CN117381668A - 硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备 - Google Patents

硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备 Download PDF

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CN117381668A CN202311609624.9A CN202311609624A CN117381668A CN 117381668 A CN117381668 A CN 117381668A CN 202311609624 A CN202311609624 A CN 202311609624A CN 117381668 A CN117381668 A CN 117381668A
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Abstract

本发明提供了一种硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备。双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘和下研磨盘，上研磨盘朝向下研磨盘的一侧设置有上抛光垫，下研磨盘朝向上研磨盘的一侧设置有下抛光垫，下抛光垫上设置有多个硅片载具，上研磨盘包括对应硅片载具的第一区域和除第一区域之外的第二区域，第一区域在下抛光垫上的正投影与硅片载具在下抛光垫上的正投影重合，硅片载具厚度检测装置，包括：设置在第一区域的第一电涡流传感器；设置在第二区域的第二电涡流传感器；处理器，用于根据第一电涡流传感器的检测数据和第二电涡流传感器的检测数据确定硅片载具的厚度。本发明能够实时监测硅片载具的厚度，避免硅片的厚度不达标。

Description

硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备。
背景技术
化学机械抛光(CMP)是指利用化学反应和机械摩擦力使晶圆表面平坦化的过程。为了进一步提高硅片的平坦度和洁净度，满足半导体行业日益严格的工艺要求，化学机械抛光的工艺也在不断优化。
现有技术中，硅片的化学机械抛光主要分为双面抛光和最终抛光两个步骤。双面抛光可以对硅片的正面和背面同时进行抛光，有利于快速去除硅片正面和背面的损坏层，初步控制硅片的平坦度和厚度。
在硅片的双面抛光工艺中，所加工出的硅片厚度是一项重要的工艺参数，而硅片厚度与其直接接触的硅片载具相关。
在双面抛光过程中，双面抛光设备的下研磨盘抛光垫上设置有若干个硅片载具，每个硅片载具承载若干片(pcs)硅片，每次加工时，在上研磨盘和下研磨盘合盘后，施加压力，再通过上研磨盘和下研磨盘的转动，以及内外销环的转动使承载硅片的硅片载具也进行自转，同时上研磨盘通过研磨液(Slurry)孔进行流液，从而对加工的硅片进行化学机械研磨，达到抛光的效果。
双面抛光设备的硅片载具为DLC材质(非晶碳薄膜)，在长时间的抛光过程中，硅片载具容易受上研磨盘和下研磨盘之间压力以及研磨液的影响，导致硅片载具的材质不断被消耗，其厚度逐渐减小，最终导致该硅片载具所承载的硅片去厚较多，加工出的硅片厚度偏薄，达不到工艺需求。
现有技术无法检测硅片载具的厚度，需要将硅片载具寄回生产厂商采用专业的检测工具才能进行检测，在硅片载具使用末期经常出现大量的硅片产品不良，影响抛光过程及其良率。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备，能够实时监测硅片载具的厚度，避免硅片的厚度不达标。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：
一种硅片载具厚度检测装置，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘和下研磨盘，所述上研磨盘朝向所述下研磨盘的一侧设置有上抛光垫，所述下研磨盘朝向所述上研磨盘的一侧设置有下抛光垫，所述下抛光垫上设置有多个硅片载具，所述上研磨盘包括对应所述硅片载具的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域在所述下抛光垫上的正投影与所述硅片载具在所述下抛光垫上的正投影重合，所述硅片载具厚度检测装置包括：
设置在所述第一区域的第一电涡流传感器；
设置在所述第二区域的第二电涡流传感器；
处理器，用于根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘施加压力，使得所述第一电涡流传感器和所述第二电涡流传感器与所述上抛光垫接触时，将所述第一电涡流传感器测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述第一区域设置有多个第一电涡流传感器；
所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器；
所述处理器具体用于根据多个所述第一电涡流传感器的检测数据和多个所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器和多个所述第二电涡流传感器均与所述上抛光垫接触时，根据多个所述第一电涡流传感器测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述硅片载具厚度检测装置还包括：
报警单元，用于在所述硅片载具的厚度小于阈值时进行报警。
本发明实施例还提供了一种双面抛光设备，包括如上所述的硅片载具厚度检测装置。
本发明实施例还提供了一种硅片载具厚度检测方法，应用于如上所述的硅片载具厚度检测装置，所述硅片载具厚度检测方法包括：
利用所述第一电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
利用所述第二电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得所述第一电涡流传感器和所述第二电涡流传感器与所述上抛光垫接触时，将所述第一电涡流传感器测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述第一区域设置有多个第一电涡流传感器；所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器；所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器和多个所述第二电涡流传感器均与所述上抛光垫接触时，根据多个所述第一电涡流传感器测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具的厚度。
一些实施例中，
所述硅片载具厚度检测方法还包括：
在所述硅片载具的厚度小于阈值时进行报警。
本发明的有益效果是：
本申请实施例中，在上研磨盘对应硅片载具的第一区域设置第一电涡流传感器，并在第一区域之外的第二区域设置第二电涡流传感器，根据第一电涡流传感器的检测数据和第二电涡流传感器的检测数据确定硅片载具的厚度。本实施例能够实时监控硅片载具的厚度，进而可以在硅片载具的厚度不符合标准时采取相应措施，避免硅片的厚度不达标的情况发生。
附图说明
图1表示本发明实施例双面抛光设备的截面示意图；
图2表示本发明实施例双面抛光设备的平面示意图。
附图标记
01 下研磨盘
02 上研磨盘
03 下抛光垫
04 上抛光垫
05 硅片载具
06 第二电涡流传感器
07 第一电涡流传感器
08 硅片容置孔
09 硅片
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备，能够实时监测硅片载具的厚度，避免硅片的厚度不达标。
本发明提供一种硅片载具厚度检测装置，应用于双面抛光设备，如图1和图2所示，所述双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘02和下研磨盘01，所述上研磨盘02朝向所述下研磨盘01的一侧设置有上抛光垫04，所述下研磨盘01朝向所述上研磨盘02的一侧设置有下抛光垫03，所述下抛光垫03上设置有多个硅片载具05，硅片载具05包括硅片容置孔08，硅片容置孔08内放置硅片09，所述上研磨盘02包括对应所述硅片载具05的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域在所述下抛光垫03上的正投影与所述硅片载具05在所述下抛光垫03上的正投影重合，所述硅片载具厚度检测装置包括：
设置在所述第一区域的第一电涡流传感器07；
设置在所述第二区域的第二电涡流传感器06；
处理器，用于根据所述第一电涡流传感器07的检测数据和所述第二电涡流传感器06的检测数据确定所述硅片载具05的厚度。
本申请实施例中，在上研磨盘02对应硅片载具05的第一区域设置第一电涡流传感器07，并在第一区域之外的第二区域设置第二电涡流传感器06，根据第一电涡流传感器07的检测数据和第二电涡流传感器06的检测数据确定硅片载具05的厚度。本实施例能够实时监控硅片载具05的厚度，进而可以在硅片载具05的厚度不符合标准时采取相应措施，避免硅片09的厚度不达标的情况发生。本实施例能够方便、高效地管控硅片载具05的厚度，降低硅片载具05的维护成本，节省人力，减少产能损耗。
在双面抛光设备中，上研磨盘02和下研磨盘01都是采用金属制作，上抛光垫04、下抛光垫03、硅片09和硅片载具05都是非金属材质，利用这一特性，可以利用电涡流传感器获得硅片载具05的厚度。电涡流传感器具有探头，电涡流传感器中的前置器中高频振荡电流通过延伸电流流入探头线圈，在探头头部的线圈中产生交变的磁场。当被测金属体靠近这一磁场，则在此金属体表面产生感应电流，与此同时该电涡流传感器也产生一个方向与探头头部线圈方向相反的交变磁场，根据磁场的强度，可以计算出探头头部线圈到金属体表面的距离。由此，在上研磨盘02设置电涡流传感器，可以获得上研磨盘02到下研磨盘01之间的距离，该距离的测定不会受到上抛光垫04、下抛光垫03、硅片09和硅片载具05的影响。
一些实施例中，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘02施加压力，使得所述第一电涡流传感器07和所述第二电涡流传感器06与所述上抛光垫04接触时，将所述第一电涡流传感器07测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器06测得的第二距离值得到所述硅片载具05的厚度。
如图1和图2所示，本实施例中，当上研磨盘02与下研磨盘01在原点位置进行合盘启动时，向上研磨盘02施加压力，使所述第一电涡流传感器07和所述第二电涡流传感器06与抛光垫和硅片载具05接触，位于上研磨盘02第二区域的第二电涡流传感器06未与硅片载具05接触，透过上抛光垫04和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第二距离值(即间隙1)，第二距离值即上抛光垫04和下抛光垫03的厚度之和；位于上研磨盘02第一区域的第一电涡流传感器07与硅片载具05接触，透过上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第一距离值(即间隙2)，第一距离值即上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03的厚度之和，因此，将所述第一电涡流传感器07测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器06测得的第二距离值即可得到所述硅片载具05的厚度。
一些实施例中，为了增加获得的硅片载具05厚度的精确度，
所述第一区域可以设置有多个第一电涡流传感器07，多个第一电涡流传感器07均匀分布在第一区域；
所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器06，多个第二电涡流传感器06均匀分布在第二区域；
所述处理器具体用于根据多个所述第一电涡流传感器07的检测数据和多个所述第二电涡流传感器06的检测数据确定所述硅片载具05的厚度。
一些实施例中，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘02施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器07和多个所述第二电涡流传感器06均与所述上抛光垫04接触时，根据多个所述第一电涡流传感器07测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器06测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具05的厚度。
本实施例中，当上研磨盘02与下研磨盘01在原点位置进行合盘启动时，向上研磨盘02施加压力，使所述第一电涡流传感器07和所述第二电涡流传感器06与抛光垫和硅片载具05接触，位于上研磨盘02第二区域的第二电涡流传感器06未与硅片载具05接触，透过上抛光垫04和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第二距离值，第二距离值即上抛光垫04和下抛光垫03的厚度之和，将多个第二电涡流传感器06测得的第二距离值进行求平均值计算，得到第二平均距离值；位于上研磨盘02第一区域的第一电涡流传感器07与硅片载具05接触，透过上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第一距离值，第一距离值即上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03的厚度之和，将多个第一电涡流传感器07测得的第一距离值进行求平均值计算，得到第一平均距离值。将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值即可得到所述硅片载具05的厚度。
一些实施例中，
所述硅片载具厚度检测装置还包括：
报警单元，用于在所述硅片载具05的厚度小于阈值时进行报警。
本实施例中，在硅片载具05的厚度小于阈值时，硅片载具05不满足工艺加工需求，需要对硅片载具05进行维修或更换，报警单元可以以闪灯、发出警报声、发送邮件通知等多种方式提示作业人员，以便作业人员及时维修或更换硅片载具05，避免硅片的厚度不达标的情况发生，保证双面抛光设备所加工出的硅片满足工艺参数。
本发明实施例还提供了一种双面抛光设备，包括如上所述的硅片载具厚度检测装置。
本发明实施例还提供了一种硅片载具厚度检测方法，应用于如上所述的硅片载具厚度检测装置，所述硅片载具厚度检测方法包括：
利用所述第一电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
利用所述第二电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
本申请实施例中，在上研磨盘02对应硅片载具05的第一区域设置第一电涡流传感器07，并在第一区域之外的第二区域设置第二电涡流传感器06，根据第一电涡流传感器07的检测数据和第二电涡流传感器06的检测数据确定硅片载具05的厚度。本实施例能够实时监控硅片载具05的厚度，进而可以在硅片载具05的厚度不符合标准时采取相应措施，避免硅片09的厚度不达标的情况发生。本实施例能够方便、高效地管控硅片载具05的厚度，降低硅片载具05的维护成本，节省人力，减少产能损耗。
一些实施例中，
所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得所述第一电涡流传感器和所述第二电涡流传感器与所述上抛光垫接触时，将所述第一电涡流传感器测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到所述硅片载具的厚度。
如图1和图2所示，本实施例中，当上研磨盘02与下研磨盘01在原点位置进行合盘启动时，向上研磨盘02施加压力，使所述第一电涡流传感器07和所述第二电涡流传感器06与抛光垫和硅片载具05接触，位于上研磨盘02第二区域的第二电涡流传感器06未与硅片载具05接触，透过上抛光垫04和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第二距离值(即间隙1)，第二距离值即上抛光垫04和下抛光垫03的厚度之和；位于上研磨盘02第一区域的第一电涡流传感器07与硅片载具05接触，透过上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第一距离值(即间隙2)，第一距离值即上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03的厚度之和，因此，将所述第一电涡流传感器07测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器06测得的第二距离值即可得到所述硅片载具05的厚度。
一些实施例中，
所述第一区域设置有多个第一电涡流传感器；所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器；所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器和多个所述第二电涡流传感器均与所述上抛光垫接触时，根据多个所述第一电涡流传感器测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具的厚度。
本实施例中，当上研磨盘02与下研磨盘01在原点位置进行合盘启动时，向上研磨盘02施加压力，使所述第一电涡流传感器07和所述第二电涡流传感器06与抛光垫和硅片载具05接触，位于上研磨盘02第二区域的第二电涡流传感器06未与硅片载具05接触，透过上抛光垫04和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第二距离值，第二距离值即上抛光垫04和下抛光垫03的厚度之和，将多个第二电涡流传感器06测得的第二距离值进行求平均值计算，得到第二平均距离值；位于上研磨盘02第一区域的第一电涡流传感器07与硅片载具05接触，透过上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03测得上研磨盘02到下研磨盘01的距离为第一距离值，第一距离值即上抛光垫04、硅片载具05和下抛光垫03的厚度之和，将多个第一电涡流传感器07测得的第一距离值进行求平均值计算，得到第一平均距离值。将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值即可得到所述硅片载具05的厚度。
一些实施例中，所述硅片载具厚度检测方法还包括：
在所述硅片载具的厚度小于阈值时进行报警。
本实施例中，在硅片载具05的厚度小于阈值时，硅片载具05不满足工艺加工需求，需要对硅片载具05进行维修或更换，报警单元可以以闪灯、发出警报声、发送邮件通知等多种方式提示作业人员，以便作业人员及时维修或更换硅片载具05，避免硅片的厚度不达标的情况发生，保证双面抛光设备所加工出的硅片满足工艺参数。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种硅片载具厚度检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘和下研磨盘，所述上研磨盘朝向所述下研磨盘的一侧设置有上抛光垫，所述下研磨盘朝向所述上研磨盘的一侧设置有下抛光垫，所述下抛光垫上设置有多个硅片载具，所述上研磨盘包括对应所述硅片载具的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域在所述下抛光垫上的正投影与所述硅片载具在所述下抛光垫上的正投影重合，所述硅片载具厚度检测装置包括：
设置在所述第一区域的第一电涡流传感器；
设置在所述第二区域的第二电涡流传感器；
处理器，用于根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
2.根据权利要求1所述的硅片载具厚度检测装置，其特征在于，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘施加压力，使得所述第一电涡流传感器和所述第二电涡流传感器与所述上抛光垫接触时，将所述第一电涡流传感器测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到所述硅片载具的厚度。
3.根据权利要求1所述的硅片载具厚度检测装置，其特征在于，
所述第一区域设置有多个第一电涡流传感器；
所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器；
所述处理器具体用于根据多个所述第一电涡流传感器的检测数据和多个所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
4.根据权利要求3所述的硅片载具厚度检测装置，其特征在于，
所述处理器具体用于在所述上研磨盘施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器和多个所述第二电涡流传感器均与所述上抛光垫接触时，根据多个所述第一电涡流传感器测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具的厚度。
5.根据权利要求1所述的硅片载具厚度检测装置，其特征在于，所述硅片载具厚度检测装置还包括：
报警单元，用于在所述硅片载具的厚度小于阈值时进行报警。
6.一种双面抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的硅片载具厚度检测装置。
7.一种硅片载具厚度检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述的硅片载具厚度检测装置，所述硅片载具厚度检测方法包括：
利用所述第一电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
利用所述第二电涡流传感器检测所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的距离；
根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
8.根据权利要求7所述的硅片载具厚度检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得所述第一电涡流传感器和所述第二电涡流传感器与所述上抛光垫接触时，将所述第一电涡流传感器测得的第一距离值减去所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到所述硅片载具的厚度。
9.根据权利要求7所述的硅片载具厚度检测方法，其特征在于，所述第一区域设置有多个第一电涡流传感器；所述第二区域设置有多个第二电涡流传感器；所述根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度包括：
在所述上研磨盘施加压力，使得多个所述第一电涡流传感器和多个所述第二电涡流传感器均与所述上抛光垫接触时，根据多个所述第一电涡流传感器测得的第一距离值得到第一平均距离值，根据多个所述第二电涡流传感器测得的第二距离值得到第二平均距离值，将所述第一平均距离值减去所述第二平均距离值得到所述硅片载具的厚度。
10.根据权利要求7所述的硅片载具厚度检测方法，其特征在于，所述硅片载具厚度检测方法还包括：
在所述硅片载具的厚度小于阈值时进行报警。
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