CN117250467B - 一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置 - Google Patents
一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及碳化硅二极管故障识别的技术领域，公开了一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置，本发明首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进行持续工作的检测，并采集碳化硅二极管的实时温度，用于生成第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的分析，来判断碳化硅二极管存在各个故障的可能性，解决了现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅二极管故障识别的技术领域，尤其是一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置。
背景技术
碳化硅二极管使用碳化硅作为半导体材料，相比于传统的硅二极管，碳化硅二极管通常具有更高的击穿电压和更低的反向漏电流，碳化硅二极管还具有更好的高温特性，可以在更高的温度下工作而不会失效，与硅二极管相比，碳化硅二极管的性能在高温环境中更加稳定，因此碳化硅二极管尤其适用于高温、高压和高频的电子设备。
传统的二极管检测方法通常只对二极管进行基础功能的测试，这种测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，检测效果不够全面。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置，旨在解决现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题。
本发明是这样实现的，第一方面，本发明提供一种碳化硅二极管故障诊断方法，包括：
通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障，则重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；
根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性。
优选地，在对所述碳化硅二极管进行测试之前，还包括：对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断。
优选地，对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断的步骤包括：
对所述碳化硅二极管进行初步的图像采集，以获取所述碳化硅二极管的规格信息；
根据所述规格信息生成对应所述碳化硅二极管的视觉检查方案，并将所述视觉检查方案传输至视觉检查装置中，以使得所述视觉检查装置根据所述视觉检查方案从各个预设方位对所述碳化硅二极管进行图像采集；
将采集到的所述图像与预设数据库中的标准图像进行对比分析，根据分析的结果将所述图像与所述预设数据库中的标准图像的差异部分作为外观诊断特征；
根据预设的图像识别标准对所述外观诊断特征进行判断，确定所述外观诊断特征对应的故障。
优选地，通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试的步骤包括：
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行正向电阻值的测试；
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行反向电阻值的测试；
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向耐压测试电路对所述碳化硅二极管进行反向耐压的测试。
优选地，用于构建所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路的各个电子器件均设置在同一个测试装置上，且由开关实现各个所述电子器件之间的连通与断开，从而分别构成所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路。
优选地，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征的步骤包括：
构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述正向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和正向电阻值根据对应的时间点生成正向测试结果模型；
从所述正向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述正向测试结果模型的第二测试诊断特征；
构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述反向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和反向电阻值根据对应的时间点生成反向测试结果模型；
从所述反向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述反向测试结果模型的第二测试诊断特征。
优选地，根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数的步骤包括：
从预设的数据库中调取各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准分别对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述第二测试诊断标准与各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准的平均差值，并根据平均差值生成所述碳化硅二极管的各项故障的可能性参数。
第二方面，本发明提供一种碳化硅二极管故障诊断装置，包括：
第一测试模块，用于通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
第二测试模块，用于在若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障时，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；
故障分析模块，用于根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性。
本发明提供了一种碳化硅二极管故障诊断方法，具有以下有益效果：
本发明首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进行持续工作的检测，并采集碳化硅二极管的实时温度，用于生成第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的分析，来判断碳化硅二极管存在各个故障的可能性，解决了现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种碳化硅二极管故障诊断方法的步骤示意图；
图2是本发明实施例提供的一种碳化硅二极管故障诊断装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本发明的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
以下结合具体实施例对本发明的实现进行详细的描述。
参照图1、图2所示，为本发明提供较佳实施例。
第一方面，本发明提供一种碳化硅二极管故障诊断方法，包括：
S1：通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
S2：若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障，则重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；
S3：根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性。
具体地，二极管是一种电子器件，当给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止，也就是说，二极管的正向电阻值极低，二极管的反向电阻值极高，而这也正是一个碳化硅二极管应该实现的功能。
因此，在本发明提供的步骤S1中，先构建多个测试电路，分别对碳化硅二极管进行测试，以判断碳化硅二极管作为一个二极管是否能够正常运行，在本步骤中，分别对碳化硅二极管进行正向电阻值、反向电阻值以及反向耐压性的测试，若碳化硅二极管能够保证在正向电压下导通，在反向电压下截止，并不被反向电压击穿，则代表碳化硅二极管处于正常状态，若未能通过该测试，则代表碳化硅二极管出现了对应的故障。
在本发明提供的步骤S2中，重复利用S1中的各项测试电路进行测试，这一次测试将测试的时间延长，并采集在这个过程中的碳化硅二极管的实时温度。
具体地，碳化硅二极管在正向电压或反向电压的持续作用下的实时温度的变化趋势与变化幅度，碳化硅二极管表现出的电阻值与其实时温度之间的比例关系，这些关系均可以作为碳化硅二极管的测试诊断特征，用于对碳化硅二极管进行故障诊断。
可以理解的是，步骤S1是为了对碳化硅二极管进行一次初步的检测，来检测碳化硅二极管是否满足二极管的基本功能，而步骤S2是对碳化硅二极管进行更加细致的检测，来判断碳化硅二极管在较长时间的工作状态下是否能够保持正常，并且通过碳化硅二极管在较长时间的工作状态下所表现出现的数据来判断碳化硅二极管是否存在故障隐患。
具体地，在预设的数据库中，存储有正常状态的碳化硅二极管在正向电阻值测试和反向电阻值测试中的测试参数，也存在有对应各种故障的碳化硅二极管在正向电阻值测试和反向电阻值测试中的测试参数，将正常状态下的测试参数和各类故障下的测试参数与本次测试的测试参数进行分析，从而判断出测试参数与预设数据库中的哪一项测试参数更加接近，根据测试参数之间的平均差值生成碳化硅二极管与各项故障之间故障可能性参数，用于描述碳化硅二极管中存在各项故障的可能性。
本发明提供了一种碳化硅二极管故障诊断方法，具有以下有益效果：
本发明首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进行持续工作的检测，并采集碳化硅二极管的实时温度，用于生成第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的分析，来判断碳化硅二极管存在各个故障的可能性，解决了现有技术中测试方式较为简陋，缺少对二极管内部的微小故障和故障隐患的检测，造成检测效果不够全面的问题。
优选地，在对所述碳化硅二极管进行测试之前，还包括：对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断。
优选地，对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断的步骤包括：
S01：对所述碳化硅二极管进行初步的图像采集，以获取所述碳化硅二极管的规格信息；
S02：根据所述规格信息生成对应所述碳化硅二极管的视觉检查方案，并将所述视觉检查方案传输至视觉检查装置中，以使得所述视觉检查装置根据所述视觉检查方案从各个预设方位对所述碳化硅二极管进行图像采集；
S03：将采集到的所述图像与预设数据库中的标准图像进行对比分析，根据分析的结果将所述图像与所述预设数据库中的标准图像的差异部分作为外观诊断特征；
S04：根据预设的图像识别标准对所述外观诊断特征进行判断，确定所述外观诊断特征对应的故障。
需要说明的是，这一步骤的目的在于，通过对碳化硅二极管的外观检测，来识别碳化硅二极管的外表上是否存在有明显的故障特征，如破裂、变形或烧焦等可通过外在图像所识别到的信息，这些被识别到的信息可作为外观诊断特征，用于对碳化硅二极管进行故障诊断。
并且，本发明所提供的一种碳化硅二极管故障诊断方法是一种用于控制诊断装置对碳化硅二极管进行自动化检测的装置，而碳化硅二极管具有多种规格，不同规格的碳化硅二极管的外形存在一定的差异，也就是说，想要对各种规格的碳化硅二极管实现自动化测试，需要先识别碳化硅二极管的具体规格，令检测装置可以根据碳化硅二极管的具体外形使用对应的检测方法，以实现对碳化硅二极管的自动化检测。
具体地，上述描述的自动化检测可以理解为，通过机械臂装置对碳化硅二极管进行夹持和移动，令碳化硅二极管设置在测试装置中，以进行后续的测试。
优选地，通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试的步骤包括：
S11：通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行正向电阻值的测试；
S12：通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行反向电阻值的测试；
S13：通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向耐压测试电路对所述碳化硅二极管进行反向耐压的测试。
具体地，碳化硅二极管的正向电阻值低、反向电阻值高、且不会被较高的反向电压击穿，这是一个正常状态的碳化硅二极管应有的性能，因此依次设置正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路分别对所述碳化硅二极管的各项性能进行测试。
更具体地，若碳化硅二极管能够通过这些测试，代表碳化硅二极管是能满足基础功能的，若碳化硅二极管未能通过这些测试，则代表碳化硅二极管已经出现了故障，无需进行下一步的测试。
优选地，用于构建所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路的各个电子器件均设置在同一个测试装置上，且由开关实现各个所述电子器件之间的连通与断开，从而分别构成所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路。
具体地，将待测试的碳化硅二极管设置在测试装置中，通过控制测试装置中各个开关的断开与连通，从而构成不同的测试电路，来对碳化硅二极管进行不同方面的测试，从而使用自动化测试来替代人工测试。
优选地，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征的步骤包括：
S21：构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述正向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和正向电阻值根据对应的时间点生成正向测试结果模型；
S22：从所述正向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述正向测试结果模型的第二测试诊断特征；
S23：构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述反向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和反向电阻值根据对应的时间点生成反向测试结果模型；
S24：从所述反向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述反向测试结果模型的第二测试诊断特征。
具体地，在进行了S1中的各项检测后，证明了碳化硅二极管的基础功能是完善的，因此进入步骤S2，以对碳化硅二极管进行更深层次的检测，这一次检测的目的是检测碳化硅二极管在持续的工作状态下温度的变化状况，以及在各个温度下电阻值的变化状况，也就是说，这是对碳化硅二极管进行尚未影响到二极管的基础功能的小故障和隐藏故障的检测。
更具体地，通过正向电阻值测试电路和反向电阻值测试电路持续进行工作，令碳化硅二极管在电路作用下持续发挥作用，以采集碳化硅二极管随时间的温度变化曲线与对应各个温度的电阻变化关系，将这些特征作为第二测试诊断特征，通过对第二测试诊断特征的判断，来分析碳化硅二极管中是否存在什么故障的隐患。
优选地，根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数的步骤包括：
从预设的数据库中调取各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准分别对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述第二测试诊断标准与各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准的平均差值，并根据平均差值生成所述碳化硅二极管的各项故障的可能性参数。
具体地，预设的数据库中存储有各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准，这些标准的获取方式是：将具有某种隐患故障或某种微小故障的碳化硅二极管设置在各个测试电路中进行测试，得到这些故障下的碳化硅二极管在测试中表现出的测试诊断特征，这些测试诊断特征就是测试诊断标准。
更具体地，将各个测试诊断标准与第二测试诊断标准进行分析，以获取第二测试诊断标准与各个测试诊断标准的平均差值，计算得出的平均差值代表着第二测试诊断标准与各个测试诊断标准的接近程度，也就代表着碳化硅二级管对应各个故障的可能性参数，可能性参数与平均差值呈反关系，也就是平均差值越低，可能性参数越高，碳化硅二极管越可能存在该故障，平均差值越高，可能性参数越低，碳化硅二极管越不可能存在该故障。
参阅图2，第二方面，本发明提供一种碳化硅二极管故障诊断装置，包括：
第一测试模块，用于通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
第二测试模块，用于在若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障时，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；
故障分析模块，用于根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性。
上述的各个模块根据第一方面所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，因此在此不对各个模块的功能赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，包括：
通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障，则重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；其步骤包括：构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述正向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和正向电阻值根据对应的时间点生成正向测试结果模型；从所述正向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述正向测试结果模型的第二测试诊断特征；构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行测试，并在所述反向电阻值测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，将采集到的实时温度和反向电阻值根据对应的时间点生成反向测试结果模型；从所述反向测试结果模型中提取实时温度变化曲线和温度电阻对应关系作为所述反向测试结果模型的第二测试诊断特征；
根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性；从预设的数据库中调取各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准分别对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述第二测试诊断标准与各项故障下碳化硅二极管的测试诊断标准的平均差值，并根据平均差值生成所述碳化硅二极管的各项故障的可能性参数；
在对所述碳化硅二极管进行测试之前，还包括：对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
对所述碳化硅二极管进行图像视觉检测，以获取所述碳化硅二极管的外观诊断特征，通过所述外观诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断的步骤包括：
对所述碳化硅二极管进行初步的图像采集，以获取所述碳化硅二极管的规格信息；
根据所述规格信息生成对应所述碳化硅二极管的视觉检查方案，并将所述视觉检查方案传输至视觉检查装置中，以使得所述视觉检查装置根据所述视觉检查方案从各个预设方位对所述碳化硅二极管进行图像采集；
将采集到的所述图像与预设数据库中的标准图像进行对比分析，根据分析的结果将所述图像与所述预设数据库中的标准图像的差异部分作为外观诊断特征；
根据预设的图像识别标准对所述外观诊断特征进行判断，确定所述外观诊断特征对应的故障。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试的步骤包括：
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述正向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行正向电阻值的测试；
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向电阻值测试电路对所述碳化硅二极管进行反向电阻值的测试；
通过与所述碳化硅二极管的电连接，构建所述反向耐压测试电路对所述碳化硅二极管进行反向耐压的测试。
3.如权利要求2所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，用于构建所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路的各个电子器件均设置在同一个测试装置上，且由开关实现各个所述电子器件之间的连通与断开，从而分别构成所述正向电阻值测试电路、所述反向电阻值测试电路以及所述反向耐压测试电路。
4.一种碳化硅二极管故障诊断装置，用于实现权利要求1-3任意一项所述的一种碳化硅二极管故障诊断方法，其特征在于，包括：
第一测试模块，用于通过与所述碳化硅二极管的电连接，分别构建正向电阻值测试电路、反向电阻值测试电路、反向耐压测试电路依次对所述碳化硅二极管进行测试，以获取所述碳化硅二极管的第一测试诊断特征，并通过所述第一测试诊断特征对所述碳化硅二极管进行故障诊断；
第二测试模块，用于在若未能通过所述第一测试诊断特征判断出所述碳化硅二极管的故障时，重复通过所述正向电阻值测试电路和所述反向电阻值测试电路依次对所述碳化硅二极管进行电阻值测试，并在测试的过程中持续对所述碳化硅二极管进行实时温度的采集，根据所述电阻值测试的结果和所述实时温度采集的结果生成所述碳化硅二极管的第二测试诊断特征；
故障分析模块，用于根据预设的数据库对所述第二测试诊断特征进行分析，以获取所述碳化硅二极管的各项故障可能性参数；所述故障可能性参数用于描述所述碳化硅二极管存在对应所述故障可能性参数的故障的可能性。
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