CN117238651A - 一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，包括以下步骤：配料及熔炼：按照配方比例26‑32wt％的PrNd、0‑5wt％的Dy、0.8‑1.1wt％的B、0‑0.5wt％的Al、0‑0.5wt％的Cu、0‑0.1wt％的Nb、0‑0.1wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料进行熔炼，得到合金熔液。甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，得到甩带。制粉：将甩带进行制粉，得到钕铁硼材料粉末。成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，得到毛坯。烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，得到钕铁硼磁体。加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工，将钕铁硼磁体的易退磁部位留空，在留空处放入耐高温磁体，将耐高温磁体与钕铁硼磁体进行粘接。本申请提高了钕铁硼磁体易退磁部位的耐高温性能。
Description
技术领域
本申请涉及永磁材料领域，尤其涉及一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法。
背景技术
永磁材料作为“工业味精”，已经广泛应用到计算机技术、微彼通信技术、汽车、航空航空、新能源、仪表技术、深海设备及节能减排行业等各个重要领域。钕铁硼由于其剩磁高，磁能积高，广泛应用在各行各业中。特别是电机行业中，由于其高磁能密度，可提供更高的磁能，显著降低电机重量，达到节能减排的效果。经过长期发展，钕铁硼现在衍生了针对不同使用环境和温度的多种牌号，特别是在电机使用中，基本要求使用温度在100℃以上。部分高温电机要求使用温度为150℃或者180℃以上，此时对应的钕铁硼牌号为UH或EH.UH或EH牌号中重稀土含量高，导致成本大幅度提高，即使是现在使用的晶界扩散技术，及时大幅度降低了重稀土的用量，但成本仍然非常高，且晶界扩散技术受限于磁体尺寸。在电机实际的使用过程中，发现电机中的磁钢退磁是某些部位退磁，导致磁钢整体磁性能降低，常规做法是提高整体磁体的内禀矫顽力，但若能提高易退磁部位的耐温性，则就不必提高磁体的内禀矫顽力。
发明内容
本申请提供一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，能够解决现有钕铁硼实际使用时局部退磁大的问题。
本申请采用了下列技术方案：
本申请提供了一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，包括以下步骤：配料及熔炼：按照配方比例26-32wt％的PrNd、0-5wt％的Dy、0.8-1.1wt％的B、0-0.5wt％的Al、0-0.5wt％的Cu、0-0.1wt％的Nb、0-0.1wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料进行熔炼，得到合金熔液。甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，得到甩带。制粉：将甩带进行制粉，得到钕铁硼材料粉末。成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，得到毛坯。烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，得到钕铁硼磁体。加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工，将钕铁硼磁体的易退磁部位留空，在留空处放入耐高温磁体，将耐高温磁体与钕铁硼磁体进行粘接。
进一步地，配料及熔炼步骤中，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行熔炼，熔炼温度为1460-1500℃。
进一步地，甩带步骤中，浇注温度为1420-1480℃，铜辊转速为1.2-1.6m/s。
进一步地，制粉步骤中，将甩带进行粗破后，输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.4-0.7MPa，并将颗粒的表面积平均粒径控制在2.8-3.4μm之间。
进一步地，成型步骤中，成型压力为10-40MPa，充磁电流为2000-3000A，退磁电流为800-1500A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在200-280MPa压力下的冷等静压机中保压20-180s。
进一步地，烧结及时效步骤中，升温至1020-1100℃，保温2-6h，进行烧结。
进一步地，升温至1020-1100℃前，在300-500℃之间设置保温平台。
进一步地，烧结结束前5-20min充入80-130kPa惰性气体，烧结结束后冷却至100℃以下，再以1-10℃/min升温至850-950℃，保温2-5h，进行第一次时效。
进一步地，第一次时效完成后升温至450-550℃，保温2-6h，进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉。
进一步地，加工及粘接步骤中，耐高温磁体包括铝镍钴，钐钴，钐铁氮中的至少一种，粘接所用的胶水为耐高温胶。
与现有技术相比，本申请具有如下有益效果：
本申请制备的钕铁硼磁体的耐高温性能较佳，且通过将钕铁硼磁体的易退磁部位留空，在留空处放入耐高温磁体，将耐高温磁体与钕铁硼磁体进行粘接，提高钕铁硼磁体易退磁部位的耐高温性能。
附图说明
图1为本申请的实施例中提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法的流程示意图；
图2为本申请的一种实施例中钕铁硼磁体与耐高温磁体的粘接示意图；
图3为本申请的另一种实施例中钕铁硼磁体与耐高温磁体的粘接示意图。
具体实施方式
下面将对本申请实施例中的技术方法进行清晰、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参阅图1-3，本申请的实施例提供了一种提高钕铁硼磁体(Nd-Fe-B磁体)局部耐温性的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料及熔炼：按照配方比例26-32wt％的PrNd、0-5wt％的Dy、0.8-1.1wt％的B、0-0.5wt％的Al、0-0.5wt％的Cu、0-0.1wt％的Nb、0-0.1wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料进行熔炼，得到合金熔液。
上述步骤中，PrNd的质量分数可以为26、30、32wt％等。Dy的质量分数可以为0、3、5wt％等。B的质量分数可以为0.8、0.9、1.1％等。Al的质量分数可以为0、0.2、0.5wt％等。Cu的质量分数可以为0、0.2、0.5wt％等。Nb的质量分数可以为0、0.05、0.1wt％等。Zr的质量分数可以为0、0.05、0.1wt％等。例如，钕铁硼磁体的配方比例为31wt％的PrNd、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe。
将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1460-1500℃，如1460、1480、1500℃。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，得到甩带。
上述步骤中，浇注温度为1420-1480℃，如浇注温度为1420、1460、1480℃，铜辊转速为1.2-1.6m/s，如1.2、1.4、1.6m/s。
(3)制粉：将甩带进行制粉，得到钕铁硼材料粉末。
上述步骤中，将甩带进行粗破后，输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.4-0.7MPa，如0.4、0.5、0.7MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.4μm之间，如2.8-3.0μm、3.0-3.2μm、3.2-3.4μm。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，得到毛坯。
上述步骤中，成型压力为10-40MPa，如10、20、40MPa，充磁电流为2000-3000A，如2000、2500、3000A，退磁电流为800-1500A，如800、1200、1500A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在200-280MPa，如200、220、260、280MPa压力下的冷等静压机中保压20-180s，如20、30、100、180s。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，得到钕铁硼磁体。
上述步骤中，烧结及时效步骤中，升温至1020-1100℃，如1020、1050、1100℃，保温2-6h，如2、4、6h，进行烧结。升温至1020-1100℃前，在300-500℃之间设置保温平台，如300、400、500℃，以除去成型步骤得到的毛坯内的有机添加剂。烧结结束前5-20min，如5、10、15、20min充入80-130kPa，如80、82、100、130kPa惰性气体，烧结结束后快冷或自冷至100℃以下，再以1-10℃/min，如1、7、10℃/min，升温至850-950℃，如850、900、950℃，保温2-5h，如2、3、5h，进行第一次时效。第一次时效完成后升温至450-550℃，如450、500、550℃，保温2-6h，如2、5、6h，进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工，如加工成50mm*30mm*10mm，将钕铁硼磁体的易退磁部位，如中间部位、边角部位留空，在留空处放入耐高温磁体，如10mm*10mm*10mm耐高温磁体，将耐高温磁体与钕铁硼磁体进行粘接。
上述步骤中，耐高温磁体为铝镍钴，钐钴，钐铁氮中的至少一种。如耐高温磁体为铝镍钴，耐高温磁体为钐钴，耐高温磁体为钐钴和钐铁氮。粘接所用的胶水为耐高温胶，如2860胶水。耐高温胶的最高使用温度250℃。
将上述粘接好的磁体进行退磁率测试。
下面结合具体实施例进行详细说明：
实施例1
(1)配料及熔炼：按照配方比例31wt％的PrNd、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1480
℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1460℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1050℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm钐钴30H性能磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行120℃*2h，铝板退磁率测试。
实施例2
(1)配料及熔炼：按照配方比例31wt％的PrNd、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1480
℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1460℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1050℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm铝镍钴8类磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行120℃*2h，铝板退磁率测试。
实施例3
(1)配料及熔炼：按照配方比例31wt％的PrNd、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1480
℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1460℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1050℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm铁氧体Y28H磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行120℃*2h，铝板退磁率测试。
实施例4
(1)配料及熔炼：按照配方比例30wt％的PrNd、1.0wt％Dy、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1490℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1470℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1055℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm钐钴30H性能磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行140℃*2h，5mm铁板退磁率测试。
实施例5
(1)配料及熔炼：按照配方比例30wt％的PrNd、1.0wt％Dy、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1490℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1470℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1055℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm铝镍钴8类磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行140℃*2h，铝板退磁率测试。
实施例6
(1)配料及熔炼：按照配方比例30wt％的PrNd、1.0wt％Dy、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1490℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1470℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1055℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工及粘接：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mm铁氧体Y28H磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行140℃*2h，铝板退磁率测试。
对比例1(与实施例1-3的区别仅在于：不粘接耐高温磁体)
(1)配料及熔炼：按照配方比例31wt％的PrNd、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1480℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1460℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1050℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，进行120℃*2h，铝板退磁率测试。
对比例2(与实施例4-6的区别仅在于：不粘接耐高温磁体)
(1)配料及熔炼：按照配方比例30wt％的PrNd、1.0wt％Dy、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1490℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1470℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1055℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，进行140℃*2h，铝板退磁率测试。
对比例3(与实施例4-6的区别仅在于：粘接NdFeB N38UH性能磁体)
(1)配料及熔炼：按照配方比例30wt％的PrNd、1.0wt％Dy、0.92wt％的B、0.2wt％的Al、0.2wt％的Cu、0.04wt％的Nb、0.04wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行升温熔炼，熔炼温度为1490℃，得到合金熔液。
(2)甩带：将合金熔液浇注到旋转的铜辊上，浇注温度为1470℃，铜辊转速为1.4m/s，得到甩带。
(3)制粉：将甩带进行粗破后，将其输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.5MPa，并将颗粒的表面积平均粒径(SMD)控制在2.8-3.0μm之间，得到钕铁硼材料粉末。
(4)成型：将钕铁硼材料粉末压制成型，其中，成型压力为20MPa，充磁电流为2000A，退磁电流为1200A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在220MPa压力下的冷等静压机中保压30s，得到毛坯。
(5)烧结及时效：将毛坯进行烧结及时效，其中，在300到500℃之间设置保温平台，以除去毛坯内的有机添加剂，然后升温至1055℃，保温4h进行烧结，烧结结束前15min充入85kPa惰性气体，烧结结束后快冷至100℃以下，再以7℃/min升温至900℃，保温3h进行第一次时效，第一次时效完成后升温至500℃，保温5h进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉，得到钕铁硼磁体。
(6)加工：将钕铁硼磁体进行加工成50mm*30mm*10mm，将磁体中间放入10mm*10mm*10mmNdFeB N38UH性能磁体，并用2860胶水进行固化。将粘接好的磁体进行140℃*2h，铝板退磁率测试。
为了验证本申请实施例提供的钐钴永磁合金的性能，将上述实施例1-6及对比例1-3制得的材料进行高温退磁测试，性能结果如下表1：
从表1可以看出，实施例1-6中的钕铁硼磁体的退磁率明显小于对比例1-2，说明在耐温性能差的钕铁硼磁体易退磁部位替换为耐高温磁体，有助于降低其退磁率，提高其高温磁性能。对比例3中中间磁体为钕铁硼38UH性能，虽然其退磁率与铁氧体相当，但其含重稀土Dy，价格远远高于铁氧体，故性价比低。
以上显示和描述了本申请的基本原理、主要特征和本申请的优点。本行业的技术人员应该了解，本申请不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本申请的原理，在不脱离本申请精神和范围的前提下，本申请还会有各种变化和改进，本申请要求保护范围由所附的权利要求书、说明书及其等效物界定。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非对本申请保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本申请作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本申请技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
配料及熔炼：按照配方比例26-32wt％的PrNd、0-5wt％的Dy、0.8-1.1wt％的B、0-0.5wt％的Al、0-0.5wt％的Cu、0-0.1wt％的Nb、0-0.1wt％的Zr、其余为Fe进行配料，将配料进行熔炼，得到合金熔液；
甩带：将所述合金熔液浇注到旋转的铜辊上，得到甩带；
制粉：将甩带进行制粉，得到钕铁硼材料粉末；
成型：将所述钕铁硼材料粉末压制成型，得到毛坯；
烧结及时效：将所述毛坯进行烧结及时效，得到钕铁硼磁体；
加工及粘接：将所述钕铁硼磁体进行加工，将所述钕铁硼磁体的易退磁部位留空，在留空处放入耐高温磁体，将所述耐高温磁体与所述钕铁硼磁体进行粘接。
2.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
配料及熔炼步骤中，将配料放入甩带炉中，抽真空至5Pa以下后进行熔炼，熔炼温度为1460-1500℃。
3.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
甩带步骤中，浇注温度为1420-1480℃，铜辊转速为1.2-1.6m/s。
4.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
制粉步骤中，将甩带进行粗破后，输送至氧含量低于50ppm的气流磨内进行制粉，设置研磨压力为0.4-0.7MPa，并将颗粒的表面积平均粒径控制在2.8-3.4μm之间。
5.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
成型步骤中，成型压力为10-40MPa，充磁电流为2000-3000A，退磁电流为800-1500A的磁场中进行取向，压制过程中充入惰性气体进行保护，成型好的生坯进行真空封装，然后在200-280MPa压力下的冷等静压机中保压20-180s。
6.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
烧结及时效步骤中，升温至1020-1100℃，保温2-6h，进行烧结。
7.如权利要求6所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
升温至1020-1100℃前，在300-500℃之间设置保温平台。
8.如权利要求6所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
烧结结束前5-20min充入80-130kPa惰性气体，烧结结束后冷却至100℃以下，再以1-10℃/min升温至850-950℃，保温2-5h，进行第一次时效。
9.如权利要求7所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
第一次时效完成后升温至450-550℃，保温2-6h，进行第二次时效，第二次时效结束后冷至80℃以下，出炉。
10.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体局部耐温性的制备方法，其特征在于，
加工及粘接步骤中，所述耐高温磁体包括铝镍钴，钐钴，钐铁氮中的至少一种，粘接所用的胶水为耐高温胶。
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