CN117316839B - 一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及硅片蚀刻的技术领域，尤其是涉及一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法，其包括箱体，设置在箱体中的浸泡池，用于输送硅片横穿浸泡池的输送装置，所述浸泡池内沿硅片输送方向设置有若干用于将浸泡池分隔成若干独立浸泡室的分隔组件，每个所述浸泡室内均设置有用于对硅片喷洒蚀刻液的喷洒装置；所述喷洒装置包括若干喷洒组件以及用于对喷洒组件供入蚀刻液的供液组件；每个所述浸泡室内均设置有回流管，所述回流管上设置有用于控制回流管开度的回流件，通过所述回流件控制浸泡室内蚀刻液液位高度以使浸泡室处于喷洒式或者浸泡式喷洒蚀刻硅片。本申请具有能够保证硅片上下面种子层蚀刻均匀性的效果。

Description

一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法
技术领域
本申请涉及硅片蚀刻的技术领域，尤其是涉及一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法。
背景技术
异质结太阳能电池即HJT电池，其硅片相较于PERC电池优势体现在更高的效率，但其缺点也异常明显就是相较于PERC电池就是耗银量较大，成本较高。为了降低HJT的银耗，目前市面上的路径包括多主栅（MBB）技术、激光转印技术、低温银浆国产化、银包铜技术和电镀铜技术。而其中的电镀铜技术路线是对传统丝网印刷环节的替代，可以分为“种子层制备+图形化+金属化+后处理”四大环节。以HJT电池为例，为了实现铜电镀，即金属化，首先需要在TCO膜之后镀一层金属（如铜）种子层；再将感光胶膜（如光刻胶、油墨等）贴敷在种子层上作为图形化前期准备，随后采用曝光、显影处理；再使用电镀工艺加厚种子层；最后再去掉掩膜及种子层。后处理主要是对感光材料和种子层的去除。在经显影（图形化）、以及镀铜（金属化）后，先对感光材料进行去光阻处理，然后通过刻蚀来去除种子层，保证非镀铜位置的TCO层能够露出。其中刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
目前中国专利公开了一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法，其公告号为CN103805998B，其包括输送滚轮、储液盒和进液管道，储液盒内具有储液腔体，储液盒设置在输送滚轮的上方，反应液通过进液管道进入储液盒，储液盒的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮输送的硅片的上表面的喷液孔。反应液从硅片上方的储液盒的喷液孔均匀喷向通过其下方的硅片，使反应液在硅片表面溢流。但此种向下喷射药液的方法，导致硅片上下面种子层蚀刻深度不均匀，进而导致整体HJT电池的质量下降的缺陷。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法，其具有能够保证硅片上下面种子层蚀刻均匀性的效果。
第一方面，本发明提供一种硅片湿法蚀刻方法，包括箱体，设置在箱体中的浸泡池，用于输送硅片横穿浸泡池的输送装置，所述浸泡池内沿硅片输送方向设置有若干用于将浸泡池分隔成若干独立浸泡室的分隔组件，每个所述浸泡室内均设置有用于对硅片喷洒蚀刻液的喷洒装置；所述喷洒装置包括若干喷洒组件以及用于向喷洒组件供入蚀刻液的供液组件；
每个所述浸泡室内均设置有回流管，所述回流管上设置有用于控制回流管开度的回流件，通过所述回流件控制浸泡室内蚀刻液液位高度以使浸泡室处于喷洒式或者浸泡式喷洒蚀刻硅片。
实现上述技术方案，通过分隔组件将浸泡室分隔成若干独立的浸泡室，然后每个喷洒装置均向自身所处的浸泡室喷洒蚀刻液，之后通过回流件控制回流管的开度，即当回流管的开度开启越大，回流管中蚀刻液的回流速度大于喷洒装置的喷洒速率，从而使得浸泡室中不会有蚀刻液汇集，此时硅片穿过时，只受到喷洒装置喷洒的蚀刻液蚀刻作用，此种状态下，硅片上表面的蚀刻液相对下表面的蚀刻液停留时间更长，进而导致而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的深度略深；而部分浸泡室中的回流管的开度减少，使得浸泡室中的蚀刻液液位上升，并使浸泡室液面淹至上滚轮约2/3直径高度即可，进而使得硅片穿过时完全浸泡在蚀刻液中，此时硅片的上下面的种子层能够同时被蚀刻，但因为硅片下表面的种子层被蚀刻后，部分种子层在自身重力作用下会直接掉落，从而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的更快，深度略深；即使得硅片经过输送装置带动硅片穿过若干个独立的浸泡室时，分别受到喷洒式蚀刻和浸泡式蚀刻，进而使得硅片上下表面的蚀刻深度均衡，从而保证蚀刻质量。
作为本申请的一种优选方案，所述喷洒组件包括设置在输送装置上下两侧的喷管，两个所述喷管相邻侧均设置有若干向输送装置方向设置的喷头。
实现上述技术方案，即两个喷管上的喷头均垂直于输送装置，从而使得硅片上下均能接触到喷头喷洒的蚀刻液，进而保证基础的蚀刻均匀性。
作为本申请的一种优选方案，所述供液组件包括设置在与喷管连接的进水总管，所述进水总管通过管道连接有药液池，所述进水总管上设置有用于将药液池中的药液供入进水总管中的泵浦。
实现上述技术方案，即泵浦将药液池中的药液加压后供入进水总管中然后进入喷管中，进而实现独立控制每个浸泡室中蚀刻液供入速率和压力；即可以通过控制泵浦的功率从而调整喷头的蚀刻液泵出压力，从而调整蚀刻效果。
作为本申请的一种优选方案，所述输送装置包括设置在箱体上的一排输送滚轮对以及驱动输送滚轮对转动的驱动件。
作为本申请的一种优选方案，所述分隔组件包括设置在浸泡池中的分隔板，所述分隔板的顶部设置有可调位置的阻水板，所述阻水板上方设置有一对阻水滚轮件。
实现上述技术方案，即通过分隔板、阻水板以及阻水滚轮件共同组成分隔组件，以实现将浸泡池隔离成若干浸泡室的效果，同时不会影响硅片正常的输送效果。
作为本申请的一种优选方案，所述阻水滚轮件包括上浮动轮和下阻水滚轮，所述上浮动轮和下阻水滚轮设置在输送滚轮对之间，且下阻水滚轮对能够被输送装置驱动滚动，所述上浮动轮包括转动设置在浸泡池上的转轴，转轴上设置有轴套，所述轴套上套设有若干软质浮动滚轮，所述软质浮动滚轮与轴套之间间隙设置。
实现上述技术方案，使得软质浮动滚轮能够在蚀刻液的作用下上下浮动，起到阻挡蚀刻液的效果，进而减少蚀刻液向侧边溢出情况的出现；阻水板上缘距离下阻水滚轮下缘四分点位置约0.15-0.2mm，以使得其不摩擦阻水滚轮，保证硅片的正常输送。
作为本申请的一种优选方案，每个所述浸泡室内均设置有液位传感器，所述液位传感器电性连接有电控箱，所述电控箱与泵浦和回流件电性连接。
实现上述技术方案，即可以通过液位传感器检测每个浸泡室内的液位情况，从而通过电控箱自动控制回流件的开度，从而控制浸泡室内的液位。
作为本申请的一种优选方案，所述箱体中设置有与药液池连通的溢流管，所述药液池内设置有用于对药液进行加热的电加热管。
实现上述技术方案，即通过电加热管提高蚀刻液温度，从而保证蚀刻液的蚀刻效果。
第二方面，本申请还提供一种硅片湿法刻蚀方法，其技术方案如下：
一种硅片湿法蚀刻方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、对同一批次硅片原料进行鉴定并标注，通过检测硅片原料上两侧种子层厚度是否相同，从而标注为无偏移，轻偏移和重偏移三种标签；
S2、启动所述硅片湿法蚀刻设备，并依据S1中硅片鉴定结果调整相应的蚀刻模式，通过硅片湿法蚀刻设备对硅片进行蚀刻处理，并得到蚀刻后的硅片；
S3、对蚀刻后的硅片进行检测，依据检测结果调整蚀刻液温度和蚀刻液供入压力以及蚀刻液的浓度。
作为本申请的一种优选方案，步骤S2中蚀刻模式包括：
全喷洒式，将各个浸泡室内可调回流件全部开启，使药水快速流出，以使得各个浸泡室内的蚀刻液不会汇集，硅片穿过时仅受喷洒装置喷洒的蚀刻液汇集；
浸泡式喷洒，适当调整浸泡室内可调回流件，使每个浸泡室内蚀刻液液面淹没硅片，然后启动喷洒装置扰动蚀刻液，硅片穿过时浸泡在蚀刻液中向前输送；
选择性浸泡式喷洒，适当各个调整浸泡室内可调回流板，以使得部分浸泡室内蚀刻液液面淹没硅片，部分浸泡室无蚀刻液汇集，硅片穿过整个浸泡池会经过浸泡蚀刻和喷洒蚀刻；原料标签是无偏移时调整为选择性浸泡式喷洒模式；硅片原料标签是轻偏移时，选择浸泡式喷洒；硅片原料标签是重偏移时，选择全喷洒式喷洒。
实现上述技术方案，依据S1中硅片原料的标签开启不同蚀刻模式的硅片湿法蚀刻设备，以保证不同标签的硅片均能被均匀蚀刻,保证硅片质量。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
1.通过分隔组件将浸泡室分隔成若干独立的浸泡室，然后每个喷洒装置均向自身所处的浸泡室喷洒蚀刻液，之后通过回流件控制回流管的开度，即当回流管的开度开启越大，回流管中蚀刻液的回流速度大于喷洒装置的喷洒速率，从而使得浸泡室中不会有蚀刻液汇集，此时硅片穿过时，只受到喷洒装置喷洒的蚀刻液蚀刻作用，此种状态下，硅片上表面的蚀刻液相对下表面的蚀刻液停留时间更长，进而导致而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的深度略深。而部分浸泡室中的回流管的开度减少，使得浸泡室中的蚀刻液液位上升，并使浸泡室液面淹至上滚轮约2/3直径高度即可，进而使得硅片穿过时完全浸泡在蚀刻液中，此时硅片的上下面的种子层能够同时被蚀刻，但因为硅片下表面的种子层被蚀刻后，部分种子层在自身重力作用下会直接掉落，从而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的更快，深度略深；即使得硅片经过输送装置带动硅片穿过若干个独立的浸泡室时，分别受到喷洒式蚀刻和浸泡式蚀刻，进而使得硅片上下表面的蚀刻深度均衡，从而保证蚀刻质量；
2.依据S1中硅片原料的标签开启不同蚀刻模式的硅片湿法蚀刻设备，以保证不同标签的硅片均能被均匀蚀刻,保证硅片质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例的整体结构示意图。
图2是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中用于展示喷洒组件的示意图。
图3是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中箱体的内部结构示意图。
图4是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中用于展示分隔组件的示意图。
图5是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中阻水滚轮件的结构示意图。
图6是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中上浮动轮的结构示意图。
图7是本申请一种硅片湿法蚀刻设备实施例中药液池内部结构示意图。
附图标记：1、箱体；2、浸泡池；21、浸泡室；22、回流管；23、回流件；3、溢流管；4、输送装置；41、输送滚轮对；5、分隔组件；51、分隔板；52、阻水板；53、阻水滚轮件；531、下阻水滚轮；532、上浮动轮；5321、转轴；5322、轴套；5323、软质浮动滚轮；6、喷洒装置；61、喷洒组件；611、喷管；612、喷头；62、供液组件；621、药液池；622、进水总管；623、泵浦；7、液位传感器；8、电控箱；9、电加热管。
具体实施方式
以下结合附图1-7对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例之一公开一种硅片湿法蚀刻设备。参照图1、图2和图3，硅片湿法蚀刻设备包括箱体1，设置在箱体1中的浸泡池2，用于输送硅片横穿浸泡池2的输送装置4，输送装置4包括设置在箱体1上的一排输送滚轮对41以及驱动输送滚轮对41转动的驱动件。输送滚轮对41包括上输送轮和下输送轮，进而使得硅片能够穿过上输送轮和下输送轮之间，进而使得上输送轮和下输送轮转动时能够驱动硅片向前输送。驱动件（图中未示出）包括转动轴，转动轴与上输送轮和下输送轮之间通过斜齿轮组传动，进而使得转动轴能够带动上输送轮和下输送轮之间同步啮合转动，进而使得硅片能够被向前转送，而转动轴可以通过电机驱动。浸泡池2内沿硅片输送方向设置有若干用于将浸泡池2分隔成若干独立浸泡室21的分隔组件5。每个浸泡室21内均设置有用于向硅片喷洒蚀刻液的喷洒装置6；每个浸泡室21内均设置有回流管22，回流管22上设置有用于控制回流管22开度的回流件23。回流件23包括用于封挡回流管22的封挡板以及用于驱动封挡板移动的封挡驱动件，封挡驱动件可以为气缸、电缸等，即通过电缸带动封挡板移动，从而达到调节回流管22的开度效果；且回流件23还可以设置为安装在回流管22上的电控阀门，即直接通过调整电控阀门中阀门的转动角度，进而控制回流管22的开度。即通过分隔组件5将浸泡室21分隔成若干独立的浸泡室21，然后每个喷洒装置6均向自身所处的浸泡室21喷洒蚀刻液，之后通过回流件23控制回流管22的开度，即当回流管22的开度开启越大，回流管22中蚀刻液的回流速度大于喷洒装置6的喷洒速率，从而使得浸泡室21中不会有蚀刻液汇集，此时硅片穿过时，只受到喷洒装置6喷洒的蚀刻液蚀刻作用，此种状态下，硅片上表面的蚀刻液相对下表面的蚀刻液停留时间更长，进而导致而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的深度略深。而部分浸泡室21中的回流管22的开度减少，使得浸泡室21中的蚀刻液液位上升，并使浸泡室21液面淹至上滚轮约2/3直径高度即可，进而使得硅片穿过时完全浸泡在蚀刻液中，此时硅片的上下面的种子层能够同时被蚀刻，但因为硅片下表面的种子层被蚀刻后，部分种子层在自身重力作用下会直接掉落，从而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的更快，深度略深。即使得硅片经过输送装置4带动硅片穿过若干个独立的浸泡室21中时，分别受到喷洒式蚀刻和浸泡式蚀刻，进而保证使得硅片上下表面的蚀刻深度均衡，进而保证蚀刻质量。
参照图4和图5，分隔组件5包括设置在浸泡池2中的分隔板51，分隔板51的顶部设置有可调位置的阻水板52，即阻水板52分别通过螺钉螺母锁紧固定在分隔板51上，分隔板51上设置有供螺钉穿过的竖向腰型槽，从而使得阻水板52的高度位置可调。阻水板52上方设置有阻水滚轮件53，阻水滚轮件53包括下阻水滚轮531和上浮动轮532，下阻水滚轮531设置在相邻两个输送滚轮之间，且下阻水滚轮531的转轴5321与转动轴之间同样采用斜齿轮组啮合传动，进而使得下阻水滚轮531能够跟随输送装置4一起同步转动，从而保证输送的正常性。参照图6，上浮动轮532包括转动设置在浸泡池2上的转轴5321，转轴5321套设有轴套5322，以防止转轴5321被蚀刻液腐蚀，轴套5322上套设有若干软质浮动滚轮5323，软质浮动滚轮5323与轴套5322之间间隙设置，进而使得浮动滚轮能够在蚀刻液的作用下上下浮动，起到阻挡蚀刻液的效果，进而减少蚀刻液向侧边溢出情况的出现。阻水板52上缘距离下阻水滚轮531下缘四分点位置约 0.15-0.2mm，以使得其不摩擦阻水滚轮，保证硅片的正常输送。
参照图1和图3，喷洒装置6包括若干喷洒组件61以及用于对喷洒组件61供入蚀刻液的供液组件62,进而使得每个浸泡室21中的喷洒组件61和供液组件62均相互独立，进而可以独立控制每个浸泡室21中时蚀刻液供应速率。喷洒组件61包括设置在输送装置4上下两侧的喷管611，两个喷管611相邻侧均设置有若干向输送装置4方向设置的喷头612，即两个喷管611上的喷头612均垂直于输送装置4，从而使得硅片上下均能接触到喷头612喷洒的蚀刻液，进而保证基础的蚀刻均匀性。同时因两个喷管611之间不是相互独立的使得两个喷管611能够同时喷洒，当浸泡室21中蚀刻液淹没输送装置4时，下方的喷管611上的喷头612依旧会喷洒蚀刻液，从而使得硅片下方的蚀刻液能够被新供入的蚀刻液扰动流动，进而保证硅片下表面的蚀刻效果。
参照图1和图7，供液组件62包括设置在与喷管611连接的进水总管622，进水总管622通过管道连接有药液池621，进水总管622上设置有用于将药液池621中的药液供入进水总管622中的泵浦623，即泵浦623将药液池621中的药液加压后供入进水总管622中然后进入喷管611中，进而实现独立控制每个浸泡室21中蚀刻液供入速率和压力。即可以通过控制泵浦623的功率从而调整喷头612的蚀刻液泵出压力，从而调整蚀刻效果。
参照图1和图7，而为了实现药液循环，箱体1下方设置有与药液池621连通的溢流管3，进而使得从浸泡室21中溢出的药液会汇集在箱体1中，然后通过溢流管3回流至药液池621中，而为了避免杂质过多影响药液的正常泵送，可以在溢流管3中增设过滤器，以降低金属杂质堵塞。药液池621内还设置有用于对药液进行加热的电加热管9，即通过电加热管9提高蚀刻液温度，从而保证蚀刻液的蚀刻效果。
参照图1和图3，每个浸泡室21内均设置有液位传感器7，液位传感器7电性连接有电控箱8，电控箱8与泵浦623和回流件23电性连接，即可以通过液位传感器7检测每个浸泡室21内的液位情况，从而通过电控箱8自动控制回流件23的开度，从而控制浸泡室21内的液位。
本申请实施例一种硅片湿法蚀刻设备的实施原理为：即通过分隔组件5将浸泡室21分隔成若干独立的浸泡室21，然后每个喷洒装置6均向自身所处的浸泡室21喷洒蚀刻液，之后通过回流件23控制回流管22的开度，即当回流管22的开度开启越大，回流管22中蚀刻液的回流速度大于喷洒装置6的喷洒速率，从而使得浸泡室21中不会有蚀刻液汇集，此时硅片穿过时，只受到喷洒装置6喷洒的蚀刻液蚀刻作用，此种状态下，硅片上表面的蚀刻液相对下表面的蚀刻液停留时间更长，进而导致而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的深度略深。而部分浸泡室21中的回流管22的开度减少，使得浸泡室21中的蚀刻液液位上升，并使浸泡室21液面淹至上滚轮约2/3直径高度即可，进而使得硅片穿过时完全浸泡在蚀刻液中，此时硅片的上下面的种子层能够同时被蚀刻，但因为硅片下表面的种子层被蚀刻后，部分种子层在自身重力作用下会直接掉落，从而使得下表面的种子层会比上表面种子层剥离的更快，深度略深；即使得硅片经过输送装置4带动硅片穿过若干个独立的浸泡室21中时，分别受到喷洒式蚀刻和浸泡式蚀刻，进而保证使得硅片上下表面的蚀刻深度均衡，进而保证蚀刻质量。
本申请另一实施例一种硅片湿法蚀刻方法，包括以下步骤：
S1、对同一批次硅片原料进行鉴定并标注，通过检测硅片原料上两侧种子层厚度是否相同，从而标注为无偏移（两侧种子层厚度偏差在0-5nm），轻偏移(两侧种子层厚度偏差在5-15nm)和重偏移(两侧种子层厚度偏差在15nm以上)三种标签；
S2、启动上述硅片湿法蚀刻设备，并依据S1中硅片鉴定结果调整相应的蚀刻模式，通过硅片湿法蚀刻设备对硅片进行蚀刻处理，并得到蚀刻后的硅片。
其中蚀刻模式包括：
全喷洒式，将各个浸泡室21内可调回流件23全部开启，使药水快速流出，以使得各个浸泡室21内的蚀刻液不会汇集，硅片穿过时仅受喷洒装置6喷洒的蚀刻液汇集；
浸泡式喷洒，适当调整浸泡室21内可调回流件23，使每个浸泡室21蚀刻液液面淹没硅片，然后启动喷洒装置6扰动蚀刻液，硅片穿过时浸泡在蚀刻液中向前输送。
选择性浸泡式喷洒，适当调整各个浸泡室21内可调回流件23，以使得部分浸泡室21蚀刻液液面淹没硅片，部分浸泡室21无蚀刻液汇集，硅片穿过整个浸泡池2会经过浸泡蚀刻和喷洒蚀刻。
即硅片原料标签是无偏移时调整为选择性浸泡式喷洒模式，即先通过浸泡式喷洒快速蚀刻咬出较厚深度的种子层，使得硅片下方的种子层比上方种子层的薄，然后穿过全喷洒浸泡室21，从而使得上方种子层的蚀刻效率比下方种子层的蚀刻效率高，从而对中硅片上下面种子层的蚀刻深度，进而保证种子层的均匀性，其中浸泡式的浸泡室21与喷洒式的浸泡室21的数量可根据种子层厚度偏差进行调整。
硅片原料标签是轻偏移时，选择浸泡式喷洒，将种子层较厚一侧朝下，然后使每个浸泡室21蚀刻液液面淹没硅片，然后启动喷洒装置6扰动蚀刻液，硅片穿过时浸泡在蚀刻液中向前输送，从而使得下方较厚侧种子层蚀刻速率比上方种子层略快，进而均衡蚀刻后种子层的厚度。
硅片原料标签是重偏移时，选择全喷洒式喷洒，将种子层较厚一侧朝上，上方种子层的蚀刻效率比下方种子层的蚀刻效率高，从而快速对中种子层的厚度。
S3、对蚀刻后的硅片进行检测，依据检测结果调整蚀刻液温度和蚀刻液供入压力以及蚀刻液的浓度。
以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：包括箱体(1)，设置在箱体(1)中的浸泡池(2)，用于输送硅片横穿浸泡池(2)的输送装置(4)，所述浸泡池(2)内沿硅片输送方向设置有若干用于将浸泡池(2)分隔成若干独立浸泡室(21)的分隔组件(5)，每个所述浸泡室(21)内均设置有用于对硅片喷洒蚀刻液的喷洒装置(6)；
所述喷洒装置(6)包括若干喷洒组件(61)以及用于向喷洒组件(61)供入蚀刻液的供液组件(62)；
每个所述浸泡室(21)内均设置有回流管(22)，所述回流管(22)上设置有用于控制回流管(22)开度的回流件(23)，通过所述回流件(23)控制浸泡室(21)内蚀刻液液位高度以使浸泡室(21)处于喷洒式或者浸泡式喷洒蚀刻硅片。
2.根据权利要求1所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述喷洒组件(61)包括设置在输送装置(4)上下两侧的喷管(611)，两个所述喷管(611)相邻侧均设置有若干向输送装置(4)方向设置的喷头(612)。
3.根据权利要求1所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述供液组件(62)包括设置在与喷管(611)连接的进水总管(622)，所述进水总管(622)通过管道连接有药液池(621)，所述进水总管(622)上设置有用于将药液池(621)中的药液供入进水总管(622)中的泵浦(623)。
4.根据权利要求1所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述输送装置(4)包括设置在箱体(1)上的一排输送滚轮对(41)以及驱动输送滚轮对(41)转动的驱动件。
5.根据权利要求4所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述分隔组件(5)包括设置在浸泡池(2)中的分隔板(51)，所述分隔板(51)的顶部设置有可调位置的阻水板(52)，所述阻水板(52)上方设置有一对阻水滚轮件(53)。
6.根据权利要求5所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述阻水滚轮件(53)包括上浮动轮(532)和下阻水滚轮(531)，所述上浮动轮(532)和下阻水滚轮(531)设置在输送滚轮对(41)之间，且下阻水滚轮(531)能够被输送装置(4)驱动滚动，所述上浮动轮(532)包括转动设置在浸泡池(2)上的转轴(5321)，转轴(5321)上设置有轴套(5322)，所述轴套(5322)上套设有若干软质浮动滚轮(5323)，所述软质浮动滚轮(5323)与轴套(5322)之间间隙设置。
7.根据权利要求3所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：每个所述浸泡室(21)内均设置有液位传感器(7)，所述液位传感器(7)电性连接有电控箱(8)，所述电控箱(8)与泵浦(623)和回流件(23)电性连接。
8.根据权利要求7所述的一种硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：所述箱体(1)中设置有与药液池(621)连通的溢流管(3)，所述药液池(621)内设置有用于对药液进行加热的电加热管(9)。
9.一种硅片湿法蚀刻方法，应用权利要求1-8任意一项所述的硅片湿法蚀刻设备，其特征在于：包括以下步骤：
S1、对同一批次硅片原料进行鉴定并标注，通过检测硅片原料上两侧种子层厚度是否相同，从而标注为无偏移，轻偏移和重偏移三种标签；
S2、启动所述硅片湿法蚀刻设备，并依据S1中硅片鉴定结果调整相应的蚀刻模式，通过硅片湿法蚀刻设备对硅片进行蚀刻处理，并得到蚀刻后的硅片；
S3、对蚀刻后的硅片进行检测，依据检测结果调整蚀刻液温度和蚀刻液供入压力以及蚀刻液的浓度。
10.根据权利要求9所述的一种硅片湿法蚀刻方法，其特征在于：步骤S2中蚀刻模式包括：
全喷洒式，将各个浸泡室(21)内可调回流件(23)全部开启，使药水快速流出，以使得各个浸泡室(21)内的蚀刻液不会汇集，硅片穿过时仅受喷洒装置(6)喷洒的蚀刻液蚀刻；
浸泡式喷洒，适当调整浸泡室(21)内可调回流件(23)，使每个浸泡室(21)内的蚀刻液液面淹没硅片，然后启动喷洒装置(6)扰动蚀刻液，硅片穿过时浸泡在蚀刻液中向前输送；
选择性浸泡式喷洒，适当调整各个浸泡室(21)内可调回流板，以使得部分浸泡室(21)液面淹没硅片，部分浸泡室(21)无蚀刻液汇集，硅片穿过整个浸泡池(2)会经过浸泡蚀刻和喷洒蚀刻两种；
原料标签是无偏移时调整为选择性浸泡式喷洒模式；硅片原料标签是轻偏移时，选择浸泡式喷洒；硅片原料标签是重偏移时，选择全喷洒式喷洒。
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