CN117203736A - 能量分散离子束的装置、系统以及方法 - Google Patents
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Abstract
一种离子植入机可包含:离子源,布置成产生连续离子束;DC加速系统,加速连续离子束;以及AC线性加速器,接收连续离子束且输出聚束式离子束。离子植入机也可包含能量分散电极组合件,所述能量分散电极组合件接收聚束式离子束且沿着聚束式离子束的局部传播方向在能量分散电极组合件的多个电极之间施加RF电压。
Description
技术领域
本公开大体上涉及离子植入装置,且更具体地说,涉及高能量束线离子植入机。
背景技术
目前,某些器件,例如绝缘栅极双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor;IGBT)、CMOS图像传感器以及其它半导体器件是使用多次离子植入制造的。多次离子植入的使用促进产生具有作为半导体衬底内深度函数的目标形状的平滑掺杂剂轮廓,其方法对于相对深的离子植入轮廓特别有用。在当前的实践中,这种目标形状可通过以许多不同离子能量植入相对较少剂量的离子来得到。举例来说,CMOS图像传感器(CMOSImage Sensor;CIS)器件的当前技术状态可采用从500千电子伏特(keV)到大于10兆电子伏特(MeV)的20种离散能量,剂量范围为1E10/cm2到1E12/cm2,而对于汽车和其它应用所需的较短波长感测,植入步骤的数量可能加倍或甚至更多。
已提议使用锯齿吸收滤波器,而不是采用多次植入以在给定的离子植入操作内产生离子能量的分散。然而,这种方法伴随着污染、颗粒以及滤波器寿命的风险,其可能限制这种方法用于实际生产环境。
相对于这些和其它考虑来提供本公开。
发明内容
在一个实施例中,离子植入机可包含:离子源,布置成产生连续离子束;DC加速系统,加速连续离子束;以及AC线性加速器,接收连续离子束且输出聚束式离子束。离子植入机也可包含能量分散电极组合件,接收聚束式离子束且沿着聚束式离子束的局部传播方向在能量分散电极组合件的多个电极之间施加RF电压。
在另一实施例中,提供离子植入机,包含:离子源,产生离子束作为连续离子束;以及线性加速器,聚集连续离子束且将离子束输出为聚束式离子束。离子植入机可包含扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的聚束式离子束,且沿着垂直于第一方向的第二方向扫描聚束式离子束。离子植入机可进一步包含准直器,安置到扫描器下游,接收聚束式离子束,且将聚束式离子束输出为带状束。离子植入机也可包含能量分散电极组合件,安置到线性加速器下游,且布置成沿着带状束的局部传播方向在能量分散电极组合件的多个电极之间施加AC电压。
在额外实施例中,射束调节装置可包含扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的聚束式离子束,且沿着垂直于第一方向的第二方向扫描离子束。射束调节装置也可包含准直器,安置到扫描器下游,接收聚束式离子束,且将聚束式离子束输出为带状束。射束调节装置可进一步包含能量分散电极组合件,安置到线性加速器下游,且布置成沿着带状束的局部传播方向在能量分散电极组合件的多个电极之间施加AC电压。射束调节装置可额外包含控制器,布置成控制扫描器和能量分散电极组合件以沿着垂直于带状束的局部传播方向的方向在带状束的宽度上产生带状束的均匀能量分散。
附图说明
图1描绘根据本公开的实施例的离子植入机。
图2示出根据本公开的实施例的另一示例性离子植入机。
图3描绘根据本公开的其它实施例布置的离子植入机。
图4描绘根据本公开的其它实施例布置的离子植入机。
附图不需要按比例。附图仅为表示,并不意欲描绘本公开的具体参数。附图意欲描绘本公开的示例性实施例,且因此不应被视为在范围上受到限制。在附图中,相似编号表示相似元件。
具体实施方式
现将在下文中参考随附附图更全面地描述根据本公开的装置、系统以及方法,在附图中示出系统和方法的实施例。系统和方法可以许多不同形式体现,且不应理解为受限于本文中所阐述的实施例。替代地,提供这些实施例是为了使得本公开透彻且完整,且将向所属领域的技术人员充分传达系统和方法的范围。
例如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“竖直”、“水平”、“横向”以及“纵向”的术语在本文中可用于描述这些组件和其组成部分的相对放置和定向,在呈现在附图中时相对于半导体制造器件的组件的几何形状和定向。术语可包含具体提到的词、其派生词以及类似意思的词。
如本文中所使用,以单数形式列举且以字词“一(a/an)”进行的元件或操作理解为潜在地还包含多个元件或操作。此外,对本公开的“一个实施例”的提及并不意欲解释为排除同样并入所叙述特征的额外实施例的存在。
本文提供用于基于束线架构的经改良离子植入系统和组件,且具体来说例如基于线性加速器的离子植入机的高能量离子植入机的方法。为简洁起见,离子植入系统在本文中还可称为“离子植入机”。各种实施例需要产生用于在线性加速器或LINAC中处理的聚束式带状离子束的新颖方法。
在各种实施例中,在LINAC下游提供电极组合件以使用以高频传送到电极组合件的AC信号来修改聚束式离子束的能量。在执行衬底和/或离子束的扫描以处理衬底的各种实施例中,能量变化的频率可设定为比衬底扫描的快得多,使得由电极组合件产生的能量变化在衬底上的每一点处显示为受控制、可重复的能量分散。
图1描绘根据本公开的实施例的离子植入机100。离子植入机100包含离子源102,其布置成产生示出为离子束120的连续离子束。离子植入机100可包含AC线性加速器,其表示为安置在离子源102下游,接收离子束120的线性加速器104。线性加速器104可包含如本领域中已知的聚束器(未单独地示出),以便修改离子束120以使得产生聚束式离子束122。在线性加速器104的多个阶段处,可根据各种非限制性实施例将聚束式离子束122的能量增加到例如1兆电子伏特、2兆电子伏特、5兆电子伏特或其它合适的离子能量的目标离子能量。
根据本公开的一些非限制性实施例,离子植入机100可包含安置到线性加速器104下游的额外组件,以成形、准直、过滤或扫描聚束式离子束122或执行这些操作的任何组合。这些额外组件由下游组件106示出,其组件安置在线性加速器104与能量分散电极组合件108之间的中间处。能量分散电极组合件108布置成接收聚束式离子束122且调节聚束式离子束122的能量以将能量分散离子束124输出到衬底110。
在各种实施例中,聚束式离子束122的能量可通过在能量分散电极组合件108上施加高频电压来调节,其电压可沿着在所示出的笛卡尔坐标系统中表示为Z轴的聚束式离子束122的传播方向产生对应的高频电场。具体来说,在遵循的这个实施例和其它实施例中,能量分散电极组合件108可布置为在沿着传播方向施加高频场的同时传导聚束式离子束122的中空电极。以这种方式,可在穿过能量分散电极组合件期间将可变能量赋予到聚束式离子束122。举例来说,RF电源130可用于在能量分散电极组合件108内的不同电极之间以合适的频率(例如,大于1兆赫兹)产生AC电压信号(如本文所使用的术语“AC电压”或“AC电压信号”可涵盖任何合适的频率范围,包含1千赫兹、1兆赫兹等)。驱动线性加速器及能量分散电极组合件108的加速阶段的适当的加速频率的实例包含各种非限制性实施例中的13.56兆赫兹与40兆赫兹之间的频率。
根据本公开的各种实施例,传送到能量分散电极组合件108的AC电压可具有合适的幅度以产生如传送到衬底110的能量分散离子束124内的目标能量分散。举例来说,根据一些非限制性实施例,能量分散离子束124可具有半峰全宽(full width at halfmaximum;FWHM)的能量分布,其相当于1%标称离子束能量、2%标称能量、5%标称能量、10%标称能量或20%标称能量。因此,在不同实施例中标称离子束能量可大于500千电子伏特、大于1兆电子伏特、大于2兆电子伏特、大于5兆电子伏特。以这种方式,对于给定的标称离子束能量,能量分散离子束124可以传送与由具有相同标称离子束能量的单能离子束产生的植入轮廓相比更宽的植入轮廓的方式植入到衬底110中。
图2描绘根据本公开的额外实施例的离子植入机200。与离子植入机100的情况一样,离子植入机200包含离子源102和安置在离子源102下游的线性加速器104。
离子植入机200可包含射束调节装置220,其安置在线性加速器104下游且包含扫描器202、准直器204以及能量分散电极组合件208。
线性加速器104可包含聚束器(未示出)以从离子束120产生聚束式离子束122,此束可作为连续离子束进入线性加速器104。扫描器202布置成接收聚束式离子束122(示意性地示出为由深色椭圆形表示的离子束),且布置成传送在扫描期间界定的扫描信号以扫描第一束线侧与第二束线侧之间的聚束式离子束122。在这个实例中,聚束式离子束122可为笔形或点状离子束,其中聚束式离子束122在如所示出的X-Z平面中被扫描。举例来说,根据一些非限制性实施例,扫描产生器230可在例如1千赫兹、2千赫兹、5千赫兹的千赫兹范围中以扫描频率将例如振荡电压的扫描信号传送到产生振荡电场的一对电极板。因此,当在比给定的扫描频率的扫描发生器230的周期更长的时间尺度上平均时,经扫描的聚束式离子束可扇出以沿着X轴形成延长横截面。在这个实施例中,能量分散电极组合件208包含耦合到相位控制系统的一系列AC电极,所述相位控制系统使用聚束式离子束122的扫描位置的信息以便选择适当的相位从而实现聚束式离子束122的所需能量分散。
准直器204安置在扫描器202下游接收在这种情况下呈扇形束形式的聚束式离子束122。准直器204可布置成将聚束式离子束122成形和输出为沿着X轴延长的带状束222。如图2中进一步示出,能量分散电极组合件208安置在准直器204下游接收带状束222。如下详述,能量分散电极组合件208布置成沿着带状束的传播方向在多个电极之间施加RF电压以便在其中产生能量分散。
在图2的实例中,能量分散电极组合件208包含第一接地电极212和第二接地电极216,以及安置在两个接地电极之间的供电电极214。RF电源234可以合适的频率将RF功率信号供应到供电电极214。举例来说,RF电源234可将RF信号引导到将RF电压信号传送到供电电极214的谐振器(未单独地示出)。因此,RF电压将在供电电极214与第一接地电极212和第二接地电极216之间产生,其中RF电压在带状束222的传播方向上沿着Z轴产生具有对应于RF电压信号的频率的频率的振荡电场。
根据本公开的各种实施例,能量分散电极组合件208可布置为具有经设计以涵盖带状束222的延长横截面(沿着X轴)的一系列中空导电圆筒。以这种方式,能量分散电极组合件208可展示用于聚集或加速线性加速器中的离子束的已知的漂移管组合件的一些特征。当带状束222穿过能量分散电极组合件的给定的中空电极时,带状束222将经历中空电极内不存在电场的漂移区。振荡电场将在第一接地电极212与供电电极214之间产生,同时振荡电场也将在供电电极214与第二接地电极216之间产生。以这种方式,能量分散电极组合件208可定义其特征为两个加速间隙的所谓的双间隙配置。根据本公开的各种实施例,为具有分散离子能量的所需效果,考虑几个因素来选择施加到能量分散电极组合件208的振荡电压的频率和相位。这些因素包含离子的速度、离子束中的相位的分散以及双间隙配置的两个间隙之间的长度。
当带状束222进入能量分散电极组合件208中的加速间隙时,带状束222的给定的离子束的进入时间将影响离子如何在间隙内加速或减速。举例来说,可将正弦RF电压信号施加到供电电极214,其中正弦电场在加速间隙内产生。根据离子穿过加速间隙时电场的瞬时幅度和标志,离子可加速或减速到更小或更大的程度。因此,在穿过加速间隙的给定的离子束内,束前缘上的离子将加速或减速到与束后缘上的离子不同的程度,从而在穿过能量分散电极组合件208期间导致带状束222的离子能量的分散。
根据本公开的实施例,能量分散电极组合件208可将带状束222的能量扩大或分散目标量以便将能量分散离子束224(示出为更细长以指示能量分散的深色椭圆形)传送到具有离子能量的期望范围的衬底110。举例来说,在一个情境中,线性加速器104可将1兆电子伏特的离子能量赋予到带状束222,同时将具有80千电子伏特的振幅的RF电压信号传送到供电电极214。假定用于带状束222的初始单能能量,80千伏信号可致使能量分散离子束224以1兆电子伏特的平均能量和高达160千电子伏特的FWHM撞击衬底110。
根据本公开的各种非限制性实施例,对于在1Me到10兆电子伏特范围内的初始离子能量,能量分散电极组合件可处理离子束以将离子能量(FWHM)分散1%到30%。应注意如上文所论述,带状束222将作为意谓在时间和空间上彼此分离的一系列离散的离子包或束的聚束式离子束进入能量分散电极组合件。这个聚束通过可以类似于能量分散电极组合件108的操作的方式执行的漂移管装置来实现,其中将RF信号施加到一系列漂移管电极中的至少一个供电电极。聚束器的这些漂移管组件将产生倾向于取决于当RF场在加速间隙内振荡时不同离子穿过加速间隙时的时间来不同地加速/减速离子束中的不同离子的两个或大于两个加速间隙。此外,根据本公开的各种实施例,聚束式离子束(带状束222)可以等于由RF电源234输出的分散频率的聚束频率聚集。以这种方式,带状束222的离子束的到达时间可与在能量分散电极组合件208上产生的电场同步。
在具体实施例中,其中能量分散电极组合件208的分散频率(例如,约兆赫兹或几十兆赫兹)可比扫描器202的扫描频率(例如,约1千赫兹左右)快得多,可将能量分散以均匀、可重复方式赋予到能量分散离子束224的不同束。举例来说,带状束222沿着垂直于传播方向(Z轴)的横向方向(X轴)延长,能量分散电极组合件208可沿着X轴在聚束式带状束的宽度上将均匀能量分散施加到不同离子束的聚束式带状束(带状束222)。这种能量分散的均匀性可通过维持由RF电源234输出到能量分散电极组合件208的RF信号与带状束中的束的到达时间的恒定相位关系来实现。
在一个实施例中,离子植入机200可包含检测器210和测量能量分散电极组合件208的入口处的带状束222的离子束的相位的相位测量组件232。离子植入机200可进一步包含如图2所示出的与RF电源234同步此相位信息的控制器236。可替代地,控制器236可从扫描产生器230撷取或接收信号以确定带状束222的离子束的瞬时扫描位置(沿着X轴)。了解离子束的瞬时扫描位置将允许同步由RF电源234产生的RF信号以确保给定的离子束以适当的间隔穿过能量分散电极组合件208以产生目标能量分散。
图3描绘根据本公开的其它实施例布置的离子植入机300。与离子植入机100和离子植入机200的情况一样,离子植入机300包含离子源102和安置在离子源102下游的线性加速器104。在这个实施例中(以及在图1、图2以及图4的实施例的变化形式中),在离子束的进一步加速发生在线性加速器104中之前,离子植入机可进一步包含根据一些非限制性实施例的将离子束120加速到例如250千电子伏特到500千电子伏特的合适的能量的DC加速系统103。
在这个实施例中,能量分散装置可包含耦合到能量分散电极组合件310的电源,在这种情况下,所述能量分散电极组合件310体现为包含上游电极312和下游电极314的二极管集合。根据一些实施例可在上游电极312与下游电极314之间施加AC电压。如图3中所示出,束线的上游部分322与束线下游部分324电隔离。根据不同实施例,束线的上游部分322可电浮动或下游部分324可电浮动,包含容纳衬底110的端站(未示出)。这个方法的优势在于在这个实例中,能量分散电极组合件310不需要接收设定为与施加到线性加速器104的RF电压相同的频率的RF电压信号。因为在能量分散电极组合件310中仅存在一个间隙,且能量振荡的频率可在相当宽的范围内自由选择而不引起其它问题,所以图3中的实施例在一些方面比图2的实施例更简单。然而,图3的实施例展示更复杂的机械设计,需要大组合件与接地电位分离且将组件安装在绝缘体上。
在上游电极312与下游电极314之间施加AC电压的实施例中,为了避免将AC电压与施加到线性加速器104(包含聚束器)的RF电压的扫描频率和/或聚束频率混叠,应小心选择AC电压频率。根据一些实施例,由于施加在线性加速器104的阶段处的聚束频率假定为几兆赫兹或更高,且扫描器202的扫描频率可在约1千赫兹的范围内,在约100千赫兹范围内(例如,50千赫兹到500千赫兹)的AC电压频率可用于能量分散电极组合件310。如图3的实施例所示出,第一电源332耦合到上游部分322,或替代地电源334可耦合到下游部分324,其中每一电源可耦合到控制器330。由于这后一种频率可比线性加速器104的聚束频率低得多(约10X或大于10X),穿过能量分散电极组合件310的离子的每一束将基本上经历DC加速或减速。换句话说,对于以比如13.56兆赫兹的频率聚集的离子束,束长度和因此离子束穿过能量分散电极组合件310的传播时间足够短,使得那个束所经历的有效场将呈现准恒定,因为能量分散场频率低得多(约100千赫兹)。
图4描绘根据本公开的其它实施例布置的离子植入机400。与离子植入机100、离子植入机200以及离子植入机300的情况一样,离子植入机300包含离子源102和安置在离子源102下游的线性加速器104。不同于图2和图3的实施例,在这个实施例中,离子植入机400产生笔形射束(或点状波束)且将其引导到衬底110。
如在前述实施例中,根据各种非限制性实施例,线性加速器104的多个阶段可产生聚束式离子束122且将其加速到例如1兆电子伏特、2兆电子伏特、5兆电子伏特或其它合适的离子能量的目标离子能量。不同于前述实施例,可提供例如能量选择器磁体404的组件以在撞击衬底110之前将聚束式离子束122处理为具有处于目标值的离子能量的点状束。能量选择器磁体404(有时称为“最终能量磁体”)用以对束线中的那个点处的离子的能量给出独立测量。离子植入机400进一步提供体现为高频电源412的能量分散装置和能量分散电极组合件406。为简单起见,能量分散电极组合件406示出为两个电极。然而,根据不同实施例,能量分散电极组合件406可体现为类似于能量分散电极组合件208的双间隙漂移管组合件,或替代地体现为在两个接地电极之间提供两个供电电极的三间隙电极组合件。因此,高频电源412可以与电源组合件410将RF电压提供到聚束器和线性加速器104的各个阶段相同的频率产生RF电压。图4的架构的优势在于由于从线性加速器到能量分散电极组合件406的聚束式离子束122中的离子的路径长度是恒定的,所以两者之间的相位关系也是恒定的。为实现一系列离子束的所需且可重复的加速或减速,需要加速或减速AC场的相位与作用于AC场上的离子束的到达时间匹配。换句话说,到达能量分散电极组合件406处的每一连续离子束应经历所施加的AC场的相同幅度和相位。因此,通过建立由电源组合件410产生的聚集信号和由高频电源412发送的分散信号的相同频率,且通过适当同步聚集信号和分散信号,沿着给定的离子路径的每一连续离子束将由来自能量分散电极组合件的所施加的AC场以相同方式来处理。在图2的配置中,这种相位关系随着不同离子路径的路径长度根据在那个时刻的扫描角度变化而变化,而在图4的配置中,不存在改变路径长度的高速扫描。因此,控制器414可更容易地使通过线性加速器104的聚束式离子束122的加速和由能量分散电极组合件406执行的能量分散同步。
如图4中所示出,离子植入机400可包含衬底平台408,其经配置以围绕Z轴旋转衬底110,以及沿着诸如X轴的垂直轴线平移衬底。以这种方式,虽然在给定情况下聚束式离子束122可仅暴露的衬底110的一部分,但衬底110的全部或其任何目标部分可通过适当的旋转和/或平移衬底110来暴露于能量分散离子束420。
鉴于前述内容,通过本文中公开的实施例来达成至少以下优势。通过本实施例的离子植入机得到的第一优势是与可能使用已知的单能高能量植入机相比,能够在给定的植入工艺中实现更宽的植入轮廓。另一优势是能够仅通过调整施加到能量分散组件的电压来容易地调整植入轮廓的宽度。
虽然已在本文中描述了本公开的某些实施例,但本公开不限于此,因为本公开在范围上与所属领域将允许的一样宽泛,且可同样地来理解说明书。因此,不应将以上描述理解为限制性的。所属领域的技术人员将设想在本文所附的权利要求的范围和精神内的其它修改。
Claims (20)
1.一种离子植入机,包括:
离子源,布置成产生连续离子束;
DC加速系统,加速所述连续离子束;
AC线性加速器,接收所述连续离子束且输出聚束式离子束;以及
能量分散电极组合件,接收所述聚束式离子束,且沿着所述聚束式离子束的局部传播方向在所述能量分散电极组合件的多个电极之间施加RF电压。
2.根据权利要求1所述的离子植入机,所述聚束式离子束以聚束频率聚束,进一步包括以等于所述聚束频率的分散频率将RF信号输出到所述能量分散电极组合件的RF电源。
3.根据权利要求1所述的离子植入机,包括在所述能量分散电极组合件的入口处测量所述聚束式离子束的相位的检测器。
4.根据权利要求1所述的离子植入机,进一步包括维持输出到所述能量分散电极组合件的RF信号与所述聚束式离子束的相位之间的恒定相位关系的控制器。
5.根据权利要求1所述的离子植入机,其中所述聚束式离子束以聚束频率驱动,其中所述能量分散电极组合件布置成接收所述聚束式离子束作为笔形射束,且其中所述能量分散电极组合件以等于所述聚束频率的分散频率驱动。
6.根据权利要求1所述的离子植入机,进一步包括:
扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的所述聚束式离子束,且沿着垂直于所述第一方向的第二方向扫描所述聚束式离子束;以及
准直器,安置到所述扫描器下游,接收所述聚束式离子束,且将所述聚束式离子束输出到所述能量分散电极组合件作为聚束式带状束。
7.根据权利要求6所述的离子植入机,所述能量分散电极组合件包括布置有延长横截面以涵盖所述聚束式带状束的多个中空导电圆筒。
8.根据权利要求6所述的离子植入机,其中所述聚束式带状束沿着垂直于所述局部传播方向的横向方向延长,其中所述能量分散电极组合件布置成沿着所述横向方向在所述聚束式带状束的宽度上将均匀能量分散施加到所述聚束式带状束。
9.根据权利要求4所述的离子植入机,进一步包括:
扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的所述聚束式离子束,且沿着垂直于所述第一方向的第二方向扫描所述聚束式离子束,
其中所述扫描器产生所述聚束式离子束作为聚束式带状束,且
其中所述控制器布置成通过确定所述聚束式带状束的瞬时扫描位置来维持所述恒定相位关系。
10.一种离子植入机,包括:
离子源,产生离子束作为连续离子束;
线性加速器,聚集所述连续离子束且将所述连续离子束输出为聚束式离子束;
扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的所述聚束式离子束,且沿着垂直于所述第一方向的第二方向扫描所述聚束式离子束;
准直器,安置到所述扫描器下游,接收所述聚束式离子束,且将所述聚束式离子束输出为带状束;以及
能量分散电极组合件,安置到所述线性加速器下游,且布置成沿着所述带状束的局部传播方向在所述能量分散电极组合件的多个电极之间施加AC电压。
11.根据权利要求10所述的离子植入机,所述能量分散电极组合件包括布置有延长横截面以涵盖所述带状束的多个中空导电圆筒。
12.根据权利要求10所述的离子植入机,所述聚束式离子束以聚束频率聚集,进一步包括以等于所述聚束频率的分散频率将RF信号输出到所述能量分散电极组合件的RF电源。
13.根据权利要求10所述的离子植入机,其中所述带状束沿着垂直于局部传播方向的横向方向延长,其中所述能量分散电极组合件布置成沿着所述横向方向在所述聚束式带状束的宽度上将均匀能量分散施加到所述聚束式带状束。
14.根据权利要求10所述的离子植入机,其中所述能量分散电极组合件包括二极管集合。
15.一种射束调节装置,包括:
扫描器,布置成接收沿着第一方向传播的聚束式离子束,且沿着垂直于所述第一方向的第二方向扫描所述聚束式离子束;
准直器,安置到所述扫描器下游,接收所述聚束式离子束,且将所述聚束式离子束输出为带状束;
能量分散电极组合件,安置到所述准直器下游,且布置成沿着所述带状束的局部传播方向在所述能量分散电极组合件的多个电极之间施加AC电压;以及
控制器,布置成控制所述扫描器和所述能量分散电极组合件以沿着垂直于所述带状束的所述局部传播方向的方向在所述带状束的宽度上产生所述带状束的均匀能量分散。
16.根据权利要求15所述的射束调节装置,所述能量分散电极组合件包括布置有延长横截面以涵盖所述带状束的多个中空导电圆筒。
17.根据权利要求15所述的射束调节装置,所述聚束式离子束以聚束频率聚集,进一步包括以等于所述聚束频率的分散频率将RF信号输出到所述能量分散电极组合件的RF电源。
18.根据权利要求15所述的射束调节装置,所述控制器布置成维持输出到所述能量分散电极组合件的RF信号与所述带状束的相位之间的恒定相位关系。
19.根据权利要求18所述的射束调节装置,包括在所述能量分散电极组合件的入口处测量所述带状束的相位的检测器。
20.根据权利要求18所述的射束调节装置,所述控制器通过确定所述带状束的瞬时扫描位置来维持所述恒定相位关系。
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