CN117241186A - 全频带双面扬声装置 - Google Patents

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郑春隆
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Abstract

本申请公开了一种全频带双面扬声装置,包括:导磁载板、第一磁路模组、第二磁路模组、第一振动组件、第二振动组件与第三振动组件。第一磁路模组设置于导磁载板上。第二磁路模组设置于导磁载板下。第一振动组件设置于第一磁路模组上。第二振动组件设置于第二磁路模组下。第三振动组件设置于导磁载板上,并且第三振动组件对应于第二磁路模组的外侧上方。第三振动组件位于第一振动组件的外侧,其中,将垂直于导磁载板的中心的延伸线为中轴线,第一振动组件、第二振动组件及第三振动组件对应于中轴线设置。本申请通过两组的磁路模组与三组的振动组件的组合满足低音、中音与高音的单体同轴,达到三个频段的声音协调,整体的听感效果好。

Description

全频带双面扬声装置
技术领域
本申请涉及的扬声器的技术领域,尤其涉及一种全频带双面扬声装置。
背景技术
目前市场上,一般应用于扬声器单体是由单个低音单体或一个低音单体加一个高音单体构成,低音单体为动圈式,高音单体为动圈式或动铁式,且低音单体和高音单体均为独立式结构。由于缺少中频单体去平衡高音单体与低音单体的声音,其导致声音比较单调,无法满足偏向中音的音色,所以音色饱满度不足。同时由于独立式的高音单体与低音单体的结构造成扬声器等装配困难,且不能满足高音、低音与中音单体同轴,从而造成高音、低音与中音的三个频段的声音不协调,整体听感的效果差。
发明内容
本申请实施例提供一种全频带双面扬声装置,其通过两组的磁路模组以及三组的振动组件的配合以解决高音、低音与中音的声音不协调,导致整体听感效果差的问题发生。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
提供了一种全频带双面扬声装置,包括:导磁载板、第一磁路模组、第二磁路模组、第一振动组件、第二振动组件与第三振动组件。第一磁路模组包括第一主磁铁与第一副磁铁,第一主磁铁与第一副磁铁设置于导磁载板的一侧,第一副磁铁位于第一主磁铁的外侧;第二磁路模组包括第二主磁铁与第二副磁铁,第二主磁铁与第二副磁铁设置于导磁载板的另一侧,第二副磁铁位于第二主磁铁的外侧;第一振动组件包括第一支架、第一振膜与第一音圈,第一支架设置于导磁载板,并第一支架位于第一磁路模组的外侧,第一振膜设置于第一支架上,第一振膜位于第一磁路模组上,第一音圈设置于第一振膜下,第一音圈位于第一主磁铁与第一副磁铁之间;第二振动组件包括第二支架、第二振膜与第二音圈,第二支架设置于第二副磁铁的外侧,第二振膜设置于第二支架下,第二振膜位于第二磁路模组下,第二音圈设置于第二振膜上,第二音圈位于第二主磁铁与第二副磁铁之间;以及第三振动组件包括第三支架、第三振膜与第三音圈,第三支架设置于第二支架的外侧,第三振膜设置于第一支架与第三支架之间,第三振膜位于第二副磁铁上,第三音圈设置于第三振膜下,第三音圈位于第二副磁铁与第二支架之间;其中,将垂直于导磁载板的中心的延伸线为中轴线,第一振动组件、第二振动组件及第三振动组件对应于中轴线设置。
在其中一个实施例中,第一磁路模组包括第一导磁板与第一副导磁板,第一导磁板设置于第一主磁铁上,第一副导磁板设置于第一副磁铁上。
在其中一个实施例中,第二磁路模组包括第二导磁板,第二导磁板设置于第二主磁铁下。
在其中一个实施例中,第二磁路模组包括导磁环件,导磁环件设置于导磁载板,导磁环件位于第二音圈与第二副磁铁之间。
在其中一个实施例中,导磁环件贴合于第二副磁铁的内侧。
在其中一个实施例中,第二主磁铁的外侧对应于第一副磁铁的下方。
在其中一个实施例中,第一副磁铁的外侧对应于第二副磁铁的内侧。
在其中一个实施例中,第一支架及第二支架分别位于导磁载板相异的两侧,而第三支架位于第一支架及第二支架的外侧,第一支架、第二支架及第三支架相对中轴线设置。
在其中一个实施例中,第一主磁铁与第二主磁铁互相相邻的磁极相同,第一副磁铁与第二副磁铁互相相邻的磁极相同。
在其中一个实施例中,第一主磁铁与第一副磁铁互为相反磁极的设置方式于导磁载板。
在其中一个实施例中,第二主磁铁与第二副磁铁互为相反磁极的设置方式于导磁载板。
在其中一个实施例中,第二支架的一端内侧设置于第二副磁铁的下方,第二支架的另一端向外并且向上延伸,第三支架的一端设置于第二支架的另一端外侧,第三支架的另一端向外并且向上延伸,第三振膜的外侧设置于第三支架的另一端外侧,第三振膜的内侧设置于第一支架的外侧。
在其中一个实施例中,第一支架的一端向上并且向内延伸,第一支架的一端内侧固定于第一副磁铁的上方,第一支架的一端外侧固定第一振膜。
其中一个实施例中,第三支架设置有胶槽,第三支架的胶槽内填充胶水黏固于第二支架,以使第二支架固接于第三支架。
其中一个实施例中,第二磁路模组的结构面积相较于第一磁路模组的结构面积大。
其中一个实施例中,第二磁路模组的结构面积等于导磁载板的面积。
其中一个实施例中,第一主磁铁与第一导磁板的面积相同,第一副磁铁与第一副导磁板的面积相同。
其中一个实施例中,第二主磁铁与第二导磁板的面积相同。
其中一个实施例中,第三振膜相对于导磁载板的垂直高度相较于第一振膜相对于导磁载板的垂直高度低。
其中一个实施例中,第三支架组接第二支架,第三支架具有呈间隔设置的多个卡块,而第二支架的外周围对应多个卡块位置设置多个卡槽,多个卡块对应卡接于多个卡槽。
其中一个实施例中,第一振动组件被配置振动发声高音频段,第二振动组件被配置振动发声中音频段,而第三振动组件被配置发声低音频段。
本申请提供一种全频带双面扬声装置,其包括导磁载板、第一磁路模组、第二磁路模组、第一振动组件、第二振动组件与第三振动组件。第一磁路模组设置于导磁载板上。第二磁路模组设置于导磁载板下。第一振动组件设置于第一磁路模组上。第二振动组件设置于第二磁路模组下。第三振动组件设置于导磁载板上,并且第三振动组件对应于第二磁路模组的外侧上方。第三振动组件位于第一振动组件的外侧,其中,将垂直于导磁载板的中心的延伸线为中轴线,第一振动组件、第二振动组件及第三振动组件对应于中轴线设置。本申请通过两组的磁路模组与三组的振动组件的组合满足低音、中音与高音的单体同轴,达到三个频段的声音协调,整体的听感效果好。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1是本申请的全频带双面扬声装置的立体图;
图2是本申请的全频带双面扬声装置的另一立体图;
图3是图1的A-A’线的剖面图;
图4是图3的B区域放大图;
图5是本申请的全频带双面扬声装置的上半部的分解图;
图6是本申请的全频带双面扬声装置的下半部的分解图。
结合附图说明如下:1:全频带双面扬声装置;11:导磁载板;110:中轴线;12:第一磁路模组;121:第一主磁铁;122:第一副磁铁;123:第一导磁板;124:第二副导磁板;13:第二磁路模组;131:第二主磁铁;132:第二副磁铁;133:第二导磁板;134:导磁环件;14:第一振动组件;141:第一支架;142:第一振膜;143:第一音圈;15:第二振动组件;151:第二支架;1510:卡槽;152:第二振膜;153:第二音圈;16:第三振动组件;161:第三支架;1610:黏胶;1611:胶槽;1612:卡块;1613:第一通孔;1614:第二通孔;162:第三振膜;163:第三音圈。
具体实施方式
以下将以图式揭露本申请的多个实施方式,为明确说明起见,许多实施上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实施上的细节不应用以限制本申请。也就是说,在本申请的部分实施方式中,这些实施上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示。在以下各实施例中,将以相同的标号表示相同或相似的组件。
请参阅图1到图6,图1是本申请的全频带双面扬声装置的立体图、图2是另一立体图、图3是图1的A-A’线的剖面图、图4是图3的B区域放大图、图5是全频带双面扬声装置的上半部的分解图以及图6是全频带双面扬声装置的下半部的分解图。如图所示,本申请提供一种全频带双面扬声装置1,包括:导磁载板11、第一磁路模组12、第二磁路模组13、第一振动组件14、第二振动组件15与第三振动组件16。第一磁路模组12包括第一主磁铁121与第一副磁铁122,第一主磁铁121与第一副磁铁122设置于导磁载板11的一侧,第一副磁铁122位于第一主磁铁121的外侧。第二磁路模组13包括第二主磁铁131与第二副磁铁132,第二主磁铁131与第二副磁铁132设置于导磁载板11的另一侧,第二副磁铁132位于第二主磁铁131的外侧。第一振动组件14包括第一支架141、第一振膜142与第一音圈143,第一支架141设置于导磁载板11,并第一支架141位于第一磁路模组12的外侧,第一振膜142设置于第一支架141上,第一振膜142位于第一磁路模组12上,第一音圈143设置于第一振膜142下,即第一音圈143设置于相邻第一磁路模组12的一侧。第一音圈143位于第一主磁铁121与第一副磁铁122之间。第二振动组件15包括第二支架151、第二振膜152与第二音圈153,第二支架151设置于第二副磁铁132的外侧,第二振膜152设置于第二支架151下,第二振膜152位于第二磁路模组13下,第二音圈153设置于第二振膜152上,即第二音圈153设置于相邻第二磁路模组13的一侧。第二音圈153位于第二主磁铁与第二副磁铁之间。第三振动组件16包括第三支架161、第三振膜162与第三音圈163,第三支架161设置于第二支架151的外侧,第三振膜162设置于第一支架141与第三支架161之间,第三振膜162位于第二副磁铁132上,第三音圈163设置于第三振膜162下,第三音圈163位于第二副磁铁132与第二支架151之间,其中,将垂直于导磁载板11的中心的延伸线为中轴线110,第一振动组件14、第二振动组件15及第三振动组件16对应于中轴线110设置。再者,请复参阅图3与图6,为进一步加强第三支架161组接第二支架151的结合强度,第三支架161具有呈间隔设置的多个卡块1612,而第二支架151的外周围对应多个卡块1612位置设置多个卡槽1510,多个卡块1612对应卡接于多个卡槽1510,如此能够进一步限定第三支架161与第二支架151结合后的水平方向的转动。另外,第三支架161更包括多个第一通孔1613与多个第二通孔1614,多个第一通孔1613与多个第二通孔1614连通于全频带双面扬声装置1的内侧与外侧,如此有助于全频带双面扬声装置1内侧与外侧的空气流通,以利于全频带双面扬声装置1进行发声。其中多个第一通孔1613为长型孔,多个多个第二通孔1614为圆孔,上述可依据使用者的需求调整通孔的数量与形状。
承上所述,第一支架141设置于导磁载板11上,第一支架141的一端向上并且向内延伸,使第一支架141支撑固定于第一振膜142的下方。第三支架161的另一端向外并且向上延伸,第三支架161的另一端向上伸展超过导磁载板11,但第三支架161的另一端并未超过第一支架141的高点,使第三支架161支撑固定于第三振膜162的下方。第三振膜162相对于导磁载板11的垂直高度相较于第一振膜142相对于导磁载板11的垂直高度低。即第一振膜142与第三振膜162不位于同一平面上的错位设置,第一振膜142与第三振膜162两者呈现具有高低落差的阶梯结构,如此可以避免第一振膜142与第三振膜162位于同一平面上的共振状态会影响各别发声的振动幅度与振动频率。
于本实施方式中,第一振动组件14搭配第一磁路模组12进行振动发声,第一振动组件14的第一振膜142的面积相对小于第二振膜152与第三振膜162,如此第一振膜142的振动频率较快且振动幅度较小,第一振膜142适用于高频率的高音频段。第二振动组件15搭配第二磁路模组13进行振动发声,第二振动组件15的第二振膜152的面积相对介于第一振膜142与第三振膜162之间,如此第二振膜152的振动频率较中等且振动幅度中等,第二振膜152适用于中频率的中音频段。第三振动组件16搭配第二磁路模组13的第二副磁铁132进行振动发声,第三振动组件16的第三振膜162的面积相对大于第一振膜142与第二振膜152,如此第三振膜162的振动频率较小且振动幅度较大,第三振膜162适用于低频率的低音频段。上述大面积的振膜比较不容易反应高频率的振动变化,所以面积较小的振膜适用于高频率。如此第一振动组件14被配置振动发声高音频段,第二振动组件15被配置振动发声中音频段,而第三振动组件16被配置发声低音频段。
于本实施方式中,第一音圈143进行通电产生磁场,并且借由通电改变磁场大小与磁场作用方向,第一音圈143再配合第一磁路模组12的第一主磁铁121与第一副磁铁122的磁场作用下,使第一音圈143振动作用产生改变,同时第一音圈143的振动会连动于第一振膜142产生高频的声音。再者,第二音圈153进行通电产生磁场,并且借由通电改变磁场大小与磁场作用方向,第二音圈153再配合第二磁路模组13的第二主磁铁131与第二副磁铁132的磁场作用下,使第二音圈153振动作用产生改变,同时第二音圈153的振动会连动于第二振膜152产生中频的声音。另外,第三音圈163进行通电产生磁场,并且借由通电改变磁场大小与磁场作用方向,第三音圈163再配合第二磁路模组13的第二副磁铁132的单侧磁场作用下,使第三音圈163振动作用产生改变,同时第三音圈163的振动会连动于第三振膜162产生低频的声音。上述高频、中频与低频的声音是互相比较下的声音频率。
综上所述,本申请提供一种全频带双面扬声装置,其包括导磁载板、第一磁路模组、第二磁路模组、第一振动组件、第二振动组件与第三振动组件。第一磁路模组设置于导磁载板上。第二磁路模组设置于导磁载板下。第一振动组件设置于第一磁路模组上。第二振动组件设置于第二磁路模组下。第三振动组件设置于导磁载板上,并且第三振动组件对应于第二磁路模组的外侧上方。第三振动组件位于第一振动组件的外侧。本申请通过两组的磁路模组与三组的振动组件的组合满足低音、中音与高音的单体同轴,达到三个频段的声音协调,整体的听感效果好。
还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施方式,但如前对象,应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施方式的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文对象发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。

Claims (21)

1.一种全频带双面扬声装置,其特征在于,其包括:
导磁载板;
第一磁路模组,包括第一主磁铁与第一副磁铁,所述第一主磁铁与所述第一副磁铁设置于所述导磁载板的一侧,所述第一副磁铁位于所述第一主磁铁的外侧;
第二磁路模组,包括第二主磁铁与第二副磁铁,所述第二主磁铁与所述第二副磁铁设置于所述导磁载板的另一侧,所述第二副磁铁位于所述第二主磁铁的外侧;
第一振动组件,包括第一支架、第一振膜与第一音圈,所述第一支架设置于所述导磁载板,并所述第一支架位于所述第一磁路模组的外侧,所述第一振膜设置于所述第一支架上,所述第一振膜位于所述第一磁路模组上,所述第一音圈设置于所述第一振膜下,所述第一音圈位于所述第一主磁铁与所述第一副磁铁之间;
第二振动组件,包括第二支架、第二振膜与第二音圈,所述第二支架设置于所述第二副磁铁的外侧,所述第二振膜设置于所述第二支架下,所述第二振膜位于所述第二磁路模组下,所述第二音圈设置于所述第二振膜上,所述第二音圈位于所述第二主磁铁与所述第二副磁铁之间;以及
第三振动组件,包括第三支架、第三振膜与第三音圈,所述第三支架设置于所述第二支架的外侧,所述第三振膜设置于所述第一支架与所述第三支架之间,所述第三振膜位于所述第二副磁铁上,所述第三音圈设置于所述第三振膜下,所述第三音圈位于所述第二副磁铁与所述第二支架之间;
其中,将垂直于所述导磁载板的中心的延伸线为中轴线,所述第一振动组件、所述第二振动组件及所述第三振动组件对应于所述中轴线设置。
2.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一磁路模组包括第一导磁板与第一副导磁板,所述第一导磁板设置于所述第一主磁铁上,所述第一副导磁板设置于所述第一副磁铁上。
3.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二磁路模组包括第二导磁板,所述第二导磁板设置于所述第二主磁铁下。
4.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二磁路模组包括导磁环件,所述导磁环件设置于所述导磁载板,所述导磁环件位于所述第二音圈与所述第二副磁铁之间。
5.如权利要求4所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述导磁环件贴合于所述第二副磁铁的内侧。
6.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二主磁铁的外侧对应于所述第一副磁铁的下方。
7.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一副磁铁的外侧对应于所述第二副磁铁的内侧。
8.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一支架及所述第二支架分别位于所述导磁载板相异的两侧,而所述第三支架位于所述第一支架及所述第二支架的外侧,所述第一支架、所述第二支架及所述第三支架相对所述中轴线设置。
9.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一主磁铁与所述第二主磁铁互相相邻的磁极相同,所述第一副磁铁与所述第二副磁铁互相相邻的磁极相同。
10.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一主磁铁与所述第一副磁铁互为相反磁极的设置方式于所述导磁载板。
11.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二主磁铁与所述第二副磁铁互为相反磁极的设置方式于所述导磁载板。
12.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二支架的一端内侧设置于所述第二副磁铁的下方,所述第二支架的另一端向外并且向上延伸,所述第三支架的一端设置于所述第二支架的另一端外侧,所述第三支架的另一端向外并且向上延伸,所述第三振膜的外侧设置于所述第三支架的另一端,所述第三振膜的内侧设置于所述第一支架的外侧。
13.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一支架的一端向上并且向内延伸,所述第一支架的一端内侧固定于所述第一副磁铁的上方,所述第一支架的一端外侧固定所述第一振膜。
14.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第三支架设置有胶槽,所述第三支架的所述胶槽内填充胶水黏固于所述第二支架,以使所述第二支架固接于所述第三支架。
15.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二磁路模组的结构面积相较于所述第一磁路模组的结构面积大。
16.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二磁路模组的结构面积等于所述导磁载板的面积。
17.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一主磁铁与所述第一导磁板的面积相同,所述第一副磁铁与所述第一副导磁板的面积相同。
18.如权利要求1所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第二主磁铁与所述第二导磁板的面积相同。
19.如权利要求1-18中任一项所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第三振膜相对于所述导磁载板的垂直高度相较于所述第一振膜相对于所述导磁载板的垂直高度低。
20.如权利要求1-18中任一项所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第三支架组接所述第二支架,所述第三支架具有呈间隔设置的多个卡块,而所述第二支架的外周围对应多个所述卡块位置设置多个卡槽,多个所述卡块对应卡接于多个所述卡槽。
21.如权利要求1-18中任一项所述的全频带双面扬声装置,其特征在于,所述第一振动组件被配置振动发声高音频段,所述第二振动组件被配置振动发声中音频段,而所述第三振动组件被配置发声低音频段。
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