CN117374575A - 射频信号发射模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种射频信号发射模块。该射频信号发射模块包括：发射天线板、控制印制板和射频陶瓷板；控制印制板和发射天线板均设置于射频陶瓷板的正面上，且发射天线板设置第一通孔，发射天线板设置于第一通孔内，且发射天线板的四周与控制印制板之间存在间隙；射频陶瓷板的正面和背面均设置有多个腔体；其中，每个腔体内布置有一个芯片；射频陶瓷板的正面的腔体中的各芯片的功率均大于射频陶瓷板的背面的腔体中的各芯片的功率。本发明能够提高射频信号发射模块的散热能力以及缩小射频信号发射模块的体积。

Description

射频信号发射模块
技术领域
本发明涉及射频封装技术领域，尤其涉及一种射频信号发射模块。
背景技术
在有源相控阵系统中，发射组件（T组件）常用于电子干扰、卫星通信等领域。现阶段常用的相控阵系统在设计时是以二维平面的阵列来实现的，在保证天线阵元有固定的间距同时对其进行三维布局。在整个辐射单元上成本以及相对应的指标行性能主要来源于发射组件部分，发射组件的优劣会直接影响系统整体的性能。
目前大多数发射组件采用的砖块式，砖块式设计方法成熟，但在空间受限的情况下就难以发挥，并且当前发射组件的散热效果差。
发明内容
本发明实施例提供了一种射频信号发射模块，以解决现有的发射组件体积大散热效果差的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种射频信号发射模块，包括：发射天线板、控制印制板和射频陶瓷板；
所述控制印制板和所述发射天线板均设置于所述射频陶瓷板的正面上，所述发射天线板设置第一通孔，所述发射天线板设置于所述第一通孔内，且所述发射天线板的四周与所述控制印制板之间存在间隙；
所述射频陶瓷板的正面和背面均设有多个腔体；其中，每个腔体内布置有至少一个芯片；所述射频陶瓷板的正面的腔体中的各芯片的功率均大于所述射频陶瓷板的背面的腔体中的各芯片的功率。
在一种可能的实现方式中，所述射频陶瓷板内部的结构为多层陶瓷结构，所述多层陶瓷结构的层与层之间通过过孔连接；
所述多层陶瓷结构的布线层包括多个射频地层、多个电源地层和多个射频布线层和多个供电控制层；所述多个射频布线层中的至少两个射频布线层为相位一致层；所述相位一致层用于使所述射频陶瓷板内部的各信号通道之间的走线总线长度保持一致。
在一种可能的实现方式中，每个芯片分别连接于所述多层陶瓷结构的一个布线层上；
各芯片包括放大器芯片、第一功分器芯片、多个第二功分器芯片、多个驱动放大芯片、多个移相器芯片、多个第三功分器芯片和多个功率放大器芯片；
所述多个功率放大器芯片设置于所述射频陶瓷板的正面的腔体内，所述放大器芯片、所述第一功分器芯片、所述多个第二功分器芯片、所述多个驱动放大芯片、所述多个移相器芯片和所述多个第三功分器芯片设置于所述射频陶瓷板的背面的腔体内。
在一种可能的实现方式中，所述射频陶瓷板的背面设有输入端接头，所述射频陶瓷板的正面设有输出端接头；所述输出端接头与所述发射天线板连接；
所述输入端接头为毛纽扣转接头；所述输出端接头为多个SSMP转接头。
在一种可能的实现方式中，所述放大器芯片的输入端与所述输入端接头连接，所述放大器的输出端与所述第一功分器芯片的输入端连接，所述第一功分器芯片的输出端分别与所述多个第二功分器芯片的输入端连接，所述多个第二功分器的输出端与所述多个驱动放大芯片的输入端连接，所述多个驱动放大芯片的输出端与所述多个移相器的输入端连接，所述多个移相器芯片的输出端与所述多个第三功分器芯片的输入端连接，所述多个第三功分器芯片的输出端与所述多个功率放大器的输入端连接，所述多个功率放大器的输出端与所述输出端接头连接；
所述多个驱动放大芯片、所述多个移相器和所述多个第三功分器芯片的数量一致；
相互之间存在连接关系，且分别连接于不同布线层的两个芯片之间通过类同轴。
在一种可能的实现方式中，所述射频陶瓷板的背面焊接有热沉，所述热沉上设置有多个第二通孔，所述多个第二通孔的位置与所述陶瓷射频板的背面的腔体对应；
所述射频陶瓷板的正面和背面之间设有第三通孔，所述第三通孔内放置钼铜载体，所述钼铜载体的底部焊接至所述射频陶瓷板的背面的热沉上，所述第三通孔除所述钼铜载体之外的空间形成第一空腔，所述第一空腔中设置所述功率放大器芯片；所述功率放大器芯片采用共晶烧结的方式焊接到所述钼铜载体的顶部。
在一种可能的实现方式中，所述控制印制板包括电源管理芯片和控制电路芯片；
所述控制印制板和所述射频陶瓷板通过键合线的方式连接。
在一种可能的实现方式中，所述发射模块设有金属壳体，所述金属壳体的底部与所述热沉的底部焊接；所述金属壳体的顶部与所述控制印制板连接；根据所述电源管理芯片和所述控制电路芯片所在的位置在所述金属壳体顶部设置第二空腔。
在一种可能的实现方式中，其特征在于，还包括：微型连接器，所述微型连接器的输入端用于接收控制信号，所述微型连接器的输出端连接所述控制电路芯片。
在一种可能的实现方式中，所述控制印制板和发射天线板与所述射频陶瓷板之间设置有可伐围框，所述射频陶瓷板的正面和背面之间设置贯穿所述射频陶瓷板的多个隔离孔，所述隔离孔内部填充金属材料。
本发明实施例提供一种射频信号发射模块，射频信号发射模块包括发射天线板、控制印制板和射频陶瓷板；控制印制板和发射天线板均设置于射频陶瓷板的正面上，发射天线板贯穿控制印制板，且发射天线板的四周与控制印制板之间存在间隙；射频陶瓷板的正面和背面均设有多个腔体；其中，每个腔体内布置有至少一个芯片；射频陶瓷板的正面的腔体中的各芯片的功率均大于射频陶瓷板的背面的腔体中的各芯片的功率。本发明将控制印制板设置于射频陶瓷板的上方，天线板嵌入模块的方式发挥瓦片式结构的优势减小射频信号发射模块的体积，同时将大功率信号芯片放置于射频陶瓷板的正面的腔体中，将小功率信号芯片放置于射频陶瓷板的背面的腔体中，提高射频信号发射模块的散热能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种射频陶瓷板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种射频发射模块的控制印制板和射频陶瓷板的互连结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本方案，下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本方案一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本方案保护的范围。
本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形，是指“包括但不限于”，意图在于覆盖不排他的包含，并不仅限于文中列举的示例。此外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。
以下结合具体附图对本发明的实现进行详细的描述：
图1-3均为本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图。参照图1-3，该射频信号发射模块1包括：发射天线板11、控制印制板12和射频陶瓷板13。
控制印制板12和发射天线板11均设置于射频陶瓷板13的正面上，发射天线板11设置第一通孔14，发射天线板11设置于第一通孔内，且发射天线板11的四周与控制印制板12之间存在间隙。
射频陶瓷板13的正面和背面均设有多个腔体；其中，每个腔体内布置有至少一个芯片21；射频陶瓷板13的正面的腔体中的各芯片的功率均大于射频陶瓷板13的背面的腔体中的各芯片的功率。
在本实施例中，发射天线板11、控制印制板12和射频陶瓷板13在垂直方向上叠层放置，控制印制板12位于射频陶瓷板13的上方，更有利于控制印制板12散热，提高射频信号发射模块的散热效果。利用发射天线板11和射频陶瓷板13的垂直空间，将控制印制板12置于射频陶瓷板13上方，发射天线板11则采用贯穿的方式设置于第一通孔14内，充分发挥射频信号发射模块的瓦片式结构的优势，缩小射频信号发射模块的整体体积。
在本实施例中，发射天线板11和控制印制板12之间存在间隙，方便控制印制板12和射频陶瓷板13连接并传递信号。另外，图1和图2中控制印制板12和射频陶瓷板13的放置位置仅用于举例，为了方便控制印制板12和射频陶瓷板13通过微带线连接，控制印制板12的第一通孔14的四周不与射频陶瓷板13接触。
在本实施例中，在射频陶瓷板13的正反面均挖腔放置射频芯片，在一个腔体内可以放置一个或多个射频芯片，射频芯片的数量与射频陶瓷板13内部的信号通道的走线长度有关，根据损耗最优使判断射频芯片在分布的具体的腔体的位置。
具体的，射频陶瓷板13具体包括但不限于HTCC陶瓷基板。射频信号发射模块的工作频率为Ka波段且工作在连续波和脉冲两种模式。
具体的，图1和图2仅为射频信号发射模块的示意图，图1和图2中的射频信号发射模块中具体部件的位置仅表示的各部件的相对位置，可根据具体的应用场景调整各部件的位置。示例性的，根据发射信号功分的信号路数调整射频信号发射模块中芯片的数量。图1为沿图3的虚线方向的射频信号发射模块的示意截图。图2为图3的俯视图（图1和图2均为示意图）。
综上，本发明将控制印制板12设置于射频陶瓷板13的上方，天线板嵌入模块的方式发挥瓦片式结构的优势减小射频信号发射模块的体积，同时将大功率信号芯片放置于射频陶瓷板13的正面的腔体中，将小功率信号芯片放置于射频陶瓷板13的背面的腔体中，提高射频信号发射模块的散热能力。
在一些实施例中，如图4所示，图4是本发明实施例提供的一种射频陶瓷板的结构示意图。射频陶瓷板13内部的结构为多层陶瓷结构，多层陶瓷结构的层与层之间通过过孔连接。
多层陶瓷结构的布线层包括多个射频地层、多个电源地层和多个射频布线层和多个供电控制层；多个射频布线层中的至少两个射频布线层为相位一致层；相位一致层用于使射频陶瓷板13内部的各信号通道之间的走线总线长度保持一致。
在本实施例中，射频陶瓷板13内部的结构为多层陶瓷结构，多层陶瓷结构的层与层之间通过过孔连接，确保层与层之间地的连续性。在每层陶瓷板的层上进行布线，针对每个层陶瓷的电路布局，将每层陶瓷结构进行分类。
在本实施例中，通过射频陶瓷板13实现对信号功分输出多个通道的信号，多通道信号在射频陶瓷板13内会因不同通道的芯片所在的陶瓷层不同使整体的相位匹配不一致，因此，设计多层相位一致层使各信号通道之间的总走线长度保持一致。射频信号发射模块内部严格设计等电长度传输，熟悉工艺规则设计电路以及腔体，尽量减小装配对链路一致性的影响。
示例性的，如图3所述，整个射频陶瓷板13共24层，布线层为每层陶瓷板的上下两层，因此，布线层有25层。其中，第一层、第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层、第十四层、第十六层、第十九层、第二十一层、第二十三层、第二十五层布线层为射频地层和电源地层GND，层与层之间通过过孔连接，确保层与层之间地的连续性。第三层、第九层、第十三层、第十七层、第二十四层布线层为射频布线层RF，其余层为供电及控制信号层（CLK、20VTZ、POVER、5VTZ、DATA、DC），主要用于为各器件提供电源供电与控制信号输入。
在本实施例中，图4为射频陶瓷板的侧切面图，也即，图1和图4中看到的芯片的种类不同。而且，射频陶瓷板中的芯片的位置会根据射频信号发射模块的功能发生改变，因此，图1和图4中关于芯片的位置仅用于举例说明，并不构成具体限定。
在一些实施例中，如图4所示，每个芯片分别连接于多层陶瓷结构的一个布线层上。
各芯片21包括放大器芯片31、第一功分器芯片32、多个第二功分器芯片（图中未示出）、多个驱动放大芯片（图中未示出）、多个移相器芯片33、多个第三功分器芯片（图中未示出）和多个功率放大器芯片34（部分芯片的位置未在图3中示出）。
多个功率放大器芯片34设置于射频陶瓷板13的正面的腔体内，放大器芯片31、第一功分器芯片32、多个第二功分器芯片、多个驱动放大芯片、多个移相器芯片33和多个第三功分器芯片设置于射频陶瓷板13的背面的腔体内。
在本实施例中，同一个射频芯片的端口通过微带线连接于多层陶瓷结构的一个布线层上。射频陶瓷板13的底部通过射频连接器引入输出信号，经过前级驱放放大再经过等电长度功分为几路，输出到移相器，再各自经过移相功分放大输出到功率放大器芯片34。
具体的，在实施例中，功率放大器芯片34的功率大于其他的射频芯片的功率。多个功率放大器芯片34设置于射频陶瓷板13的正面的腔体内，放大器芯片31、第一功分器芯片32、多个第二功分器芯片、多个驱动放大芯片、多个移相器芯片33和多个第三功分器芯片设置于射频陶瓷板13的背面的腔体内，提高射频发射模块的散热能力。
示例性的，在射频陶瓷板13内部还集成温度回送芯片以及漏压调制保护芯片，尽可能在小面积内利用射频陶瓷板13的空间。
在一些实施例中，参照图1和图4，射频陶瓷板13的背面设有输入端接头22，射频陶瓷板13的正面设有输出端接头23；输出端接头23与发射天线板11连接；
输入端接头22为毛纽扣转接头；输出端接头23为多个SSMP转接头。
在本实施例中，输出端接头23的数量与输出信号的通道数量有关。通过多组SSMP接头将信号进行整和或功分，其输出端通过SSMP接头和天线垂直互连，实现天线和射频陶瓷板13的垂直互连。该模块采取SSMP接口实现发射天线板11与射频陶瓷板13互连从而实现射频信号的最小损耗。该模块采取毛纽扣的方式实现输入与射频陶瓷板13互连从而实现射频信号的最小损耗。
具体的，输入端接头23采用2.92连接器转毛纽扣接头，便于将毛纽扣转接头从射频信号发射模块上拆卸和安装。
在一些实施例中，如图4所示，放大器芯片31的输入端与输入端接头22连接，放大器的输出端与第一功分器芯片32的输入端连接，第一功分器芯片32的输出端分别与多个第二功分器芯片的输入端连接，多个第二功分器的输出端与多个驱动放大芯片的输入端连接，多个驱动放大芯片的输出端与多个移相器的输入端连接，多个移相器芯片33的输出端与多个第三功分器芯片的输入端连接，多个第三功分器芯片的输出端与多个功率放大器的输入端连接，多个功率放大器的输出端与输出端接头23连接。
多个驱动放大芯片、多个移相器和多个第三功分器芯片的数量一致。
相互之间存在连接关系，且分别连接于不同布线层的两个芯片之间通过类同轴35。
在本实施例中，根据需求设计满足指标要求的射频链路。具体的，将一路射频信号功分为16路信号输出。一路射频输入信号输入到射频陶瓷板13，经过一块前级驱放后进行相应的功分，分配合适的功率，形成8路射频输出信号，随后将8路射频信号各自经移相器-驱动放大器-功分器-功率放大器-射频连接器的方式输出饱和的射频信号到天线端，完成射频功率的放大并输出16路射频信号。
在一个具体的实施例中，第四层装有16个功率放大器芯片34；第十七层装有8个功分器芯片；第二十层装有8个移相器芯片33、8个驱动放大芯片、2个功分器芯片；第二十二层装有1个功分器芯片、1个放大器芯片31。
一路输入信号通过第二十四层连接到二十二层的放大器芯片31和功分器芯片后分成两路信号，类同轴连接到二十层的功分器芯片分成8路信号、之后8路信号分别再经过8个移相器芯片33、驱动放大器芯片31后再类同轴连接到第十七层层的功分器芯片分为16路信号，之后类同轴再通过13层和9层进行相位匹配布线，再类同轴到第三层，与功率放大器连接输出16路信号。
具体的，该射频模块主要实现对输入的信号进行放大功分使其输出对应路射频信号，同时需要实现对整体模块状态的监测、控制以及电源管理，并保证各路射频输出信号整体的相位和幅度的一致性，整体模块对接天线板。
在一些实施例中，参照图1和图4，射频陶瓷板13的背面焊接有热沉24，其中，射频陶瓷板13的背面的腔体贯穿热沉24。
射频陶瓷板13的正面和背面之间设有第三通孔，第三通孔内放置钼铜载体25，钼铜载体25的底部焊接至射频陶瓷板13的背面的热沉24上，第三通孔除钼铜载体25之外的空间形成空腔，空腔中设置功率放大器芯片34；功率放大器芯片34采用共晶烧结的方式焊接到钼铜载体25的顶部。
在本实施例中，在射频陶瓷板13的背面焊接热沉24，且在射频陶瓷板13的背面的腔体对应的位置不焊接热沉24，也即，背面的腔体包括射频陶瓷板的内壁和热沉24的内壁。
在本实施例中，在射频陶瓷板13的正面和背面之间根据当前射频信号发射模块所需的信号通道设置第三通孔，第三通孔内部部分填充钼铜载体25，在钼铜载体25与射频陶瓷板13正面形成的空腔内放置相对大功率射频芯片。具体的，所有的功率放大器芯片34均通过共晶焊焊接至钼铜载体25上，钼铜载体25的底部与热沉24连接，将功率放大器芯片34的热量从钼铜载体25传输至热沉24在通过热沉24将热量导出到射频发射模块的底部，优化设计腔体，尽量减小由于内部信号接地不连续所带来的影响，通过电磁仿真软件，对腔体射频及链路进行建模仿真，确保电磁性能满足指标要求。
在一些实施例中，控制印制板12包括电源管理芯片和控制电路芯片；
控制印制板12和射频陶瓷板13通过键合线的方式连接。
在本实施例中，在控制印制板12上集成了电源管理芯片和控制电路芯片，控制电路芯片具体可以为但不限于FPGA。控制印制板12通过控制电路芯片实现简单的波束控制功能，并能实现对射频部分的状态监测、模式控制、脉冲调制、电路保护等多种功能。
在本实施例中，如图5所示，图5是本发明实施例提供的一种射频发射模块的控制印制板和射频陶瓷板的互连结构示意图。控制印制板12和射频陶瓷板13均保证和金属壳体26的良好接触保证一定的隔离的同时实现良好的散热。由于控制印制板12主要负责提供电源以及控制信号给射频陶瓷板13并且由于保证小型化设计，在做好屏蔽和接地处理的情况下，两块电路之间通过键合线的方式实现低成本的垂直互连。
该模块采取射频陶瓷板和控制印制板结合的方式实现整体功能，两块电路板之间通过微组装工艺键合线实现控制和电源的提供。
在本实施例中，将控制印制板12放置在射频陶瓷板13的上方，当电源出现问题或者是控制电路存在问题时，可以更换控制印制板12上的电源管理芯片或者控制电路芯片，在不破环射频陶瓷板13内部结构的基础上进行更换。
在一些实施例中，如图5-6所示，图6是本发明实施例提供的一种射频信号发射模块的结构示意图。发射模块设有金属壳体26，金属壳体26的底部与热沉24的底部焊接。所述金属壳体的顶部与所述控制印制板连接；根据所述电源管理芯片和所述控制电路芯片所在的位置在所述金属壳体顶部和底部之间的第二通孔15。
在本实施例中，图6为图3去掉控制印制板12的立体图。通过在射频信号发射模块外设置金属壳体26，提高了各电路板的散热效果，同时能进一步实现芯片散热、射频陶瓷板13的结构支撑以及电磁屏蔽等功能。
在本实施例中，在射频陶瓷板13的外部设有金属壳体26，可加快射频陶瓷板13通过金属壳体26散热。在控制印制板12和底层的金属壳体之间存在通孔，为了避免损害控制印制板12上的芯片。
在一些实施例中，射频信号发射模块1还包括：微型连接器28，微型连接器28的输入端用于接收控制信号，微型连接器28的输出端连接控制电路芯片。
在本实施例中，如图1所示，在射频信号发射模块内安装有微型连接器28，连接器的一端连接至控制印制板12，微型连接器28的另一端与金属壳体26连接。与金属壳体26连接的微型连接器28用于接收外部的控制信号以及连接外界电源。通过微型连接器28将外界的控制信号和电源信号输入至控制印制板12，再通过控制印制板12对外界的控制信号进行处理输入至射频陶瓷板13，能够根据外界的控制信号实现对陶瓷板内部的射频链路进行控制，并使射频信号输出模块输出与外界信号相符合的射频信号。具体的，外部控制和电源通过模块底部的微型连接器28输入到模块，通过控制印制板12上的电路实现电源管理芯片的管理以及射频信号的波束的控制。
在一些实施例中，控制印制板12和发射天线板11与射频陶瓷板13之间设置有可伐围框27，射频陶瓷板13的正面和背面之间设置贯穿射频陶瓷板13的多个隔离孔，隔离孔内部填充金属材料。
在本实施例中，如图1所示，在控制印制板12和腔体间设置可伐围框27。在射频陶瓷板13内设置多个隔离孔（图中未示出），每个隔离孔均贯穿整个射频陶瓷板13并且每个隔离孔接地，在隔离孔内填充金属材料，金属材料包括但不限于钨。通过设置可伐围框27和隔离孔对每个通道的信号进行屏蔽处理，使各通道之间的信号不互相干扰。隔离孔可根据陶瓷板内的信号通道设置相应的位置，进一步能充分利用空间在射频陶瓷板13内放置多个射频芯片，满足多通道对芯片数量的需求。
在一个具体的实施例中，如图1-6所示，将系统输入电源经过电源管理芯片输出射频的功率放大器芯片34所需要的栅压和漏压，控制信号输入给FPGA做专门的处理，实现了电源管理、电流监测、温度检测、过压过流保护、负压保护、波束控制、数据通信等多个功能，配合射频陶瓷板13完成小型化高密度的电路板设计。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种射频信号发射模块，其特征在于，包括：发射天线板、控制印制板和射频陶瓷板；
所述控制印制板和所述发射天线板均设置于所述射频陶瓷板的正面上，所述发射天线板设置第一通孔，所述发射天线板设置于所述第一通孔内，且所述发射天线板的四周与所述控制印制板之间存在间隙；
所述射频陶瓷板的正面和背面均设有多个腔体；其中，每个腔体内布置有至少一个芯片；所述射频陶瓷板的正面的腔体中的各芯片的功率均大于所述射频陶瓷板的背面的腔体中的各芯片的功率。
2.根据权利要求1所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述射频陶瓷板内部的结构为多层陶瓷结构，所述多层陶瓷结构的层与层之间通过过孔连接；
所述多层陶瓷结构的布线层包括多个射频地层、多个电源地层和多个射频布线层和多个供电控制层；所述多个射频布线层中的至少两个射频布线层为相位一致层；所述相位一致层用于使所述射频陶瓷板内部的各信号通道之间的走线总线长度保持一致。
3.根据权利要求2所述的射频信号发射模块，其特征在于，每个芯片分别连接于所述多层陶瓷结构的一个布线层上；
各芯片包括放大器芯片、第一功分器芯片、多个第二功分器芯片、多个驱动放大芯片、多个移相器芯片、多个第三功分器芯片和多个功率放大器芯片；
所述多个功率放大器芯片设置于所述射频陶瓷板的正面的腔体内，所述放大器芯片、所述第一功分器芯片、所述多个第二功分器芯片、所述多个驱动放大芯片、所述多个移相器芯片和所述多个第三功分器芯片设置于所述射频陶瓷板的背面的腔体内。
4.根据权利要求3所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述射频陶瓷板的背面设有输入端接头，所述射频陶瓷板的正面设有输出端接头；所述输出端接头与所述发射天线板连接；
所述输入端接头为毛纽扣转接头；所述输出端接头为多个SSMP转接头。
5.根据权利要求4所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述放大器芯片的输入端与所述输入端接头连接，所述放大器的输出端与所述第一功分器芯片的输入端连接，所述第一功分器芯片的输出端分别与所述多个第二功分器芯片的输入端连接，所述多个第二功分器的输出端与所述多个驱动放大芯片的输入端连接，所述多个驱动放大芯片的输出端与所述多个移相器的输入端连接，所述多个移相器芯片的输出端与所述多个第三功分器芯片的输入端连接，所述多个第三功分器芯片的输出端与所述多个功率放大器的输入端连接，所述多个功率放大器的输出端与所述输出端接头连接；
所述多个驱动放大芯片、所述多个移相器和所述多个第三功分器芯片的数量一致；
相互之间存在连接关系，且分别连接于不同布线层的两个芯片之间通过类同轴。
6.根据权利要求3所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述射频陶瓷板的背面焊接有热沉，所述热沉上设置有多个第二通孔，所述多个第二通孔的位置与所述陶瓷射频板的背面的腔体对应；
所述射频陶瓷板的正面和背面之间设有第三通孔，所述第三通孔内放置钼铜载体，所述钼铜载体的底部焊接至所述射频陶瓷板的背面的热沉上，所述第三通孔除所述钼铜载体之外的空间形成第一空腔，所述第一空腔中设置所述功率放大器芯片；
所述功率放大器芯片采用共晶烧结的方式焊接到所述钼铜载体的顶部。
7.根据权利要求6所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述控制印制板包括电源管理芯片和控制电路芯片；
所述控制印制板和所述射频陶瓷板通过键合线的方式连接。
8.根据权利要求7所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述发射模块设有金属壳体，所述金属壳体的底部与所述热沉的底部焊接；所述金属壳体的顶部与所述控制印制板连接；根据所述电源管理芯片和所述控制电路芯片所在的位置在所述金属壳体顶部设置第二空腔。
9.根据权利要求8所述的射频信号发射模块，其特征在于，还包括：微型连接器，所述微型连接器的输入端用于接收控制信号，所述微型连接器的输出端连接所述控制电路芯片。
10.根据权利要求1所述的射频信号发射模块，其特征在于，所述控制印制板和发射天线板与所述射频陶瓷板之间设置有可伐围框，所述射频陶瓷板的正面和背面之间设置贯穿所述射频陶瓷板的多个隔离孔，所述隔离孔内部填充金属材料。
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