CN117238989B - 一种CNT@MoS2异质结太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提出一种CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法。CNT＠MoS2异质结太阳电池，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，包括：在GaAs衬底的一表面制备背面电极；在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层；在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。
Description
技术领域
本申请涉及一种太阳电池领域，尤其涉及一种CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法。
背景技术
太阳电池技术的开发，极大地减少了化石能源的消耗，有利于环境的保护和碳排放的降低。作为最为成熟的技术之一，硅基太阳电池凭借其来源丰富，工艺成熟等优势在民用领域得到广泛的应用。材料的持续发展使得太阳电池器件种类逐渐丰富，如钙钛矿太阳电池、有机太阳电池、薄膜太阳电池等。其中以GaAs为代表的III－Ⅴ族半导体化合物作为电池材料引起广泛的重视，这得益于其较大的禁带宽度，可与太阳光谱形成较好的匹配，同时其具有优异的耐高温性和抗高能粒子辐照性能使得其可应用为聚光电池和太空电池。即便GaAs基太阳电池理论光电转换效率较高，但其制备技术及其高昂成本严重限制了推广应用。目前，针对多结III－Ⅴ族半导体太阳电池制备中存在的外延层间晶格失配严重和工艺复杂等难题，人们提出采用碳材料、聚合物、无机化合物等异质材料作为载流子传输层，实现高性能异质结太阳电池的制备。
文献“Lin，S.，Li，X.，Wang，P.et al.Interface designed MoS2/GaAsheterostructure solar cell with sandwich stacked hexagonal boronnitride.Sci Rep 5，15103(2015)..”提及了一种利用单层MoS2与GaAs组成异质结并采取h－BN插入层的太阳电池应用实例，该方法利用h－BN插入层对GaAs/MoS2异质结界面处的能带调控以及电子阻挡功能，一定程度上提升了载流子分离效率，但是该方法所引入的h－BN插入层成本较高、h－BN及单层MoS2薄膜生长工艺条件要求较高、且太阳电池器件的有效面积只有约0.01cm2，应用场景十分有限。
发明内容
本申请实施例提供一种CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法，以解决相关技术存在的问题，技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种CNT＠MoS2异质结太阳电池，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。
第二方面，本申请实施例提供了一种CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，包括：
在GaAs衬底的一表面制备背面电极；
在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层；
在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。
在一种实施方式中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备方法，包括：
利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层并通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，完成CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备。
在一种实施方式中，所述利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层，包括：
将SiO2衬底依次使用有机溶剂、乙醇进行超声清洗，利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层；其中，CNT分散液浓度为0.05～0.18mgmL-1，所述磁控溅射压强为0.6～0.8Pa，钼靶直流电功率为20～50W，托盘温度为80～200℃，溅射时间为5～100s。
在一种实施方式中，所述通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，包括：
在管式炉中由氮气氛围的保护下使得硫粉蒸发，并由氮气束流将硫蒸气吹至SiO2衬底所在的高温反应区，将磁控溅射至CNT薄膜上的钼金属镀层硫化为MoS2；其中，氮气气流为5～50ccm，硫化温度为600～850℃，硫化保温时间为10～60min。
在一种实施方式中，所述GaAs衬底在制备背面电极之前，采用有机溶剂和水对GaAs衬底进行依次超声清洗，用稀盐酸溶液处理GaAs衬底，随后用水漂洗干净最后用高纯干燥氮气吹干；其中，所述有机溶剂包括丙酮和无水乙醇；所述稀盐酸溶液的浓度为5～20wt％。
在一种实施方式中，在GaAs衬底的一表面制备背面电极时，在GaAs衬底的一表面进行背面电极的真空蒸发镀膜，随后进行退火，使得GaAs衬底与背面电极形成欧姆接触。
在一种实施方式中，在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层，包括：
在CNT＠MoS2复合空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化，得到带有PMMA支撑层的复合空穴传输层；
通过氢氟酸刻蚀SiO2层后，将带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层转移至清洁后的GaAs衬底上并干燥；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底去除PMMA支撑层，获得CNT＠MoS2复合空穴传输层。
在一种实施方式中，所述加热固化的温度为70～100℃；
所述氢氟酸的浓度为15～50wt％；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底浸泡在丙酮溶液中，去除PMMA支撑层。
在一种实施方式中，所述正面电极为金、银、钛、铜、镍、铂、氧化锡锑和铝掺氧化锌中任一种的单一电极或多种的复合电极。
上述技术方案中的优点或有益效果至少包括：
(1)相较于单一的三层MoS2薄膜，CNT＠MoS2复合空穴传输层结合了CNT材料具有低电阻、高空穴迁移率等优异的电学性能，使得CNT＠MoS2复合空穴传输层与GaAs组成的异质结具有更优异的光电性能。
(2)三层MoS2的带隙约为1.83eV，相较于单层MoS2的带隙(约1.9eV)更窄，因而具有更宽的吸收光谱。单层MoS2薄膜通常需要进行气压控制以及混合气体，因此需要带有气压控制仪、气体配气仪以及双温区甚至三温区的高端管式炉设备。而本发明中的三层MoS2只需要一台单温区普通管式炉以及常见的真空金属镀膜设备即可。相较于制备单层MoS2薄膜，本发明制备的CNT＠MoS2复合空穴传输层对实验仪器的要求更低，且可实现大面积器件制备。
(3)相较于MoS2/硅体系太阳电池，GaAs衬底凭借其直接带隙、宽禁带的优异特性，结合高透光性、高导电的CNT＠MoS2复合空穴传输层，可获得更高转化效率的异质结太阳电池。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。
图1为CNT＠MoS2异质结太阳电池的结构示意图。
图2为CNT＠MoS2异质结太阳电池的电流密度－电压曲线。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
目前，CNT＠MoS2复合空穴传输层在GaAs衬底上的应用几乎没有。相较于单一的三层MoS2薄膜存在着与GaAs能带不匹配问题，通过引入CNT进行界面能带调控后的CNT＠MoS2复合空穴传输层能够与GaAs更好的成结。在解决了能级匹配问题的同时简化了工艺的同时，提高了器件的性能。本申请的目的在于提出一种便捷、低成本的高光电转换效率的CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法。
第一方面，请参阅图1，本申请实施例提供了一种CNT＠MoS2异质结太阳电池，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。
在一种实施方式中，所述正面电极为金、银、钛、铜、镍、铂、氧化锡锑和铝掺氧化锌中任一种的单一电极或多种的复合电极。
第二方面，本申请实施例提供了一种CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，包括：
步骤101，在GaAs衬底的一表面制备背面电极。
在一种实施方式中，所述GaAs衬底在制备背面电极之前，采用有机溶剂和水对GaAs衬底进行依次超声清洗，用稀盐酸溶液处理GaAs衬底，随后用水漂洗干净最后用高纯干燥氮气吹干；其中，所述有机溶剂包括丙酮和无水乙醇；所述稀盐酸溶液的浓度为5～20wt％。
利用稀盐酸与氧化镓等氧化物反应生成水及易溶于水的盐，以此去除表面氧化层并解决氧化层带来的高阻抗等影响。
在一种实施方式中，在GaAs衬底的一表面制备背面电极时，在GaAs衬底的一表面进行背面电极的真空蒸发镀膜，随后进行退火，使得GaAs衬底与背面电极形成欧姆接触，极大降低了界面处阻抗。
步骤102，在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层。
在一种实施方式中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备方法，包括：
利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层并通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，完成CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备。
随后，在复合空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化得到带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层，由于热固化型PMMA具有热固性，固化后的PMMA薄膜具有较好的支撑性，便于辅助转移机械强度较差的CNT＠MoS2复合空穴传输层并起到一定的保护作用。
在一种实施方式中，所述利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层，包括：
将SiO2衬底依次使用有机溶剂、乙醇进行超声清洗，利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层；其中，CNT分散液浓度为0.05～0.18mgmL-1，所述磁控溅射压强为0.6～0.8Pa，钼靶直流电功率为20～50W，托盘温度为80～200℃，溅射时间为5～100s。
在一种实施方式中，所述通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，包括：
在管式炉中由氮气氛围的保护下使得硫粉蒸发，并由氮气束流将硫蒸气吹至SiO2衬底所在的高温反应区，将磁控溅射至CNT薄膜上的钼金属镀层硫化为MoS2；其中，氮气气流为5～50ccm，硫化温度为600～850℃，硫化保温时间为10～60min。
在一种实施方式中，在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层，包括：
在CNT＠MoS2复合空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化，得到带有PMMA支撑层的复合空穴传输层；
通过氢氟酸刻蚀SiO2层后，将带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层转移至清洁后的GaAs衬底上并干燥；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底去除PMMA支撑层，获得CNT＠MoS2复合空穴传输层。
在一种实施方式中，所述加热固化的温度为70～100℃；
所述氢氟酸的浓度为15～50wt％；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底浸泡在丙酮溶液中，去除PMMA支撑层。
步骤103，在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。
实施例1
(1)SiO2衬底清洗处理：依次使用丙酮、乙醇进行超声清洗，随后将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属(Mo)镀层。所述CNT薄膜由CNT分散液经抽滤制得，CNT分散液浓度为0.12mg mL-1。所述磁控溅射压强0.7Pa、钼靶直流电功率23.8W、托盘温度120℃、溅射时间10s。
(2)通过化学气相沉积法(CVD)将步骤(1)所得SiO2衬底上的Mo金属镀层硫化为MoS2，完成CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备。随后在复合空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化得到带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层，加热固化的温度为80℃。
(3)将步骤(2)制得的带有CNT＠MoS2复合空穴传输层及PMMA支撑层的SiO2衬底浸泡在15wt％的HF溶液中以刻蚀去除SiO2层，将带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层与衬底分离。
(4)GaAs衬底清洗处理：首先依次用丙酮、无水乙醇清洗衬底，然后用20wt％HCl溶液去除GaAs衬底上的氧化层；最后用高纯干燥氮气吹干。
(5)CNT＠MoS2复合空穴传输层转移：令步骤(3)中得到的带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层浮于去离子水上，使用步骤(4)中清洗过后的GaAs衬底将其捞起并在室温下自然干燥，得到带有PMMA支撑层的GaAs/CNT＠MoS2结构。
(5)将步骤(5)中得到的带有PMMA支撑层的GaAs/CNT＠MoS2结构浸泡在丙酮溶液中两轮，时长分别为10min和30min，得到GaAs/CNT＠MoS2结构。
(6)CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备具体步骤如下：
(i)用电子束蒸发沉积金属层Au与GaAs背面形成欧姆接触。
(ii)用掩模版辅助电子束蒸发沉积图案化金属层Ag与CNT＠MoS2复合空穴传输层接触。
(iii)使用太阳光模拟器进行光电性能测试。
测试得到光电流密度－偏压曲线，见图2。本实施例制备得到的CNT＠MoS2异质结太阳电池，开路电压(Voc)为0.63V、短路电流密度(Isc)为21.59mA/cm2、填充因子(FF)为65.22、光电转化效率(Ef)为8.23％。
对比例1
不引入CNT的三层MoS2与GaAs制备GaAs/MoS2异质结太阳电池，制备流程如下：
(1)SiO2衬底清洗处理：依次使用丙酮、乙醇进行超声清洗，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属(Mo)镀层。所述磁控溅射压强0.7Pa、钼靶直流电功率23.8W、托盘温度120℃、溅射时间10s。
(2)通过化学气相沉积法(CVD)步骤(1)中所得SiO2衬底上的Mo金属镀层硫化为MoS2，完成MoS2空穴传输层的制备。随后在空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化得到带有PMMA支撑层的MoS2空穴传输层，加热固化的温度为80℃。
(3)将步骤(2)中制得带有MoS2空穴传输层及PMMA支撑层的SiO2衬底浸泡在15wt％的HF溶液中以刻蚀去除SiO2层，将带有PMMA支撑层的MoS2空穴传输层与衬底分离。
(4)GaAs衬底清洗处理：首先依次用丙酮、无水乙醇清洗衬底，然后用20wt％HCl溶液去除GaAs衬底上的氧化层；最后用高纯干燥氮气吹干。
(5)MoS2空穴传输层转移：令步骤(3)中得到的带有PMMA支撑层的MoS2空穴传输层浮于去离子水上，使用步骤(4)中清洗过后的GaAs衬底将其捞起并在室温下自然干燥，得到带有PMMA支撑层的GaAs/MoS2结构。
(5)将步骤(5)中得到的带有PMMA支撑层的GaAs/MoS2结构浸泡在丙酮溶液中两轮，时长分别为10min和30min，得到GaAs/MoS2结构。
(6)GaAs/MoS2异质结太阳电池的制备具体步骤如下：
(i)用电子束蒸发沉积金属层Au与GaAs背面形成欧姆接触。
(ii)用掩模版辅助电子束蒸发沉积图案化金属层Ag与MoS2空穴传输层接触。
(iii)使用太阳光模拟器进行光电性能测试。
本对比例制备得到的GaAs/MoS2异质结太阳电池，开路电压(Voc)为0.35V、短路电流密度(Isc)为0.02mA/cm2、填充因子(FF)为58.20、光电转化效率(Ef)为0.002％，远低于实施例1的效果。
相较于背景技术中介绍的应用实例，利用CNT与三层MoS2结合制备的CNT＠MoS2复合空穴传输层与其GaAs异质结太阳电池，被认为是解决这一问题的方便、快捷、长效方法。CNT原料价格较低，本申请中三层MoS2制备方法工艺简便、对设备要求较低，并且能够实现较高的太阳电池光电转化效率，在太阳电池领域具有重要的应用前景。
本申请公开了太阳电池的制备方法，制备工艺流程简便，可实现大规模推广应用。同时器件结构设计新颖，所制备太阳电池器件具有低成本，较高光伏转化效率，较好的光伏性能的特点。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包括于本申请的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种CNT＠MoS2异质结太阳电池，其特征在于，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。
2.一种CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
在GaAs衬底的一表面制备背面电极；
在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层；
在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。
3.根据权利要求2所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备方法，包括：
利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层并通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，完成CNT＠MoS2复合空穴传输层的制备。
4.根据权利要求3所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层，包括：
将SiO2衬底依次使用有机溶剂、乙醇进行超声清洗，利用CNT分散液经由抽滤制成CNT薄膜，将CNT薄膜转移至清洗干净的SiO2衬底表面，干燥后，通过磁控溅射在CNT薄膜上沉积钼金属镀层；其中，CNT分散液浓度为0.05～0.18mgmL-1，所述磁控溅射压强为0.6～0.8Pa，钼靶直流电功率为20～50W，托盘温度为80～200℃，溅射时间为5～100s。
5.根据权利要求4所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述通过化学气相沉积法将钼金属镀层硫化为MoS2，包括：
在管式炉中由氮气氛围的保护下使得硫粉蒸发，并由氮气束流将硫蒸气吹至SiO2衬底所在的高温反应区，将磁控溅射至CNT薄膜上的钼金属镀层硫化为MoS2；其中，氮气气流为5～50ccm，硫化温度为600～850℃，硫化保温时间为10～60min。
6.根据权利要求2-5任一项所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述GaAs衬底在制备背面电极之前，采用有机溶剂和水对GaAs衬底进行依次超声清洗，用稀盐酸溶液处理GaAs衬底，随后用水漂洗干净最后用高纯干燥氮气吹干；其中，所述有机溶剂包括丙酮和无水乙醇；所述稀盐酸溶液的浓度为5～20wt％。
7.根据权利要求2-5任一项所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，在GaAs衬底的一表面制备背面电极时，在GaAs衬底的一表面进行背面电极的真空蒸发镀膜，随后进行退火，使得GaAs衬底与背面电极形成欧姆接触。
8.根据权利要求3-5任一项所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层，包括：
在CNT＠MoS2复合空穴传输层上滴涂PMMA溶液并加热固化，得到带有PMMA支撑层的复合空穴传输层；
通过氢氟酸刻蚀SiO2层后，将带有PMMA支撑层的CNT＠MoS2复合空穴传输层转移至清洁后的GaAs衬底上并干燥；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底去除PMMA支撑层，获得CNT＠MoS2复合空穴传输层。
9.根据权利要求8所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述加热固化的温度为70～100℃；
所述氢氟酸的浓度为15～50wt％；
将带有CNT＠MoS2复合空穴传输层的GaAs衬底浸泡在丙酮溶液中，去除PMMA支撑层。
10.根据权利要求2-5任一项所述的CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述正面电极为金、银、钛、铜、镍、铂、氧化锡锑和铝掺氧化锌中任一种的单一电极或多种的复合电极。
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