CN117376792A - 微机电系统结构 - Google Patents
微机电系统结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117376792A CN117376792A CN202211684448.0A CN202211684448A CN117376792A CN 117376792 A CN117376792 A CN 117376792A CN 202211684448 A CN202211684448 A CN 202211684448A CN 117376792 A CN117376792 A CN 117376792A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diaphragm
- vent holes
- mems structure
- substrate
- mems
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
- H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明公开一种微机电系统结构。微机电系统结构包含基板及背板,基板具有开口部分,而背板设置于基板的一侧且具有多个声孔。微机电系统结构也包含振膜,振膜设置于基板与背板之间并延伸横跨基板的开口部分。振膜包含以同心圆排列的多个外通气孔及多个内通气孔。外通气孔及内通气孔相对地呈环状排列并围绕振膜的中心。微机电系统结构还包含支柱,支柱设置于背板与振膜之间。支柱防止振膜与背板电连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种声波转换器(acoustic transducer),且其特别是涉及一种可在微机电系统麦克风(micro-electro-mechanical system microphone)中使用的微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)结构。
背景技术
现今个人电子产品的趋势是朝向制造纤薄、小巧、轻便和高性能的电子装置,包含麦克风。麦克风可用于接收声波并将声音信号转换为电信号。麦克风被广泛地应用于日常生活及安装于例如电话、手机和录音笔等电子产品中。在电容式麦克风(capacitivemicrophone)中,声压(acoustic pressure)的变化(即由声波导致的环境大气压力的局部压力偏差)使得振膜(diaphragm)相应地变形,且振膜的变形引起电容变化。因此,可以通过侦测电容变化所造成的电压变化得到声波的声压变化。
与传统驻极体电容式麦克风(electret condenser microphones,ECM)的不同之处在于,微机电系统(MEMS)麦克风的机械和电子元件可利用集成电路(integratedcircuit,IC)技术整合在半导体材料之上来制造微型麦克风。微机电系统麦克风具有例如小尺寸、轻巧和低功耗等优点,因此已成为微型麦克风的主流。除了基本的灵敏度外,总谐波失真(total harmonic distortion,THD)、信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)、声学过载点(acoustic overload point,AOP)也是高阶麦克风的关键指标。
虽然现有的微机电系统麦克风大致足以应付一般使用需求,它们尚未完全满足其他面向。举例来说,当振膜受到引起位移变化的声压影响时,背板和振膜之间的电容可能会发生变化。然而,当振膜因声压而变形时,振膜可能会在现有的MEMS麦克风中产生更尖锐的峰值(sharper peak)。此外,当振膜变形时,感应电荷往往会积聚在尖端,从而导致感应的非线性。
发明内容
本发明中的微机电系统(MEMS)结构可用于微机电系统麦克风,其包含外通气孔或内通气孔,或者设置于振膜的一侧的波纹支撑结构(rib structure)。在一些实施例中,由于振膜的外通气孔或内通气孔和波纹支撑结构,可加强部分振膜,使得振膜在声压作用下变形后,可形成一个相对平坦的振膜变形平台区(deformation plateau zone)。因此,感应电荷的分布更加均匀,并提高背板和振膜之间的电容,从而改善MEMS麦克风的总谐波失真(THD)、信噪比(SNR)及声学过载点(AOP)。
本发明的一些实施例包含一种微机电系统结构。微机电系统结构包含基板及背板,基板具有开口部分,而背板设置于基板的一侧且具有多个声孔。微机电系统结构也包含振膜,振膜设置于基板与背板之间并延伸横跨基板的开口部分。振膜包含以同心圆排列的多个外通气孔及多个内通气孔。外通气孔及内通气孔相对地呈环状排列并围绕振膜的中心。微机电系统结构还包含支柱,支柱设置于背板与振膜之间。支柱防止振膜与背板电连接。
在一些实施例中,外通气孔被区分为多个第一外通气孔及多个第二外通气孔,且第一外通气孔及第二外通气孔相对于振膜的中心交错排列。
在一些实施例中,内通气孔被区分为多个第一内通气孔及多个第二内通气孔,且第一内通气孔及第二内通气孔相对于振膜的中心交错排列。
在一些实施例中,内通气孔靠近支柱。
在一些实施例中,外通气孔靠近振膜的边缘。
在一些实施例中,外通气孔及内通气孔设置于支柱与振膜的边缘之间。
在一些实施例中,外通气孔的数量及内通气孔的数量不同。
在一些实施例中,支柱固定于背板与振膜之上。
在一些实施例中,支柱连接于背板且可与振膜分离。
本发明的一些实施例包含一种微机电系统结构。微机电系统结构包含基板及背板,基板具有开口部分,而背板设置于基板的一侧且具有多个声孔。微机电系统结构也包含振膜,振膜设置于基板与背板之间,且振膜延伸横跨基板的开口部分并包含多个通气孔。微机电系统结构还包含支柱,支柱设置于背板与振膜之间。支柱防止振膜与背板电连接。此外,微机电系统结构包含波纹支撑结构,波纹支撑结构设置于振膜的一侧之上。
在一些实施例中,波纹支撑结构连接于振膜。
在一些实施例中,波纹支撑结构设置于振膜相对于支柱的一侧之上,并延伸于开口部分中。
在一些实施例中,波纹支撑结构与支柱设置于振膜的同一侧之上,且波纹支撑结构朝向背板延伸。
在一些实施例中,波纹支撑结构包含与振膜相同的材料。
在一些实施例中,波纹支撑结构设置于振膜的最大形变区之上。
在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构设置于通气孔与支柱之间。
在一些实施例中,通气孔以同心圆排列并被区分为多个外通气孔及多个内通气孔,外通气孔设置于靠近振膜的边缘,而内通气孔设置于靠近支柱。
在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构设置于外通气孔与内通气孔之间。
在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构由多个多边形组合而成。
在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构多个螺旋、体育场形或多个胶囊形组合而成。
附图说明
以下将配合所附的附图详述本发明实施例。应注意的是,根据产业中的标准惯例,各种特征部件并未按照比例绘制。事实上,各种特征部件的尺寸可能经放大或缩小,以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。
图1是本发明一些实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风的部分剖面图;
图2是通气孔的俯视图的一种范例;
图3是本发明一些其他的实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风的部分剖面图;
图4是通气孔与波纹支撑结构的俯视图的一种范例;
图5是通气孔与波纹支撑结构的俯视图的另一种范例;
图6是本发明一些其他的实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风的部分剖面图;
图7是本发明一些实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风的部分剖面图;
图8是通气孔与波纹支撑结构的俯视图的一种范例;
图9是波纹支撑结构的俯视图的一种范例;
图10是波纹支撑结构的俯视图的另一种范例。
符号说明
10:微机电系统结构
11:基板
11A:开口部分
12:介电层
13:背板
131:导电层
132:绝缘层
1321:第一绝缘层
1322:第二绝缘层
13A:声孔
14:振膜
14A:通气孔
14AI:内通气孔
14AI1:第一内通气孔
14AI2:第二内通气孔
14AO:外通气孔
14AO1:第一外通气孔
14AO2:第二外通气孔
15:电极层
16:波纹支撑填充结构
17:支柱
G:气隙
M:微机电系统麦克风
具体实施方式
以下的揭露内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下叙述的各个部件及其排列方式的特定范例,以简化本发明。当然,这些仅为范例且并非用以限定。举例来说,若是叙述第一特征部件形成于第二特征部件之上或上方,表示其可能包含第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例,也可能包含有其他的特征部件形成于第一特征部件与第二特征部件之间,而使第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
应理解的是,其他的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后,且在所述方法的其他实施例中,一些操作步骤可被取代或省略。
此外,本文中可能用到与空间相关的用词,例如「在…之下」、「下方」、「下」、「在…之上」、「上方」、「上」及类似的用词,是为了便于描述附图中一个元件或特征部件与其他元件或特征部件之间的关系。这些与空间相关的用词包含使用中或操作中的装置的不同方位,以及附图中所描述的方位。装置可被转向不同方位(旋转90度或其他方位),而本文中所使用的与空间相关的形容词也将对应转向后的方位来解释。
在本发明中,用语「约」、「大约」、「实质上」通常表示在给定值的20%之内,或给定值的10%之内,或给定值的5%之内,或给定值的3%之内,或给定值的2%之内,或给定值的1%之内,甚至是给定值的0.5%之内。本发明的给定值为大约的值。亦即,在没有特定描述「约」、「大约」、「实质上」的情况下,给定值仍可包含「约」、「大约」、「实质上」的意思。
除非另外定义,本文中使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与此篇揭露所属的一般技艺者所通常理解的相同的涵义。应理解的是,这些用语,例如在通常使用的字典中定义的用语,应被解读成具有与相关技术的背景的意思一致的意思,而将不会以理想化或过度正式的方式解读,除非在本发明的实施例有特别定义。
本发明在以下的实施例中可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清楚的目的,并非用以限定所讨论的各种实施例及/或结构之间有特定的关系。
图1是根据本发明一些实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风M的部分剖面图。举例来说,微机电系统麦克风M可为电容式麦克风。如图1所示,微机电系统麦克风M包含微机电系统(MEMS)结构10。在一些实施例中,微机电系统结构10包含基板11、介电层12、背板13、振膜14以及电极层15。应注意的是,为了简洁的目的,图1中已省略微机电系统麦克风M(微机电系统结构10)的一些部件。
基板11用以支撑位于基板11的一侧的介电层12、背板13、振膜14及电极层15。如图1所示,在一些实施例中,基板11具有开口部分11A。开口部分11A允许由微机电系统麦克风M所接收的声波穿过及/或进入微机电系统结构10。举例来说,基板11可包含硅或类似物,但本发明实施例并非以此为限。
介电层12设置于基板11与振膜14之间,以及振膜14与背板13之间。换言之,振膜14插入介电层12中,以提供基板11、振膜14以及背板13彼此之间的部分隔离。此外,介电层12设置于背板13与振膜14的周围,使得背板13与振膜14的边缘由介电层12所支撑。介电层12可由氧化硅或类似物所制成。
背板13是设置于基板11的一侧的固定元件。背板13可具有足够的刚性(stiffness),使得当声波穿过背板13时,背板13不至于弯曲或移动。举例来说,背板13可为刚性多孔(perforated)元件,但本发明实施例并非以此为限。如图1所示,在一些实施例中,背板13包含多个声孔(acoustic hole)13A,且每个声孔13A穿过背板13。声孔13A被配置以允许声波穿过。
如图1所示,背板13可包含导电层131及绝缘层132,绝缘层132覆盖导电层131以提供保护。绝缘层132可进一步包含第一绝缘层1321与第二绝缘层1322。如图1所示,导电层131可设置于介电层12之上,第一绝缘层1321可设置于导电层131之上,而第二绝缘层1322可设置于第一绝缘层1321之上。举例来说,导电层131可包含多晶硅或类似物,而绝缘层132(例如,第一绝缘层1321与第二绝缘层1322)可包含氮化硅或类似物,但本发明实施例并非以此为限。此外,第一绝缘层1321及第二绝缘层1322可包含相同的材料或不同的材料。
微机电系统结构10可通过电极层15的多个电极垫与电路(未绘示)电连接,电极层15设置于背板13之上并与导电层131及振膜14电连接。举例来说,电极层15可包含铜、银、金、铝、类似物其合金或其组合。
振膜14设置于基板11与背板13之间,并延伸横跨基板11的开口部分11A。振膜14相对于背板13是可移动的(movable)或可位移的(displaceable)。振膜14被配置以感测由微机电系统麦克风M所接收的声波。如图1所示,在一些实施例中,振膜14包含通气孔(ventilation holes)14A,且气隙G形成于振膜14与背板13之间。声波通过通气孔14A穿过振膜14到达气隙G,接着通过声孔13A穿过背板13。
更详细而言,振膜14相对于背板13的位移变化导致振膜14与背板13之间的电容变化。接着,通过与振膜14及背板13连接的电路将此电容变化转换为电信号,并通过电极层15将此电信号送出微机电系统麦克风M。
另一方面,为了提高振膜14的灵敏度,可在振膜14中设置多个通气孔14A,以降低振膜14的刚性。在一些实施例中,可存在两个以上的通风孔14A。利用此结构特征,可实现微电系统麦克风M的高灵敏度。此外,振膜14中的通气孔14A也被配置以释放振膜14上的高气压。在图1所示的实施例中,振膜14包含多个外通气孔14AO及多个内通气孔14AI。亦即,振膜14被区分为多个外通气孔14AO及多个内通气孔14AI。
图2是绘示通气孔14A的俯视图的一种范例。参照图2,在一些实施例中,外通气孔14AO及内通气孔14AI相对地呈环状排列并围绕14振膜的中心。更详细而言,在一些实施例中,外通气孔14AO被区分为多个第一外通气孔14AO1及多个第二外通气孔14AO2,且第一外通气孔14AO1及第二外通气孔14AO2如图1与图2所示相对于振膜14的中心交错排列。在本实施例中,第一外通气孔14AO1相较于第二外通气孔14AO2更靠近振膜14的中心。
类似地,在一些实施例中,内通气孔14AI被区分为多个第一内通气孔14AI1及多个第二内通气孔14AI2,且第一内通气孔14AI1及第二内通气孔14AI2如图1与图2所示相对于振膜14的中心交错排列。在本实施例中,第一内通气孔14AI1相较于第二内通气孔14AI2更靠近振膜14的中心。
如图2所示,在一些实施例中,每个外通气孔14AO为C形。此外,在一些实施例中,C形的第一外通气孔14AO1的开口面向振膜14的中心,而C形的第二外通气孔14AO2的开口背向振膜14的中心。
类似地,在一些实施例中,每个内通气孔14AI为C形。此外,在一些实施例中,C形的第一内通气孔14AI1的开口面向振膜14的中心,而C形的第二内通气孔14AI2的开口背向振膜14的中心。
在一些实施例中,外通气孔14AO(例如,第一外通气孔14AO1及第二外通气孔14AO2)的数量及内通气孔14AI(例如,第一内通气孔14AI1及第二内通气孔14AI2)的数量不同。举例来说,外通气孔14AO的数量可如图2所示多于内通气孔14AI的数量,但本发明实施例并非以此为限。
如图1所示,微机电系统结构10还包含支柱17,支柱17设置于13背板与振膜14之间,且支柱17防止振膜14与背板13电连接。更详细而言,支柱17可与背板13(例如,导电层131)及振膜14直接接触。举例来说,支柱17可包含绝缘材料,例如氧化硅或类似物,但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中,支柱17固定于背板13与振膜14之上,但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中,支柱17连接于背板13且可与振膜14分离。亦即,支柱17并非永久如图1所示与振膜14直接接触。
在一些实施例中,外通气孔14AO(例如,第一外通气孔14AO1及第二外通气孔14AO2)设置于靠近振膜14的边缘。在一些实施例中,内通气孔14AI(例如,第一内通气孔14AI1及第二内通气孔14AI2)设置于靠近支柱17。在一些实施例中,在一俯视图中,外通气孔14AO及内通气孔14AI设置于支柱17与振膜14的边缘之间。
图3是根据本发明一些其他的实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风M的部分剖面图。类似地,为了简洁的目的,图3中已省略微机电系统麦克风M(微机电系统结构10)的一些部件。
参照图3,微机电系统结构10包含基板11及背板13,基板11具有开口部分11A,而背板13设置于基板11的一侧且具有多个声孔13A。微机电系统结构10也包含振膜14,振膜14设置于基板11与背板13之间并延伸横跨基板11的开口部分11A且包含通气孔14A。微机电系统结构10还包含支柱17,支柱17设置于背板13与振膜14之间,且支柱17防止振膜14与背板13电连接。
在一些实施例中,微机电系统结构10包含波纹支撑结构(rib structure)16,波纹支撑结构16设置于振膜14的一侧之上。更详细而言,在图3所示的实施例中,波纹支撑结构16连接于振膜14(或与振膜14直接接触),且波纹支撑结构16设置于振膜14相对于支柱17的一侧之上,并延伸于基板11的开口部分11A中,但本发明实施例并非以此为限。
举例来说,波纹支撑结构16可包含导电材料,例如多晶硅。或者,波纹支撑结构16可包含介电材料,例如氮化硅,但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中,波纹支撑结构16包含与振膜14相同的材料,但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中,波纹支撑结构16包含与振膜14不同的材料。
如图3所示,在一些实施例中,波纹支撑结构16设置于振膜14的最大形变区(maximum deformation zone)之上。在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构16设置于通气孔14A与支柱17之间。
图4是绘示通气孔14A与波纹支撑结构16的俯视图的一种范例。图5是绘示通气孔14A与波纹支撑结构16的俯视图的另一种范例。波纹支撑结构16如图4所示由多个多边形组合而成,而波纹支撑结构16如图5所示由多个螺旋组合而成,但本发明实施例并非以此为限。波纹支撑结构16可以根据实际需要形成为其他适用的形状的组合。类似地,如图4和图5所示,通风孔14A以同心圆排列。
图6是根据本发明一些其他的实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风M的部分剖面图。类似地,为了简洁的目的,图6中已省略微机电系统麦克风M(微机电系统结构10)的一些部件。
参照图6,波纹支撑结构16设置于通气孔14A的外侧。更详细而言,在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构16设置于通气孔14A与振膜14的边缘之间。
图7是根据本发明一些实施例绘示微机电系统(MEMS)麦克风M的部分剖面图。图8是绘示通气孔14A与波纹支撑结构16的俯视图的一种范例。
如图7与图8所示,在一些实施例中,通气孔14A被区分为多个外通气孔14AO及多个内通气孔14AI,外通气孔14AO设置于靠近振膜14的边缘,而内通气孔14AI设置于靠近支柱17。更详细而言,在一些实施例中,外通气孔14AO被区分为多个第一外通气孔14AO1及多个第二外通气孔14AO2,且第一外通气孔14AO1及第二外通气孔14AO2如图7与图8所示相对于振膜14的中心交错排列。类似地,在一些实施例中,内通气孔14AI被区分为多个第一内通气孔14AI1及多个第二内通气孔14AI2,且第一内通气孔14AI1及第二内通气孔14AI2如图7与图8所示相对于振膜14的中心交错排列。
如图7与图8所示,在一些实施例中,在一俯视图中,波纹支撑结构16设置于外通气孔14AO(例如,第一外通气孔14AO1及第二外通气孔14AO2)与内通气孔14AI(例如,第一内通气孔14AI1及第二内通气孔14AI2)之间。此外,在图8所示的实施例中,波纹支撑结构16由多个螺旋组合而成,但本发明实施例并非以此为限。
图9是绘示波纹支撑结构16的俯视图的一种范例。图10是绘示波纹支撑结构16的俯视图的另一种范例。在一俯视图中,波纹支撑结构16如图9所示由多个类梯形的(trapezoid-like)图案组合而成,而波纹支撑结构16如图10所示由体育场(stadium)形或多个胶囊(capsule)形组合而成。波纹支撑结构16可形成为其他的几何形状,包含圆形、矩形、三角形等。
在前述的实施例中,微机电系统结构10包含振膜的内通气孔或者设置于振膜的一侧的波纹支撑结构。由于振膜的内通气孔或波纹支撑结构,其可增加声阻并可加强部分振膜,使得振膜在声压作用下变形后,可形成一个相对平坦的振膜变形平台区。因此,感应电荷的分布更加均匀,并提高背板和振膜之间的电容,从而改善MEMS麦克风的总谐波失真(THD)、信号噪声比(SNR)及声学过载点(AOP)。
以上概述数个实施例的特征,以便在本发明所属技术领域中普通技术人员可以更理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中普通技术人员应该理解,他们能以本发明实施例为基础,设计或修改其他制作工艺和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本发明所属技术领域中普通技术人员也应该理解到,此类等效的结构并无悖离本发明的精神与范围,且他们能在不违背本发明的精神和范围之下,做各式各样的改变、取代和替换。因此,本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的为准。另外,虽然本发明已以数个实施例揭露如上,然而其并非用以限定本发明。
整份说明书对特征、优点或类似语言的引用,并非意味可以利用本发明实现的所有特征和优点应该或者可以在本发明的任何单个实施例中实现。相对地,涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因而,在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。
再者,在一个或多个实施例中,可以任何合适的方式组合本发明所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述,相关领域的技术人员将意识到,可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本发明。在其他情况下,在某些实施例中可识别其他的特征和优点,这些特征和优点可能不存在于本发明的所有实施例中。
Claims (20)
1.一种微机电系统结构,包括:
基板,具有开口部分;
背板,设置于该基板的一侧且具有多个声孔;
振膜,设置于该基板与该背板之间,延伸横跨该基板的该开口部分,并包括以同心圆排列的多个外通气孔及多个内通气孔,其中该些外通气孔及该些内通气孔相对地呈环状排列并围绕该振膜的中心;以及
支柱,设置于该背板与该振膜之间,其中该支柱防止该振膜与该背板电连接。
2.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些外通气孔被区分为多个第一外通气孔及多个第二外通气孔,且该些第一外通气孔及该些第二外通气孔相对于该振膜的该中心交错排列。
3.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些内通气孔被区分为多个第一内通气孔及多个第二内通气孔,且该些第一内通气孔及该些第二内通气孔相对于该振膜的该中心交错排列。
4.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些内通气孔靠近该支柱。
5.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些外通气孔靠近该振膜的边缘。
6.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些外通气孔及该些内通气孔设置于该支柱与该振膜的边缘之间。
7.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该些外通气孔的数量及该些内通气孔的数量不同。
8.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该支柱固定于该背板与该振膜之上。
9.如权利要求1所述的微机电系统结构,其中该支柱连接于该背板且可与该振膜分离。
10.一种微机电系统结构,包括:
基板,具有开口部分;
背板,设置于该基板的一侧且具有多个声孔;
振膜,设置于该基板与该背板之间,延伸横跨该基板的该开口部分,并包括多个通气孔;
支柱,设置于该背板与该振膜之间,其中该支柱防止该振膜与该背板电连接;以及
波纹支撑结构,设置于该振膜的一侧之上。
11.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该波纹支撑结构连接于该振膜。
12.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该波纹支撑结构设置于该振膜相对于该支柱的一侧之上,并延伸于该开口部分中。
13.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该波纹支撑结构与该支柱设置于该振膜的同一侧之上,且该波纹支撑结构朝向该背板延伸。
14.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该波纹支撑结构包括与该振膜相同的材料。
15.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该波纹支撑结构设置于该振膜的最大形变区之上。
16.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中在俯视图中,该波纹支撑结构设置于该些通气孔与该支柱之间。
17.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中该些通气孔以同心圆排列并被区分为多个外通气孔及多个内通气孔,该些外通气孔设置于靠近该振膜的边缘,而该些内通气孔设置于靠近该支柱。
18.如权利要求17所述的微机电系统结构,其中在俯视图中,该波纹支撑结构设置于该些外通气孔与该些内通气孔之间。
19.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中在俯视图中,该波纹支撑结构由多个多边形组合而成。
20.如权利要求10所述的微机电系统结构,其中在俯视图中,该波纹支撑结构由多个螺旋、体育场形或多个胶囊形组合而成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63/367,730 | 2022-07-06 | ||
US18/050,606 | 2022-10-28 | ||
US18/050,606 US20240015446A1 (en) | 2022-07-06 | 2022-10-28 | Mems structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117376792A true CN117376792A (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=89406584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211684448.0A Pending CN117376792A (zh) | 2022-07-06 | 2022-12-27 | 微机电系统结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117376792A (zh) |
-
2022
- 2022-12-27 CN CN202211684448.0A patent/CN117376792A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10405107B2 (en) | Acoustic transducer | |
CN110022519B (zh) | 微机电系统麦克风 | |
JP5252104B1 (ja) | 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン | |
CN108141678B (zh) | 具有固定的内部区域的微机电麦克风 | |
CN110546965B (zh) | Mems声音传感器、mems麦克风及电子设备 | |
CN105359553A (zh) | 具有悬挂式振膜的硅麦克风和具有该硅麦克风的系统 | |
WO2015157059A1 (en) | Dual diaphragm and dual back plate acoustic apparatus | |
CN105492373A (zh) | 具有高深厚比褶皱振膜的硅麦克风和有该硅麦克风的封装 | |
US11459230B2 (en) | MEMS microphone | |
CN112312294B (zh) | 微机电系统麦克风 | |
US11259106B1 (en) | Mems device with dynamic valve layer | |
JP2004128957A (ja) | 音響検出機構 | |
CN108124228A (zh) | 麦克风芯片及麦克风 | |
CN117376792A (zh) | 微机电系统结构 | |
US20240015446A1 (en) | Mems structure | |
US20230319450A1 (en) | Micro-electro-mechanical system structure | |
CN116939456A (zh) | 微机电系统结构 | |
TW201216726A (en) | Microphone | |
CN112788510B (zh) | 微机电系统麦克风的结构 | |
US20230339742A1 (en) | Mems structure | |
CN116806003A (zh) | 微机电系统结构 | |
US20230308809A1 (en) | Mems structure | |
US20230319486A1 (en) | Mems structure | |
US20220396469A1 (en) | Mems microphone | |
CN218526441U (zh) | 微机电系统麦克风 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |