CN117209263A - 铁氧体组合物、铁氧体烧结体和电子部件 - Google Patents

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Abstract

提供高频频带适用且机械强度优异的铁氧体烧结体、组合物和含组合物的电子部件。铁氧体组合物具有：含有Fe2O3换算40.5～50.0摩尔％的铁氧化物、CuO换算6.0～14.0摩尔％的铜氧化物、ZnO换算7.0～25.0摩尔％的锌氧化物和余部镍氧化物的主成分；和相对主成分100重量份含有Co3O4换算3.1～10.0重量份的钴氧化物、SnO2换算0.5～4.0重量份的锡氧化物、Bi2O3换算0.50重量份以下且含0的铋氧化物的副成分。主成分中锌氧化物以ZnO换算的摩尔％表示含量为α，钴氧化物相对主成分100重量份以Co3O4换算的重量份含量为β，A＝(α－18)/β时，A为－3.5以上1.0以下。

Description

铁氧体组合物、铁氧体烧结体和电子部件
技术领域
本发明涉及铁氧体组合物、铁氧体烧结体和电子部件。
背景技术
例如，下述所示的专利文献1公开了一种以规定的比例含有Fe2O3、NiO、CuO、ZnO和CoO的铁氧体组合物，期待能够在高频频带下良好地去除噪声。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008－300548号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是鉴于这种实际情况而完成的发明，其目的在于：提供能够适合在高频频带下使用而且机械强度也优异的铁氧体烧结体、其组合物和具有该组合物的电子部件。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的发明人对在高频频带下用于适合的电子部件的铁氧体组合物进行了精心研究，其结果发现在含有大量Co氧化物的铁氧体组合物的情况下，在使用该铁氧体组合物制造的电子部件中，存在素体(烧结体)的强度容易不充分，容易发生裂纹等不良的趋势，存在电子部件的可靠性降低的技术问题。
在得到应用铁氧体组合物的电子部件的情况下，当由铁氧体组合物构成的烧结体的强度不足时，对弯曲或拉伸等机械应力的耐久性容易不足，有时发生缺口或裂纹等不良情况。因此，期待开发一种能够表现较高强度的铁氧体组合物。
本发明的发明人为了解决上述技术问题而进行了精心研究，其结果发现具有Co氧化物和Sn氧化物在规定的数值范围内的铁氧体组合物的铁氧体烧结体不仅具有高的弯曲强度，而且具有在高频(例如900MHz左右、即700MHz～1.7GHz)下大的复磁导率的实部μ’，由此完成了本发明。
即，本发明提供了一种铁氧体组合物，其具有主成分和副成分，其中，上述主成分含有以Fe2O3换算计为40.5～50.0摩尔％的铁氧化物、以CuO换算计为6.0～14.0摩尔％的铜氧化物、以ZnO换算计为7.0～25.0摩尔％的锌氧化物和剩余部分的镍氧化物，
相对于上述主成分100重量份，上述副成分含有以Co3O4换算计为3.1～10.0重量份的钴氧化物、以SnO2换算计为0.5～4.0重量份的锡氧化物、以Bi2O3换算计为0.50重量份以下(包含0)的铋氧化物，
将上述主成分中的上述锌氧化物的以ZnO换算计的摩尔％所表示的含量设为α，将上述钴氧化物相对于上述主成分100重量份的以Co3O4换算计的重量份含量设为β，在A＝(α－18)/β时，A为－3.5以上1.0以下。
优选的是，在将上述锡氧化物相对于上述主成分100重量份的以SnO2换算计的重量份含量设为γ时，β/γ可以为1.6以上。
优选的是，铁氧体烧结体具有上述铁氧体组合物。
优选的是，电子部件具有上述铁氧体组合物。
附图说明
图1是本发明一个实施方式的作为电子部件的芯片线圈的内部透视立体图。
图2是本发明另一个实施方式的作为电子部件的芯片线圈的内部透视立体图。
附图标记说明
1、1a：芯片线圈；2：陶瓷层；3、3a：内部电极层；4、4a：芯片主体；5：端子电极；6：端子连接用通孔电极；6a：引出电极；30、30a：线圈导体。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行说明。
如图1所示，本发明一个实施方式的作为电子部件的芯片线圈1具有陶瓷层2和内部电极层3沿Y轴方向交替层叠而成的芯片主体4。
各内部电极层3具有四边状环或C字形状，通过贯通邻接的陶瓷层2的内部电极连接用通孔电极(未图示)或台阶状电极连接成螺旋状，构成线圈导体30。
在芯片主体4的Y轴方向的两端部分别形成有端子电极5、5。贯通层叠的陶瓷层2的端子连接用通孔电极6的端部与各端子电极5连接，各端子电极5、5与构成闭磁路线圈(绕组图案)的线圈导体30的两端连接。
在本实施方式中，陶瓷层2和内部电极层3的层叠方向与Y轴一致，端子电极5、5的端面与X轴和Z轴平行。X轴、Y轴和Z轴相互垂直。在图1所示的芯片线圈1中，线圈导体30的卷绕轴与Y轴大致一致。
对芯片主体4的外形或尺寸没有特别限制，根据用途可以适当地设定，没有特别限定，但通常将外形设为大致长方体形状，例如，X轴尺寸为0.15～0.8mm，Y轴尺寸为0.3～1.6mm，Z轴尺寸为0.1～1.0mm。
另外，对陶瓷层2的电极间厚度和基体厚度没有特别限制，可以将电极间厚度(内部电极层3及3的间隔)设定为3～50μm，将基体厚度(端子连接用通孔电极6的Y轴方向长度)设定为5～300μm左右。
在本实施方式中，作为端子电极5，没有特别限定，通过使以Ag或Pd等为主成分的导电性膏附着于主体4的外表面后进行烧结，进而实施电镀而形成。电镀可以使用Cu、Ni、Sn等。
线圈导体30含有Ag(包含Ag的合金)，由例如Ag单质、Ag－Pd合金等构成。作为线圈导体的副成分，可以含有Zr、Fe、Mn、Ti和它们的氧化物。
陶瓷层2由本发明的一个实施方式的铁氧体组合物构成。下面，对铁氧体组合物进行详细说明。
本实施方式的铁氧体组合物含有铁氧化物、铜氧化物、锌氧化物和镍氧化物作为主成分。
在主成分100摩尔％中，铁氧化物的含量以Fe2O3换算计为40.5摩尔％以上，优选为42.0摩尔％以上，更优选为43.0摩尔％以上，且为50.0摩尔％以下，优选为48.0摩尔％以下，更优选为47.0摩尔％以下。在铁氧化物的含量过少的情况下，存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’降低的趋势，并且存在比电阻降低的趋势。在铁氧化物的含量过多的情况下，存在机械强度降低的趋势，另外，存在初磁导率μi的温度特性变差的趋势。
在主成分100摩尔％中，铜氧化物的含量以CuO换算计为6.0摩尔％以上，优选为8.0摩尔％以上，且为14.0摩尔％以下，优选为12.5摩尔％以下。当铜氧化物的含量过少时，存在弯曲强度降低的趋势，并且存在比电阻降低的趋势。当铜氧化物的含量过多时，存在复磁导率的实部μ’降低的趋势，并且存在比电阻降低的趋势。
在主成分100摩尔％中，锌氧化物的含量(α)以ZnO换算计为7.0摩尔％以上，优选为9.0摩尔％以上，更优选为11.0摩尔％以上，且为25.0摩尔％以下，优选为23.0摩尔％以下。当锌氧化物的含量过少时，存在比电阻降低的趋势。当锌氧化物的含量过多时，存在居里温度过度降低的趋势。另外，存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’降低的趋势，并且存在比电阻降低的趋势。
主成分的剩余部分由镍氧化物构成。主成分中的镍氧化物的含量没有特别限制，以NiO换算计例如为15.0～40.0摩尔％。当镍氧化物的含量过少时，存在居里温度过度降低的趋势。另外，当与铁氧化物相比镍氧化物的含量过多时，存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’降低的趋势。
除上述主成分外，本实施方式的铁氧体组合物还至少含有钴氧化物和锡氧化物作为副成分。
相对于主成分100重量份，钴氧化物的含量(β)以Co3O4换算计为3.1重量份以上，优选为3.5重量份以上，且为10.0重量份以下，优选为8.0重量份以下。当钴氧化物的含量过少时，存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’降低的趋势。当钴氧化物的含量过多时，存在复磁导率的实部μ’降低的趋势，并且存在比电阻变差的趋势。
相对于主成分100重量份，锡氧化物的含量(γ)以SnO2换算计为0.5重量份以上，优选为0.8重量份以上，且为4.0重量份以下，优选为3.0重量份以下。当锡氧化物的含量过少时，存在不能充分得到弯曲强度的改善效果和初磁导率μi的温度变化率的改善效果的趋势。当锡氧化物的含量过多时，存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’变低，并且比电阻降低，弯曲强度变低的趋势。
在本实施方式中，优选的是，在锌氧化物的含量和钴氧化物的含量之间存在满足下述关系式的关系。即，将主成分中的锌氧化物的以ZnO换算计的摩尔％所表示的含量设为α，将钴氧化物相对于主成分100重量份的以Co3O4换算计的重量份含量设为β，在A＝(α―18)/β时，存在A为－3.5以上1.0以下，优选为－3.5以上0.9以下的关系。无论A过低还是过高，都存在900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’变低的趋势。
另外，在本实施方式中，在将锡氧化物相对于主成分100重量份的以SnO2换算计的含量(重量份)设为γ时，β/γ优选为1.6以上，更优选为1.6以上，且为10.0以下。通过设为这种范围，可以使900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’更高，并且弯曲强度也提高。
另外，本实施方式的铁氧体组合物还可以含有与上述副成分不同的铋氧化物。相对于主成分100重量份，铋氧化物的含量以Bi2O3换算计，优选为0.5重量份以下(包含0)，更优选低于0.3重量份(包含0)，特别优选低于0.2重量份(包含0)。当铋氧化物的含量过多时，存在弯曲强度降低的趋势。作为其原因，认为是晶粒过度生长。
而且，本实施方式的铁氧体组合物也可以含有与上述成分不同的硅氧化物。硅氧化物的含量没有特别限定，相对于主成分100重量份，以SiO2换算计，可以优选含有0.3重量份(包含0)以下，也可以低于0.2重量份(包含0)，也可以低于0.15重量份以下(包含0)，还可以低于0.1重量份(包含0)。
进而，本实施方式的铁氧体组合物也可以在不阻碍本实施方式的效果的范围内含有与上述成分不同的Mn3O4等锰氧化物、锆氧化物、镁氧化物、玻璃化合物等附加成分。这些附加成分的含量没有特别限定，例如为1重量份以下(包含0)。
而且，在本实施方式的铁氧体组合物中可以含有不可避免的杂质元素的氧化物。
具体而言，作为不可避免的杂质元素，可以举出C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I、或Li、Na、Mg、Al、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sb、Ba、Pb等典型金属元素、或Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta等过渡金属元素。另外，优选的是，在铁氧体组合物中含有0.05重量份以下程度的不可避免的杂质元素的氧化物。
本实施方式的铁氧体组合物中的结晶颗粒的平均结晶粒径没有特别限定，例如为0.2～2.0μm。此外，各主成分和各副成分的含量在制造铁氧体组合物时，在从原料粉末的阶段到烧制后的各工序中几乎没有变化。
在本实施方式的铁氧体组合物中，除了主成分的组成范围被控制在上述范围内以外，在上述范围内含有锡氧化物和钴氧化物作为副成分，另外，A被控制在规定的范围内。因此，在本实施方式的铁氧体组合物中，可以得到复磁导率的实部μ’、特别是900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’大，弯曲强度等机械强度高且可靠性优异的铁氧体烧结体。而且，在本实施方式的铁氧体组合物中，可以得到比电阻高、初磁导率μi的温度特性良好的铁氧体烧结体。
通过铁氧体烧结体的复磁导率的实部μ’大，使用了铁氧体烧结体的芯片线圈(芯片珠)的阻抗变大。而且，因为特别是900MHz左右的高频下的复磁导率的实部μ’大，所以特别是高频下的阻抗变大。
通常，基于蛇行(snake)的极限，在高频下，复磁导率的实部μ’降低，因此，难以在高频下获取高的阻抗。在本实施方式中，能够提高高频下的复磁导率的实部μ’，因此，优选用于在高频下使用的芯片线圈(芯片珠)等，去噪效果特别是高频下的去噪效果好。此外，由本实施方式的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体不仅用于作为芯片线圈的用途，也可以用作将例如电感器、LC复合部件等线圈和其他电容器等要素进行了组合的复合电子部件等。
接下来，对本实施方式的铁氧体组合物的制造方法的一例进行说明。首先，将起始原料(主成分的原料和副成分的原料)以成为规定的组成比的方式称量并混合，得到原料混合物。作为混合的方法，例如可以举出使用球磨机进行的湿式混合或使用干式搅拌机进行的干式混合。此外，优选使用平均粒径为0.05～3.0μm的起始原料。
作为主成分的原料，可以使用铁氧化物(α－Fe2O3)、铜氧化物(CuO)、镍氧化物(NiO)、锌氧化物(ZnO)或者复合氧化物等。而且，除此之外，可以使用通过烧制而成为上述的氧化物或复合氧化物的各种化合物等。作为通过烧制而成为上述的氧化物的化合物，例如可以举出金属单质、碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等。
作为副成分的原料，可以使用锡氧化物和钴氧化物以及根据需要的铋氧化物或者其他氧化物等。对成为副成分的原料的氧化物没有特别限定，可以使用复合氧化物等。而且，除此之外，可以使用通过烧制而成为上述的氧化物或复合氧化物的各种化合物等。作为通过烧制而成为上述的氧化物的化合物，例如可以举出金属单质、碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等。
接着，进行原料混合物的预烧，得到预烧材料。预烧是为了引起原料的热分解、成分的均质化、铁氧体的生成、烧结导致的超微粉的消失和向适度的颗粒尺寸的颗粒生长，将原料混合物转换成适于后续工序的形态而进行的。对预烧时间和预烧温度没有特别限制。预烧通常在大气(空气)中进行，但也可以在氧分压比大气中低的气氛下进行。
接着，进行预烧材料的粉碎，得到粉碎材料。粉碎是为了破坏预烧材料的凝聚而使其成为具有适度的烧结性的粉体而进行的。在预烧材料形成大块时，在进行了粗粉碎之后，使用球磨机或超微磨碎机(attritor)等进行湿式粉碎。湿式粉碎进行至粉碎材料的平均粒径优选成为0.1～1.0μm左右。
此外，在上述的粉碎材料的制造方法中，将主成分的粉末和副成分的粉末全部混合之后进行预烧。但是，粉碎材料的制造方法不限定于上述方法。例如，对于在预烧前混合的原料粉末中的一部分的原料粉末，也可以在预烧后、预烧材料的粉碎时进行混合来代替在预烧前与其他原料粉末混合。
接着，使用所得到的粉碎材料，制造本实施方式的图1所示的芯片线圈1。
首先，将所得到的粉碎材料与溶剂或粘合剂等添加剂一起浆料化，制作铁氧体膏。然后，在将所得到的铁氧体膏和含有Ag等的内部电极膏交替印刷并层叠后，烧制该层叠体，由此能够形成芯片主体4(印刷法)。或者，也可以通过使用铁氧体膏制作生片，在生片的表面印刷内部电极膏，烧制将它们层叠了的层叠体而形成芯片主体4(片材法)。总之，只要在形成芯片主体后，通过烧制或者镀敷等形成端子电极5即可。
对铁氧体膏中的粘合剂和溶剂的含量没有限制。例如，可以将粘合剂的含量设定为1～10重量％，将溶剂的含量设定在10～50重量％左右的范围内。另外，可以使膏中根据需要在10重量％以下的范围内含有分散剂、增塑剂等。含有Ag等的内部电极膏也可以同样制作。另外，烧制条件等没有特别限定，在内部电极层含有Ag等的情况下，烧制温度优选为930℃以下，更优选为900℃以下。
就本实施方式的铁氧体组合物而言，烧结性也优异，可以进行低温烧结。例如可以在可用作内部电极的Ag的熔点以下的900℃左右(950℃以下)进行烧结，可以容易地制造图1所示的芯片线圈1。
此外，本发明不限定于上述的实施方式，可以在本发明的范围内进行各种改变。
例如，也可以使用上述的实施方式的铁氧体组合物构成图2所示的芯片线圈1a的陶瓷层2。在图2所示的芯片线圈1a中，具有陶瓷层2和内部电极层3a沿Z轴方向交替层叠的芯片主体4a。
各内部电极层3a具有四边状环或C字形状，通过贯通相邻的陶瓷层2的内部电极连接用通孔电极(未图示)或台阶状电极连接成螺旋状，构成线圈导体30a。
在芯片主体4a的Y轴方向的两端部分别形成有端子电极5、5。位于Z轴方向的上下的引出电极6a的端部与各端子电极5连接，各端子电极5、5与构成闭磁路线圈的线圈导体30a的两端连接。
在本实施方式中，陶瓷层2和内部电极层3的层叠方向与Z轴一致，端子电极5、5的端面与X轴和Z轴平行。X轴、Y轴和Z轴相互垂直。在图2所示的芯片线圈1a中，线圈导体30a的卷绕轴与Z轴大致一致。
在图1所示的芯片线圈1中，在芯片主体4的长边方向即Y轴方向上有线圈导体30的卷轴，因此，与图2所示的芯片线圈1a相比，具有可以使匝数增多，容易实现直到高频频带的高阻抗化的优点。在图2所示的芯片线圈1a中，其他结构和作用效果与图1所示的芯片线圈1同样。
进而，本实施方式的铁氧体组合物可以用于图1或图2所示的芯片线圈以外的电子部件。例如，可以使用本实施方式的铁氧体组合物作为与线圈导体一起层叠的陶瓷层。另外，芯片线圈也可以不是层叠型的芯片线圈，在绕组型的芯片线圈中也可以使用本实施方式的铁氧体组合物。除此以外，例如在将LC复合部件等线圈和其他电容器等要素进行了组合的复合电子部件中也可以使用本实施方式的铁氧体组合物。另外，在其他通常使用铁氧体的电子部件例如电容器等中也可以使用本实施方式的铁氧体组合物。
实施例
下面，基于详细的实施例进行进一步地说明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例1
首先，准备Fe2O3、NiO、CuO、ZnO作为铁氧体组合物的主成分的原料。准备SnO2和Co3O4作为副成分的原料。此外，起始原料的平均粒径在0.1～3.0μm的范围内。
接着，将所准备的主成分原料的粉末和副成分原料的粉末以作为烧结体成为表1A～表2所述的组成的方式进行称量。
此外，在表中，将主成分中的锌氧化物的以ZnO换算计的摩尔％表示的含量设为α，将钴氧化物相对于主成分100重量份的以Co3O4换算计的重量份含量设为β，以A＝(α―18)/β成为表中的数值的方式进行称量。另外，将上述锡氧化物相对于主成分100重量份的以SnO2换算计的重量份含量设为γ，以β/γ成为表中的数值的方式进行称量。
在称量后，将所准备的主成分原料通过球磨机进行24小时湿式混合，得到原料混合物。接着，将所得到的原料混合物干燥后，在空气中预烧，得到预烧物。预烧温度根据原料混合物的组成在500～900℃的范围内适当地选择。之后，一边向预烧物中添加上述副成分的原料，一边通过球磨机进行粉碎，得到粉碎粉。
接着，在将该粉碎粉干燥后，向100重量份的粉碎粉中添加10.0重量份的作为粘合剂的6wt％浓度的聚乙烯醇水溶液并造粒，制成颗粒。将该颗粒加压成形，与各试样编号1～80对应地分别得到圆环形状的成型体、圆盘形状的成型体和四棱柱形状的成型体。
作为圆环形状的成型体，与各试样编号1～80对应地分别准备圆环A：尺寸＝外径8mm×内径4mm×高度2.5mm的成型体和圆环B：尺寸＝外径13mm×内径6mm×高度3mm的成型体这两种成型体。另外，作为圆盘形状的成型体，与各试样编号1～80对应地分别准备尺寸＝直径12mm×高度2mm的成型体。另外，作为四棱柱形状的成型体，与各试样编号1～80对应地分别准备尺寸＝宽度5mm×长度25mm×厚度3mm的成型体。
接着，将这些各成型体在空气中在Ag的熔点(962℃)以下即860～900℃下烧制2小时，得到作为烧结体的圆环A样品、圆环B样品、圆盘样品和四棱柱形状样品。进而对所得到的各样品进行以下特性评价。此外，通过X射线荧光光谱装置确认到称量的原料粉末和烧制后的成型体的组成几乎没有变化。
(复磁导率的实部μ')
对于圆环A的样品，使用RF阻抗·分析仪(Keysight Technologies公司制E4991A)和测试夹具(Keysight Technologies公司制16454A)，测定磁导率μ’。作为测定条件，设为测定频率10MHz和900MHz、测定温度25℃。在本实施例中，将10MHz下的μ’为4.7以上和900MHz下的μ’为5.2以上设为良好。900MHz下的μ’更优选为5.5以上。
(温度变化率)
在圆环B的样品上缠绕20匝铜线导线，使用LF阻抗·分析仪(KeysightTechnologies公司制E4192A)测定室温(25℃)下的初磁导率μi和85℃下的初磁导率μi。而且，以室温下的初磁导率μi为基准，求出85℃下的初磁导率μi的变化率。
(比电阻ρ)
在圆盘样品的双面涂布In－Ga电极，测定直流电阻值，求出比电阻ρ(单位：Ω·m)。测定是使用IR测试仪(ADCMT公司制R8340)而进行的。将比电阻ρ为1.0×106Ω·m以上(1.0E+06Ω·m以上)的情况设为良好。
(弯曲强度)
对四棱柱形状样品进行三点弯曲试验使其断裂，测定断裂时的弯曲强度。此外，在三点弯曲试验中使用万能材料试验机(英斯特朗日本公司制5543)。将弯曲强度为140MPa以上的情况设为良好。
将以上试验结果(评价结果)示于表1A～表2。
(评价1)
如表1A的试样编号1～17所示，在Fe2O3以外的成分满足规定的条件的条件下，能够确认到以下情况。即，与Fe2O3的含量少于40.5摩尔％的比较例(试样编号1)相比，在Fe2O3的含量为40.5～50.0摩尔％的实施例中，能够确认到900MHz下的μ’提高，比电阻和弯曲强度也提高。另外，与Fe2O3的含量多于50.0摩尔％的比较例(试样编号17)相比，在Fe2O3的含量为40.5～50.0摩尔％的实施例中，能够确认到900MHz下的μ’提高，弯曲强度也提高。
另外，即使Fe2O3的含量在40.5～50.0摩尔％的范围内，与实施例相比，在SnO2的含量(γ)少于0.5重量份的比较例(试样编号3～5、7和9)中，也能够确认到存在弯曲强度降低，并且初磁导率μi的温度特性变差的趋势。而且，即使Fe2O3的含量在40.5～50.0摩尔％的范围内，在ZnO的含量(α)高于25.0摩尔％的比较例(试样编号16)中，也能够确认到900MHz下的μ’降低。
如表1A的试样编号18～22所示，与实施例相比，在SnO2的含量(γ)少于0.5重量份的比较例(试样编号18～22)中，能够确认到弯曲强度降低，并且初磁导率μi的温度特性变差，或者900MHz下的μ’变差。
如表1B的试样编号23～41所示，在ZnO以外的成分满足规定的条件的条件下，能够确认到以下情况。即，与ZnO的含量(α)为5.0摩尔％的比较例(试样编号23)相比，在ZnO的含量(α)为7.0～25.0摩尔％的实施例中，能够确认到比电阻提高。另外，与ZnO的含量(α)为27.0摩尔％的比较例(试样编号41)相比，在ZnO的含量(α)为7.0～25.0摩尔％的实施例中，能够确认到900MHz下的μ’提高，比电阻也提高。
另外，即使ZnO在7.0～25.0摩尔％的范围内，在Co3O4的含量(β)低于3.1重量份的比较例(试样编号25和26)中，也能够确认到900MHz下的μ’降低。而且，即使ZnO在7.0～25.0摩尔％的范围内，与实施例相比，在以A＝(α―18)/β表示的A的值低于－3.5的比较例(试样编号25)和大于1.0的比较例(试样编号38)中，也能够确认到900MHz下的μ’降低。
另外，通过比较β/γ低于1.6的实施例(试样编号30)和β/γ为1.6以上的实施例(试样编号24、27～29、31～37、39～40)，能够确认到通过将β/γ设为1.6以上，至少提高了900MHz下的μ’。
如表1C的试样编号42～63所示，在CuO以外的成分满足规定的条件的条件下，能够确认到以下情况。即，与CuO的含量为5.5摩尔％的比较例(试样编号42)相比，在CuO的含量为6.0～14.0摩尔％的实施例中，能够确认到900MHz下的μ’、比电阻和弯曲强度提高。另外，与CuO的含量为15.5摩尔％的比较例(试样编号51)相比，在CuO的含量为6.0～14.0摩尔％的实施例中，能够确认到10MHz和900MHz下的μ’提高，比电阻和弯曲强度也提高。
另外，即使CuO在6.0～14.0摩尔％的范围内，在Fe2O3的含量低于40.5摩尔％的比较例(试样编号57)中，也能够确认到900MHz下的μ’降低，并且比电阻和弯曲强度降低。此外，与表1A的试样编号1的比较例相比，在表1C的试样编号57的比较例中弯曲强度提高的原因认为是Co3O4的含量(β)降低至5.0重量份以下。
如表2的试样编号64～80所示，在SnO2以外的成分满足规定的条件的条件下，能够确认到以下内容。即，与SnO2的含量低于0.5重量份的比较例(试样编号64)相比，在SnO2的含量为0.5～4.0重量份的实施例中，能够确认到初磁导率μi的温度变化率和弯曲强度提高。另外，与SnO2的含量为4.5重量份的比较例(试样编号72)相比，在SnO2的含量为0.5～4.0重量份的实施例中，能够确认到900MHz下的μ’提高，比电阻和弯曲强度也提高。
另外，与β/γ低于1.6的实施例(试样编号71和76)相比，在β/γ为1.6以上的实施例(试样编号65～70、73～74、77～78和80)中，能够确认到至少900MHz下的μ’提高。
实施例2
作为副成分的原料，进一步将Bi2O3以作为烧结体成为表3所述的组成的方式称量而追加，除此以外，与实施例1同样地制作烧结体的样品，进行与实施例1同样的评价。将结果示于表3。
如表3所示，能够确认到Bi2O3的含量增加，并且弯曲强度降低，但900MHz下的μ’提高，并且比电阻提高。
实施例3
作为副成分的原料，进一步将SiO2以作为烧结体成为表4所述的组成的方式称量而追加，除此以外，与实施例1同样地制作烧结体的样品，进行与实施例1同样的评价。将结果示于表4。
如表4所示，能够确认到即使以较少的量含有SiO2，900MHz下的μ’、初磁导率μi的温度变化率、比电阻和弯曲强度也为能够充分满足的水平。
表1A
表1B
表1C
表2
※为比较例
表3
表4
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Claims (4)

1.一种铁氧体组合物，其具有主成分和副成分，其中，
所述主成分含有以Fe2O3换算计为40.5～50.0摩尔％的铁氧化物、以CuO换算计为6.0～14.0摩尔％的铜氧化物、以ZnO换算计为7.0～25.0摩尔％的锌氧化物和剩余部分的镍氧化物，
相对于所述主成分100重量份，所述副成分含有以Co3O4换算计为3.1～10.0重量份的钴氧化物、以SnO2换算计为0.5～4.0重量份的锡氧化物、以Bi2O3换算计为0.50重量份以下且包含0的铋氧化物，
将所述主成分中的所述锌氧化物的以ZnO换算计的摩尔％所表示的含量设为α，将所述钴氧化物相对于所述主成分100重量份的以Co3O4换算计的重量份含量设为β，在A＝(α－18)/β时，
A为－3.5以上1.0以下。
2.根据权利要求1所述的铁氧体组合物，其中，
在将所述锡氧化物相对于所述主成分100重量份的以SnO2换算计的含量设为γ时，β/γ为1.6以上。
3.一种铁氧体烧结体，其具有权利要求1或2所述的铁氧体组合物。
4.一种电子部件，其具有权利要求1或2所述的铁氧体组合物。
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