CN117223083A - 聚焦离子束装置 - Google Patents

Abstract

聚光透镜对离子束进行加工，以使其成为平行射束形状，在聚光透镜与物镜之间具备电动光圈，该电动光圈改变由聚光透镜加工后的离子束的通过面积来控制射束直径，具备多个射束遮挡板单元，该射束遮挡板单元由一对射束遮挡板构成，该一对射束遮挡板以从两侧夹着通过了聚光透镜的离子束的方式对置且能够沿着与离子束的光轴呈直角的方向进行移动，多个射束遮挡板单元包围离子束且设定离子束的通过离子束直径，多个射束遮挡板单元沿着离子束的光轴方向彼此偏置。

Description

聚焦离子束装置

技术领域

本发明涉及聚焦离子束装置。

背景技术

现有的聚焦离子束装置构成为利用聚光透镜和对物透镜这两级静电透镜系统将离子束聚焦到试样面上。通过利用场致发射使作为液体金属的例如镓离子化来产生离子束。该离子束在从液体金属离子源的前端放出之后，被加速电压(一部分为离子过电压)加速而一边以规定的放射角度呈圆锥形状扩展一边向聚光透镜入射。入射到聚光透镜的离子束由于轨道因聚光透镜内的电场分布而发生变化，由此射束的扩展被缓和而被加工为比上述规定的放射角度窄地扩展的放射形状。

作为现有的聚焦离子束装置，已知有在聚光透镜的上游侧及下游侧配置光圈的技术(例如参照专利文献1)。配置在聚光透镜的下游侧的光圈能够设定开口的直径尺寸不同的多个孔。该下游侧的光圈能够调整具有如上述那样扩展的放射形状的离子束所通过的开口面积。在该聚焦离子束装置中，通过了下游侧的光圈的离子束由对物透镜聚焦而到达试样面。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020－64788号公报

发明内容

本发明要解决的问题

在上述的聚焦离子束装置中，通过了聚光透镜的离子束直接以放射形状到达下游侧的光圈。就放射形状的离子束而言，在与光轴呈直角的方向的位置处存在通过离子量的偏差。因而，每当下游侧的光圈中的孔的直径尺寸发生变化时，通过了该光圈的离子束的特性会改变。因而，在上述的聚焦离子束装置中，每次将下游侧的光圈的开口切换为不同的直径尺寸时，都需要独立地调整像散校正电压、轴调整对准器电压。因此，存在离子束的电流值的调整需要时间这样的课题。

本发明鉴于上述的课题而作成，其目的在于实现能够迅速且精度良好地调整离子束的电流值的聚焦离子束装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，达成目的，本发明的方案涉及的聚焦离子束装置具备：液体金属离子源；对从该液体金属离子源产生的离子束进行加工的聚光透镜；以及使通过了该聚光透镜的离子束聚焦而向试样面照射的物镜，所述聚焦离子束装置的特征在于，所述聚光透镜对离子束进行加工，以使其成为平行射束形状，在所述聚光透镜与所述物镜之间具备电动光圈，该电动光圈改变由所述聚光透镜加工后的离子束的通过面积来控制射束直径，该电动光圈具备多个射束遮挡板单元，所述射束遮挡板单元由一对射束遮挡板构成，该一对射束遮挡板以从两侧夹着通过了所述聚光透镜的离子束的方式对置且能够沿着与离子束的光轴呈直角的方向进行移动，构成所述多个射束遮挡板单元的所述射束遮挡板包围所述离子束且设定离子束的通过面积，所述多个射束遮挡板单元沿着离子束的光轴方向彼此偏置。

作为上述方案，优选的是，在所述电动光圈的下游侧配置有像散校正用消像散器，该像散校正用消像散器以包围离子束的方式配置且具备多个极化透镜，所述电动光圈具备与所述极化透镜相同数量的所述射束遮挡板。

作为上述方案，优选的是，所述电动光圈由四个射束遮挡板单元构成，所述射束遮挡板单元在从离子束的光轴方向得到的投影中配置在以离子束的光轴为中心而沿着离子束的外周方向彼此旋转移动了45度的角度的位置处。

作为上述方案，优选的是，所述射束遮挡板单元的所述射束遮挡板彼此相对于离子束的光轴等距离地同步移动。

作为上述方案，优选的是，所述多个射束遮挡板单元同步地移动。

作为上述方案，优选的是，所述电动光圈使离子束的通过面积连续地变化。

作为上述方案，优选的是，所述多个射束遮挡板单元在从离子束的光轴方向得到的投影中形成为，使离子束通过的开口为以离子束的光轴为中心且周缘沿着所述像散校正用消像散器的电场控制方向规则地变化的多边形。

作为上述方案，优选的是，在从离子束的光轴方向得到的投影中，构成所述电动光圈的多个所述射束遮挡板配置在与所述极化透镜依次对应的位置。

作为上述方案，优选的是，所述聚焦离子束装置具备光圈选择基板，该光圈选择基板控制离子束的射束直径且形成有开口直径不同的多个开口。

发明效果

根据本发明的聚焦离子束装置，能够迅速且精度良好地调整离子束的电流值。

附图说明

图1是示意性表示本发明的第一实施方式的聚焦离子束装置的概要的结构说明图。

图2-1是表示本发明的第一实施方式的聚焦离子束装置中的离子束的光轴方向的投影的说明图，示出将电动光圈的离子束通过面积(开口)设定得大的状态。

图2-2是表示本发明的第一实施方式的聚焦离子束装置中的离子束的光轴方向的投影的说明图，示出将电动光圈的离子束通过面积(开口)设定得小的状态。

图3是表示本发明的第一实施方式的聚焦离子束装置中的射束遮挡板单元的动作的说明图。

图4是本发明的第一实施方式的聚焦离子束装置中的像散校正用消像散器(stigma)的俯视图。

图5是表示使用本发明的聚焦离子束装置来产生离子束的情况下的射束电流与射束直径之间的关系的图。

图6是示意性表示本发明的第二实施方式的聚焦离子束装置的概要的结构说明图。

图7是表示本发明的第二实施方式的聚焦离子束装置中的光圈选择基板的俯视图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式的聚焦离子束装置的详细情况进行说明。其中，应留意的是，附图是示意性的，各构件的数量、各构件的尺寸、尺寸的比例、形状等与实际不同。另外，在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比例、形状不同的部分。

本实施方式的聚焦离子束装置能够用于作为试样的光掩模、TFT基板等的修正。另外，本发明的聚焦离子束装置还能够适用于对试样进行直接曝光的曝光装置、能够进行试样的表面状态的观察的扫描电子显微镜等。

[第一实施方式](聚焦离子束装置的简要结构)

图1示出第一实施方式的聚焦离子束装置1的简要结构。聚焦离子束装置1具备聚焦离子束柱状体(以下，称为FIB柱状体)2和控制部13。在FIB柱状体2的下方设置有配置试样S的基板支承台15，聚焦离子束装置1具备使该基板支承台15在X－Y方向上移动的X－Y工作台、使该基板支承台15沿着Z方向移动的升降机构等。

在FIB柱状体2连接有未图示的真空泵，能够将FIB柱状体2内保持为规定的低压力。在FIB柱状体2内依次配置有液体金属离子源3、聚光透镜4、电动光圈(aperture)5、像散校正用消像散器6、消隐器(blanker)7、消隐光圈8、偏转器9、物镜10、二次带电粒子检测器11、沉积用气体供给管12。

液体金属离子源3具备作为液体金属的例如镓(Ga)。在液体金属离子源3中，利用场致发射使液体金属离子化而从液体金属离子源3的前端放出。从液体金属离子源3放出的镓离子(Ga+)由聚光透镜4中的最上游侧的引出电极以加速电压(一部分为离子过电压)加速，成为带有规定的放出角度的离子束IB。

聚光透镜4是静电透镜，设定为将入射的离子束IB加工为平行射束形状的离子束IBp。

如图1及图2－1所示，电动光圈5具备能够沿着与离子束IB的光轴呈直角的方向进行移动的四个射束遮挡板单元51、52、53、54。这些射束遮挡板单元51、52、53、54配置在沿着离子束IBp的光轴方向彼此偏置的位置处。另外，图1所示的方向A1、A2、A3、A4在图中虽绘制为相同方向，但实际上如图2－1所示，方向A1、A2、A3、A4设定为成为以光轴IBa为中心而沿着离子束IB的外周方向彼此错开45度地旋转移动了的朝向。

图3是射束遮挡板单元51的从离子束IBp的光轴IBa方向观察得到的投影。如图2－1及图3所示，射束遮挡板单元51由一对射束遮挡板5A、5E构成。如图2－1所示，射束遮挡板单元52由一对射束遮挡板5B、5F构成。射束遮挡板单元53由一对射束遮挡板5C、5G构成。射束遮挡板单元54由一对射束遮挡板5D、5H构成。

另外，在图2－1及图2－2中，虽然在投影中存在重叠的部分，但为了便于说明，将所有的射束遮挡板5A～5H用实线绘制。

射束遮挡板单元51的射束遮挡板5A、5E以从两侧(与光轴IBa呈直角的方向A1的两侧)夹着通过聚光透镜4而成为平行射束形状的离子束IBp的方式对置配置。上述的射束遮挡板5A、5E设定为以沿着方向A1彼此接近、远离的方式同步地移动。另外，射束遮挡板5A、5E由未图示的促动器驱动而沿着方向A1进行移动。

该射束遮挡板单元51通过使射束遮挡板5A、5E彼此接近或远离，由此能够从两方均等地变更离子束IBp的通过宽度。另外，还能够通过使射束遮挡板5A、5E彼此远离来后退到不与离子束IBp发生干涉的位置。

射束遮挡板单元52、53、54具有与射束遮挡板单元51同样的结构。其中，射束遮挡板单元52如图2－1所示以射束遮挡板5B、5F沿着方向A2移动的方式配置。方向A2是相对于上述方向A1以离子束IBp的光轴IBa为旋转中心向图中顺时针方向旋转移动了45度的方向。

射束遮挡板单元53如图2－1所示以射束遮挡板5C、5G沿着方向A3移动的方式配置。方向A3是相对于上述方向A2以离子束IBp的光轴IBa为旋转中心向顺时针方向旋转移动了45度的方向。

射束遮挡板单元54如图2－1所示以射束遮挡板5D、5H沿着方向A4移动的方式配置。方向A4是相对于上述方向A3以离子束IBp的光轴IBa为旋转中心向顺时针方向旋转移动了45度的方向。

上述结构的电动光圈5通过控制构成四个射束遮挡板单元51、52、53、54的八片射束遮挡板5A～5H的移动动作，由此能够以所形成的开口AP的直径连续地变化的方式进行控制。开口AP是以离子束IBp的光轴IBa为中心且周缘沿着像散校正用消像散器6的电场控制方向规则地变化的多边形。根据本实施方式，即便开口AP不是圆形，也能够精度良好地连续调整离子束IBp的通过面积。

离子束IBp通过电动光圈5而被调整射束直径，由此成为离子束IBt。图2－1示出以增大电动光圈5的开口AP的直径的方式进行了控制的状态的开口AP1。在本实施方式中，还包括开口AP的直径比离子束IBp的直径大的情况。图2－2示出以减小电动光圈5的开口AP的直径的方式进行了控制的状态的开口AP2。在该状态下，离子束IBp被电动光圈5以射束直径减小的方式加工。

如图4所示，在本实施方式中，像散校正用消像散器6由将两组的四极化透镜组合而成的八个极化透镜(八极化透镜)6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G、6H来构成。两组的四极化透镜以离子束IBt的光轴IBa为中心旋转45度地配置，各极化透镜6A～6H配置在彼此旋转移动了45度的位置处。通过改变两组的四极化透镜的电流值的大小和比，由此能够改变离子束IBt的校正量和校正方向。另外，上述的构成电动光圈5的八片射束遮挡板5A～5H配置在与上述极化透镜6A～6H对应的位置。

消隐器7具有如下的功能：通过被施加消隐电压，由此使离子束IBt偏转而导向消隐光圈8的遮光部(没有形成开口的区域)，使得离子束IBt不朝向试样S。

偏转器9能够使通过了电动光圈5的离子束IBt偏转而在X－Y方向上扫描。物镜10根据控制以使离子束IBt对焦在试样S的上表面(试样面)的方式进行聚焦。

如图1所示，在FIB柱状体2的下部设置有二次带电粒子检测器11及沉积用气体供给管12。

控制部13与液体金属离子源3、聚光透镜4、电动光圈5、像散校正用消像散器6、消隐器7、偏转器9、二次带电粒子检测器11、向沉积用气体供给管12供给沉积用气体的未图示的沉积用气体供给部等连接。

(作用、动作及效果)

在这样构成的聚焦离子束装置1中，基于来自控制部13的控制信号向液体金属离子源3施加引出电压，使离子束IB从液体金属离子源3以规定的放射形状放出。

聚光透镜4基于来自控制部13的控制信号，将从液体金属离子源3放出的离子束IB加工为平行射束形状的离子束IBp。

电动光圈5基于来自控制部13的控制信号，使包围离子束IB的各射束遮挡板单元51、52、53、54动作来设定用于决定离子束IBp的通过面积的开口AP的直径尺寸。电动光圈5通过设定开口AP的直径尺寸，由此能够进行到达试样S的上表面的期望的射束电流值及射束直径的控制。

图2－1及图2－2示出使电动光圈5的开口AP的宽广度变化的状态。图2－1示出设定为具有能够确保适合于试样S的加工处理的强度的射束电流值和射束直径这样比较大的通过面积的开口AP1的状态。图2－2示出设定为具有实现适合于试样S的加工预定部位的检测或表面的观察的强度的射束电流值和射束直径这样比较小的通过面积的开口AP2的状态。

通过了设定为图2－1所示这样比较大的开口AP1的电动光圈5的离子束IBt(参照图1)，由物镜10聚焦而设定为向试样S的加工预定部位照射。此时，通过从沉积用气体供给管12朝向试样S供给沉积用气体，由此能够在试样S的上表面形成沉积膜。

通过了设定为图2－2所示这样比较小的开口AP2的电动光圈5的射束直径小的离子束IBt(参照图1)，由物镜10聚焦而设定为向试样S的观察预定部位照射。此时，二次带电粒子检测器11捕捉从照射了离子束IBt的位置产生的二次带电粒子(二次电子、二次离子等)。能够基于由该二次带电粒子检测器11检测出的强度信息，边扫描离子束IBt边获取数据作为图像。因此，能够确认照射了离子束IBt的试样S的表面形状。离子束IBt的扫描动作通过偏转器9的作用来进行。

图5示出使用了本实施方式的聚焦离子束装置1的情况下的到达试样S的表面的离子束IBt的电流值与射束直径之间的关系。曲线(1)、(2)、(3)是将平行射束形状的离子束IBp的施加电压依次设为15kV、10kV、5kV的实施例，示出若减小射束电流值则射束直径也变小、若增大射束电流值则射束直径也变大这样的关系。

曲线(1)中的用○表示的位置Co是能获得适合于试样S的表面观察的射束电流值和射束直径的位置。具体而言，在位置Co处，能够实现射束电流值为1pA且射束直径为40nm的条件。在位置Co的条件下，射束电流值小，因此不会损伤试样S。

另外，曲线(1)中的用○表示的位置Cp是能获得适合于对试样S的表面进行加工处理的射束电流值和射束直径的位置。具体而言，在位置Cp处，能够实现射束电流值为20nA且射束直径为2.5μm的条件。上述的位置Co的条件与位置Cp的条件之间的移动能够通过控制电动光圈5的开口而连续且迅速地变化。

尤其是，根据本实施方式的聚焦离子束装置1，利用聚光透镜4形成平行射束形状的离子束IBp，因此离子束IBp的与光轴呈直角的方向上的射束强度(通过离子密度)的偏差小。另外，通过利用聚光透镜4来形成平行射束形状的离子束IBp，由此即便射束遮挡板单元51、52、53、54沿着光轴IBa方向偏置，也能够在离子束IBp的外周附近均匀地遮挡射束，因此能够避免离子束IBt的聚焦性能的恶化。

另外，在本实施方式的聚焦离子束装置1中，构成电动光圈5的射束遮挡板5A～5H的数量与构成像散校正用消像散器6的极化透镜6A～6H的数量相同，射束遮挡板5A～5H与极化透镜6A～6H的配置位置匹配。因此，即便使电动光圈5的开口AP的直径尺寸连续地变化，也能够在离子束IBt受到的来自像散校正用消像散器6的电场所起到的校正作用没有变化的状态下进行射束电流值的调整。因此，即便使电动光圈5的开口AP的直径尺寸变化，也无需每次都进行像散校正、轴调整对准器校正等调整。因而，根据本实施方式的聚焦离子束装置1，能够连续且迅速地调整射束电流值。

如上所述，在本实施方式中，能够利用电动光圈5连续地调整射束电流值，因此，能够在如图5所示的位置Co的条件那样降低射束电流值、例如设定为1pA的状态下调整像散校正电压、对准器电压和聚焦电压(聚光透镜4、物镜10的电压)。此时，由于射束电流值低，因此在试样S的表面几乎不会引起溅射，试样S不会受到损伤，能够进行准确的射束调整。并且，即便在该状态下利用电动光圈5对开口AP的直径进行增大变更，也能够使聚焦条件不发生变化地仅是增加射束电流值。即，根据本实施方式，能够变化为图5所示的位置Cp的条件(射束电流值为20nA)之后立刻对试样S进行加工。

在本实施方式的聚焦离子束装置1中，若设为除了像散校正用消像散器6以外还与未图示的对准器、偏转器9等的电极匹配地从八个方向(A1、A2、A3、A4)移动电动光圈5的射束遮挡板5A～5H来进行射束电流值的限制这样的结构，则能够进一步进行不受像散校正影响的射束电流值的调整。

在本实施方式的聚焦离子束装置1中，通过利用聚光透镜4将离子束IB形成为平行射束形状的离子束IBp，由此，即便射束遮挡板单元51、52、53、54在光轴IBa方向上偏置，也能够从离子束IBp的外周侧均等地缩小射束直径。

通常，在进行试样S的表面的观察的情况下，即便要用像散校正用消像散器6控制离子束IBp来缩小射束直径，调整也花费时间，因此，对试样S造成损害。在本实施方式中，不变更像散校正用消像散器6的条件而仅是使电动光圈5移动即可，因此，无需调整，能够不花费时间地迅速进行观察。

[第二实施方式]

图6示出本发明的第二实施方式的聚焦离子束装置1A的简要结构。该聚焦离子束装置1A的结构与上述的第一实施方式的聚焦离子束装置1的结构大致相同，不同点在于，在聚焦离子束装置1A中，构成为具备光圈选择基板14。

如图6所示，光圈选择基板14配置在电动光圈5的下游侧。如图7所示，光圈选择基板14是沿着具有射束遮挡性的金属板的长度方向依次将开口直径尺寸不同的开口部14A、14B、14C、14D配置成一列这样的结构。在本实施方式中，光圈选择基板14以列方向与方向A1一致的方式设定。

在本实施方式中，除了电动光圈5以外，还能够使用光圈选择基板14来进行离子束IBp的射束直径的调整。在本实施方式中，在从液体金属离子源3放出的离子束IB由聚光透镜4聚焦在光圈选择基板14的附近的射束模式时使用光圈选择基板14。此时，设为增大开口AP的直径而不存在电动光圈5的影响的状态。并且，对光圈选择基板14的开口部14A、14B、14C、14D进行选择，利用未图示的促动器使光圈选择基板14移动来调整射束电流值。

在图5中，曲线(4)是连续地示出施加电压为15kV且使用光圈选择基板14的情况下的、选择各开口部14A、14B、14C、14D时的射束电流值和射束直径的图。在离子束IB聚焦于光圈选择基板14的附近的射束模式时，通过使用该光圈选择基板14，由此能够进行减小观察的射束电流值以进一步减小射束直径的选择。因此，在进行试样S的表面的观察的情况下，使用光圈选择基板14来设为微小的射束电流值且小的射束直径是有效的。

(其他的实施方式)

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但不应理解构成实施方式的公开的一部分的论述及附图会限定本发明。对本领域技术人员来说，能够根据该公开而知晓各种各样的替代实施方式、实施例及应用技术。

在上述的各实施方式中，将构成电动光圈5的射束遮挡板5A～5H设定为与像散校正用消像散器6的极化透镜6A～6H相同数量，但也可以设为使上述那样构成电动光圈5的射束遮挡板的数量与未图示的对准器或偏转器9的电极的数量相同的结构。另外，优选对准器的电极与像散校正用消像散器6的极化透镜的数量相同。另外，在上述的各实施方式中，射束遮挡板5A～5H为八个，只要是由多对构成，则不限定于此。

在上述的各实施方式中，设为在FIB柱状体2的下部设置沉积用气体供给管12来供给沉积用气体的结构，但也可以设为供给蚀刻气体的结构。

在上述的各实施方式中，也可以增加离子束电流值来对试样S的表面进行溅射加工。还可以利用该现象来将聚焦离子束装置1、1A作为光掩模等的修正装置来使用。

在上述的各实施方式中，在射束遮挡板单元51、52、53、54中，设定为构成各射束遮挡板单元的成对的射束遮挡板彼此相对于离子束IBp的光轴IBa等距离地同步移动，但只要在进行基于离子束IBt实现的加工、观察时移动结束即可，也可以设为彼此不同步的结构。

符号说明

AP、AP1、AP2开口

IB 离子束

IBa 离子束的光轴

IBp 平行的离子束

IBt 通过了的离子束

1、1A聚焦离子束装置

2聚焦离子束柱状体(FIB柱状体)

3 液体金属离子源

4 聚光透镜

5 电动光圈

5A～5H射束遮挡板

6像散校正用消像散器

6A～6H极化透镜

7 消隐器

8 消隐光圈

9 偏转器

10 物镜

11 二次带电粒子检测器

12 沉积用气体供给管

13 控制部

14 光圈选择基板

14A、14B、14C、14D开口部

15基板支承台

51、52、53、54射束遮挡板单元

Claims (9)

1.一种聚焦离子束装置，其具备：

液体金属离子源；对从该液体金属离子源产生的离子束进行加工的聚光透镜；以及使通过了该聚光透镜的离子束聚焦而向试样面照射的物镜，

所述聚焦离子束装置的特征在于，

所述聚光透镜对离子束进行加工，以使其成为平行射束形状，

在所述聚光透镜与所述物镜之间具备电动光圈，该电动光圈改变由该聚光透镜加工后的离子束的通过面积来控制射束直径，

该电动光圈具备多个射束遮挡板单元，所述射束遮挡板单元由一对射束遮挡板构成，该一对射束遮挡板以从两侧夹着通过了所述聚光透镜的离子束的方式对置且能够沿着与离子束的光轴呈直角的方向进行移动，

构成所述多个射束遮挡板单元的所述射束遮挡板包围所述离子束且设定离子束的通过面积，

所述多个射束遮挡板单元沿着离子束的光轴方向彼此偏置。

2.根据权利要求1所述的聚焦离子束装置，其中，

在所述电动光圈的下游侧配置有像散校正用消像散器，该像散校正用消像散器以包围离子束的方式配置且具备多个极化透镜，

所述电动光圈具备与所述极化透镜相同数量的所述射束遮挡板。

3.根据权利要求1或2所述的聚焦离子束装置，其中，

所述电动光圈由四个所述射束遮挡板单元构成，

所述射束遮挡板单元在从离子束的光轴方向得到的投影中配置在以离子束的光轴为中心而沿着离子束的外周方向彼此旋转移动了45度的角度的位置处。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的聚焦离子束装置，其中，

所述射束遮挡板单元的所述射束遮挡板彼此相对于离子束的光轴等距离地同步移动。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的聚焦离子束装置，其中，

所述多个射束遮挡板单元同步地移动。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的聚焦离子束装置，其中，

所述电动光圈使离子束的通过面积连续地变化。

7.根据权利要求2所述的聚焦离子束装置，其中，

所述多个射束遮挡板单元在从离子束的光轴方向得到的投影中形成为，使离子束通过的开口为以离子束的光轴为中心且周缘沿着所述像散校正用消像散器的电场控制方向规则地变化的多边形。

8.根据权利要求2所述的聚焦离子束装置，其中，

在从离子束的光轴方向得到的投影中，构成所述电动光圈的多个所述射束遮挡板配置在与所述极化透镜依次对应的位置。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的聚焦离子束装置，其中，

所述聚焦离子束装置具备光圈选择基板，该光圈选择基板控制离子束的射束直径并且形成有开口直径不同的多个开口。