CN117219701A - 半导体工艺腔室及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括：腔室本体，所述腔室本体上设有抽气口；至少一个第一匀流板，在所述腔室本体内靠近所述抽气口的一侧设置，并将所述抽气口遮挡，每个所述第一匀流板上设置有多个匀流孔；连接组件，连接所述腔室本体和所述第一匀流板，并且至少一个所述第一匀流板相对所述抽气口的距离是可调节的。本申请可以通过改变第一匀流板的设置数量、第一匀流板相互之间的间距以及第一匀流板与抽气口之间的距离，来提高靠近抽气口一侧的石英舟上的硅片的膜厚均匀性。

Description

半导体工艺腔室及半导体工艺设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

随着光伏行业的发展，电池性能要求日益提高，新的太阳能电池片的制备方法不断涌现并日趋成熟。比如，采用卧式半导体炉在太阳能电池片(硅片)上沉积薄膜。

图1为现有的一种卧式半导体工艺腔室的结构示意图，该卧式半导体工艺腔室包括腔室本体10a、承载件20a和匀流板30a，腔室本体10a上设有进气口11a和抽气口12a，匀流板30a设置在抽气口12a的一端。进行工艺时，硅片置于石英舟40a中，并通过承载件20a载入腔室本体10a中，图1中承载件20a上载有10个石英舟40a，工艺气体从进气口11a进入，同时对抽气口12a进行抽气，工艺气体通过高温沉积在硅片表面形成薄膜。匀流板30a可以提高靠近抽气口12a的气体均匀性，以提高硅片上沉积的薄膜的均匀性。

随着产能不断的提升(即一次工艺时承载的石英舟40a的数量增多)、腔室本体10a管径的不断增大，炉尾气流分布不均，会导致靠近抽气口12a的石英舟40a上的硅片沉积的薄膜厚度不均。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，可以改善现有的半导体工艺腔室靠近抽气端容易出现气流不均而导致靠近抽气端的石英舟内的硅片上沉积的薄膜厚度均匀性较差的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室，包括：

腔室本体，所述腔室本体上设有抽气口；

至少一个第一匀流板，在所述腔室本体内靠近所述抽气口的一侧设置，并将所述抽气口遮挡，每个所述第一匀流板上均设置有多个匀流孔；

连接组件，连接所述腔室本体和所述第一匀流板，并且至少一个所述第一匀流板相对所述抽气口的距离是可调节的。

可选的，所述连接组件包括至少两个平行设置的套杆组件，所述套杆组件的一端与所述腔室本体连接；

所述第一匀流板上设置有与所述套杆组件一一对应的第一通孔，所述第一匀流板通过所述第一通孔与所述套杆组件连接，并且在所述套杆组件上的连接位置可调节。

可选的，所述套杆组件包括：

内轴，一端与所述腔室本体连接；

多个套管，沿所述内轴的轴向依次套设在所述内轴上，所述第一匀流板通过所述第一通孔套设在所述内轴上，并且任一所述第一匀流板被相邻的两个所述套管夹持固定。

可选的，所述内轴包括：

连接套，一端与所述腔室本体连接，另一端设置有沿所述连接套的轴向延伸的螺纹孔；

螺杆，一端与所述螺纹孔连接，所述多个套管自由套设在所述螺杆上，所述第一匀流板通过所述第一通孔套设在所述螺杆上；

所述套杆组件还包括：

第一螺母，连接在所述螺杆的另一端，用于在锁紧时将所述第一匀流板固定在所述第一螺母和所述连接套的端面之间。

可选的，所述套杆组件还包括：

第二螺母，连接在所述螺杆上，并靠近所述螺纹孔的端面设置，用于调整所述多个套管在所述螺杆上的套设位置，并与所述第一螺母将所述多个套管夹持固定。

可选的，所述的半导体工艺腔室还包括：

至少一个第二匀流板，与所述连接组件连接，并且至少一个所述第一匀流板位于所述第二匀流板远离所述抽气口的一侧，所述第二匀流板用于降低所述工艺腔室内的气体被抽出的速度。

可选的，所述的半导体工艺腔室还包括：

至少一个第二匀流板，靠近所述抽气口设置，并与所述连接套连接，用于降低所述工艺腔室内的气体被抽出的速度；

所述第一匀流板设置有两个以上，并且至少一个所述第一匀流板位于所述第二匀流板远离所述抽气口的一侧。

可选的，所述第二匀流板上设置的排风面积小于所述第一匀流板上所有所述匀流孔的面积之和。

可选的，所述第二匀流板在所述连接套上的位置是可调节的。

可选的，所述连接套设置有外螺纹；

所述第二匀流板上设置有与所述连接套一一对应的第二通孔，所述第二匀流板通过所述第二通孔套设在所述连接套上；

所述套杆组件还包括：

两个第三螺母，连接在所述连接套上，并位于所述第二匀流板的两侧，用于在所述第二匀流板调节至目标位置后将所述第二匀流板锁紧。

第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，其包括抽气管道，以及如上各实施例所述的半导体工艺腔室，所述抽气管道与所述抽气口连接。

如上所述本申请的半导体工艺腔室，当进行工艺时，在抽气口进行抽气，第一匀流板可以对靠近抽气口的一端的气体进行均匀化。由于至少一个第一匀流板相对抽气口的距离是可调节的，比如，当承载件上承载的石英舟数量较多时，可以相应地将可调节的第一匀流板的位置进行调整，比如，朝抽气口的方向调整，以尽量使靠近抽气口一侧的石英舟与该可调节的第一匀流板之间的距离保持不变，减少沉积环境的突变，从而可以提高靠近抽气口一侧的石英舟的硅片上的膜厚均匀性。此外，还可以根据实际情况，设置不同数量的第一匀流板，通过改变第一匀流板的设置数量、第一匀流板之间的间距以及第一匀流板与抽气口之间的距离，对膜厚均匀性进行优化。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种卧式半导体工艺腔室的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种卧式半导体工艺腔室的结构示意图；

图3是图2中卧式半导体工艺腔室靠近抽气口一侧的放大结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种匀流板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的一种连接组件在连接状态的立体结构示意图；

图6是本申请实施例提供的一种连接组件在连接状态的局部结构示意图；

图7是图6中A部分的放大结构示意图；

图8是现有的一种匀流板的结构示意图。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。本申请使用的术语“或”、“和/或”、“包括以下至少一个”等可被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。例如，“包括以下至少一个：A、B、C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”，再如，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。

应当理解的是，术语“顶”、“底”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

为了便于描述，以下各实施例中，均是以水平面和竖直方向形成的正交空间为例进行说明，该前提条件不应理解为对本申请的限制。

如上文所述，现有的卧式半导体工艺腔室靠近抽气口12a容易出现气流不均而导致靠近抽气口12a的石英舟40a内的硅片上沉积的薄膜厚度均匀性较差的问题。经实验测试，图1中靠近抽气口12a的两个石英舟40a内的硅片，同一硅片的中心厚度与边缘区域的厚度差，最高可达12.3％。颜色可表征膜厚，通过现场观察工艺试验后的靠近抽气口12a的两个石英舟40a内的硅片，同一硅片色差明显，同一石英舟40a内不同硅片之间的色差也非常明显，即靠近抽气口12a的两个石英舟40a片内和片间均匀性都比较差。

申请人经过研究分析发现，随着石英舟40a数量的增多，石英舟40a与匀流板30a的距离也相应发生改变，从而会影响靠近抽气口12a的硅片上的薄膜均匀性。基于此，本申请提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该半导体工艺腔室不仅限于卧式半导体工艺腔室，比如，也可以是立式半导体工艺腔室，下文仅以卧式半导体工艺腔室进行说明。

请参阅图2-图4，图2是本申请实施例提供的一种卧式半导体工艺腔室的结构示意图，图3是图2中卧式半导体工艺腔室靠近抽气口一侧的放大结构示意图，图4为本申请实施例提供的一种匀流板的结构示意图，该卧式半导体工艺腔室可以包括腔室本体10、至少一个第一匀流板20和连接组件30。

腔室本体10上设有抽气口12，此外，腔室本体10上还设有进气口11，用于向腔室本体10内通入工艺气体，进气口11的设置位置本申请实施例不作特别限定，较佳地，进气口11和抽气口12在腔室本体10上相对设置，可以形成更均匀的气流。作为一个示例，进气口11可以设置在腔室本体10的前炉门上，抽气口12可以设置在腔室本体10的后炉门上。此外，还可以在进气口11一侧设置承载件50，承载件50可以承载石英舟60从前炉门进入腔室本体10内，承载件50可以是碳化硅桨。

第一匀流板20可以设置1个、2个或者更多个。第一匀流板20在腔室本体10内靠近抽气口12的一侧设置，并将抽气口12遮挡，每个第一匀流板20上均设置有多个匀流孔21。连接组件30连接腔室本体10和第一匀流板20，比如第一匀流板20可以通过连接组件30与后炉门连接。此外，至少一个第一匀流板20相对抽气口12的距离是可调节的。比如，当第一匀流板20设置2个时，则可以是其中任意1个第一匀流板20相对抽气口12的距离是可调节的，另外1个为固定设置；也可以是2个第一匀流板20同时设置为可调节的。当第一匀流板20设置3个时，则可以是其中任意1个第一匀流板20相对抽气口12的距离是可调节的，另外2个为固定设置；也可以是其中任意2个第一匀流板20相对抽气口12的距离是可调节的，另外1个为固定设置；还可以是3个第一匀流板20同时设置为可调节的。优选的，靠近石英舟60一侧的第一匀流板20为可调节的。

当进行工艺时，可以从进气口11通入工艺气体，并在抽气口12进行抽气，第一匀流板20可以对靠近抽气口12的一端的气体进行均匀化。由于至少一个第一匀流板20在连接组件30上相对抽气口12的距离是可调节的，当承载件50上承载的石英舟60数量较多时，可以相应地将可调节的第一匀流板20的位置进行调整，比如，朝抽气口12的方向调整，以尽量使靠近抽气口12一侧的石英舟60与该可调节的第一匀流板20之间的距离保持不变，减少沉积环境的突变，从而可以提高靠近抽气口12一侧的石英舟60的硅片上的膜厚均匀性。需要说明的是，第一匀流板20的调节原则并不限于上述调整方式，也可以部分可调节的第一匀流板20朝抽气口12的方向调整，部分可调节的第一匀流板20朝石英舟60(即远离抽气口12)的方向调整，具体可以根据石英舟60的数量以及匀气的工艺效果进行调节。此外，还可以根据实际情况，设置不同数量的第一匀流板20，通过改变第一匀流板20的设置数量、第一匀流板20相互之间的间距以及第一匀流板20与抽气口12之间的距离，对膜厚均匀性进行优化。

在一个实施例中，请参阅图2-图6，图5是本申请实施例提供的一种连接组件在连接状态的立体结构示意图，图6是本申请实施例提供的一种连接组件在连接状态的局部结构示意图。该连接组件30可以包括至少两个平行设置的套杆组件31，套杆组件31的一端与腔室本体10连接。第一匀流板20上设置有与套杆组件31一一对应的第一通孔22，比如，当连接组件30包括如图5所示的3个套杆组件31时，第一匀流板20可以设置如图4所示的3个第一通孔22。第一匀流板20通过第一通孔22与套杆组件31连接，并且在套杆组件31上的连接位置可调节，比如第一匀流板20朝靠近抽气口12或者远离抽气口12的方向滑动等。

本实施例中，第一匀流板20通过至少两个平行设置的套杆组件31与腔室本体10，并且第一匀流板20在套杆组件31上的连接位置可调节，从而可以根据实际工艺需要对匀气效果进行调节，以优化靠近抽气口12一侧的硅片上膜厚的均匀性。

作为一个示例，请参阅图6和图7，图7是图6中A部分的放大结构示意图。套杆组件31可以包括内轴311和多个套管312。内轴311的一端与腔室本体10连接，比如可以设置螺纹结构，通过螺栓固定在腔室本体10的后炉门上。套管312沿内轴311的轴向依次套设在内轴311上，第一匀流板20通过第一通孔22套设在内轴311上，并且任一第一匀流板20被相邻的两个套管312夹持固定。具体的固定方式本实施例不作特别限定。例如，内轴311可以是一个螺杆，也可以是一个光轴，仅在两端附近设置外螺纹，同时对应设置两个螺母，从第一个套管312的外侧和最后一个套管312的外侧将所有套管312锁紧，从而使第一匀流板20被左右两侧的套管312夹持固定。

以其中一个第一匀流板20夹设在图示右侧第2位置和第3位置的套管312之间为例，当需要根据工艺将该第一匀流板20往左侧调整，此时可以拆下3个套管312和第一匀流板20，然后将第一匀流板20组装在第3位置和第4位置的套管312之间。

本实施例的套杆组件31与第一匀流板20的结构设计简单，成本低，并且很方便对第一匀流板20的位置进行调整。

在一个关于内轴的具体实施例中，请继续参阅图7，内轴311可以包括连接套3111和螺杆3112。连接套3111的一端与腔室本体10连接，另一端设置有沿连接套3111的轴向延伸的螺纹孔3113。螺杆3112的一端与螺纹孔3113连接，所有套管312自由套设在螺杆3112上，第一匀流板20通过第一通孔22套设在螺杆3112上。套杆组件31还可以包括第一螺母313，请继续参阅图5和图6，第一螺母313连接在螺杆3112的另一端，用于在锁紧时将第一匀流板20固定在第一螺母313和连接套3111的端面之间。

优选的，请继续参阅图3、图5-图7，套杆组件31还可以包括第二螺母314，第二螺母314连接在螺杆3112上，并靠近螺纹孔3113的端面设置，用于调整所有套管312在螺杆3112上的套设位置，并与第一螺母313将所有套管312夹持固定。即本实施例中，除了可以将第一匀流板20夹设在不同的套管312之间以实现位置的调整，还可以通过第二螺母314对所有套管312的位置进行平移，以实现对第一匀流板20位置的调整，位置调节更精确。

申请人经过研究分析发现，随着产能不断的提升，卧式半导体工艺腔室的管径不断增大，需要工艺气体在卧式半导体工艺腔室中停留的时间更长，让工艺气体充分反应以在硅片上形成均匀膜层。图8为现有的一种匀流板的结构示意图，该匀流板30a上设置有匀流小孔31a和匀流大孔32a，匀流大孔32a导致工艺气体在卧式半导体工艺腔室内停留时间太短。

因此，优选的，本申请取消现有匀流板30a上的匀流大孔32a，第一匀流板20上的匀流孔21均为小孔，比如孔径可以是0.5-5mm。并且优选的，匀流孔21在整个第一匀流板20均匀分布，此外，还可以通过设置2个或者更多个第一匀流板20来增加工艺气体的停留时间以及匀气效果。

在一个实施例中，本申请还可以通过设置第二匀流板来增加工艺气体的停留时间。请继续参阅图2、图3以及图5-图7，卧式半导体工艺腔室还可以包括至少一个第二匀流板40。第二匀流板40与连接组件30连接，并且至少一个第一匀流板20均位于第二匀流板40远离抽气口12的一侧，第二匀流板40用于降低工艺腔室内的气体被抽出的速度。

可以理解的是，第二匀流板40可以设置1个，也可以设置多个，以逐渐减小抽气速度。所有第一匀流板20均靠近石英舟60的一侧设置，所有第二匀流板40均靠近抽气口12的一侧设置。例如，图中2个第一匀流板20均靠近石英舟60设置，便于提高匀气效果。1个第二匀流板40靠近抽气口12的设置，用于降低工艺腔室内的气体被抽出的速度。

在一个实施例中，第二匀流板40上设置的排风面积小于第一匀流板20上所有匀流孔21的面积之和。比如第二匀流板40上可以开设排风孔，但是相比第一匀流板20，第二匀流板40上排风孔的面积之和小于第一匀流板20上所有匀流孔21的面积之和。作为一些示例，第二匀流板40上可以开设更少的孔径与匀流孔21相等的排风孔，或者开设与匀流孔21数量相同但是孔径小于匀流孔21的孔径的排风孔，甚至第一匀流板20上不开设排风孔，均可以降低工艺腔室内的气体被抽出的速度。

需要说明的是，第二匀流板40不设置匀流孔并不会完全堵住气流通过，这是由于第二匀流板40的周向与腔室本体10的内壁之间存在间隙。此外为了提高气体均匀性，还可以设置补气管70，请参阅图2，补气管70可以从后炉门伸入腔室本体10内，并延伸至腔室本体10的中部左右进行补气。此时，第一匀流板20、第二匀流板40均设可以设置相应的缺口(23、42)避让补气管70，该缺口也可以成为抽气时的气流通道。

作为一个优选实施例，第一匀流板20设置有两个以上，第二匀流板40靠近抽气口12设置，并与内轴311的连接套3111连接。即所有第一匀流板20靠近石英舟60一侧设置以提高匀气效果，第二匀流板40靠近抽气口12一侧设置，以增加工艺气体的停留时间。

在一个实施例中，第二匀流板40在连接套3111上的位置是可调节的，第二匀流板40距离石英舟60的远近也会对气流的均匀性产生影响，本实施例可以进一步通过调节第二匀流板40的位置来提高气体的均匀性。

作为一个第二匀流板的位置可调节的示例，请继续参阅图5和图7，第二匀流板40上设置有与连接套3111一一对应的第二通孔41，第二匀流板40通过第二通孔41套设在连接套3111上。连接套3111可以设置外螺纹。套杆组件31还可以包括两个第三螺母315，第三螺母315均连接在连接套3111上，并位于第二匀流板40的两侧，用于在第二匀流板40调节至目标位置后将第二匀流板40锁紧。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，请继续参阅图2，该半导体工艺设备可以包括抽气管道80，以及如上各实施例所述的半导体工艺腔室，抽气管道80与所述抽气口12连接。比如，该半导体工艺设备可以是卧式半导体工艺炉。

有关本实施例半导体工艺设备的其他工作原理和过程，参见前述本发明实施例关于半导体工艺腔室的说明，此处不再赘述。

以上对本申请所提供的一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述。需要说明的是，在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体上设有抽气口；

至少一个第一匀流板，在所述腔室本体内靠近所述抽气口的一侧设置，并将所述抽气口遮挡，每个所述第一匀流板上均设置有多个匀流孔；

连接组件，连接所述腔室本体和所述第一匀流板，并且至少一个所述第一匀流板相对所述抽气口的距离是可调节的。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述连接组件包括至少两个平行设置的套杆组件，所述套杆组件的一端与所述腔室本体连接；

所述第一匀流板上设置有与所述套杆组件一一对应的第一通孔，所述第一匀流板通过所述第一通孔与所述套杆组件连接，并且在所述套杆组件上的连接位置可调节。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述套杆组件包括：

内轴，一端与所述腔室本体连接；

多个套管，沿所述内轴的轴向依次套设在所述内轴上，所述第一匀流板通过所述第一通孔套设在所述内轴上，并且任一所述第一匀流板被相邻的两个所述套管夹持固定。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述内轴包括：

连接套，一端与所述腔室本体连接，另一端设置有沿所述连接套的轴向延伸的螺纹孔；

螺杆，一端与所述螺纹孔连接，所述多个套管自由套设在所述螺杆上，所述第一匀流板通过所述第一通孔套设在所述螺杆上；

所述套杆组件还包括：

第一螺母，连接在所述螺杆的另一端，用于在锁紧时将所述第一匀流板固定在所述第一螺母和所述连接套的端面之间。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述套杆组件还包括：

第二螺母，连接在所述螺杆上，并靠近所述螺纹孔的端面设置，用于调整所述多个套管在所述螺杆上的套设位置，并与所述第一螺母将所述多个套管夹持固定。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，还包括：

至少一个第二匀流板，与所述连接组件连接，并且所述至少一个第一匀流板位于所述第二匀流板远离所述抽气口的一侧，所述第二匀流板用于降低所述工艺腔室内的气体被抽出的速度。

7.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，还包括：

至少一个第二匀流板，靠近所述抽气口设置，并与所述连接套连接，用于降低所述工艺腔室内的气体被抽出的速度；

所述第一匀流板设置有两个以上，并且所有所述第一匀流板均位于所述第二匀流板远离所述抽气口的一侧。

8.根据权利要求6或7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二匀流板设置的匀流孔数量小于或等于所述第一匀流板上设置的匀流孔数量，且所述第二匀流板上设置的匀流孔的排风面积小于所述第一匀流板上设置的所述匀流孔的面积；或者

所述第二匀流板上未设置匀流孔。

9.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二匀流板在所述连接套上的位置是可调节的。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述连接套设置有外螺纹；

所述第二匀流板上设置有与所述连接套一一对应的第二通孔，所述第二匀流板通过所述第二通孔套设在所述连接套上；

所述套杆组件还包括：

两个第三螺母，连接在所述连接套上，并位于所述第二匀流板的两侧，用于在所述第二匀流板调节至目标位置后将所述第二匀流板锁紧。

11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括抽气管道，以及权利要求1-10任一项所述的半导体工艺腔室，所述抽气管道与所述抽气口连接。