CN117275558A - 快速寻找最优读电压的方法及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种快速寻找最优读电压的方法及相关设备，方法包括：判断Nand‑flash存储器的page的readlevel电压数量；若为2个read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个readlevel电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。本发明的有益效果在于：一次操作多个read level电压，尽可能减少指示数据的使用量，等于减少了读的次数，提高了效率，节省资源buffer，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及Nand-flash存储器的电压读取技术领域，尤其是指一种快速寻找最优读电压的方法及相关设备。
背景技术
目前，Nand-flash存储器的最优电压读取有两种常用方法。
一种为一次操作一个readlevel电压，某个page如果有多个read level电压，则操作多次，这样功能没有问题，但是消耗的时间会特别长，而且读太多次，会增加readdisturb的影响。
另一种为一次操作多个readlevel电压，通过指示数据辨别不同的read level电压，指示数据需要多份，过多的指示数据，会增加buffer数量，提高成本。指示数据来自NAND，需要读出来，增加了时间开销。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：Nand-flash存储器的最优电压读取效率不高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种快速寻找最优读电压的方法，包括步骤，
S10、判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
S20、若为2个read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；
S30、若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。
进一步的，步骤S20具体包括，
S21、读Nand-flash存储器的目标page的原始数据raw data0，选出目标page对应的read level电压；
S22、根据Nand-flash存储器的格雷码gray code，得出每个read level电压跳变的规则；
S23、向左或右移动2个read level电压一个step,读raw data与原始数据rawdata0比较，分别统计两个read level电压分别发生多少bit跳变；
S24、向左或向右移动下一个step,直到设置的最大值max_step，到最大值结束左移或右移，得出每次左移或右移的bi t跳变数量；
S25、根据bit跳变最小的位置，得到read level电压的最优电压。
进一步的，步骤S30具体包括，
S31、根据Nand-flash存储器的类型，选出与Nand-flash存储器相对应的指示数据；
S32、读目标page原始raw data0，读指示数据记作direction data；
S33、根据指示数据划出目标page level区域；
S34、利用数据跳变规则和指示数据综合，分别区分出每个read level电压；
S35、将目标page的read level电压同时左移或右移一个step，读目标page的rawdata和raw data0比较，分别统计出每个read level电压的bit跳变；
S36、左移或右移下个step，直到最大step，分别得出每个read level电压每个step对应的bit跳变；
S37、根据bit跳变最小的位置，得出每个read level电压的最优电压。
进一步的，步骤S24中，设置的最大值max_step大于等于2。
进一步的，步骤S25中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压。
进一步的，步骤S31中，指示数据可配置，指示数据包括一份或一份以上。
进一步的，步骤S37中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压。
本发明还提供了一种快速寻找最优读电压的装置，包括，
电压数量判断模块，用于判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
第一最优电压读取模块，用于若为2个read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；
第二最优电压读取模块，用于若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。
本发明还提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的快速寻找最优读电压的方法。
本发明还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如上所述的快速寻找最优读电压的方法。
本发明的有益效果在于：一次操作多个read level电压，尽可能减少指示数据的使用量，等于减少了读的次数，提高了效率，节省资源buffer，降低成本。
附图说明
下面结合附图详述本发明的具体结构。
图1为本发明实施例的快速寻找最优读电压的方法流程图；
图2为本发明实施例的快速寻找最优读电压的装置框图；
图3为本发明实施例的TLC gray code结构示意图；
图4为本发明实施例的2个read level电压的跳变柱状示意图；
图5为本发明实施例的指示数据标记read level电压的关系图；
图6为本发明实施例的3个read level电压的跳变柱状示意图；
图7为本发明实施例的计算机设备的示意性框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
符号含义说明：
read level电压：判定电压，用于判定数据是0或者1，例如恺侠TLC，低page使用的A和E这两个level电压，这两根线分出了三个区域，两边的两个区域数据是1，中间的数据是0；
page：NAND的读取单元；
buffer：缓存，此处指的用于存储数据的缓存空间，可以是SRAM或者DRAM；
gray code：格雷码，按格雷码规则图3展示的7根线分出8个区域，3bit信息；
raw data:原始数据，存储到NAND上的数据是经过加扰的，读回来的数据还要解扰，此处的原始数据，就是不需要做任何解扰动作，从NAND FLASH中直接读取到的数据。
不同NAND厂商的MLC/TLC/QLC/PLC的VT划分有差异，图3以TLC gray code为2-3-2为例，说明本专利实施例的实现方法，本专利并不限于TLC。低page用A和E区分；中page使用B、D、F区分；高page使用C和G区分。
如图1所示，本发明第一实施例为：一种快速寻找最优读电压的方法，包括步骤，
S10、判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
S20、若为2个read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bi t跳转的数量，得到最优电压；
S30、若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bi t跳转的数量，得到最优电压。
进一步的，步骤S20具体包括，
S21、读Nand-flash存储器的目标page的原始数据raw data0，选出目标page对应的read level电压；
S22、根据Nand-flash存储器的格雷码gray code，得出每个read level电压跳变的规则；
如图3所示，低page(A和E两个read level)
左移时，从1跳变成0的bi t属于A，从0跳变成1的bi t属于E；
右移时，从0跳变成1的bi t属于A，从1跳变成0的bi t属于E；
S23、向左或右移动2个read level电压一个s tep,读raw data与原始数据rawdata0比较，分别统计两个read level电压分别发生多少bi t跳变；
S24、向左或向右移动下一个s tep,直到设置的最大值max_step，到最大值结束左移或右移，得出每次左移或右移的bi t跳变数量；也即可分别得出A和E的每次左移或右移的bi t跳变数量；
进一步的，步骤S24中，设置的最大值max_step大于等于2；
S25、根据bi t跳变最小的位置，得到read level电压的最优电压。
进一步的，步骤S25中，将根据所有bi t跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压；
如图4所示，根据bi t跳变的数量，最优电压的位置是跳变bi t最小的地方，为了便于理解，根据跳变的bi t数量，绘制出柱状图，波谷的位置，即最低点，便是最优电压。
进一步的，步骤S30具体包括，
S31、根据Nand-flash存储器的类型，选出与Nand-flash存储器相对应的指示数据；
进一步的，步骤S31中，指示数据可配置，指示数据包括一份或一份以上；不同的Nand-flash存储器的类型对应的指示数据不同；
S32、读目标page原始raw data0，读指示数据记作direct ion data；
如图5所示，指示数据用来标记目标page的bi t属于哪个read level电压；
S33、根据指示数据划出目标page level区域；
如图6所示，中page是目标page，低page作为指示数据，低page的bit值为0，则对应目标page的B和D，低page的bi t值为1，则对应目标page的F。
S34、利用数据跳变规则和指示数据综合，分别区分出每个read level电压；
S35、将目标page的read level电压同时左移或右移一个s tep，读目标page的rawdata和raw data0比较，分别统计出每个read level电压的bi t跳变；
S36、左移或右移下个step，直到最大s tep，分别得出每个read level电压每个step对应的bi t跳变；
S37、根据bi t跳变最小的位置，得出每个read level电压的最优电压；
进一步的，步骤S37中，将根据所有bi t跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压。
本发明实施例通过最少的操作次数，最少的资源buffer，寻找最优电压。节省资源，降低成本，保证效率，提高了读性能和QOS。
如图2所示，本发明的另一实施例为一种快速寻找最优读电压的装置，包括，
电压数量判断模块10，用于判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
第一最优电压读取模块20，用于若为2个read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；
第二最优电压读取模块30，用于若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。
需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，上述快速寻找最优读电压的装置的具体实现过程，可以参考前述方法实施例中的相应描述，为了描述的方便和简洁，在此不再赘述。
上述快速寻找最优读电压的装置可以实现为一种计算机程序的形式，该计算机程序可以在如图7所示的计算机设备上运行。
请参阅图7，图7是本申请实施例提供的一种计算机设备的示意性框图。该计算机设备500可以是终端，也可以是服务器，其中，终端可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、个人数字助理和穿戴式设备等具有通信功能的电子设备。服务器可以是独立的服务器，也可以是多个服务器组成的服务器集群。
参阅图7，该计算机设备500包括通过系统总线501连接的处理器502、存储器和网络接口505，其中，存储器可以包括非易失性存储介质503和内存储器504。
该非易失性存储介质503可存储操作系统5031和计算机程序5032。该计算机程序5032包括程序指令，该程序指令被执行时，可使得处理器502执行一种快速寻找最优读电压的方法。
该处理器502用于提供计算和控制能力，以支撑整个计算机设备500的运行。
该内存储器504为非易失性存储介质503中的计算机程序5032的运行提供环境，该计算机程序5032被处理器502执行时，可使得处理器502执行一种快速寻找最优读电压的方法。
该网络接口505用于与其它设备进行网络通信。本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备500的限定，具体的计算机设备500可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
其中，所述处理器502用于运行存储在存储器中的计算机程序5032，以实现如上所述的快速寻找最优读电压的方法。
应当理解，在本申请实施例中，处理器502可以是中央处理单元(CentralProcessingUnit，CPU)，该处理器502还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable GateArray，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。其中，通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
本领域普通技术人员可以理解的是实现上述实施例的方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成。该计算机程序包括程序指令，计算机程序可存储于一存储介质中，该存储介质为计算机可读存储介质。该程序指令被该计算机系统中的至少一个处理器执行，以实现上述方法的实施例的流程步骤。
因此，本发明还提供一种存储介质。该存储介质可以为计算机可读存储介质。该存储介质存储有计算机程序，其中计算机程序包括程序指令。该程序指令被处理器执行时使处理器执行如上所述的快速寻找最优读电压的方法。
所述存储介质可以是U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的计算机可读存储介质。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的。例如，各个单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
本发明实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。本发明实施例装置中的单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。
该集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，终端，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，包括步骤，
S10、判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
S20、若为2个read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；
S30、若为3个或3个以上的readlevel电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则和指示数据，区分出每个readlevel电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。
2.如权利要求1所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S20具体包括，
S21、读Nand-flash存储器的目标page的原始数据raw data0，选出目标page对应的read level电压；
S22、根据Nand-flash存储器的格雷码gray code，得出每个read level电压跳变的规则；
S23、向左或右移动2个read level电压一个step,读raw data与原始数据raw data0比较，分别统计两个read level电压分别发生多少bit跳变；
S24、向左或向右移动下一个step,直到设置的最大值max_step，到最大值结束左移或右移，得出每次左移或右移的bit跳变数量；
S25、根据bit跳变最小的位置，得到read level电压的最优电压。
3.如权利要求1所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S30具体包括，
S31、根据Nand-flash存储器的类型，选出与Nand-flash存储器相对应的指示数据；
S32、读目标page原始raw data0，读指示数据记作direction data；
S33、根据指示数据划出目标page level区域；
S34、利用数据跳变规则和指示数据综合，分别区分出每个read level电压；
S35、将目标page的read level电压同时左移或右移一个s tep，读目标page的rawdata和raw data0比较，分别统计出每个read level电压的bit跳变；
S36、左移或右移下个step，直到最大s tep，分别得出每个read level电压每个s tep对应的bit跳变；
S37、根据bit跳变最小的位置，得出每个read level电压的最优电压。
4.如权利要求2所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S24中，设置的最大值max_step大于等于2。
5.如权利要求2所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S25中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为readlevel电压的最优电压。
6.如权利要求3所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S31中，指示数据可配置，指示数据包括一份或一份以上。
7.如权利要求3所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤S37中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为readlevel电压的最优电压。
8.一种快速寻找最优读电压的装置，其特征在于，包括，
电压数量判断模块，用于判断Nand-flash存储器的page的read level电压数量；
第一最优电压读取模块，用于若为2个readlevel电压的page，根据每个read level电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始rawdata，统计bit跳转的数量，得到最优电压；
第二最优电压读取模块，用于若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则和指示数据，区分出每个readlevel电压，同时操作多个readlevel电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。
9.一种计算机设备，其特征在于：所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的快速寻找最优读电压的方法。
10.一种存储介质，其特征在于：所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如权利要求1至7中任一项所述的快速寻找最优读电压的方法。
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