括多个约束扰动分量，所述多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量与所述多个目标片段中的一个目标片段相对应，并且指示在根据针对所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离修正后的所述目标版图中该目标片段对所述修正目标的违反程度，并且
基于所述曝光扰动强度和所述约束扰动强度，确定与所述多个可移动片段的所述相应候选移动距离相对应的成本包括：
基于所述多个曝光扰动分量和所述多个约束扰动分量的加权和，确定所述成本。
9.根据权利要求8所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，针对所述多个约束扰动分量中的每个约束扰动分量的权重基于以下至少一项而被确定：
与该约束扰动分量相对应的目标片段所属的图形的宽度，
该目标片段所属的图形与所述多个目标片段中的一个或多个其他目标片段所属的图形之间的重合程度，
在所述目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有接触孔，
在所述目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有通孔，
在所述目标版图中该目标片段的上方或下方是否具有多晶硅。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的用于光学邻近效应修正的方法，其特征在于，所述掩模制造约束包括以下至少一项：图形最小间距或图形最小宽度。
11. 一种电子设备，其特征在于，包括：
处理器；以及
存储器，与所述处理器耦合，所述存储器具有存储于其中的指令，所述指令在被处理器执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至10中任一项所述的用于光学邻近效应修正的方法。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序在被处理器执行时实现根据权利要求1至10中任一项所述的用于光学邻近效应修正的方法。
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