CN117334705A - 成像元件及摄像装置 - Google Patents

成像元件及摄像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117334705A
CN117334705A CN202310747523.1A CN202310747523A CN117334705A CN 117334705 A CN117334705 A CN 117334705A CN 202310747523 A CN202310747523 A CN 202310747523A CN 117334705 A CN117334705 A CN 117334705A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
light receiving
pixels
imaging element
receiving region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310747523.1A
Other languages
English (en)
Inventor
河合智行
古田善工
小田和也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN117334705A publication Critical patent/CN117334705A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种新型成像元件及摄像装置。一种成像元件(5)，其具有多个像素(61)，该像素(61)在列方向(Y)上排列设置有光电转换部(61A)和保持从光电转换部(61A)转移的电荷的电荷保持部(61B)，其中，多个像素(61)包括相位差检测用像素(61R)，相位差检测用像素(61R)的光电转换部(61A)在与列方向(Y)交叉的行方向(X)上排列有受光区域(RR)和遮光区域(SR)，光电转换部(61A)在行方向(X)上的宽度大于电荷保持部(61B)在行方向(X)上的宽度。

Description

成像元件及摄像装置
技术领域
本发明涉及一种成像元件及摄像装置。
背景技术
在专利文献1中记载了一种固体成像装置，其具有相位差检测像素。该相位差检测像素构成为，具有上下排列的光电二极管和存储器部，在光电二极管及存储器部各自的左侧或右侧的大致一半处设置有遮光膜的开口部。
在专利文献2中记载了一种成像元件，其具有相位差检测用像素。该相位差检测用像素构成为，具有上下排列的光电转换部及电荷保持部，在光电转换部的左侧或右侧的大致一半处设置有遮光膜的开口部。
专利文献1：日本特开2018-207548号公报
专利文献2：国际公开第2018/061497号
发明内容
本发明的技术如以下所示。
(1)
一种成像元件，其具有多个像素，上述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从上述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
上述多个像素包括第1像素，
上述第1像素的上述光电转换部在与上述第1方向交叉的第2方向上排列有受光区域和遮光区域，
上述光电转换部在上述第2方向上的宽度大于上述电荷保持部在上述第2方向上的宽度。
(2)
根据(1)所述的成像元件，其中，
上述第2方向是上述成像元件的长度方向。
(3)
根据(1)或(2)所述的成像元件，其中，
在上述第2方向上相邻配置的2个上述第1像素中的一个上述电荷保持部所保持的电荷和上述2个第1像素中的另一个上述电荷保持部所保持的电荷构成为在上述2个第1像素的上述电荷保持部中能够混合。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的成像元件，其中，
上述第1像素包括：上述受光区域配置于上述第2方向的一侧，上述遮光区域配置于上述第2方向的另一侧的第1类别像素；及上述受光区域配置于上述第2方向的另一侧，上述遮光区域配置于上述第2方向的一侧的第2类别像素，
在上述第2方向上相邻配置的上述第1类别像素及上述第2类别像素中，在上述第1类别像素的上述遮光区域与上述第2类别像素的上述遮光区域之间配置有上述第1类别像素的上述受光区域和上述第2类别像素的上述受光区域。
(5)
根据(4)所述的成像元件，其中，
上述第1类别像素中的上述遮光区域的面积与上述第2类别像素中的上述遮光区域的面积之和、与上述第1类别像素中的上述受光区域的面积与上述第2类别像素中的上述受光区域的面积之和之差为阈值以下。
(6)
根据(4)所述的成像元件，其中，
上述多个像素包括第2像素，上述第2像素中配置于上述成像元件的前方的成像透镜的主光线的入射位置与上述光电转换部的受光区域的中心一致，
上述第1类别像素中的上述受光区域的面积与上述第2类别像素中的上述受光区域的面积之和与上述第2像素中的上述受光区域的面积之差为阈值以下。
(7)
根据(4)至(6)中任一项所述的成像元件，其中，
在上述第2方向上相邻的上述第1类别像素和上述第2类别像素的对中包括第1对，
在上述第1对中，在上述第1类别像素的上述受光区域的中心与上述第2类别像素的上述受光区域的中心的中间位置形成有该受光区域彼此的边界。
(8)
根据(4)至(7)中任一项所述的成像元件，其中，
在上述第1类别像素和上述第2类别像素的对中包括第2对，
在上述第2对中，上述第1类别像素的上述受光区域的中心与上述第2类别像素的上述受光区域的中心的中间位置比该受光区域彼此的边界更向上述成像元件的端缘侧偏心。
(9)
根据(8)所述的成像元件，其中，
越靠近上述成像元件的端缘，上述第2对中的上述中间位置的偏心量越大。
(10)
一种成像元件，其具有多个像素，上述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从上述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
在与上述第1方向交叉的第2方向上相邻配置的2个上述像素中的一个上述电荷保持部所保持的电荷和上述2个像素中的另一个上述电荷保持部所保持的电荷构成为在上述2个像素的上述电荷保持部中能够混合。
(11)
一种成像元件，其具有多个像素，上述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从上述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
上述多个像素包括第1像素，
上述第1像素的上述光电转换部在与上述第1方向交叉的第2方向上排列有受光区域和遮光区域，
上述第1像素包括：上述受光区域配置于上述第2方向的一侧，上述遮光区域配置于上述第2方向的另一侧的第1类别像素；及上述受光区域配置于上述第2方向的另一侧，上述遮光区域配置于上述第2方向的一侧的第2类别像素，
在上述第2方向上相邻配置的上述第1类别像素及上述第2类别像素中，在上述第1类别像素的上述遮光区域与上述第2类别像素的上述遮光区域之间配置有上述第1类别像素的上述受光区域和上述第2类别像素的上述受光区域。
(12)
一种摄像装置，其具备(1)至(11)中任一项所述的成像元件。
附图说明
图1是表示本发明的摄像装置的一实施方式的数码相机100的概略结构的图。
图2是表示图1所示的成像元件5的概略结构的平面示意图。
图3是表示图2所示的成像元件5的像素61的结构的示意图。
图4是图2所示的成像元件5的范围HC的放大图。
图5是图2所示的成像元件5的范围HLE的放大图。
图6是图2所示的成像元件5的范围HRE的放大图。
图7是表示成像元件5的第1变形例的与图4对应的图。
图8是表示成像元件5的第2变形例的与图4对应的图。
图9是表示智能手机200的外观的图。
图10是表示图9所示的智能手机200的结构的框图。
具体实施方式
图1是表示本发明的摄像装置的一实施方式的数码相机100的概略结构的图。图1所示的数码相机100具备：透镜装置40，具有成像透镜1、光圈2、驱动成像透镜1的透镜驱动部8、驱动光圈2的光圈驱动部9及控制透镜驱动部8和光圈驱动部9的透镜控制部4；以及主体部100A。
主体部100A具备：成像元件5；系统控制部11，集中控制数码相机100的电控制系统整体；操作部14；显示装置22；存储器16，包括RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)及ROM(Read only memory：只读存储器)等；存储器控制部15，进行向存储器16的数据存储及从存储器16的数据读出的控制；数字信号处理部17；以及外部存储器控制部20，进行向存储介质21的数据存储及从存储介质21的数据读出的控制。
透镜装置40可以是能够装卸于主体部100A的装置，也可以是与主体部100A一体化而成的装置。成像透镜1包括能够沿光轴方向移动的聚焦透镜等。该聚焦透镜是用于调节包括成像透镜1及光圈2的摄像光学系统的焦点的透镜，由单个透镜或多个透镜构成。通过聚焦透镜沿光轴方向移动，聚焦透镜的主点位置沿光轴方向发生变化，进行被摄体侧的焦点位置的变更。另外，作为聚焦透镜，可以使用能够通过电控制变更光轴方向的主点位置的液体透镜。
透镜装置40的透镜控制部4根据从系统控制部11发送过来的透镜驱动信号来控制透镜驱动部8，变更成像透镜1中包含的聚焦透镜的主点位置。透镜装置40的透镜控制部4根据从系统控制部11发送过来的驱动控制信号来控制光圈驱动部9，变更光圈2的开口量(F值)。
成像元件5通过包括成像透镜1及光圈2的摄像光学系统拍摄被摄体。成像元件5具有二维状地配置有多个像素的受光面60(参考图2)，将通过摄像光学系统成像于该受光面60的被摄体像通过该多个像素转换为像素信号并输出。成像元件5例如使用CMOS(complementary metal-oxide semiconductor：互补式金属氧化物半导体)图像传感器或CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合元件)图像传感器。以下，对成像元件5为CMOS图像传感器的例子进行说明。
系统控制部11集中控制数码相机100整体，其硬件结构为执行程序而进行处理的各种处理器。由系统控制部11执行的程序存储于存储器16的ROM中。
作为各种处理器，包括执行程序而进行各种处理的通用的处理器即CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器)、在制造FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等之后能够变更电路结构的处理器即可编程逻辑器件(Programmable LogicDevice；PLD)、或具有为了执行ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)等特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电路等。更具体而言，这些各种处理器的结构为组合半导体元件等电路元件而成的电路。
系统控制部11可以由各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合或CPU与FPGA的组合)构成。
系统控制部11驱动成像元件5和透镜装置40，将通过透镜装置40的摄像光学系统拍摄的被摄体像作为图像信号输出。从成像元件5输出的图像信号由数字信号处理部17处理，生成适于在显示装置22上的显示的数据或适于存储于存储介质21中的数据即摄像图像数据。
来自利用者的命令信号通过操作部14输入到系统控制部11。操作部14包括与显示面22b一体化而成的触摸面板和各种按钮等。
显示装置22具备由有机EL(electroluminescence：电致发光)面板或液晶面板等构成的显示面22b和控制显示面22b的显示的显示控制器22a。
存储器控制部15、数字信号处理部17、外部存储器控制部20及显示控制器22a通过控制总线24及数据总线25彼此连接，并由来自系统控制部11的指令控制。
图2是表示图1所示的成像元件5的概略结构的平面示意图。图3是表示图2所示的成像元件5的像素61的结构的示意图。
成像元件5具备：受光面60，由在行方向X上排列的多个像素61构成的像素行62在与行方向X交叉(图例中正交)的列方向Y上排列有多个；驱动电路63，驱动排列在受光面60上的像素61；及信号处理电路64，对从排列在受光面60上的像素行62的各像素61读出到信号线的像素信号进行处理。受光面60呈以行方向X为长度方向的矩形状，其结果，成像元件5呈以行方向X为长度方向的矩形状。列方向Y构成第1方向。行方向X构成第2方向。
在多个像素61中包括包含第1类别像素及第2类别像素的第1像素和第2像素。第1类别像素是后述的相位差检测用像素61R，该相位差检测用像素61R接收通过了透镜装置40的摄像光学系统的光瞳区域沿行方向X排列的不同的2个部分的一对光束中的一者，并检测与受光量对应的信号。第2类别像素是后述的相位差检测用像素61L，该相位差检测用像素61L接收该一对光束中的另一者，并检测与受光量对应的信号。第2像素是后述的普通像素61W，该普通像素61W接收该一对光束两者，并检测与受光量对应的信号。
像素行62包括仅包含普通像素61W的第1像素行和包含相位差检测用像素61R、相位差检测用像素61L及普通像素61W的第2像素行，第2像素行在列方向Y上以等间隔离散地配置。
以下，在图2中，将受光面60的列方向Y的上侧的端部称为上端，将受光面60的列方向Y的下侧的端部称为下端。并且，在图2中，将受光面60在行方向X上的右侧的端部称为右端，将受光面60在行方向X上的左侧的端部称为左端。
如图3所示，像素61具备光电转换部61A、电荷保持部61B、电荷转移部61C、浮动扩散61D及读出电路61E。
光电转换部61A接收通过了透镜装置40的摄像光学系统的光，产生并积蓄与受光量对应的电荷。光电转换部61A由光电二极管等构成。在图3的例子中，在N型基板70表面形成有P阱层71，在P阱层71的表面部形成有光电转换部61A。光电转换部61A由N型杂质层73和形成于其上的P型杂质层74构成。由N型基板70和P阱层71构成半导体基板。
电荷转移部61C将积蓄在光电转换部61A的电荷转移至电荷保持部61B。在图3的例子中，电荷转移部61C由半导体基板内的杂质区域和形成于该杂质区域的上方的电极构成。通过施加到该电极的电压由驱动电路63控制，进行从光电转换部61A向电荷保持部61B的电荷转移。
电荷保持部61B保持由电荷转移部61C从光电转换部61A转移的电荷。电荷保持部61B由半导体基板内的杂质区域构成。在图3的例子中，在P阱层71的表面部，与光电转换部61A稍微分开而形成有由N型杂质层形成的电荷保持部61B。
在电荷保持部61B与光电转换部61A之间的P阱层71的区域75的上方，隔着省略图示的氧化膜，形成有转移电极76。区域75和转移电极76构成电荷转移部61C。
通过控制转移电极76的电位在区域75形成信道，能够将积蓄在光电转换部61A的电荷转移至电荷保持部61B。转移电极76的电位由驱动电路63控制。
浮动扩散61D用于将电荷转换为信号，且转移保持在电荷保持部61B中的电荷。在图3的例子中，在P阱层71的表面部，与电荷保持部61B稍微分开而形成有由N型杂质层形成的浮动扩散61D。在电荷保持部61B与浮动扩散61D之间的P阱层71的上方，隔着省略图示的氧化膜，形成有读出电极72。
通过控制读出电极72的电位并在电荷保持部61B与浮动扩散61D之间的区域形成信道，能够将保持在电荷保持部61B中的电荷转移至浮动扩散61D。读出电极72的电位由驱动电路63控制。
读出电路61E为将与浮动扩散61D的电位对应的信号作为像素信号读出到信号线65的电路。读出电路61E由驱动电路63驱动。
在图3的例子中，读出电路61E由用于复位浮动扩散61D的电位的复位晶体管77、将浮动扩散61D的电位转换为像素信号而输出的输出晶体管78及用于将从输出晶体管78输出的像素信号选择性地读出到信号线65的选择晶体管79构成。读出电路的结构仅为一例，并不限定于此。读出电路61E有时在多个像素61中共用。
在像素61中设置有省略图示的遮光膜，除了光电转换部61A以外的区域被该遮光膜遮光。图3所示的像素61的结构仅为一例，并不限定于此。
图2所示的信号处理电路64对从像素行62的各像素61读出到信号线65的像素信号进行相关双采样处理，并将相关双采样处理后的像素信号转换为数字信号而输出至数据总线25(参考图1)。信号处理电路64由系统控制部11控制。数字信号处理部17对从成像元件5输出至数据总线25的像素信号组实施去马赛克处理及γ校正处理等信号处理而生成摄像图像数据。
图4是图2所示的成像元件5的中心部的范围HC的放大图。图5是图2所示的成像元件5的周边部(左端部)的范围HLE的放大图。图6是图2所示的成像元件5的周边部(右端部)的范围HRE的放大图。在图4、图5及图6中，省略了电荷转移部61C及读出电路61E的图示。在范围HLE、范围HC及范围HRE中分别包括第1像素行(仅包含普通像素的像素行)和第2像素行(包含相位差检测用像素和普通像素的像素行)。
在图4及图5中，上侧的像素行是第2像素行，在行方向X上依次排列配置有普通像素61W、相位差检测用像素61R、相位差检测用像素61L及普通像素61W。在图4及图5中，下侧的像素行是第1像素行，在行方向X上排列配置有4个普通像素61W。
在各像素61中，在列方向Y上排列配置有沿行方向X延伸的矩形状的光电转换部61A和沿行方向X延伸的矩形状的电荷保持部61B。在各像素61中，光电转换部61A在行方向X上的宽度大于电荷保持部61B在行方向X上的宽度。
在形成于受光面60上的像素61中，在行方向X上相邻的2个像素61中的半导体基板内的结构成为以该2个像素61的边界线为对称轴的线对称。
例如，关注在图4中最左侧且上侧的普通像素61W与位于该普通像素61W的右侧的相位差检测用像素61R的组。在该组中，在普通像素61W中，电荷保持部61B在行方向X上的中心位于比光电转换部61A在行方向X上的中心更靠左侧，而在相位差检测用像素61R中，电荷保持部61B在行方向X上的中心位于比光电转换部61A在行方向X上的中心更靠右侧。并且，在该组中的2个电荷保持部61B之间设置有在该组中共用的浮动扩散61D。
形成于受光面60上的各像素行62是在行方向X上重复排列了与该组相同结构的2个像素61(以下，记载为像素组)的像素行。另外，像素组中的浮动扩散61D也可以构成为被该像素组的边界线分割，对每个像素61设置1个。
在第2像素行中，在行方向X上相邻的2个像素组中的4个像素61中隔着该2个像素组的边界而相邻的2个像素61成为一对相位差检测用像素61R及相位差检测用像素61L。更具体而言，该2个像素61中左侧的像素61成为相位差检测用像素61R，右侧的像素61成为相位差检测用像素61L。
在成像元件5中，例如在各像素61中，构成为成像透镜1的主光线在列方向Y及行方向X上入射到光电转换部61A的中心。
在各像素61中的半导体基板的上方形成有遮光膜50。在遮光膜50中，在普通像素61W中的光电转换部61A的上方形成有开口50W。在普通像素61W中，光电转换部61A在列方向Y上的中心与开口50W在行方向X上的中心一致。
在图4的俯视观察中，从开口50W露出的光电转换部61A的区域形成普通像素61W的受光区域RW。在普通像素61W中，成像透镜1的主光线在列方向Y及行方向X上入射到受光区域RW的中心。即，普通像素61W是成像透镜1的主光线的入射位置与受光区域RW的中心一致的像素。
在遮光膜50中，进一步在相位差检测用像素61R中的光电转换部61A的上方形成有开口50R，在相位差检测用像素61L中的光电转换部61A的上方形成有开口50L。开口50R成为在其列方向Y及行方向X上的中心CR比相位差检测用像素61R中的光电转换部61A在列方向Y及行方向X上的中心(即，成像透镜1的主光线的入射位置)更向行方向X的右侧偏移的状态。开口50L成为在其列方向Y及行方向X上的中心CL比相位差检测用像素61L中的光电转换部61A在列方向Y及行方向X上的中心(即，成像透镜1的主光线的入射位置)更向行方向X的左侧偏移的状态。
从开口50R露出的光电转换部61A的区域形成相位差检测用像素61R的受光区域RR。从开口50L露出的光电转换部61A的区域形成相位差检测用像素61L的受光区域RL。相位差检测用像素61R可以说具有受光区域RR相对于光电转换部61A向行方向X的右侧偏心的结构。相位差检测用像素61L可以说具有受光区域RL相对于光电转换部61A向行方向X的左侧偏心的结构。
在此，将开口50R的上端缘(列方向Y的一端缘)沿行方向X延伸的假想线设为假想线Lu，将开口50R的下端缘(列方向Y的另一端缘)沿行方向X延伸的假想线设为假想线Ld。在相位差检测用像素61R中，将假想线Lu与假想线Ld之间的光电转换部61A中的被遮光的区域中最宽区域(受光区域RR的左侧的区域)定义为相位差检测用像素61R中的光电转换部61A的遮光区域SR。
并且，在相位差检测用像素61L中，将假想线Lu与假想线Ld之间的光电转换部61A中的被遮光的区域中最宽区域(受光区域RL的右侧的区域)定义为相位差检测用像素61L中的光电转换部61A的遮光区域SL。
当这样定义时，相位差检测用像素61R可以说具有受光区域RR和遮光区域SR在行方向X上排列且遮光区域SR配置于受光区域RR的左侧的结构。并且，相位差检测用像素61L可以说具有受光区域RL和遮光区域SL在行方向X上排列且遮光区域SL配置于受光区域RL的右侧的结构。
如此，在成像元件5中，一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L在行方向X上相邻配置。并且，在行方向X上相邻配置的相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L中，成为在相位差检测用像素61R的遮光区域SR与相位差检测用像素61L的遮光区域SL之间配置有相位差检测用像素61R的受光区域RR和相位差检测用像素61L的受光区域RL的结构。
如图4所示，在受光面60的中心部(与摄像光学系统的光轴交叉的位置附近)中相邻配置的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L中，在受光区域RR在行方向X上的中心与受光区域RL在行方向X上的中心的中间位置形成有这些相位差检测用像素61R与相位差检测用像素61L的边界。图4所示的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L构成第1对。
另一方面，在受光面60的周边部(靠近成像元件5的端缘的位置)中相邻配置的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L中，受光区域RR在行方向X上的中心与受光区域RL在行方向X上的中心的中间位置比这些相位差检测用像素61R与相位差检测用像素61L的边界更向成像元件5的端缘侧(在图5的例子中为成像元件5的左端缘侧，在图6的例子中为成像元件5的右端缘侧)偏心。并且，越靠近成像元件5的端缘(越靠近受光面60的右端或左端)，该中间位置的偏心量越大。如图5及图6所示，中间位置偏心的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L构成第2对。
根据如以上那样构成的成像元件5，例如通过对从相同像素行62中包含的多个相位差检测用像素61R读出的像素信号组和从多个相位差检测用像素61L读出的像素信号组进行相关运算，能够导出这2个像素信号组在行方向X上的相位差。通过使用该相位差，能够进行聚焦透镜的主点位置的控制。
成像元件5为沿行方向X延伸的横长形状。将入射到受光面60的光线与摄像光学系统的光轴所成的角度定义为光入射角度。在受光面60的右端部及左端部，与受光面60的上端部及下端部相比，光入射角度变大。在成像元件5中，在各像素61中，光电转换部61A呈沿行方向X延伸的横长形状。因此，在光入射角度变大的成像元件5的右端部或左端部的普通像素61W中，能够高效地捕获光。并且，由于光电转换部61A呈横长形状，因此能够在横向上扩大相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的受光区域，能够提高相位差检测用像素的灵敏度。其结果，能够提高相位差导出精度，高精度地进行调焦。
并且，在成像元件5中，相邻的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的受光区域在行方向X上靠近配置。通过该结构，例如通过将从一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L分别读出的像素信号相加，能够获得与从普通像素61W读出的像素信号接近的像素信号。因此，能够提高使用从相位差检测用像素读出的像素信号生成摄像图像数据时的画质。
另外，优选遮光区域SR的面积与遮光区域SL的面积之和、与受光区域RR的面积与受光区域RL的面积之和之差为第1阈值以下(充分小)。该差的理想值为零。由此，容易使受光区域RR的面积与受光区域RL的面积之和接近于受光区域RW的面积。其结果，能够提高使用从相位差检测用像素读出的像素信号生成摄像图像数据时的画质。
并且，也可以代替将上述差设为第1阈值以下，将受光区域RR的面积与受光区域RL的面积之和与受光区域RW的面积之差设为第2阈值以下。该差的理想值为零。即使这样，也能够提高使用从相位差检测用像素读出的像素信号生成摄像图像数据时的画质。
在成像元件5中，如图5及图6所示，相位差检测用像素61R的受光区域RR的面积随着朝向受光面60在行方向X上的中心的左侧而变大。并且，相位差检测用像素61L的受光区域RL的面积随着朝向受光面60在行方向X上的中心的右侧而变大。因此，即使在像高大的位置，也能够提高相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L的灵敏度，从而提高相位差导出精度。
图7是表示成像元件5的第1变形例的与图4对应的图。在该变形例中，构成为在相邻的一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的电荷保持部61B的边界部分与遮光膜50之间追加了栅极电极G1。栅极电极G1的电位由驱动电路63控制。
当对栅极电极G1施加电压时，在栅极电极G1下方的半导体基板上形成信道，消除了一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的电荷保持部61B的边界的势垒。其结果，能够将一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的电荷保持部61B所保持的电荷在这2个电荷保持部61B中混合。
根据图7所示的变形例，由于能够在电荷保持部61B中混合电荷，因此与通过信号处理将相位差检测用像素61R的像素信号和相位差检测用像素61L的像素信号相加的情况相比，能够简化处理。
图8是表示成像元件5的第2变形例的与图4对应的图。在该变形例中，相对于图7所示的结构，构成为在行方向X上相邻配置的2个普通像素61W各自的电荷保持部61B的边界部分与遮光膜50之间追加了栅极电极G2。栅极电极G2的电位由驱动电路63控制。
当对栅极电极G2施加电压时，在栅极电极G2下方的半导体基板上形成信道，消除了在行方向X上相邻配置的2个普通像素61W各自的电荷保持部61B的边界的势垒。其结果，能够将在行方向X上相邻配置的2个普通像素61W各自的电荷保持部61B所保持的电荷在这2个电荷保持部61B中混合。
根据图8所示的变形例，在普通像素61W中，也能够在电荷保持部61B中混合电荷。因此，能够进行高灵敏度拍摄。另外，在图8所示的变形例中，栅极电极G1不是必须的，可以省略。
在图2至图8所示的成像元件5中，在第2像素行中，在行方向X上相邻的2个像素组中的4个像素61中隔着该2个像素组的边界而相邻的2个像素61成为一对相位差检测用像素61R及相位差检测用像素61L。作为该变形例，也可以在该2个像素组之间配置有例如2个普通像素61W。即，在行方向X上相邻的一对相位差检测用像素61R及相位差检测用像素61L是指在行方向X上以最短距离配置的一对2个相位差检测用像素。
并且，在图2至图8所示的成像元件5中，在隔着上述2个像素组的边界而相邻的2个像素61中，左侧为相位差检测用像素61R，右侧为相位差检测用像素61L。作为该变形例，该2个像素61中，也可以将右侧设为相位差检测用像素61R，将左侧设为相位差检测用像素61L。即使这样，也能够提高相位差检测用像素的灵敏度。
并且，在图2至图8所示的成像元件5中，也可以将一对相位差检测用像素61R和相位差检测用像素61L各自的开口50R及开口50L结合成1个开口。
并且，在图2至图8所示的成像元件5中，作为一对相位差检测用像素，构成为包括第1对和第2对，但第1对不是必须的，也可以将相位差检测用像素的所有对作为第2对。
接着，对作为本发明的摄像装置的另一实施方式的智能手机的结构进行说明。
图9是表示智能手机200的外观的图。图9所示的智能手机200具有平板状的框体201，且在框体201的一个面具备显示输入部204，该显示输入部204由作为显示部的显示面板202与作为输入部的操作面板203一体化而成。
并且，这种框体201具备扬声器205、麦克风206、操作部207及相机部208。另外，框体201的结构并不限定于此，例如能够采用显示部与输入部独立的结构，或采用具有折叠结构或滑动机构的结构。
图10是表示图9所示的智能手机200的结构的框图。
如图10所示，作为智能手机的主要构成要件，具备无线通信部210、显示输入部204、通话部211、操作部207、相机部208、存储部212、外部输入输出部213、GNSS(GlobalNavigation Satellite System：全球导航卫星系统)接收部214、动作传感器部215、电源部216及主控制部220。
并且，作为智能手机200的主要功能，具备经由省略图示的基站装置BS与省略图示的移动通信网NW进行移动无线通信的无线通信功能。
无线通信部210按照主控制部220的命令对容纳于移动通信网NW的基站装置BS进行无线通信。使用该无线通信，进行语音数据、图像数据等各种文件数据、电子邮件数据等的收发、网络数据或流数据等的接收。
显示输入部204为通过主控制部220的控制，显示图像(静止图像及动态图像)或文字信息等而向用户视觉传递信息，并且检测对所显示的信息的用户操作的即所谓的触摸面板，且具备显示面板202和操作面板203。
显示面板202使用LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、OELD(OrganicElectro-Luminescence Display：有机电致发光显示器)等作为显示器件。
操作面板203为以能够视觉辨认显示于显示面板202的显示面上的图像的方式载置，且通过用户的手指或触控笔来检测被操作的一或多个坐标的器件。若通过用户的手指或触控笔操作该器件，则向主控制部220输出因操作而产生的检测信号。接着，主控制部220根据所接收的检测信号检测显示面板202上的操作位置(坐标)。
如图10所示，作为本发明的摄影装置的一实施方式而例示的智能手机200的显示面板202与操作面板203一体化而构成显示输入部204，但成为如操作面板203完全覆盖显示面板202的配置。
在采用该配置的情况下，操作面板203可以在显示面板202以外的区域也具备检测用户操作的功能。换言之，操作面板203可以具备针对与显示面板202重叠的重叠部分的检测区域(以下，称为显示区域)和针对其以外的不与显示面板202重叠的外缘部分的检测区域(以下，称为非显示区域)。
另外，可以使显示区域的大小与显示面板202的大小完全一致，但无需一定要使两者一致。并且，操作面板203可以具备外缘部分和其以外的内侧部分这两个感应区域。而且，外缘部分的宽度根据框体201的大小等来适当设计。
此外，作为在操作面板203所采用的位置检测方式，可列举矩阵开关方式、电阻膜方式、表面弹性波方式、红外线方式、电磁感应方式、静电电容方式等，且能够采用任意方式。
通话部211具备扬声器205或麦克风206，将通过麦克风206输入的用户的语音转换为能够通过主控制部220进行处理的语音数据而向主控制部220输出，或将通过无线通信部210或者外部输入输出部213接收的语音数据解码而从扬声器205输出。
并且，如图9所示，例如，能够将扬声器205搭载于与设置有显示输入部204的面相同的面，且将麦克风206搭载于框体201的侧面。
操作部207为使用了按键开关等的硬件键，且接收来自用户的命令。例如，如图9所示，操作部207搭载于智能手机200的框体201的侧面，且为通过手指等按压时成为开启状态，将手指移开则通过弹簧等的复原力而成为关闭状态的按钮式开关。
存储部212存储主控制部220的控制程序及控制数据、应用软件、将通信对象的名称或电话号码等建立对应关联的地址数据、所收发的电子邮件的数据、通过Web浏览器下载的Web数据、已下载的内容数据，并且临时存储流数据等。并且，存储部212由内置于智能手机的内部存储部217和具有装卸自如的外部存储器用插槽的外部存储部218构成。
另外，构成存储部212的各个内部存储部217和外部存储部218使用闪存类型(flash memory type)、硬盘类型(hard disk type)、微型多媒体卡类型(multimedia cardmicro type)、卡类型的存储器(例如，MicroSD(注册商标)存储器等)、RAM(Random AccessMemory)、ROM(Read Only Memory)等存储介质来实现。
外部输入输出部213发挥和与智能手机200连结的所有的外部设备的接口的作用，且用于通过通信等(例如，通用串行总线(USB)、IEEE1394、蓝牙(Bluetooth)(注册商标)、RFID(Radio Frequency Identification：射频识别)、红外线通信(Infrared DataAssociation:IrDA)(注册商标)、UWB(Ultra Wideband：超宽带)(注册商标)、紫蜂(ZigBee)(注册商标)等)或网络(例如，以太网(注册商标)、无线LAN(Local Area Network：局域网)等)与其他外部设备直接或间接连接。
作为与智能手机200连结的外部设备，例如有如下：有线/无线头戴式耳机、有线/无线外部充电器、有线/无线数据端口、经由卡插槽连接的存储卡(Memory card)、SIM(Subscriber Identity Module：订户识别模块)/UIM(User Identity Module：用户识别模块)卡、经由音频视频I/O(Input/Output)端子连接的外部音频视频设备、无线连接的外部音频视频设备、有线/无线连接的智能手机、有线/无线连接的计算机、有线/无线连接的耳机等。
外部输入输出部213能够设为将从这种外部设备接收传送的数据传递至智能手机200的内部各构成要件，或使智能手机200的内部数据被传送到外部设备。
GNSS接收部214按照主控制部220的命令，接收从GNSS卫星ST1～STn发送的GNSS信号，执行基于所接收的多个GNSS信号的定位运算处理，并检测包括智能手机200的纬度、经度、高度的位置。GNSS接收部214在能够从无线通信部210或外部输入输出部213(例如，无线LAN)获取位置信息时，还能够利用该位置信息来检测位置。
动作传感器部215例如具备3轴的加速度传感器等，按照主控制部220的命令，检测智能手机200的物理动向。通过检测智能手机200的物理动向，检测出智能手机200的移动方向或加速度。将该检测结果输出至主控制部220。
电源部216按照主控制部220的命令向智能手机200的各部供给积蓄在电池(未图示)的电力。
主控制部220具备微处理器，按照存储部212所存储的控制程序及控制数据进行动作，从而集中控制智能手机200的各部。主控制部220的微处理器具有与系统控制部11相同的功能。并且，主控制部220具备为了通过无线通信部210进行语音通信或数据通信而控制通信系统的各部的移动通信控制功能和应用程序处理功能。
应用程序处理功能通过主控制部220按照存储部212所存储的应用软件进行动作而实现。作为应用程序处理功能，例如有控制外部输入输出部213而与相向设备进行数据通信的红外线通信功能、进行电子邮件的收发的电子邮件功能或浏览网页的网络浏览器功能等。
并且，主控制部220具备根据接收数据或已下载的流数据等图像数据(静止图像或动态图像的数据)而将图像显示于显示输入部204等的图像处理功能。
图像处理功能是指，主控制部220对上述图像数据进行解码，并对该解码结果实施图像处理，从而将图像显示于显示输入部204的功能。
而且，主控制部220执行对显示面板202的显示控制和检测通过操作部207、操作面板203的用户操作的操作检测控制。
通过执行显示控制，主控制部220显示用于启动应用软件的图标或滚动条等软件键，或者显示用于创建电子邮件的窗口。
另外，滚动条是指，关于无法收敛于显示面板202的显示区域的大图像等，用于接收移动图像的显示部分的命令的软件键。
并且，通过执行操作检测控制，主控制部220检测通过操作部207的用户操作，或通过操作面板203接收对上述图标的操作或对上述窗口的输入栏的字符串的输入，或者接收通过滚动条的显示图像的滚动要求。
而且，通过执行操作检测控制，主控制部220具备判定对操作面板203的操作位置是否为与显示面板202重叠的重叠部分(显示区域)，或者是否为其以外的不与显示面板202重叠的外缘部分(非显示区域)，且控制操作面板203的感应区域或软件键的显示位置的触摸面板控制功能。
并且，主控制部220也能够检测对操作面板203的手势操作，并根据所检测出的手势操作，执行预先设定的功能。
手势操作并不是以往单纯的触摸操作，而是指用手指等描绘轨迹，或同时指定多个位置，或者将这些组合而从多个位置至少对一个描绘轨迹的操作。
相机部208包括图1所示的透镜装置40、成像元件5及数字信号处理部17。
能够将由相机部208生成的摄像图像数据存储于存储部212，或通过外部输入输出部213或无线通信部210输出。
在图10所示的智能手机200中，相机部208搭载于与显示输入部204相同的面，但相机部208的搭载位置并不限定于此，也可以搭载于显示输入部204的背面。
并且，相机部208能够利用于智能手机200的各种功能。例如，能够在显示面板202上显示通过相机部208获取的图像，或作为操作面板203的操作输入之一，利用相机部208的图像。
并且，在GNSS接收部214检测位置时，还能够参考来自相机部208的图像来检测位置。而且，还能够参考来自相机部208的图像，不使用3轴加速度传感器，或者与3轴加速度传感器同时使用来判断智能手机200的相机部208的光轴方向，或判断当前的使用环境。当然，还能够在应用软件内利用来自相机部208的图像。
除此以外，能够将通过GNSS接收部214获取的位置信息、通过麦克风206获取的语音信息(通过主控制部等，可以进行语音文本转换而成为文本信息)、通过动作传感器部215获取的姿势信息等附加于静止图像数据或动态图像数据而存储于存储部212，或者通过外部输入输出部213或无线通信部210进行输出。
符号说明
1-成像透镜，2-光圈，4-透镜控制部，5-成像元件，50-遮光膜，50W、50R、50L-开口，RW、RR、RL-受光区域，SR、SL-遮光区域，CR、CL-中心，Lu、Ld-假想线，G1、G2-栅极电极，HLE、HC、HRE-范围，8-透镜驱动部，9-光圈驱动部，11-系统控制部，14、207-操作部，15-存储器控制部，16-存储器，17-数字信号处理部，20-外部存储器控制部，21-存储介质，22a-显示控制器，22b-显示面，22-显示装置，24-控制总线，25-数据总线，40-透镜装置，60-受光面，61A-光电转换部，61B-电荷保持部，61C-电荷转移部，61D-浮动扩散，61E-电路，61-像素，61W-普通像素，61R、61L-相位差检测用像素，62-像素行，63-驱动电路，64-信号处理电路，65-信号线，70-N型基板，71-P阱层，72-电极，73-N型杂质层，74-P型杂质层，75-区域，76-转移电极，77-复位晶体管，78-输出晶体管，79-选择晶体管，100A-主体部，100-数码相机，200-智能手机，201-框体，202-显示面板，203-操作面板，204-显示输入部，205-扬声器，206-麦克风，208-相机部，210-无线通信部，211-通话部，212-存储部，213-外部输入输出部，214-GNSS接收部，215-动作传感器部，216-电源部，217-内部存储部，218-外部存储部，220-主控制部。

Claims (12)

1.一种成像元件，其具有多个像素，所述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从所述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
所述多个像素包括第1像素，
所述第1像素的所述光电转换部在与所述第1方向交叉的第2方向上排列有受光区域和遮光区域，
所述光电转换部在所述第2方向上的宽度大于所述电荷保持部在所述第2方向上的宽度。
2.根据权利要求1所述的成像元件，其中，
所述第2方向是所述成像元件的长度方向。
3.根据权利要求1所述的成像元件，其中，
在所述第2方向上相邻配置的2个所述第1像素中的一个所述电荷保持部所保持的电荷和所述2个第1像素中的另一个所述电荷保持部所保持的电荷构成为，在所述2个第1像素的所述电荷保持部中能够混合。
4.根据权利要求1所述的成像元件，其中，
所述第1像素包括：所述受光区域配置于所述第2方向的一侧、所述遮光区域配置于所述第2方向的另一侧的第1类别像素；及所述受光区域配置于所述第2方向的另一侧、所述遮光区域配置于所述第2方向的一侧的第2类别像素，
在所述第2方向上相邻配置的所述第1类别像素及所述第2类别像素中，在所述第1类别像素的所述遮光区域与所述第2类别像素的所述遮光区域之间配置有所述第1类别像素的所述受光区域和所述第2类别像素的所述受光区域。
5.根据权利要求4所述的成像元件，其中，
所述第1类别像素中的所述遮光区域的面积与所述第2类别像素中的所述遮光区域的面积之和、与所述第1类别像素中的所述受光区域的面积与所述第2类别像素中的所述受光区域的面积之和之差为阈值以下。
6.根据权利要求4所述的成像元件，其中，
所述多个像素包括第2像素，所述第2像素中配置于所述成像元件的前方的成像透镜的主光线的入射位置与所述光电转换部的受光区域的中心一致，
所述第1类别像素中的所述受光区域的面积与所述第2类别像素中的所述受光区域的面积之和与所述第2像素中的所述受光区域的面积之差为阈值以下。
7.根据权利要求4所述的成像元件，其中，
在所述第2方向上相邻的所述第1类别像素和所述第2类别像素的对中包括第1对，
在所述第1对中，在所述第1类别像素的所述受光区域的中心与所述第2类别像素的所述受光区域的中心的中间位置形成有该受光区域彼此的边界。
8.根据权利要求4所述的成像元件，其中，
在所述第1类别像素和所述第2类别像素的对中包括第2对，
在所述第2对中，所述第1类别像素的所述受光区域的中心与所述第2类别像素的所述受光区域的中心的中间位置比该受光区域彼此的边界更向所述成像元件的端缘侧偏心。
9.根据权利要求8所述的成像元件，其中，
越靠近所述成像元件的端缘，所述第2对中的所述中间位置的偏心量越大。
10.一种成像元件，其具有多个像素，所述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从所述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
在与所述第1方向交叉的第2方向上相邻配置的2个所述像素中的一个所述电荷保持部所保持的电荷和所述2个像素中的另一个所述电荷保持部所保持的电荷构成为，在所述2个像素的所述电荷保持部中能够混合。
11.一种成像元件，其具有多个像素，所述像素在第1方向上排列设置有光电转换部和保持从所述光电转换部转移的电荷的电荷保持部，其中，
所述多个像素包括第1像素，
所述第1像素的所述光电转换部在与所述第1方向交叉的第2方向上排列有受光区域和遮光区域，
所述第1像素包括：所述受光区域配置于所述第2方向的一侧、所述遮光区域配置于所述第2方向的另一侧的第1类别像素；及所述受光区域配置于所述第2方向的另一侧、所述遮光区域配置于所述第2方向的一侧的第2类别像素，
在所述第2方向上相邻配置的所述第1类别像素及所述第2类别像素中，在所述第1类别像素的所述遮光区域与所述第2类别像素的所述遮光区域之间配置有所述第1类别像素的所述受光区域和所述第2类别像素的所述受光区域。
12.一种摄像装置，其具备权利要求1至11中任一项所述的成像元件。
CN202310747523.1A 2022-06-30 2023-06-25 成像元件及摄像装置 Pending CN117334705A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-106126 2022-06-30
JP2022106126A JP2024005764A (ja) 2022-06-30 2022-06-30 撮像素子及び撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117334705A true CN117334705A (zh) 2024-01-02

Family

ID=89289116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310747523.1A Pending CN117334705A (zh) 2022-06-30 2023-06-25 成像元件及摄像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240006428A1 (zh)
JP (1) JP2024005764A (zh)
CN (1) CN117334705A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240006428A1 (en) 2024-01-04
JP2024005764A (ja) 2024-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10623673B2 (en) Imaging device, imaging method, and imaging program
US9386285B2 (en) Imaging element and imaging device with microlenses and color pixels
US10277802B2 (en) Focusing control device, focusing control method, focusing control program, lens device, and imaging device
CN110463185B (zh) 摄像装置、摄像方法及存储介质
US10484632B2 (en) Imaging element and imaging device
US9781333B2 (en) Imaging device and focus control method
US20220137329A1 (en) Focusing control device, lens device, imaging device, focusing control method, focusing control program
WO2015141081A1 (ja) 撮像装置及び合焦制御方法
CN109196403B (zh) 摄像装置、对焦控制方法及对焦控制程序
JP6462189B2 (ja) 合焦制御装置、合焦制御方法、合焦制御プログラム、レンズ装置、撮像装置
US10848692B2 (en) Global shutter and rolling shutter drive start timings for imaging apparatus, imaging method, and imaging program
US10750105B2 (en) Imaging apparatus, operation method of imaging apparatus, and operation program of imaging apparatus
US10939056B2 (en) Imaging apparatus, imaging method, imaging program
US10742876B2 (en) Imaging device, imaging method, and imaging program
CN111108743B (zh) 摄像控制装置、摄像装置、摄像控制方法及记录介质
US20200021756A1 (en) Imaging apparatus, imaging method, and imaging program
US10863110B2 (en) Imaging control device, imaging apparatus, imaging control method, and imaging control program
CN117334705A (zh) 成像元件及摄像装置
US20230388669A1 (en) Imaging control device, imaging apparatus, imaging control method, and imaging control program
US20240007767A1 (en) Imaging control device, imaging apparatus, imaging control method, and imaging control program
WO2024161841A1 (ja) 撮像装置、制御方法、制御プログラム、及び撮像素子
US20230319433A1 (en) Processing device, imaging apparatus, processing method, and processing program

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication