CN117241628A - 电致发光显示器 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及电致发光显示器(或发光显示器)。一种发光显示器包括：设置在基板上的多个像素。所述多个像素中的每一像素包括：第一单元电极；与第一单元电极隔开的第二单元电极；位于第一单元电极和第二单元电极之间的导电欧姆层；位于导电欧姆层上的堤部，该堤部覆盖第一单元电极和第二单元电极的周边，并且露出第一单元电极和第二单元电极的中心部分；位于第一单元电极、第二单元电极和堤部上的发光层；以及位于该发光层上的阴极电极。

Description

电致发光显示器
技术领域
本公开涉及电致发光显示器(或发光显示器)。具体而言，本公开涉及一种发光显示器，其具有的结构能够使因异物而有缺陷的像素正常化或者仅使缺陷像素的包含异物的部分作为暗点。
背景技术
已经开发了各种类型的显示器，诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器用于根据其独特的特性和目的来显示各种产品的图像数据，例如，这些产品是计算机、移动电话、自动提款机(ATM)以及车辆导航系统。
具体而言，作为自发光显示器的有机发光显示器具有良好的光学性能，诸如宽视角和接近自然颜色的色彩再现能力。因而，其应用领域已经逐渐拓宽并且变得越来越普及。凭借这些优点，其正在作为最适于实现超过4K像素密度的8K像素密度超高清显示的显示器而受到关注。分辨率越高，像素的数量就越大。随着像素数量的增大，像素中发生缺陷的频率会因制造过程期间的异物而增大。
在出现缺陷像素时，可以考虑暗化处理。在缺陷像素的数量随着像素数量的增大而增大时，被作为暗点处理的像素的数量也增大。因此，可以将缺陷像素恢复成正常像素而非使其成为暗点。
已经提出了各种用于将缺陷像素恢复成正常像素的方法。大部分像素恢复方法包括单独的恢复结构或者需要额外的恢复过程。迄今为止所提出的恢复缺陷像素的结构和方法具有以下很多问题：由于执行额外的修复过程，结构非常复杂或者增大了成本、等等。具体而言，对于具有超高分辨率的大面积显示器而言，需要一种新型结构，其不具有特殊结构并且在不需要单独的额外过程的情况下恢复缺陷像素。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，并由此它可以包含并非构成本领域普通技术人员所已知的现有技术的信息
发明内容
相应地，针对上文描述的将要解决的问题，本公开提供了一种发光显示器，其具有的结构能够在无需单独的额外过程的情况下通过老化过程(aging process)恢复缺陷像素。
在一个实施例中，一种发光显示器包括：设置在基板上的多个像素。所述多个像素中的每一像素包括：第一单元电极(unit electrode)；与第一单元电极分隔开预定距离的第二单元电极；设置在第一单元电极和第二单元电极之间的导电欧姆层；设置在导电欧姆层上的堤部(bank)，该堤部覆盖第一单元电极和第二单元电极的周边(circumference)，并且露出第一单元电极和第二单元电极的每一中心部分；设置在第一单元电极、第二单元电极和堤部上的发光层；以及设置在该发光层上的阴极电极。
在一个实施例中，在所述多个像素当中，具有位于第一单元电极上的异物的像素包括间隙(gap)和断开图案(disconnection pattern)。该间隙形成于所述异物和发光层之间以及所述异物与阴极电极之间，从而露出所述第一单元电极。所述断开图案切断阴极电极与第一单元电极之间的连接。
在一个实施例中，在所述多个像素当中，具有位于第一单元电极上的异物的像素包括通过将异物与发光层分开而露出第一单元电极并且将阴极电极连接至第一单元电极的间隙。去除所述导电欧姆层的连接第一单元电极的部分。
在一个实施例中，该堤部覆盖该导电欧姆层。
在一个实施例中，该堤部覆盖导电欧姆层的中心部分并且露出所述导电欧姆层的周边。
在一个实施例中，在所述多个像素当中，具有位于从第一单元电极上的堤部露出的导电欧姆层上的异物的像素包括通过去除异物周围的导电欧姆层而形成的断开间隙。
在一个实施例中，该发光显示器进一步包括：设置在该基板上的多个像素内的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的平面化层；以及通过穿透该平面化层而露出薄膜晶体管的部分的像素接触孔。第一单元电极、第二单元电极和导电欧姆层设置在该平面化层上。导电欧姆层经由该像素接触孔与薄膜晶体管连接。
在一个实施例中，该发光显示器进一步包括：位于该基板上的像素内的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的平面化层；通过穿透该平面化层而露出薄膜晶体管的部分的像素接触孔；以及经由像素接触孔连接薄膜晶体管并且通过导电欧姆层连接第一单元电极和第二单元电极的中心电极。第一单元电极、第二单元电极和导电欧姆层设置在该平面化层上。
在一个实施例中，第一单元电极和第二单元电极包括：第一透明导电层；位于第一透明导电层上的金属层；以及位于该金属层上的第二透明导电层。导电欧姆层连接在第一单元电极和第二单元电极之间。
在一个实施例中，该发光显示器进一步包括：第三透明导电层，其位于该导电欧姆层上并且连接第一单元电极和第二单元电极的第二透明导电层。
在一个实施例中，该导电欧姆层接触第一单元电极的第二透明导电层的上表面和第二单元电极的第二透明导电层的上表面。
在一个实施例中，该导电欧姆层接触第一单元电极的金属层上的第二透明导电层的第一底表面并且接触第二单元电极的金属层上的第二透明导电层的第二底表面。
在一个实施例中，每一像素进一步包括：与第一单元电极和第二单元电极分隔开的第三单元电极；以及与第一单元电极、第二单元电极和第三单元电极分隔开的第四单元电极。该导电欧姆层连接在第一单元电极和第三单元电极之间、第二单元电极和第四单元电极之间、以及第三单元电极和第四单元电极之间。
在一个实施例中，所述多个像素包括：红色像素，具有第一长度的第一导电欧姆层；绿色像素，具有第二长度的第二导电欧姆层，第二长度比第一长度短；以及蓝色像素，具有第三长度的第三导电欧姆层，第三长度比第二长度短。
在一个实施例中，所述多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的导电欧姆层具有互不相同的长度。
在一个实施例中，导电欧姆层的长度与用于驱动红色像素、绿色像素和蓝色像素的极限电流(limit current)成比例。
此外，一种发光显示器包括：多个像素，每一像素包括第一单元电极、第二单元电极、第三单元电极和第四单元电极；导电欧姆层，其电连接第一单元电极、第二单元电极、第三单元电极和第四单元电极；堤部，其设置在导电欧姆层上并覆盖第一单元电极、第二单元电极、第三单元电极和第四单元电极的周边；发光层，其设置在第一单元电极、第二单元电极、第三单元电极和第四单元电极以及堤部上；以及阴极电极，其设置在发光层上。
在一个实施例中，导电欧姆层具有“+”形状和与像素接触孔重叠的中心区域。
在一个实施例中，导电欧姆层包括从中心区域向上延伸的上连接部分、从中心区域向下延伸的下连接部分、从中心区域向左延伸的左连接部分、以及从中心区域向右延伸的右连接部分。
在一个实施例中，导电欧姆层包括由具有高电子迁移率的树脂材料制成的域(domain)材料以及用于降低该域材料的势垒能量的掺杂剂。
在一个实施例中，多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的导电欧姆层具有不同的长度。
在一个实施例中，设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的导电欧姆层的长度与用于驱动红色像素、绿色像素和蓝色像素的极限电流成比例。
在根据本公开的发光显示器中，在阳极电极(或者像素电极)因异物的掉落而发生缺陷时，可以在不使整个缺陷像素变暗的情况下恢复有缺陷的阳极电极。当因异物的掉落而在阳极电极和阴极电极之间发生短路时，短路可以通过执行老化过程而解决并且恢复到正常状态。这里，老化过程不是为了恢复受损(或缺陷)像素而准备的过程，而是表示在发售该发光显示器之前为了稳定化而执行的过程。也就是说，根据本公开的发光显示器具有一种结构，该结构用于通过执行老化过程而无需任何额外的恢复过程就能够恢复缺陷像素。具体而言，通过沿异物的外围使阳极电极和阴极电极的短路状态恢复至绝缘状态，可以使该像素的不包括该异物的其他发光区域进入正常工作状态。此外，根据本公开的发光显示器具有一种结构，其中，阳极电极被划分成多个通过导电欧姆层连接的单元电极，导电欧姆层具有比单元电极高的电阻，从而通过焦耳热而被去除。相应地，当异物落在阳极电极上时，可以选择性地仅使落上了异物的特定单元电极变暗。因此，本公开提供了能够在使缺陷像素的变暗面积最小化的同时恢复缺陷像素的超高分辨率发光显示器。
应当理解，上文的总体描述和下文的详细描述都是示例性的和解释性的，并且二者都意在对所要求保护的本公开提供进一步解释。
附图说明
附图示出了本公开的实施例，并且附图与说明书一起用于解释本公开的原理，其中，包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被包含到本申请当中并构成了本申请的一部分。在附图中：
图1是示出了根据本公开的发光显示器的示意性结构的平面图。
图2是示出了根据本公开的发光显示器中包含的一个像素的结构的电路图。
图3是示出了在根据本公开的发光显示器中设置的像素的结构的放大平面图。
图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，其用于示出根据本公开的发光显示器的结构。
图5是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中未发生缺陷的一个正常像素的结构的放大平面图。
图6是沿图5中的切割线II-II’的截面图，其用于示出根据本公开的第一实施例的发光显示器的一个正常像素的结构。
图7是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中恢复因异物导致有缺陷的像素的结构的放大平面图。
图8是沿图7中的切割线III-III’的截面图，其用于示出在根据本公开的第一实施例的发光显示器中恢复因异物导致有缺陷的像素的结构。
图9是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构的放大平面图。
图10是沿图9中的切割线IV-IV’的截面图，其用于示出在根据本公开的第一实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构。
图11是示出了根据本公开的第二实施例的发光显示器中的像素的结构的放大平面图。
图12是沿图11中的切割线V-V’的截面图，其用于示出根据本公开的第二实施例的发光显示器中的像素的结构。
图13是沿图11中的切割线V-V’的截面图，其用于示出根据本公开的第三实施例的发光显示器中的像素的结构。
图14是示出了在根据本公开的第三实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构的放大平面图。
图15是示出了根据本公开的第四实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
图16是示出了根据本公开的第五实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
图17是示出了根据本公开的第六实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
图18是示出了根据第七实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的放大平面图。
图19是示出了根据本公开的第八实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的放大平面图。
图20A、图20B和图20C是示出了根据本公开的发光显示器中的红色像素、绿色像素和蓝色像素的结构的放大平面图。
具体实施方式
通过参考附图描述的下述实施例将使本公开的优点和特征及其实施方法变得清楚易懂。然而，本公开可以通过不同的形式体现，并且不应被理解为局限于文中阐述的实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开可以充分透彻并且完整，以辅助本领域的技术人员完整理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同方案限定。
为了描述本公开的各种示例性实施例而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅以举例方式给出。因而，本公开不限于所示出的细节。除非另外指明，否则本说明书通篇中相似的附图标记表示相似的元件。在下面的描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地使本公开的重要点模糊不清时，将省略此类已知功能或配置的详细描述。
现在将详细地参考本公开的示例性实施例，这些实施例的示例在附图中被示出。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记表示相同或相似部分。在说明书中，应当指出，只要有可能，就将已经在其他附图中用于表示相似元件的相似附图标记用于元件。在下面的描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的实质性配置不相关时，将省略其详细描述。应当如下理解本说明书中描述的词语。
在本说明书中，在使用词语“包括”、“具有”、“包含”等的地方，可以增加一个或多个其他元件，除非使用诸如“仅”之类的词语。以单数形式描述的元件意在包括多个元件，反之亦然，除非上下文明确地另行做出指示。
在解释元件时，该元件将被解释为包含一定的误差或容差范围，即使在没有提供对这样的误差或容差范围的明确描述的情况下亦是如此。
在本公开的各种实施例的描述中，在描述位置关系的情况下，例如，在使用“在……上”、“在……之上”、“在……之下”、“在……上方”、“在……下方”、“在……旁边”、“挨着……”等描述两个部分之间的位置关系的情况下，一个或多个其他部分可以位于这两个部分之间，除非使用更具限制性的词语，例如“紧挨着(地)”、“直接(地)”或“紧紧(地)”。例如，在将一个元件或层设置在另一个元件或层“上”的情况下，可以在其间插置第三层或元件。而且，如果将第一元件描述成位于第二元件“上”，则未必意味着第一元件在图中位于第二元件上方。根据对象的取向，所关注对象的上部和下部可以改变。因此，在将第一元件描述成位于第二元件“上”的情况下，根据对象的取向，在图中或在实际配置中，第一元件可以位于第二元件“下方”或第二元件“上方”。
在描述时间关系时，在将时间顺序描述为例如“在……之后”、“随后”、“接下来”或“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了更具限制性的词语，例如“刚好”、“紧接着(地)”或者“直接(地)”。
将要理解的是，虽然词语“第一”、“第二”等可以在本文中被用来描述各种元件，但是这些元件不应当被这些词语限制，因为它们并非用于限定特定顺序。这些词语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，第一元件可被命名为第二元件，并且类似地，第二元件可被命名为第一元件，而不脱离本公开的范围。
在元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”到另一个元件的情况下，该元件可以直接或间接连接到该另一个元件，除非另外指明。应当理解，在描述为彼此“链接”、“连接”或“耦接”的两个元件之间可以“插置”额外的一个元件或多个元件。
应当理解，词语“至少一者”应当被理解为包括相关联列举项中的一者或多者中的任何一个以及一者或多者的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一者”的含义涵盖全部三个列举元件的组合、三个元件中的任意两个的组合、以及每个个体元件，即第一元件、第二元件和第三元件。
本公开的各种实施例的特征可以部分或者完全相互耦合或结合，并且可以相互进行各种互操作并且受到技术驱动，这是本领域技术人员所可以充分理解的。可以彼此独立地执行本公开的实施例或者可以采用相互依赖的关系将本公开的实施例一起执行。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记表示相同或相似部分。由于为了描述方便，附图中所示的每个元件的尺度可能与实际尺度不同，所以本公开不限于附图中所示的尺度。
在下文中将参考附图解释本公开。图1是示出了根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的平面图。在图1中，X轴表示平行于扫描线的方向，Y轴表示数据线的方向，并且Z轴表示显示装置的高度方向。
参考图1，一种发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部分300、源极驱动集成电路(IC)410、柔性膜430、电路板450和定时控制器500。
基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。在电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由柔性材料(例如，塑料)制成。例如，基板110可以包括透明聚酸亚胺材料。
基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。显示区域AA是用于呈现视频图像的区域，并且可以被定义为基板110的大部分中间区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。像素中的每者可以包括多个子像素。子像素中的每者分别包括扫描线和数据线。
非显示区域NDA是不呈现视频图像的区域，并且可以被定义为基板110的围绕全部或一些显示区域AA的周边区域。在非显示区域DNA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部分300。
栅极驱动器200可以根据从定时控制器500接收的栅极控制信号向扫描线供应扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以作为GIP(面板中栅极驱动器)类型形成于在基板110上位于显示区域AA的任意一个外侧处的非显示区域NDA处。GIP类型表示栅极驱动器200直接形成于基板110上。
数据焊盘部分300可以根据从定时控制器500接收的数据控制信号向数据线供应数据信号。对于另一示例而言，数据驱动元件可以被制成驱动器芯片并且安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以作为TAB(带式自动接合)类型附接在数据焊盘300处，数据焊盘300在基板110上位于显示区域AA的任意一个外侧处的非显示区域NDA处。
源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且然后将其供应到数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，它可以作为膜上芯片(COF)或塑料上芯片(COP)类型安装于柔性电路膜430上。
柔性电路膜430可以包括将数据焊盘部分300连接到源极驱动IC 410的多条第一链接线、以及将数据焊盘部分300连接到电路板450的多条第二链接线。柔性膜430可以使用各向异性导电膜附接在数据焊盘部分300上，使得数据焊盘部分300可以连接到柔性膜430的第一链接线。
电路板450可以附接到柔性电路膜430。电路板450可以包括被实施成驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器500可以通过电路板450的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号生成用于控制栅极驱动器200的操作时刻的栅极控制信号以及用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以向栅极驱动器200供应栅极控制信号，并向源极驱动IC 410供应源极控制信号。根据产品类型，定时控制器500可以被形成为具有源极驱动IC 410的一个芯片并且安装于基板110上。
在下文中，将参考图2到图4解释本公开的优选实施例。图2是示出了根据本公开的发光显示器中包含的一个像素的结构的电路图。图3是示出了根据本公开的发光显示器中设置的像素的结构的平面图。图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，其用于示出根据本公开的第一实施例的发光显示器的结构。
参考图2到图4，该发光显示器的一个像素可以包括扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD。数据焊盘部分300设置在数据线DL的末端处。尽管在附图中未示出，但是扫描焊盘可以设置在扫描线SL的末端处。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。可以为驱动电流线VDD供应高电平电压，从而驱动发光二极管OLE。
开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以形成在基板110上。例如，开关薄膜晶体管ST可以设置于扫描线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅电极SG、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关栅电极SG可以是从扫描线SL分支出来的，或者如图3中所示，开关栅电极SG可以是扫描线SL的部分。开关源电极SS可以连接到数据线DL，并且开关漏电极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT供应数据信号，开关薄膜晶体管ST可以发挥选择将要驱动的像素的作用。
驱动薄膜晶体管DT可以发挥驱动开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅电极DG、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动栅电极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD。驱动源电极DS可以连接到驱动电流线VDD，并且驱动漏电极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容Cst可以设置于驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG和发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。
驱动薄膜晶体管DT可以设置于驱动电流线VDD和发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据该驱动薄膜晶体管DT的连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD的驱动栅电极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。
图4示出了具有顶部栅极结构的薄膜晶体管ST和DT。尽管在附图中未示出，但是作为另一示例，薄膜晶体管可以具有底部栅极结构。底部栅极结构是先在基板上形成栅电极，并且之后在覆盖栅电极的栅极绝缘层上形成半导体层。根据本公开的发光显示器的示例可以优选具有采用顶部栅极结构的薄膜晶体管，从而增大作为发光面积与像素面积之比的良好开口比(aperture ratio)。
此外，在图4中所示的顶部栅极结构中，中间绝缘层ILD沉积在栅电极SG和DG上。数据线DL、开关源电极SS、漏电极SD和DD以及驱动电流线VDD形成于中间绝缘层ILD上。这里，与开关源电极SS不同，驱动薄膜晶体管DT的源电极DS可以与驱动栅电极DG形成于同一层处。
发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发光层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发光。换言之，发光二极管OLE可以由低电平电压与驱动薄膜晶体管DT所控制的高电平电压之间的电压差驱动。发光二极管OLE的阳极电极ANO可以连接至驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD，并且阴极电极CAT可以连接至低电平电压线Vss，在该低电平电压线Vss处供应低电平电压。也就是说，发光二极管OLE可以被驱动薄膜晶体管DT所控制的高电平电压以及从低电平电压线Vss供应的低电平电压所驱动。
在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110上，可以沉积钝化层PAS。钝化层PAS优选由诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)之类的无机材料制成。平面化层PL可以被沉积在钝化层PAS上。平面化层PL可以是用于使在上面形成了薄膜晶体管ST和DT的基板110的非均匀表面变平或平坦的薄膜。为此目的，平面化层PL可以由有机材料制成。在钝化层PAS和平面化层PL中形成像素接触孔PH，从而露出驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD的一些部分。
在平面化层PL的上表面上形成阳极电极ANO。阳极电极ANO可以经由像素接触孔PH连接驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。阳极电极ANO可以根据发光结构而由不同材料制成。对于朝设置基板110的方向提供光的底部发光类型而言，阳极电极ANO可以由透明导电材料制成。对于朝与基板110相反的方向提供光的顶部发光类型而言，阳极电极ANO可以由银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的至少一者或者它们的合金制成。
就本公开而言，优选具有适于实施超过2K像素密度的超高分辨率的顶部发光类型。在顶部发光类型当中，阳极电极ANO可以被形成为在由数据线、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大面积。在这种情况下，薄膜晶体管ST和DT可以被设置在阳极电极ANO之下，从而与阳极电极ANO重叠。此外，数据线DL、驱动电流线VDD和/或扫描线SL的一些部分可以与阳极电极ANO重叠。
参考图4，阳极电极ANO(或像素电极)可以具有多个单元电极。例如，如图3和图4中所示，阳极电极ANO可以具有一种结构，在该结构中，四个单元电极A1、A2、A3和A4按照岛形状分开并且相邻单元电极通过导电欧姆层COL连接。由于切割线I-I’通过第一单元电极A1、第三单元电极A3和第四单元电极A4，因而在图4中仅示出了三个单元电极。后面将解释对阳极电极ANO的详细描述。
堤部BA形成在阳极电极ANO上。堤部BA可以被设置为覆盖阳极电极ANO的周边，并且露出阳极电极ANO的中间部分。此外，堤部BA被形成为完全覆盖导电欧姆层COL。后面将解释关于堤部BA与阳极电极ANO之间的关系的详细描述。
发光层EL设置在阳极电极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积在整个显示区域AA之上，以覆盖阳极电极ANO和堤部BA。例如，发光层EL可以包括至少两个垂直堆叠的发光层，以发射白光。例如，发光层EL可以包括用于生成白光的第一发光层和第二发光层，生成白光的方式是混合来自第一发光层的第一光和来自第二发光层的第二光。
对于另一示例而言，对应于针对每一像素指定的光，每一像素的发光层EL可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任何一者。在这种情况下，发光层EL可以设置在由堤部BA限定的每一发光区域处。另外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或寿命的功能层。
阴极电极CAT可以设置在发光层EL上，从而与发光层EL发生表面接触。阴极电极CAT可以沉积在整个基板110之上，从而公共地连接到设置在所有像素上的发光层。就顶部发光类型而言，阴极电极CAT优选由诸如氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。
<第一实施例>
下文将参考图5和图6解释根据本公开的第一实施例的发光显示器的正常像素的结构。图5是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中未发生缺陷的一个正常像素的结构的放大平面图。图6是沿图5中的切割线II-II’的截面图，其用于示出根据本公开的第一实施例的发光显示器的一个正常像素的结构。在以下的描述中，将不重复与前文的那些描述相同的详细解释。在图5和图6中，用附图标记示出但未加以描述的部分可以具有与前文的描述相同的结构。
图5和图6是用于示出了设置在根据本公开的第一实施例的发光显示器的一个像素中的阳极电极ANO的结构的附图。根据本公开的第一实施例的阳极电极ANO包括四个单元电极A1、A2、A3和A4。四个单元电极可以按照2×2矩阵方式布置。例如，第一单元电极A1可以设置在第一行第一列，第二单元电极A2可以设置在第一行第二列，第三单元电极A3可以设置在第二行第一列，并且第四单元电极A4可以设置在第二行第二列。四个单元电极A1、A2、A3和A4可以相对于彼此具有预定间隙进行布置。像素接触孔PH可以设置在中心部分处，在该中心部分处四个单元电极A1、A2、A3和A4共同地互相面对。
四个单元电极A1到A4通过导电欧姆层COL相互连接。例如，导电欧姆层COL可以具有“+”形状，其中，中心区域BC与作为中心点的像素接触孔PH重叠。详细而言，导电欧姆层COL可以包括从中心区域BC向上延伸的上连接部分B1、从中心区域BC向下延伸的下连接部分B2、从中心区域BC向左延伸的左连接部分B3以及从中心区域BC向右延伸的右连接部分B4。
上连接部分B1可以连接第一单元电极A1和第二单元电极A2。下连接部分B2可以连接第三单元电极A3和第四单元电极A4。左连接部分B3可以连接第一单元电极A1和第三单元电极A3。右连接部分B4可以连接第二单元电极A2和第四单元电极A4。
例如，导电欧姆层COL可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料制成的域材料以及用于降低该域材料的势垒能量的掺杂剂。具有高电子迁移率的树脂材料可以包括Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ和TPB中的一者。Alq3可以是“三(8-羟基喹啉)铝Aluminum)”(Tris(8-hydroxyquinoline)的缩写，并且可以是具有化学式Al(C9H6NO)3的络合物。TmPyPB可以是一种有机材料，其为“1,3,5-三(m-吡啶-3-yl-苯基)苯”(1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene)的缩写。Bphen可以是一种有机材料，其为“红菲咯啉”(Bathophenanthroline)的缩写。TAZ可以是一种有机材料，其为“1,2,3-三唑”(1,2,3-triazole)的缩写。TPB可以是有机材料，其为“三苯基铋”(triphenyl bismuth)的缩写。由于这些有机材料具有高电子迁移率，因而它们可以用在发光元件中。
掺杂剂的材料可以包括基于碱的掺杂材料。例如，掺杂剂的材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、氧化铯(Cs2O3)、氮化铯(CsN3)、铷(Rb)和氧化铷(Rb2O)中的一者。在另一个示例中，掺杂剂的材料可以包括具有高电子迁移率的富勒烯(fullerene)。富勒烯可以是其中的碳原子按照球形、椭球形或者圆柱形布置的分子的通用名称。例如，掺杂剂的材料可以包括巴克明斯特-富勒烯(C60)，其中，60个碳原子主要按照足球的形状成键。此外，掺杂剂的材料可以包括更高碳的富勒烯，诸如C70、C76、C78、C82、C90、C94和C96。
导电欧姆层COL可以具有与被包含到发光层EL当中的电子传输层或电子注入层相同的材料。然而，与电子传输层或电子注入层不同的是，导电欧姆层COL可以具有比电子传输层或电子注入层更高的电子迁移率。例如，电子传输层或电子注入层可以具有1.0Х10-4(S/m)到9.0Х10-2(S/m)的电子迁移率，而导电欧姆层COL可以具有1.0Х10-2(S/m)到9.0Х10+1(S/m)的电子迁移率。为此，被包含到导电欧姆层COL的导电树脂材料可以具有比电子传输层或电子注入层的掺杂剂含量更高的掺杂剂含量。
例如，电子传输层或电子注入层具有0％到5％的掺杂剂掺杂浓度，而导电欧姆层COL可以优选是具有10％到30％的掺杂剂掺杂浓度的导电树脂材料。具体而言，导电欧姆层COL中的掺杂剂的掺杂浓度可以大于电子传输层或电子注入层中的掺杂剂的掺杂浓度。其中的掺杂剂具有0％的掺杂浓度的域材料本身可以具有1.0Х10-4(S/m)到1.0Х10-3(S/m)的电导率。通过向域材料内掺杂3％到30％的掺杂剂，导电欧姆层COL可以具有升高到1.0Х10-2(S/m)到9.0Х10+1(S/m)的电导率，从而被用作将阳极电极ANO的单元电极A1到A4相互连接的元件。
此外，导电欧姆层COL可以具有比阳极电极ANO的四个单元电极A1到A4高的电阻。在异物落在四个单元电极A1到A4中的任何一者上并且短接至阴极电极CAT时，可以利用焦耳发热过程(Joule heating process)将具有异物的单元电极与其他单元电极电隔离。
堤部BA形成在阳极电极ANO上。详细而言，堤部BA可以被形成为露出阳极电极ANO的四个单元电极A1到A4中的每者的中间区域，并且覆盖每一单元电极的周边区域。在这种情况下，堤部BA可以被形成为覆盖导电欧姆层COL的上连接部分B1、下连接部分B2、左连接部分B3和右连接部分B4中的全部。
图5和图6是示出了根据本公开的第一实施例的发光显示器中的像素的形状。也就是说，图5和图6示出了没有落在其上的任何异物的正常像素的形状。在正常状态下，发光层EL和阴极电极CAT被顺次沉积在阴极电极ANO上。因而，形成了正常的发光二极管OLE，并且正常的发光二极管OLE正常工作。
下文将参考图7和图8解释在根据本公开的第一实施例的发光显示器中用于恢复因异物而有缺陷的像素的结构。图7是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中恢复因异物导致有缺陷的像素的结构的放大平面图。图8是沿图7中的切割线III-III’的截面图，其用于示出在根据本公开的第一实施例的发光显示器中恢复因异物导致有缺陷的像素的结构。在以下的描述中，将不重复与前文的那些描述相同的详细解释。在图7和图8中，用附图标记示出但未加以描述的部分可以具有与前文的描述相同的结构。
在异物PT掉落在第一单元电极A1上的状况下，可以顺次堆叠发光层EL和阴极电极CAT。在这种情况下，如图8的左侧圆圈中所示，发光层EL可以是按照围绕异物PT的切口形状被堆叠的，从而在发光层EL和异物PT之间形成了预定间隙G。而后，当在上面沉积阴极电极CAT时，阴极电极CAT也可以被沉积在发光层EL与异物PT之间的间隙G中，从而使阴极电极CAT和第一单元电极A1发生接触，并且发生电短路。
在通过这种方式完成发光显示器之后，执行分别向阳极电极ANO和阴极电极CAT施加阳极电压和阴极电压的老化过程。于是，第一单元电极A1和阴极电极CAT在发光层EL与异物PT之间的间隙G处进行连接的部分可以熔化，从而形成了断开图案CT(或切断图案)。
在老化过程期间，施加发光二极管OLE的正常操作电压。由于阴极电极CAT的与第一单元电极A1接触的部分在间隙G处形成得非常薄，因而这一部分可以具有高电阻。因此，在老化过程期间，与第一单元电极A1接触的阴极电极CAT可以由于高电阻而因焦耳发热熔化。因此，第一单元电极A1和阴极电极CAT之间的连接在间隙G处断开，并且形成了断开图案CT。
解决了由落在第一单元电极A1上的异物PT导致的阴极电极CAT与阳极电极ANO之间的短路问题，并且第一单元电极A1返回至正常驱动状态。
在下文中将参考图9和图10解释在根据本公开的第一实施例的发光显示器中使因异物而有缺陷的像素部分地变暗的结构。图9是示出了在根据本公开的第一实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构的放大平面图。图10是沿图9中的切割线IV-IV’的截面图，其用于示出在根据本公开的第一实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构。在以下的描述中，将不重复与前文的那些描述相同的详细解释。在图9和图10中，用附图标记示出但未加以描述的部分可以具有与前文的描述相同的结构。
在异物PT掉落在第一单元电极A1上的状况下，可以顺次堆叠发光层EL和阴极电极CAT。在这种情况下，如图8的左侧圆圈中所示，发光层EL可以是按照围绕异物PT的切口形状被堆叠的，从而在发光层EL和异物PT之间形成了预定间隙G。而后，当在上面沉积阴极电极CAT时，阴极电极CAT也可以被沉积在发光层EL与异物PT之间的间隙G中，从而使阴极电极CAT和第一单元电极A1发生接触，并且发生电短路。
尽管执行了如结合图7和图8解释的老化过程，但是未在异物PT周围形成断开图案CT，并由此第一单元电极A1可能仍然继续保持与阴极电极CAT的电短路状况。
在这种状况下，在连续执行老化过程时，设置在与阴极电极CAT短路的第一单元电极A1周围的导电欧姆层COL可以因焦耳发热现象而熔化并蒸发。虽然导电欧姆层COL是包括n型或p型掺杂剂的有机材料并且具有高导电性，但是导电欧姆层COL具有比包括金属材料的阳极电极ANO的单元电极A1到A4更高的电阻。词语“导电欧姆层”表示它是一种如下所述的元件，该元件具有导电性，但是具有比单元电极(作为包含在阳极电极ANO中的元件)更高的电阻，因而在短路状态下在老化过程期间将产生焦耳热，继而该元件因这一焦耳热而熔化并蒸发。
如图10中所示，焦耳热集中在导电欧姆层COL的与和阴极电极CAT接触的第一单元电极A1的右侧和下侧发生接触的部分处，并且在一定时间之后，导电欧姆层COL的所述部分可以熔化并蒸发。因此，第一单元电极A1与通过上连接部分B1电连接的第二单元电极A2断开电连接。类似地，第一单元电极A1与通过左连接部分B3电连接的第三单元电极A3断开电连接。
因此，已经落上了异物PT的第一单元电极A1与构成阳极电极ANO的第二单元电极A2、第三单元电极A3和第四单元电极A4分开，并且第一单元电极A1变为不工作的暗点。在根据本公开的发光显示器中，将不使已经落上了异物PT的像素的整个阳极电极ANO变暗，而是仅选择性地使已经落上了异物PT的单元电极变暗，从而使变暗面积最小化。因此，在像素中产生缺陷时，提高了恢复效率，因为缺陷部分被作为暗点处理，从而使其难以被察觉。
<第二实施例>
下文将参考图11和图12解释根据本公开的第二实施例的发光显示器中的像素的结构。图11是示出了根据本公开的第二实施例的发光显示器中的像素的结构的放大平面图。图12是沿图11中的切割线V-V’的截面图，其用于示出根据本公开的第二实施例的发光显示器中的像素的结构。
图11和图12中所示的根据本公开的第二实施例的发光显示器可以与图5和图6所示的根据第一实施例的发光显示器非常相似。区别在于，在第一实施例中，通过像素接触孔PH连接至驱动漏电极DD的元件由导电欧姆层COL制成，而在第二实施例中，通过像素接触孔连接至驱动漏电极DD的元件是由与阳极电极ANO相同的材料制成的中心电极CA。
露出驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD的一些的像素接触孔PH可以被形成为穿透平面化层PL和/或钝化层PAS。因此，像素接触孔PH可以具有小面积和深形状。在导电欧姆层COL被沉积在这样的像素接触孔PH上时，经由像素接触孔PH所做的连接可能具有问题。例如，可以发生以下问题：导电欧姆层COL未被完全涂敷在像素接触孔PH的被蚀刻出的侧壁上。此外，如上文所提及的，虽然导电欧姆层COL包括用于增大导电性的掺杂剂材料，但是导电欧姆层COL具有比金属材料更高的电阻值。
因此，可以增大导电欧姆层COL与驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD之间的电连接中的电阻。由于阳极电极ANO与驱动薄膜晶体管DT之间的连接所具有的电阻增大，这可能而带来图像质量恶化问题。为了避免这一问题，阳极电极ANO的覆盖像素接触孔PH的部分可以由金属材料而非导电欧姆层COL形成。例如，阳极电极ANO可以进一步包括中心电极CA，其由与单元电极A1到A4相同的材料制成并且与像素接触孔PH重叠，以连接驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。
如图11和图12中所示，根据本公开的第二实施例的发光显示器可以包括形成于覆盖驱动薄膜晶体管DT的平面化层PL上的阳极电极ANO。阳极电极ANO可以包括中心电极CA、第一单元电极A1、第二单元电极A2、第三单元电极A3、第四单元电极A4和导电欧姆层COL。此外，导电欧姆层COL可以包括上连接部分B1、下连接部分B2、左连接部分B3和右连接部分B4。
上连接部分B1可以连接至第一单元电极A1、第二单元电极A2和中心电极CA。下连接部分B2可以连接至第三单元电极A3、第四单元电极A4和中心电极CA。左连接部分B3可以连接至第一单元电极A1、第三单元电极A3和中心电极CA。右连接部分B4可以连接至第二单元电极A2、第四单元电极A4和中心电极CA。
<第三实施例>
下文将参考图13解释根据本公开的第三实施例的发光显示器中的像素的结构。图13是沿图11中的切割线V-V’的截面图，其用于示出根据本公开的第三实施例的发光显示器中的像素的结构。
根据第三实施例的像素的结构与第二实施例的像素的结构非常相似。区别在于：在第三实施例中，堤部BA不完全覆盖导电欧姆层COL，而是露出导电欧姆层COL的一些部分。尽管在附图中未示出，但是在第一实施例中，堤部BA可以部分地露出导电欧姆层COL而不是将其完全覆盖，就像第三实施例中这样。
在导电欧姆层COL从堤部BA露出的结构中，当异物PT落在堤部BA上时，可以进一步减小暗点尺寸。在下文中，将参考图14做出详细描述。图14是示出了在根据本公开的第三实施例的发光显示器中使因异物导致有缺陷的像素部分地变暗的结构的放大平面图。
异物PT可能掉落在第一单元电极A1上。具体而言，异物PT可能掉落在堤部BA的边界区域上。在这种情况下，异物PT可能位于从堤部BA露出的导电欧姆层COL的上连接部分B1上。当在这种状况下执行老化过程时，随着异物PT周围的导电欧姆层COL熔化并且按照岛形状围绕异物PT，断开图案CT可以形成为上连接部分B1。随着异物PT周围的导电欧姆层COL蒸发，可以将不包括异物PT的第一单元电极A1恢复至正常状态。因此，可以不使已经落上了异物PT的整个第一单元电极A1成为变暗的点，而是将其恢复。
在第三实施例中，通过露出导电欧姆层COL的部分而不覆盖整个堤部BA，在异物PT落在堤部BA的边界上时，仅使异物PT附近断开，以减小变暗点的面积，并且阳极电极ANO的其他区域变为正常工作状态。在第三实施例中，在产生因异物而有缺陷的像素时，通过使变成暗点的面积最小化，可以预计有降低缺陷产品率的效果。
<第四实施例>
至此已经描述了阳极电极ANO的单元电极A1到A4以及导电欧姆层COL的连接和布置结构。在下文中将描述各种截面结构，其示出了如何将导电欧姆层COL与阳极电极ANO的单元电极A1到A4进行堆叠。下文将参考图15解释根据本公开的第四实施例的发光显示器中的阳极电极的结构。图15是示出了根据本公开的第四实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
参考图15，在平面化层PL上形成阳极电极ANO。第一单元电极A1和第二单元电极A2相互隔开预定距离。第一单元电极A1和第二单元电极A2可以具有相同的堆叠结构。例如，第一透明导电层IT1设置在底层处。第一透明导电层IT1可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。在第一透明导电层IT1上堆叠具有高的光反射率和低电阻的金属层AG。例如，金属层AG优选由诸如银(Ag)或铜(Cu)之类的具有低电阻的材料形成。第二透明导电层IT2设置在金属层AG上。第二透明导电层IT2可以由与第一透明导电层IT1相同的材料制成。
导电欧姆层COL设置在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间，以电连接第一单元电极A1和第二单元电极A2。具体而言，导电欧姆层COL可以被堆叠为接触第一单元电极A1和第二单元电极A2的第二透明导电层IT2。通过顺次堆叠第一透明导电层IT1、金属层AG和第二透明导电层IT2并且之后对它们进行图案化而形成第一单元电极A1和第二单元电极A2。而后，沉积导电有机材料，并且对其图案化，以形成导电欧姆层COL。因此，导电欧姆层COL与作为第一单元电极A1和第二单元电极A2的上层的第二透明导电层IT2接触。它还与第一透明导电层IT1、金属层AG和第二透明导电层IT2的侧表面接触，该侧表面是第一单元电极A1和第二单元电极A2的被蚀刻出的侧面。
尽管在图中未示出，但是第一透明导电层IT1可以具有连接单元电极A1到A4中的每者的结构和形状。在这种情况下，由于需要在使导电欧姆层COL蒸发的同时去除第一透明导电层IT1，因而第一透明导电层IT1的薄层电阻(sheet resistance)与导电欧姆层COL的薄层电阻具有相同的水平。例如，第一透明导电层IT1可以具有等于或小于的厚度，并且设置在单元电极A1到A4之间从而使它们相互连接。
异物PT落在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间。在这种情况下，通过执行老化过程，使连接第一单元电极A1和第二单元电极A2的导电欧姆层COL熔化并断开，从而仅使有缺陷的单元电极变暗。
<第五实施例>
下文将参考图16解释根据本公开的第五实施例的发光显示器中的阳极电极的结构。图16是示出了根据本公开的第五实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
参考图16，在平面化层PL上设置阳极电极ANO。第一单元电极A1和第二单元电极A2相互隔开预定距离。第一单元电极A1和第二单元电极A2可以具有相同的堆叠结构。例如，第一透明导电层IT1设置在底层处。第一透明导电层IT1可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。在第一透明导电层IT1上堆叠具有高的光反射率和低电阻的金属层AG。例如，金属层AG可以由诸如银(Ag)或铜(Cu)之类的具有低电阻的材料形成。
导电欧姆层COL设置在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间，以电连接第一单元电极A1和第二单元电极A2。具体而言，导电欧姆层COL可以被堆叠为接触第一单元电极A1和第二单元电极A2的金属层AG。
第二透明导电层IT2堆叠在第一单元电极A1和第二单元电极A2的导电欧姆层COL上。第二透明导电层IT2可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。第二透明导电层IT2可以具有与导电欧姆层COL类似的电导率和电阻。因此，连接在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间的第二透明导电层IT2可以作为导电欧姆层COL来进行工作，使得第二透明导电层IT2的一些部分可以在老化过程期间通过焦耳发热而被去除。
尽管在图中未示出，但是第一透明导电层IT1可以具有连接单元电极A1到A4中的每者的结构和形状。在这种情况下，由于需要在使导电欧姆层COL蒸发的同时去除第一透明导电层IT1，因而第一透明导电层IT1的薄层电阻与导电欧姆层COL的薄层电阻具有相同的水平。例如，第一透明导电层IT1可以具有等于或小于的厚度，并且设置在单元电极A1到A4之间从而使它们相互连接。
<第六实施例>
下文将参考图17解释根据本公开的第六实施例的发光显示器中的阳极电极的结构。图17是示出了根据本公开的第六实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的截面图。
参考图17，在平面化层PL上形成阳极电极ANO。第一单元电极A1和第二单元电极A2相互隔开预定距离。第一单元电极A1和第二单元电极A2可以具有相同的堆叠结构。例如，第一透明导电层IT1设置在底层处。在第一透明导电层IT1上堆叠具有高的光反射率和低电阻的金属层AG。例如，金属层AG可以由诸如银(Ag)或铜(Cu)之类的具有低电阻的材料形成。第二透明导电层IT2设置在金属层AG上。第一透明导电层IT1和第二透明导电层IT2可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。
导电欧姆层COL设置在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间，以电连接第一单元电极A1和第二单元电极A2。具体而言，导电欧姆层COL可以被堆叠为接触第一单元电极A1和第二单元电极A2的第二透明导电层IT2。
第三透明导电层IT3设置在第一单元电极A1和第二单元电极A2的第二透明导电层IT2以及导电欧姆层COL上。第三透明导电层IT3可以覆盖导电欧姆层COL，接触第一单元电极A1的第二透明导电层IT2的一些部分，并且接触第二单元电极A2的第二透明导电层IT2的一些部分。当导电欧姆层的电阻比第一单元电极A1和第二单元电极A2的电阻高得太多时，可以使用第三透明导电层IT3来使导电欧姆层COL的电阻降低至与第二透明导电层IT2的电阻相类似的水平。连接在第一单元电极A1和第二单元电极A2之间的第三透明导电层IT3和导电欧姆层COL可以在老化过程中因焦耳发热而损坏(或断开)。
尽管在图中未示出，但是第一透明导电层IT1可以具有连接单元电极A1到A4中的每者的结构和形状。在这种情况下，由于需要在使导电欧姆层COL蒸发的同时去除第一透明导电层IT1，因而第一透明导电层IT1的薄层电阻与导电欧姆层COL的薄层电阻具有相同的水平。例如，第一透明导电层IT1可以具有等于或小于的厚度，并且设置在单元电极A1到A4之间从而使它们相互连接。
<第七实施例>
下文将参考图18解释根据本公开的第七实施例的发光显示器中的阳极电极的结构。图18是示出了根据第七实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的放大平面图。
上文提及的阳极电极被划分成四个单元电极A1到A4。然而，不限于此。阳极电极可以被划分成两个单元电极、六个单元电极或者八个单元电极。
图18示出了将阳极电极划分成两个单元电极的情况。如图18中所示，阳极电极ANO可以包括第一单元电极A1、第二单元电极A2和导电欧姆层COL。第一单元电极A1可以设置在相对于像素接触孔PH的上侧处，并且第二单元电极A2可以设置在第一单元电极A1下方的预定距离。然而，不限于此。阳极电极可以具有采用其他方式的两部分结构，例如，左侧和右侧。
导电欧姆层COL可以被设置为连接第一单元电极A1和第二单元电极A2并且覆盖像素接触孔PH。借助于这一结构，当在第一单元电极A1或第二单元电极A2处因落在其上的异物而发生缺陷时，有可能通过采用老化过程形成围绕异物的断开图案而将有缺陷的单元电极恢复到正常状况。替代性地，连接至已经落上了异物的单元电极的导电欧姆层COL可以被蒸发和/或去除，从而使已经落上了异物的单元电极变暗。因而，可以正常驱动没有异物的单元电极。
<第八实施例>
下文将参考图19解释根据本公开的第八实施例的发光显示器中的阳极电极的结构。图19是示出了根据本公开的第八实施例的发光显示器中的阳极电极的结构的放大平面图。
图19示出了设置在根据本公开的第八实施例的发光显示器的一个像素中的阳极电极ANO，其被划分为八个单元电极。例如，该阳极电极可以包括第一单元电极A1、第二单元电极A2、第三单元电极A3、第四单元电极A4、第五单元电极A5、第六单元电极A6、第七单元电极A7和第八单元电极A8。这八个单元电极A1到A8相互分开预定距离。
导电欧姆层COL可以被设置为连接在这八个单元电极A1到A8中的两个相邻单元电极之间，并且覆盖像素接触孔PH。借助于这一结构，异物落在这八个单元电极A1到A8中的一个上。在这种情况下，通过进行老化过程，对连接至已经落上了异物的单元电极的导电欧姆层COL蒸发并去除，使得已经落上了异物的单元电极变暗，并且可以正常驱动没有异物的其他单元电极。
在下文中，将参考图20A到图20C解释在根据上文提及的实施例的发光显示器中当任何一个像素包括三个子像素时设置在每一子像素中的阳极电极的结构。图20A到图20C是示出了根据本公开的发光显示器中的红色像素、绿色像素和蓝色像素的结构的放大平面图。
每一像素包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的每者可以包括具有与上文解释的第一到第八实施例中的任何一者相对应的结构的阳极电极。否则，每一子像素可以包括与结合了这些实施例中的两者或更多者的结构相对应的结构。
然而，红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B可以具有不同驱动电流。老化过程可以是通过针对子像素施加驱动电流而执行的操作。在老化过程中，可以去除或不去除导电欧姆层COL，这取决于对发光二极管OLE进行驱动的驱动薄膜晶体管DT的驱动电流。因此，导电欧姆层COL的长度可以被配置为针对每一子像素来根据驱动薄膜晶体管DT的极限电流而具有不同长度。
驱动电流可以通过设置在位于红色像素R中的第一单元电极A1和第二单元电极A2之间的导电欧姆层COL的上连接部分B1流动。因此，上连接部分B1的长度LR可以被定义为驱动电流所流经的线的宽度。当上连接部分B1的长度LR越长时，该线的宽度就越宽，因而降低了该线的电阻。当上连接部分B1的长度LR越短时，该线的宽度就越窄，因而增大了该线的电阻。相应地，可以通过考虑用于驱动红色像素R的极限电流来确定设置在红色像素R中的导电欧姆层COL的长度。
类似地，还可以通过考虑用于驱动绿色像素G的极限电流来确定设置在绿色像素G中的导电欧姆层COL的长度。此外，还可以通过考虑用于驱动蓝色像素B的极限电流来确定设置在蓝色像素B中的导电欧姆层COL的长度。
例如，用于驱动红色像素R的极限电流可以是9.45μA，用于驱动绿色像素G的极限电流可以是6.41μA，并且用于驱动蓝色像素B的极限电流可以是5.07μA。因此，可以根据子像素的极限电流改变导电欧姆层COL的长度。在极限电流高时，导电欧姆层COL的长度可以是长的，从而降低连接电阻。另一方面，在极限电流低时，可以通过缩短导电欧姆层COL的长度来增大电阻。
在极限电流高的情况下，在导电欧姆层COL的长度被制作得过短时，电阻可能过高，并由此在老化过程期间即使在没有异物的正常像素中也可能使导电欧姆层COL熔化并蒸发。另一方面，在极限电流低的情况下，在导电欧姆层COL的长度被制作得过长时，电阻可能过低，并由此在老化过程期间即使在有异物的缺陷像素中也可能无法使导电欧姆层COL在老化过程期间熔化。因而，可能出现未恢复缺陷像素的问题。
如图20A中所示，通过考虑极限电流，红色像素R的导电欧姆层COL可以具有与阳极电极ANO在水平方向上的宽度相对应的长度。在第一实施例中，上连接部分B1与下连接部分B2具有相同的长度。然而，左连接部分B3具有比上连接部分B1短的长度。这示出了可以在没有考虑极限电流的情况下通过老化过程去除已经落上了异物的单元电极周围的导电欧姆层COL的情况。然而，上连接部分B1、下连接部分B2、左连接部分B3和右连接部分B4可以具有相同的第一长度LR。
如图20B中所示，通过考虑用于驱动绿色像素G的极限电流，绿色像素G的导电欧姆层COL可以具有比第一长度LR短的第二长度LG。此外，如图20C中所示，通过考虑用于驱动蓝色像素B的极限电流，蓝色像素B的导电欧姆层COL可以具有比第二长度LG短的第三长度LB。
尽管在附图中未示出，但是像素可以包括红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素。在这种情况下，可以通过考虑用于驱动白色像素的极限电流来限定白色像素的导电欧姆层COL。例如，在用于驱动白色像素的极限电流为3.33μA时，白色像素的导电欧姆层可以与蓝色像素B的导电欧姆层的第三长度LB相同或短。
本公开的以上示例性实施例中描述的特征、结构、效果等被包含在本公开的至少一个示例性实施例中，但未必局限于仅一个示例性实施例。此外，本公开所涉及的领域的技术人员可以将在至少一个示例性实施例中解释的特征、结构、效果等与其他示例性实施例以组合或修改方式来加以实施。因此，应当将此类组合和变化理解为包含在本公开的范围中。
对本领域技术人员而言将显而易见的是，各种替代、修改和变化都可能落在本公开的范围内而不脱离本公开的实质和范围。因此，意在使本公开的实施例涵盖本公开的各种替代、修改和变化，只要其落在所附权利要求及其等同方案的范围内。根据上文的详细描述可以对实施例做出这些以及其他改变。一般而言，在所附权利要求中，所使用的词语不应被理解为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的具体示例性实施例，而是应当被理解为包括所有可能的实施例以及这些权利要求有权享有的等同方案的全部范围。相应地，权利要求不受本公开的限制。

Claims (20)

1.一种发光显示器，包括：
设置在基板上的多个像素；
其中，所述多个像素中的每一像素包括：
第一单元电极；
与所述第一单元电极分隔开预定距离的第二单元电极；
设置在所述第一单元电极和所述第二单元电极之间的导电欧姆层；
设置在所述导电欧姆层上的堤部，所述堤部覆盖所述第一单元电极和所述第二单元电极的周边，并且露出所述第一单元电极和所述第二单元电极的每一中心部分；
设置在所述第一单元电极、所述第二单元电极和所述堤部上的发光层；以及
设置在所述发光层上的阴极电极。
2.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述堤部覆盖所述导电欧姆层。
3.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述堤部覆盖所述导电欧姆层的中心部分并且露出所述导电欧姆层的周边。
4.根据权利要求3所述的发光显示器，其中，在所述多个像素当中，具有位于从所述第一单元电极上的所述堤部露出的所述导电欧姆层上的异物的像素包括通过去除所述异物周围的所述导电欧姆层而形成的断开间隙。
5.根据权利要求1所述的发光显示器，进一步包括：
设置在所述多个像素内的薄膜晶体管；
覆盖所述薄膜晶体管的平面化层；以及
通过穿透所述平面化层而露出所述薄膜晶体管的部分的像素接触孔，
其中，所述第一单元电极、所述第二单元电极和所述导电欧姆层设置在所述平面化层上，并且
其中，所述导电欧姆层经由所述像素接触孔与所述薄膜晶体管连接。
6.根据权利要求1所述的发光显示器，进一步包括：
位于所述基板上的所述像素内的薄膜晶体管；
覆盖所述薄膜晶体管的平面化层；
通过穿透所述平面化层而露出所述薄膜晶体管的部分的像素接触孔；以及
中心电极，所述中心电极经由所述像素接触孔连接所述薄膜晶体管并且通过所述导电欧姆层连接所述第一单元电极和所述第二单元电极，
其中，所述第一单元电极、所述第二单元电极和所述导电欧姆层设置在所述平面化层上。
7.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述第一单元电极和所述第二单元电极包括：
第一透明导电层；
位于所述第一透明导电层上的金属层；以及
位于所述金属层上的第二透明导电层，
其中，所述导电欧姆层连接在所述第一单元电极和所述第二单元电极之间。
8.根据权利要求7所述的发光显示器，进一步包括：
第三透明导电层，所述第三透明导电层位于所述导电欧姆层上并且连接所述第一单元电极和所述第二单元电极的所述第二透明导电层。
9.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层接触所述第一单元电极的所述第二透明导电层的上表面和所述第二单元电极的所述第二透明导电层的上表面。
10.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层接触所述第一单元电极的所述金属层上的所述第二透明导电层的第一底表面，并且接触所述第二单元电极的所述金属层上的所述第二透明导电层的第二底表面。
11.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，每一像素进一步包括：
与所述第一单元电极和所述第二单元电极分隔开的第三单元电极；以及
与所述第一单元电极、所述第二单元电极和所述第三单元电极分隔开的第四单元电极，
其中，所述导电欧姆层连接在所述第一单元电极和所述第三单元电极之间、所述第二单元电极和所述第四单元电极之间、以及所述第三单元电极和所述第四单元电极之间。
12.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述多个像素包括：
红色像素，所述红色像素具有第一长度的第一导电欧姆层；
绿色像素，所述绿色像素具有第二长度的第二导电欧姆层，所述第二长度比所述第一长度短；以及
蓝色像素，所述蓝色像素具有第三长度的第三导电欧姆层，所述第三长度比所述第二长度短。
13.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且
其中，设置在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中的所述导电欧姆层具有互不相同的长度。
14.根据权利要求13所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层的长度与用于驱动所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的极限电流成比例。
15.一种发光显示器，包括：
多个像素，每一像素包括第一单元电极、第二单元电极、第三单元电极和第四单元电极；
导电欧姆层，其电连接所述第一单元电极、所述第二单元电极、所述第三单元电极和所述第四单元电极；
堤部，其设置在所述导电欧姆层上并覆盖所述第一单元电极、所述第二单元电极、所述第三单元电极和所述第四单元电极的周边；
发光层，其设置在所述第一单元电极、所述第二单元电极、所述第三单元电极和所述第四单元电极以及所述堤部上；以及
阴极电极，其设置在所述发光层上。
16.根据权利要求15所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层具有“+”形状和与像素接触孔重叠的中心区域。
17.根据权利要求16所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层包括从所述中心区域向上延伸的上连接部分、从所述中心区域向下延伸的下连接部分、从所述中心区域向左延伸的左连接部分、以及从所述中心区域向右延伸的右连接部分。
18.根据权利要求16所述的发光显示器，其中，所述导电欧姆层包括由具有高电子迁移率的树脂材料制成的域材料以及用于降低所述域材料的势垒能量的掺杂剂。
19.根据权利要求15所述的发光显示器，其中，所述多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且
其中，设置在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中的所述导电欧姆层具有不同的长度。
20.根据权利要求19所述的发光显示器，其中，设置在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中的所述导电欧姆层的长度与用于驱动所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的极限电流成比例。
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