CN117215359A - 一种光电二极管偏压电路 - Google Patents

一种光电二极管偏压电路 Download PDF

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CN117215359A
CN117215359A CN202311203937.4A CN202311203937A CN117215359A CN 117215359 A CN117215359 A CN 117215359A CN 202311203937 A CN202311203937 A CN 202311203937A CN 117215359 A CN117215359 A CN 117215359A
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李欢
李家璇
孙生生
刘健
高腾飞
何宇帆
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Beijing Semiconductor Equipment Institute
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Abstract

本申请提供了一种光电二极管偏压电路,光电二极管偏压电路包括方波产生电路和电荷泵电路,其中,方波产生电路的输出端连接到电荷泵电路的输入端,电荷泵电路的输出端连接到光电二极管的阴极。本申请通过方波产生电路和电荷泵电路组合为光电二极管提供偏压,方便升压电路设计的同时,提高电压调整灵活性,降低成本。

Description

一种光电二极管偏压电路
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种光电二极管偏压电路。
背景技术
光电二极管用于接收光能量并产生电流信号,在使用过程中可以对二极管施加反向偏压,优点是减小结电容,提高光电二极管响应速度。在现有的光电二极管应用电路中,偏压一般由专用的电源芯片产生,通过配置电源芯片来产生所需的电压值。
现有的光电二极管偏压电路由升压芯片生成,生成电压比较固定,在需要特殊电压的场合需要寻找合适的升压芯片,应用不方便且成本较高。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于至少提供一种光电二极管偏压电路,通过方波产生电路和电荷泵电路组合为光电二极管提供偏压,方便升压电路设计的同时,提高电压调整灵活性,降低成本。
本申请主要包括以下几个方面:
第一方面,本申请实施例提供一种光电二极管偏压电路,光电二极管偏压电路包括方波产生电路和电荷泵电路,其中,方波产生电路的输出端连接到电荷泵电路的输入端,电荷泵电路的输出端连接到光电二极管的阴极。
在一种可能的实施方式中,光电二极管偏压电路还包括推挽电路,其中,方波产生电路的输出端连接到推挽电路的输入端,推挽电路的输出端连接到电荷泵电路的输入端。
在一种可能的实施方式中,方波产生电路包括时基芯片、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、第一电容和第二电容,其中,时基芯片的第一引脚接地,时基芯片的第二引脚连接到时基芯片的第六引脚,时基芯片的第三引脚连接到推挽电路的输入端,时基芯片的第四引脚连接到时基芯片的第八引脚;时基芯片的第五引脚连接到第一电容的一端,第一电容的另一端接地,时基芯片的第六引脚还连接到第二电容的一端,树第二电容的另一端接地,时基芯片的第七引脚连接到第一二极管的阳极,第一二极管的阴极连接到第二电容的一端;时基芯片的第八引脚还连接到第一电阻的一端,第一电阻的另一端分别连接到第二电阻的一端和第七引脚,第二电阻的另一端连接到第二二极管的阴极,第二二极管的阳极连接到第二电容的一端。
在一种可能的实施方式中,推挽电路包括第一三极管、第二三极管和第三电阻,第一三极管和第二三极管为极性不同、功率相同,其中,第三电阻的一端连接到时基芯片的第三引脚,第三电阻的另一端分别连接到第一三极管的基极与第二三极管的基极,第一三极管的集电极连接到时基芯片的第四引脚,第一三极管的发射极与第二三极管的发射极连接后接入电荷泵电路的输入端,第二三极管的集电极接地。
在一种可能的实施方式中,推挽电路还包括第四电阻,其中,第四电阻的一端分别连接到第一三极管的发射极和第二三极管的发射极,第四电阻的另一端连接到电荷泵电路的输入端。
在一种可能的实施方式中,光电二极管偏压电路还包括第一电压源;第一电压源的正极分别连接到时基芯片的第四引脚、第八引脚和第一三极管的集电极,第一电压源的负极接地。
在一种可能的实施方式中,电荷泵电路包括电容组和按序排列连接的多个子泵,其中,第四电阻的另一端分别连接到每个子泵的第一输入端,针对每个子泵,该子泵的第二输入端和输出端连接到电容组;针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵的第二输入端分别连接到上一子泵对应的输出端;末位子泵对应的输出端还连接到所述光电二极管的阴极。
在一种可能的实施方式中,每个子泵包括第三电容、第三二极管和第四二极管,其中,针对每个子泵,第四电阻的另一端连接到该子泵对应的第三电容的一端,第三电容的另一端连接到第三二极管的阴极和第四二极管的阳极,第三二极管的阳极和第四二极管的阴极连接到电容组;针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极还连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极;末位子泵对应的第四二极管的阴极还连接到所述光电二极管的阴极。
在一种可能的实施方式中,电容组包括多个第四电容、第五电容和第六电容,第四电容的数量与电荷泵电路对应的子泵数量一致,其中,针对每个子泵,该子泵对应的第四二极管的阴极连接到电容组中第四电容的一端,针对首位子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到第五电容的一端,针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极,第六电容的一端连接到末位子泵对应的第四二极管的阴极,每个第四电容的另一端、第五电容的另一端和第六电容的另一端接地。
在一种可能的实施方式中,电荷泵电路还包括第二电压源和第五电阻,其中,第二电压源的正极连接到第五电阻的一端,第二电压源的负极接地,第五电阻的另一端连接到首位子泵对应的第三二极管的阳极。
本申请实施例提供的一种光电二极管偏压电路,所述光电二极管偏压电路包括方波产生电路和电荷泵电路,其中,所述方波产生电路的输出端连接到所述电荷泵电路的输入端,所述电荷泵电路的输出端连接到光电二极管的阴极。本申请通过方波产生电路和电荷泵电路组合为光电二极管提供偏压,方便升压电路设计的同时,提高电压调整灵活性,降低成本。
本申请可以应用在光电二极管需要偏置电压的场合,与利用电源芯片产生偏压的一般方案比较,有如下优点:
1.本发明通过选取两个独立的电压源和Dickson电荷泵电路级数,可以灵活的生成各种幅值的偏置电压;
2.本发明成本低,使用方便,无需专用芯片即可产生高于电源的电压。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之一;
图2示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之二;
图3示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之三;
图4示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之四;
图5示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之五。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,应当理解,本申请中的附图仅起到说明和描述的目的,并不用于限定本申请的保护范围。另外,应当理解,示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解,流程图的操作可以不按顺序实现,没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外,本领域技术人员在本申请内容的指引下,可以向流程图添加一个或多个其他操作,也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例,都属于本申请保护的范围。
现有的光电二极管偏压电路由升压芯片生成,生成电压比较固定,在需要特殊电压的场合需要寻找合适的升压芯片,应用不方便且成本较高,即升压芯片一旦选定运用,既无法更改,不便于使用各种光电二极管的需求。
基于此,本申请实施例提供了一种光电二极管偏压电路,通过方波产生电路和电荷泵电路组合为光电二极管提供偏压,方便升压电路设计的同时,提高电压调整灵活性,降低成本,具体如下:
请参阅图1,图1示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之一。如图1所示,本申请实施例提供的光电二极管偏压电路,包括方波产生电路1和电荷泵电路2。
方波产生电路1的输出端连接到电荷泵电路2的输入端,电荷泵电路2的输出端连接到光电二极管PD的阴极。
其中,光电二极管PD的阳极连接到参考电源Source,为光电二极管PD的阳极提供电压。
请参阅图2,图2示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之二。如图2所示,光电二极管偏压电路还包括推挽电路3,方波产生电路1的输出端连接到推挽电路3的输入端,推挽电路3的输出端连接到电荷泵电路2的输入端。
请参阅图3,图3示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之三。如图3所示,方波产生电路1包括时基芯片11、第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1和第二电容C2,其中,时基芯片11可以选用NE555,第一电阻R1和第二电阻R2用于使时基芯片11工作于无稳态模式。
其中,时基芯片11的第一引脚①接地,时基芯片11的第二引脚②连接到时基芯片11的第六引脚⑥,时基芯片11的第三引脚③连接到推挽电路3的输入端,时基芯片11的第四引脚④连接到时基芯片11的第八引脚⑧。
时基芯片11的第五引脚⑤连接到第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端接地,时基芯片11的第六引脚⑥还连接到第二电容C2的一端,第二电容C2的另一端接地,时基芯片11的第七引脚⑦连接到第一二极管D1的阳极,第一二极管D1的阴极连接到第二电容C2的一端。
时基芯片11的第八引脚⑧还连接到第一电阻R1的一端,第一电阻R1的另一端分别连接到第二电阻R2的一端和第七引脚⑦,第二电阻R2的另一端连接到第二二极管D2的阴极,第二二极管D2的阳极连接到第二电容C2的一端。
在另一优选实施例中,推挽电路3包括第一三极管T1、第二三极管T2、第三电阻R3和串联在第一三极管T1的发射极和电荷泵电路的输入端之间的第四电阻R4。
其中,第一三极管T1和第二三极管T2极性不同、功率相同,如图3所示实施例中,第一三极管T1为NPN型三极管,第二三极管T2为PNP型三极管。
具体的,第三电阻R3的一端连接到时基芯片11的第三引脚③,第三电阻R3的另一端分别连接到第一三极管T1的基极与第二三极管T2的基极,第一三极管T1的集电极连接到时基芯片11的第四引脚④,第一三极管T1的发射极与第二三极管T2的发射极连接后与第四电阻R4的一端连接,第四电阻R4的另一端连接到电荷泵电路2的输入端。
具体的,第一三极管T1和第二三极管T2可以选用BC817和BC807。
如图3所示,光电二极管偏压电路还包括第一电压源V1,第一电源V1为推挽电路3和时基芯片提供供电电压VCC。
第一电压源V1的正极分别连接到时基芯片11的第四引脚④、第八引脚⑧和第一三极管T1的集电极,第一电压源V1的负极接地。
在另一优选实施例中,电荷泵电路包括电容组和按序排列连接的多个子泵,第四电阻的另一端分别连接到每个子泵的第一输入端,针对每个子泵,该子泵的第二输入端和输出端连接到电容组,针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵的第二输入端分别连接到上一子泵对应的输出端,末位子泵对应的输出端还连接到所述光电二极管的阴极,本申请可以根据实际偏压输出需求设置对应数量的子泵。
如图3所示,以电荷泵电路2包括子泵321、子泵322、子泵323和子泵324共四个子泵为例,其中,子泵321为首位子泵,子泵324为末位子泵。
第四电阻R4的另一端分别连接到子泵321、子泵322、子泵323和子泵324的第一输入端,子泵321的第二输入端和输出端、子泵322的第二输入端和输出端、子泵323的第二输入端和输出端、子泵324的第二输入端和输出端均连接到电容组,除首位子泵321之外,子泵322的第二输入端连接到子泵321对应的输出端,子泵323的第二输入端连接到子泵322对应的输出端,子泵324的第二输入端连接到子泵323对应的输出端,末位子泵324对应的输出端还连接到光电二极管PD的阴极。
在一优选实施例中,每个子泵包括第三电容、第三二极管和第四二极管,针对每个子泵,第四电阻的另一端连接到该子泵对应的第三电容的一端,第三电容的另一端连接到第三二极管的阴极和第四二极管的阳极,第三二极管的阳极和第四二极管的阴极连接到电容组,针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极还连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极。
请参阅图4,图4示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之四。如图4所示,子泵321包括第三电容C31、第三二极管D31和第四二极管D41,子泵322包括第三电容C32、第三二极管D32和第四二极管D42,子泵323包括第三电容C33、第三二极管D33和第四二极管D43,子泵324包括第三电容C34、第三二极管D34和第四二极管D44
针对子泵321,第四电阻R4的另一端连接到第三电容C31的一端,第三电容C31的另一端连接到第三二极管D31的阴极和第四二极管D41的阳极,第三二极管D31的阳极和第四二极管D41的阴极连接到电容组31。
针对子泵322,第四电阻R4的另一端连接到第三电容C32的一端,第三电容C32的另一端连接到第三二极管D32的阴极和第四二极管D42的阳极,第三二极管D32的阳极和第四二极管D42的阴极连接到电容组31,第三二极管D32的阳极还连接到第四二极管D41的阴极。
针对子泵323,第四电阻R4的另一端连接到第三电容C33的一端,第三电容C33的另一端连接到第三二极管D33的阴极和第四二极管D43的阳极,第三二极管D33的阳极和第四二极管D43的阴极连接到电容组31,第三二极管D33的阳极还连接到第四二极管D42的阴极。
针对子泵324,第四电阻R4的另一端连接到第三电容C34的一端,第三电容C34的另一端连接到第三二极管D34的阴极和第四二极管D44的阳极,第三二极管D34的阳极和第四二极管D44的阴极连接到电容组31,第三二极管D34的阳极还连接到第四二极管D43的阴极,第四二极管D44的阴极还连接到光电二极管PD的阴极。
第三二极管D31~D34、第四二极管D41~D44可以选用肖基特二极管,如BAT54。
优选的,电容组包括多个第四电容、第五电容和第六电容,第四电容的数量与电荷泵电路对应的子泵数量一致,其中,针对每个子泵,该子泵对应的第四二极管的阴极连接到电容组中一第四电容的一端,针对首位子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到第五电容的一端,针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极,第六电容的一端连接到末位子泵对应的第四二极管的阴极,每个第四电容的另一端、第五电容的另一端和第六电容的另一端接地。
请参阅图5,图5示出了本申请实施例所提供的一种光电二极管偏压电路的结构示意图之五。如图5所示,电容组31包括第四电容C41、C42、C43、C44、第五电容C5和第六电容C6。
在本申请中,第四电容C41、C42、C43、C44、第三电容C31~C34为储能电容。
优选的,针对子泵321,第四二极管D41的阴极连接到第四电容C41的一端,第三二极管D31的阳极连接到第五电容C5的一端。
针对子泵322,第四二极管D42的阴极连接到第四电容C42的一端,第三二极管D32的阳极连接到第四电容C41的一端和第四二极管D41的阴极。
针对子泵323,第四二极管D43的阴极连接到第四电容C43的一端,第三二极管D33的阳极连接到第四电容C42的一端和第四二极管D42的阴极。
针对子泵324,第四二极管D44的阴极分别连接到第四电容C44的一端和第六电容C6的一端,第三二极管D34的阳极连接到第四电容C43的一端和第四二极管D43的阴极。
第四电容C41的另一端、第四电容C42的另一端、第四电容C43的另一端、第四电容C44的另一端、第五电容C5的另一端和第六电容C6的另一端接地。
在另一优选实施例中,电荷泵电路还包括第二电压源和第五电阻,第二电压源的正极连接到第五电阻的一端,第二电压源的负极接地,第五电阻的另一端连接到首位子泵对应的第三二极管的阳极。
如图5所示,第二电压源V2的正极连接到第五电阻R5的一端,第二电压源V2的负极接地,第五电阻R5的另一端连接到第三二极管D31的阳极。
本申请中,如图5,第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2和第二电阻C2用于确定方波占空比,从而实现时基芯片11输出固定占空比的方波电压。
具体的,可以通过以下公式确定方波电压对应的占空比:
该公式中,K表示时基芯片11输出的方波电压对应的占空比,tH表示单位周期内时基芯片11输出的方波电压对应的高电平持续时间,tL表示单位周期内时基芯片11输出的方波电压对应的低电平持续时间。
其中,tH=0.693×R1×c2,tL=0.693×R2×C2。
若R1选取1.6kΩ,R2选取4.7kΩ,C2选取2.2nF,则tH=2.44us,tL=7.17us,即NE555输出的方波电压占空比约为25%,周期约为9.6us。
优选的,时基芯片11通过第三引脚③输出的方波电压通过推挽电路3输送至电荷泵电路,具体的,推挽电路3中的第一三极管T1和第二三极管T2分别负责高电压和低电压的放大任务,电路工作时,第一三极管T1和第二三极管T2每次只有一个导通,如图5,当第三电阻R3接收到高电平时,第一三极管T1导通,第二三极管T2截止,电荷泵电路2输入端接收高电压,当第三电阻R3接收到低电平时,第一三极管T1截止,第二三极管T2导通,电荷泵电路2输入端接收低电压。
对电荷泵电路2中的每个子泵而言,当第四电阻R4处为正电压,则推挽电路输出的电流通过该子泵对应的第三电容、第四二极管给对应的第四电容充电,当第四电阻R4处为负电压,则第三二极管会反向给第三电容充电。
具体的,如子泵321,当第四电阻R4处为正电压时,第三电容C31通过第四二极管D41给第四电容C41充电,当第四电阻R4处为负电压时,第五电容C5通过第三二极管D31给第三电容C31充电。
子泵322、子泵323和子泵324的工作方式与子泵321类似,在此不做赘述。
本申请中,可以通过以下公式确定光电二极管偏压电路为光电二极管提供电压:
在该公式中,Vout表示光电二极管偏压电路为光电二极管提供电压,N表示电荷泵中的第三二极管的数量与第四二极管数量之间的和值,如图5,N=8,Vd表示第三二极管或第四二极管导通压降(第三二极管和第四二极管导通压降相同),Φ为方波电压且与V1有关,由于推挽电路中晶体管饱和压降Vsat的存在,Φ的电压范围在0V与V1之间,且将低值定义为ΦL=Vsat,高值定义为ΦH=V1-Vsat。
以上仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种光电二极管偏压电路,其特征在于,所述光电二极管偏压电路包括方波产生电路和电荷泵电路,
其中,所述方波产生电路的输出端连接到所述电荷泵电路的输入端,所述电荷泵电路的输出端连接到光电二极管的阴极。
2.根据权利要求1所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述光电二极管偏压电路还包括推挽电路,
其中,所述方波产生电路的输出端连接到所述推挽电路的输入端,所述推挽电路的输出端连接到所述电荷泵电路的输入端。
3.根据权利要求2所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述方波产生电路包括时基芯片、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、第一电容和第二电容,
其中,所述时基芯片的第一引脚接地,所述时基芯片的第二引脚连接到所述时基芯片的第六引脚,所述时基芯片的第三引脚连接到所述推挽电路的输入端,所述时基芯片的第四引脚连接到所述时基芯片的第八引脚;
所述时基芯片的第五引脚连接到所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端接地,所述时基芯片的第六引脚还连接到所述第二电容的一端,所述第二电容的另一端接地,所述时基芯片的第七引脚连接到所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极连接到所述第二电容的一端;
所述时基芯片的第八引脚还连接到所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端分别连接到所述第二电阻的一端和所述时基芯片第七引脚,所述第二电阻的另一端连接到所述第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接到所述第二电容的一端。
4.根据权利要求3所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述推挽电路包括第一三极管、第二三极管和第三电阻,所述第一三极管和第二三极管极性不同、功率相同,
其中,所述第三电阻的一端连接到所述时基芯片的第三引脚,所述第三电阻的另一端分别连接到所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极,所述第一三极管的集电极连接到所述时基芯片的第四引脚,所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接后接入所述电荷泵电路的输入端,所述第二三极管的集电极接地。
5.根据权利要求4所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述推挽电路还包括第四电阻,
其中,所述第四电阻的一端分别连接到所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极,所述第四电阻的另一端连接到所述电荷泵电路的输入端。
6.根据权利要求4所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述光电二极管偏压电路还包括第一电压源;
所述第一电压源的正极分别连接到所述时基芯片的第四引脚、第八引脚和所述第一三极管的集电极,所述第一电压源的负极接地。
7.根据权利要求5所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述电荷泵电路包括电容组和按序排列连接的多个子泵,
其中,所述第四电阻的另一端分别连接到每个子泵的第一输入端,
针对每个子泵,该子泵的第二输入端和所述输出端连接到所述电容组;
针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵的第二输入端分别连接到上一子泵对应的输出端;
末位子泵对应的输出端还连接到所述光电二极管的阴极。
8.根据权利要求7所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,每个子泵包括第三电容、第三二极管和第四二极管,
其中,针对每个子泵,所述第四电阻的另一端连接到该子泵对应的第三电容的一端,所述第三电容的另一端连接到所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阳极,所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极连接到所述电容组;
针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极还连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极;
末位子泵对应的第四二极管的阴极还连接到所述光电二极管的阴极。
9.根据权利要求8所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述电容组包括多个第四电容、第五电容和第六电容,所述第四电容的数量与电荷泵电路对应的子泵数量一致,
其中,针对每个子泵,该子泵对应的第四二极管的阴极连接到所述电容组中第四电容的一端,
针对首位子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到所述第五电容的一端,
针对除首位子泵之外的每个子泵,该子泵对应的第三二极管的阳极连接到上一子泵对应的第四二极管的阴极,
所述第六电容的一端连接到末位子泵对应的第四二极管的阴极,每个第四电容的另一端、第五电容的另一端和第六电容的另一端接地。
10.根据权利要求8所述的光电二极管偏压电路,其特征在于,所述电荷泵电路还包括第二电压源和第五电阻,
其中,所述第二电压源的正极连接到所述第五电阻的一端,所述第二电压源的负极接地,所述第五电阻的另一端连接到所述首位子泵对应的第三二极管的阳极。
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