CN117202698A - 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备，其中的制造方法包括提供衬底基板，衬底基板包括阳极区、辅助电极区以及阳极区与辅助电极区之间的间隔区；在衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层；第一透明导电层位于阳极区和辅助电极区，第二透明导电层位于阳极区、间隔区和辅助电极区，第一金属层位于辅助电极区；刻蚀掉位于间隔区的第二透明导电层；在间隔区、第一金属层和位于阳极区的第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；刻蚀掉位于间隔区的第三透明导电层和第二金属层，获得位于辅助电极区的辅助电极结构和位于阳极区的阳极结构。该方法能够降低显示串色的几率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备。
背景技术
具有透明阳极的有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display,OLED)显示产品兼具透光性和显示性，在一些特定的场景下具有无可替代的优势。然而，该类显示产品在后端的点灯测试(Cell Test,CT)时，存在不同像素同时亮的情况，例如：红色子像素R和白色子像素W同时点亮，造成显示串色，影响产品的显示效果。
发明内容
鉴于上述问题，本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备，能够有效的降低显示串色的产生几率，提高显示效果。
第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：
一种阵列基板的制造方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板包括阳极区、位于所述阳极区至少一侧的辅助电极区以及所述阳极区与所述辅助电极区之间的间隔区；
在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述阳极区和所述辅助电极区，所述第二透明导电层位于所述阳极区、所述间隔区和所述辅助电极区，所述第一金属层位于所述辅助电极区；
刻蚀掉位于所述间隔区的所述第二透明导电层；
在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；
刻蚀掉位于所述间隔区的所述第三透明导电层和所述第二金属层，获得位于所述辅助电极区的辅助电极结构和位于所述阳极区的阳极结构。
在一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层，包括：
采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层；
在所述第一透明导电层上形成依次层叠的所述第二透明导电层和所述第一金属层。
在一些实施例中，所述采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层，包括：
采用透明导电材料，在所述衬底基板上进行第一步沉积，形成第一导电材料层，所述第一导电材料层的厚度为650埃～750埃；
对包括所述第一导电材料层的衬底基板进行清洗；
采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第一导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第一透明导电层；所述第一透明导电层的厚度为1300埃～1500埃；
对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗。
在一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层，包括：
在所述衬底基板上形成第一透明导电层，并对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗；
在清洗后的所述第一透明导电层上形成厚度为250埃～350埃的第二透明导电层；
对包括所述第二透明导电层的衬底基板进行清洗；
在清洗后的所述第二透明导电层上形成所述第一金属层。
在一些实施例中，所述在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层，包括：
在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成所述第二金属层；
采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层。
在一些实施例中，所述采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层，包括：
采用透明导电材料，在所述第二金属层上进行第一步沉积，形成第二导电材料层，所述第二导电材料层的厚度为400埃～500埃；
对包括所述第二导电材料层的衬底基板进行清洗；
采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第二导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第三透明导电层，所述第三透明导电层的厚度为800埃～1000埃；
对包括所述第三透明导电层的所述衬底基板进行清洗。
在一些实施例中，所述透明导电材料为氧化铟锡，所述第一金属层的材质为铜或铜合金，所述第二金属层为铜与钼铌合金的复合膜层。
第二方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
一种阵列基板，采用第一方面实施例提供的所述制造方法获得。
第三方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
一种显示面板，包括第二方面实施例提供的阵列基板。
第四方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
一种显示设备，包括第三方面实施例提供的显示面板。
通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：
本公开提供了一种阵列基板的制造方法，通过改变辅助电极结构中的透明导电层的刻蚀顺序，具体是将第二透明导电层和第三透明导电层的刻蚀分开进行，将第二透明导电层的刻蚀提前到形成第二金属层和第三透明导电层之前，与第三透明导电层制备完成后再依次刻蚀第三透明导电层和第二透明导电层的方案相比，本公开的方案对第三透明导电层的刻蚀仅有一次(原方案为两次)，从而减少了第三透明导电层的刻蚀损伤，有效避免了辅助电极结构中的第三透明导电层的端部因被刻蚀液过度浸泡而变薄，导致其在后续工艺如Strip和PDL工序容易被水流等冲击断裂，卡在子像素之间出现像素短路，造成像素同亮和显示串色的问题，进而提高了显示效果。
上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。
在附图中：
图1A示出了在衬底基板上形成第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层的示意图；
图1B示出了刻蚀第一金属层，保留位于辅助电极区的第一金属层的示意图；
图1C示出了在第一金属层和第二透明导电层上继续形成第二金属层和第三透明导电层的示意图；
图1D示出了通过三步刻蚀形成辅助电极结构和阳极结构的示意图；
图1E示出了辅助电极结构中的第三透明导电层端部的扫描电镜照片；
图2示出了根据本公开实施例的阵列基板的制造方法流程示意图；
图3A示出了根据本公开实施例的在衬底基板上形成第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层的示意图；
图3B示出了根据本公开实施例的刻蚀第一金属层，保留位于辅助电极区的第一金属层的示意图；
图3C示出了根据本公开实施例的刻蚀掉位于间隔区的第二透明导电层的示意图；
图3D示出了根据本公开实施例的在第一金属层和第二透明导电层上形成第二金属层和第三透明导电层的示意图；
图3E示出了根据本公开实施例的刻蚀间隔区的第二金属层和第三透明导电层的示意图；
图4示出了根据本公开实施例的粉尘微粒刺穿有机发光层的示意图；
图5A示出了根据本公开实施例的，通过第一步沉积在衬底基板上形成第一导电材料层的示意图；
图5B示出了根据本公开实施例的，通过第二步沉积形成第一透明导电层的示意图；
图5C示出了根据本公开实施例的方案1与原方案的工序流程对比图；
图6示出了根据本公开实施例的方案2与原方案的工序流程对比图；
图7A示出了根据本公开实施例的，通过第一步沉积在第二金属层上形成第二导电材料层的示意图；
图7B示出了根据本公开实施例的，通过第二步沉积形成第三透明导电层的示意图；
图7C示出了根据本公开实施例的方案3与原方案的工序流程对比图；
图8示出了根据本公开实施例的显示设备示意图；
附图标记说明：
10、衬底基板；21、第一透明导电层；211、第一导电材料层；22、第二透明导电层；23、第一金属层；24、第二金属层；25、第三透明导电层；251、第二导电材料层；RIB、辅助电极区；JZ、间隔区；AZ、阳极区；AUC、辅助电极结构；Anode、阳极结构。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
在本公开的上下文中，如无特别说明，以显示面板的出光侧为“顶侧”或“上侧”，其相反侧为“底侧”或“下侧”，以便于描述相对方向。相应地，与底侧到顶侧的方向为显示面板的厚度方向，与厚度方向垂直的方向则是显示面板的“平面方向”或“延伸方向”。应当理解，这些方向都是相对方向而非绝对方向。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
针对点灯测试(CT)过程中产生的像素同亮的问题，申请人研究发现，像素同亮是因为像素短路引起的，而像素短路的原因是：在目前的透明阳极制备过程中，使用减薄的透明导电层来减少相应的刻蚀时间，以解决钝化层的连接孔(PVX孔)腐蚀的问题。但是在减薄的过程中，为了减少刻蚀时间，省略了对辅助电极结构中的第一金属层(如Cu)的返刻步骤，如此造成辅助电极结构中的上透明导电层(TOP ITO)因为刻蚀下透明导电层(BUF ITO)时被蚀刻液再次浸泡而变薄较多，导致上透明导电层(TOP ITO)的端部(tip)容易在后续的剥离工序(Strip)和像素定义层工序(PDL)时易被水流等冲击断裂，断裂的端部卡在子像素之间，产生像素之间的短路，导致显示产品在后端CT时出现不同像素同时亮(如RW像素同亮)的情况。其中，辅助电极结构可与电致发光器件的阴极相连，能够降低阴极的方块电阻，从而减轻因为电压降引起的亮度不均的问题。因此辅助电极又可称之为辅助阴极。
例如，图1A～图1D提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板10上形成依次层叠的第一透明导电层21、第二透明导电层22和第一金属层23，如图1A所示；然后再通过刻蚀或其他方法去除位于阳极区AZ的第一金属层23，保留位于辅助电极区RIB的第一金属层23，如图1B所示，通过先进行第一金属层23的刻蚀，垫高了辅助电极的高度；接着在第二透明导电层22和位于辅助电极区RIB的第一金属层23上依次形成第二金属层24和第三透明导电层25，如图1C所示；接着再使用AUX MASK一步掩膜版进行三步刻蚀，依次去除位于辅助电极区RIB和阳极区AZ之间的第三透明导电层25，第二金属层24和第二透明导电层22，以形成位于辅助电极区RIB的的辅助电极结构AUC和位于阳极区AZ的阳极结构Anode，如图1D所示。在上述过程中，由于第三透明导电层25和第二透明导电层22的材质相同，所使用的刻蚀液相同，因此第三透明导电层25在三步刻蚀过程中被刻蚀液浸泡了两次，因浸泡时间较长导致减薄较多，其端部(tip)厚度由刚形成时的920埃左右降至仅/>左右。图1E提供了辅助电极结构AUC的显微组织照片，其中标示“1”的部分为第三透明导电层25的端部(tip)，在其过多减薄后，极容易被后续工序冲断，卡入像素区造成短路。
基于上述研究分析，为了解决因为上透明导电层(TOP ITO)的端部断裂所导致的像素同亮的问题，第一方面，在一个可选的实施例中，请参阅图2和图3A～图3E，提供了一种阵列基板的制造方法，包括步骤S201～S205，具体如下：
S201：提供衬底基板10，衬底基板10包括阳极区AZ、位于阳极区AZ至少一侧的辅助电极区RIB以及阳极区AZ与辅助电极区RIB之间的间隔区JZ。
具体的，本公开中的衬底基板10是用于形成电致发光器件(如OLED)的显示基板，可以是玻璃基板，也可以是硅基板。衬底基板10上的阳极区AZ可位于像素区或显示区内，用于形成电致发光器件中的阳极的区域，辅助电极区RIB可位于像素区外侧的非像素区或周边区，是用于形成辅助电极结构AUC的区域，而间隔区JZ则是位于两者之间的过渡区域，如图3A～图3E所示。
S202：在衬底基板10上形成依次层叠的第一透明导电层21、第二透明导电层22和第一金属层23；其中，第一透明导电层21位于阳极区AZ和辅助电极区RIB，第二透明导电层22位于阳极区AZ、间隔区JZ和辅助电极区RIB，第一金属层23位于辅助电极区RIB。
具体的，在形成第一透明导电层21之前，衬底基板10上已通过TFT阵列工艺形成了像素驱动层，像素驱动层的顶层结构包括钝化层PVX和有机平坦层Resin，因此可在有机平坦层Resin通过沉积形成顺序依次层叠的第一透明导电层21、第二透明导电层22和第一金属层23，如图3A所示。其中，第一透明导电层21靠近有机平坦层，第一金属层23远离有机平坦层。第一透明导电层21为基底导电层，主要是方便进行阵列电学测试(Array Test)和暗点维修；第二透明导电层22主要是用于匹配第一金属层23的应力，避免退火后的第二透明导电层22和第一金属层23之间由于金属应力不匹配导致的第一金属层23鼓包。第一透明导电层21和第二透明导电层22可使用透明导电聚合物或者氧化铟锡ITO，本公开实施例以更为常用的ITO材料为例进行说明。在使用ITO制造透明导电层时，生产中也常将第一透明导电层21称之为1st ITO，将第二透明导电层22称之为BUF ITO。
在沉积形成第一透明导电层21时，位于阳极区AZ和辅助电极区RIB的第一透明导电层21是一体的，而在阵列基板制造完成后，位于阳极区AZ和辅助电极区RIB的第一透明导电层21是分离的。可在沉积完成后进行刻蚀以使两者分开，或者在后续步骤中，在刻蚀第二透明导电层22时同时刻蚀第一透明导电层21，以使两者分离。
第一金属层23为辅助电极结构AUC中的增高层，可用于垫高辅助电极结构AUC，以方便后续搭接阴极。第一金属层23的材质可以是铜金属或铜合金，采用厚Cu工艺制造，可先在第二透明导电层22上形成一整层的第一金属层23，然后再通过刻蚀方法，保留位于辅助电极区RIB的第一金属层23，如图3B所示；也可以使用掩膜版，只在辅助电极区RIB形成第一金属层23。
S203：刻蚀掉位于间隔区JZ的第二透明导电层22；
具体的，可使用与第二透明导电层22相对应的刻蚀液，通过掩膜版去除间隔区JZ中的第二透明导电层22，如图3C所示。与原先的三步刻蚀所不同的是，本方案将第二透明导电层22的刻蚀步骤提前到形成第三透明导电层25之前，以使两者的刻蚀步骤分开进行。
S204：在间隔区JZ、第一金属层23和位于阳极区AZ的第二透明导电层22上形成依次层叠的第二金属层24和第三透明导电层25，如图3D所示。
可选的，第二金属层24作为阳极结构Anode中的金属反射阳极，用于顶发射类型的电致发光器件，其材质可以是Cu/MoNb，即铜和钼铌合金的复合膜层或其他可选的金属膜层结构。第三透明导电层25为透明阳极层，其功函数与阴极功函数相匹配，第三透明导电层25的材质可与第一透明导电层21和第二透明导电层22的材质相同，在使用ITO材料制备第三透明导电层25时，在生产中也可称之为TOP ITO。
S205：刻蚀掉位于间隔区JZ的第三透明导电层25和第二金属层24，获得位于辅助电极区RIB的辅助电极结构AUC和位于阳极区AZ的阳极结构Anode，如图3E所示。如此，辅助电极结构AUC包括在衬底基板10(或有机平坦层)上依次层叠的第一透明导电层21(1stITO)、第二透明导电层22(BUF ITO)、第一金属层23(Cu)、第二金属层24(Cu/MoNb)和第三透明导电层25(TOP ITO)，阳极结构Anode包括在衬底基板10(或有机平坦层)上依次层叠的第一透明导电层21(1st ITO)、第二透明导电层22(BUF ITO)、第二金属层24(Cu/MoNb)和第三透明导电层25(TOP ITO)。
故而，本公开实施例提供的制造方案的原理是：使第二透明导电层22和第三透明导电层25的刻蚀分开进行，通过将第二透明导电层22的刻蚀提前到形成第二金属层24和第三透明导电层25之前，如此在形成辅助电极结构AUC和阳极结构Anode时，对第三透明导电层25的刻蚀只会发生一次，而图1A～图1D的方案依次对第三透明导电层25、第二金属层24和第一透明导电层21进行三步刻蚀，这一过程实际上对第三透明导电层25进行了两次刻蚀，使用透明导电材料的刻蚀液对第三透明导电层25进行了两次浸泡；故而，本方案通过对第三透明导电层25的刻蚀仅进行一次，能够将第三透明导电层25的刻蚀损伤降低到最小，在形成工字形的辅助电极结构AUC的同时，获得形状良好、厚度足够的第三透明导电层25的端部(tip)，有效避免了第三透明导电层25的端部(tip)因被刻蚀液过度浸泡而过多减薄，导致其在后续工艺如Strip剥离工序和PDL(像素定义层)工序容易被水流等冲击断裂，卡在子像素之间出现像素短路，造成像素同亮和显示串色的问题，提高了显示效果；同时还可以提前监控钝化层PVX的连接孔腐蚀，预估显示产品的薄暗点簇情况。
另一方面，在透明OLED显示产品的开发前期存在暗点高发的问题，在衬底基板10或显示背板侧，暗点量级高达1000+，严重影响到产品的出货，需要改善到<60颗才能满足出货需求。研究表明，背板侧的暗点主要来源是阳极区AZ的薄膜工艺产生的粉尘微粒(Particle,PT)刺穿了电致发光层中的有机发光层EL(如图4所示)，致使阳极和阴极短路，因此急需通过改善粉尘微粒的PT量级来降低产品的暗点数量。然而，在降低粉尘微粒的过程中，目前主要是从“人、机、料、法、环”五个方面展开，但由于设备条件和工艺条件的现状，无法从根源上阻止粉尘微粒的产生，因此无法有效地解决暗点问题，并且暗点数量容易随人员、设备等因素波动。
故而，为了解决上述问题，在另一些可选的实施例中，提出了一种从工艺方面着手减少粉尘微粒Particle整体数量的方案，进而降低屏上的暗点，提升OLED产品的良品率。
方案1：对于步骤S202，采用采用分步沉积方法，在衬底基板10形成第一透明导电层21；在第一透明导电层21上形成依次层叠的第二透明导电层22和第一金属层23。
具体的，现场用于沉积透明导电层的设备为溅射成膜设备，原先的方案为一次沉积出足够厚度的第一透明导电层21。然而，第一透明导电层21的厚度较大，例如对于55英寸的透明OLED显示产品，其第一透明导电层21的厚度约为1400埃，因此一次沉积出完整的第一透明导电层21，需要使衬底基板10在溅射成膜设备中停留较长时间，如此容易导致溅射成膜设备中的大量粉尘微粒残留在阳极结构Anode的第一透明导电层21中，导致暗点数量上升。
与之相应的，分步沉积是指将第一透明导电层21的溅射沉积分为至少两步执行，每一步沉积较小厚度的导电材料，每一步沉积完成后将衬底基板10运出溅射成膜设备，然后再下一步沉积时再将其运回。通过分多步沉积得到完整的第一透明导电层21。如此设置后，使衬底基板10在溅射成膜设备中成膜或停留的单次时间减少，避免了较长停留时间导致的粉尘微粒的快速增长，从而减小第一透明导电层21中的粉尘微粒的总量。分步沉积的步数不能太多，否则会严重影响生产节奏并大幅提高生产成本，较佳的分步数量为2～4次。
另外，考虑到目前显示面板的生产线，是将高密度清洗设备(High densitycleaner，HDC)和溅射成膜设备(Sputter)连接在一起组成一条沉积-清洗生产线，以节约成本并提高效率。HDC主要通过AP plasma(等离子清洗)、毛刷、高压二流体等对衬底基板10表面的有机物和微粒进行清洗，并通过HDC的干燥装置风刀(Air knife，AK)对基板进行干燥。
在对第一透明导电层21进行分步沉积后，适当的增加清洗道次也可以有效的减少粉尘数量。在一些实施例中，第一透明导电层21的分步沉积方法包括：
采用透明导电材料，在衬底基板10上进行第一步沉积，形成第一导电材料层211，第一导电材料层211的厚度为650埃～750埃；对包括第一导电材料层211的衬底基板10进行清洗；采用透明导电材料，在清洗后的第一导电材料层211上进行第二步沉积，获得第一透明导电层21；第一透明导电层21的厚度为1300埃～1500埃；对包括第一透明导电层21的衬底基板10进行清洗。
具体的，如图5A～图5C所示，该方案是将第一透明导电层21(1st ITO)分为两步沉积，每一步沉积大约总厚度一半的透明材料层，并在两步沉积步骤之间增加一道清洗工序，具体是高密度清洗HDC，且在第二步沉积完成后再增加一道清洗工序，结合：1)更短的单次沉积时间；2)沉积过程中的多次HDC清洗两方面的因素来降低第一透明导电层21中的残留的、来自溅射成膜制程中的粉尘微粒，有效的减少了显示产品中的暗点数量。而原一次沉积的方案中，按照工艺规程，只有在沉积之前的一道清洗，且衬底基板10在溅射成膜设备中挺留的时间过长，导致第一透明导电层21中残留的粉尘微粒出现大幅增长。
方案2：减薄第二透明导电层22，并增加一道清洗工序，具体如下：
在衬底基板10上形成第一透明导电层21，并对包括第一透明导电层21的衬底基板10进行清洗；在清洗后的第一透明导电层21上形成厚度为250埃～350埃的第二透明导电层22；对包括第二透明导电层22的衬底基板10进行清洗；在清洗后的第二透明导电层22上形成第一金属层23。
具体的，原工艺中的第二透明导电层22(BUF ITO)的厚度约在700埃左右，且只在沉积前进行一道HDC清洗。而研究发现可以将第二透明导电层22的厚度降低至250埃～350埃，且不会对性能产生明显的不利影响，如此也能降低衬底基板10在溅射成膜设备中的停留时间，从而减少残留在第二透明导电层22中的粉尘微粒；结合在沉积完成后增加的一道清洗工序，如图6所示，使第二透明导电层22中的粉尘微粒的数量大幅降低。
生产数据统计表明，采用方案2后，可将第二透明导电层22中的粉尘微粒从原先的300～1000颗降低至不到100颗，进而有效的减少了暗点数量。
方案3，在间隔区JZ、第一金属层23和位于阳极区AZ的第二透明导电层22上形成第二金属层24；采用分步沉积方法，在第二金属层24上形成第三透明导电层25。
具体的，第二金属层24至少覆盖第一金属层23和阳极区AZ中的第二透明导电层22，其还可以覆盖两者之间的间隔区JZ。与方案1同理，将第三透明导电层25(TOP ITO)进行分步沉积，通过减少衬底基板10在沉积设备中的单次停留时间来防止粉尘颗粒的快速增加。
结合HDC清洗，在一些可选的实施例中，请参阅图7A～图7C，第三透明导电层25的分步沉积方法包括：
采用透明导电材料，在第二金属层24上进行第一步沉积，形成第二导电材料层251，第二导电材料层251的厚度为400埃～500埃；对包括第二导电材料层251的衬底基板10进行清洗；采用透明导电材料，在清洗后的第二导电材料层251上进行第二步沉积，获得第三透明导电层25，第三透明导电层25的厚度为800埃～1000埃；对包括第三透明导电层25的衬底基板10进行清洗。
与方案1类似，将厚度较大的第三透明导电层25分两步沉积，每一步沉积约总厚度的一半的导电材料层，然后在两步沉积之间增加一道高密度清洗(HDC)，在第二步沉积之后增加一道高密度清洗(HDC)，同样是利用：1)更短的单次沉积时间；2)沉积过程中的多次HDC清洗两方面的因素来降低第三透明导电层25中的残留的、来自溅射成膜制程中的粉尘微粒，有效的减少了显示产品中的暗点数量。生产数据统计表明，在应用方案3后，可将第三透明导电层25中的粉尘微粒数量从原先的600以上降低至现在的100以内。
其中，方案1～方案3可单独使用也可以结合使用，在将其试用至55英寸的显示产品时，测试数据表明因为阳极结构Anode中透明导电膜层中残留的粉尘微粒Particle所造成暗点数量从原先的200颗左右降低为目前的10颗左右。
总的来说，本公开实施例提供的阵列基板的制造方法，具有如下的特点：
1)改变透明导电层的刻蚀顺序，将第二透明导电层22的刻蚀步骤提前到形成第二金属层24和第三透明导电层25之前，如此对第三透明导电层25的刻蚀仅有一次，从而减少了第三透明导电层25的刻蚀损伤，形成良好的端部结构(tip)，有效避免了过于减薄的端部因被水流等冲击断裂，卡在子像素之间出现像素同亮的问题，减少了显示串色的出现几率。
2)通过对第一透明导电层21和第三透明导电层25的分步刻蚀，减薄第二透明导电层22的厚度，并适当的增加HDC清洗的道次，有效的减少了阳极结构Anode中的残留粉尘微粒，大幅降低了显示产品中的暗点数量。
第二方面，基于相同的发明构思，在另一个可选的实施例中，提供了一种阵列基板，采用第一方面实施例提供的制造方法进行制造。该阵列基板具有阳极区AZ、辅助电极区RIB和位于两者之间的间隔区JZ；阳极区AZ中形成有阳极结构Anode，阳极结构Anode包括在衬底基板10上依次层叠的第一透明导电层21、第二透明导电层22、第二金属层24和第三透明导电层25，且在形成过程中，通过对第一透明导电层21和第三透明导电层25的分步刻蚀，减薄第二透明导电层22的厚度，并适当的增加HDC清洗的道次，有效的减少了阳极结构Anode中的残留粉尘微粒。在辅助电极区RIB形成有辅助电极结构AUC，具体包括在衬底基板10上依次层叠的第一透明导电层21、第二透明导电层22、第一金属层23、第二金属层24和第三透明导电层25，通过将第二透明导电层22的刻蚀顺序提前，减少了第三透明导电层25的刻蚀损伤，使其形成良好的端部结构(tip)，有效降低了端部冲击断裂的几率，解决了像素短路造成的显示串色问题。
第三方面，基于相同的发明构思，在另一个可选的实施例中，提供了一种显示面板，包括第二方面实施例的阵列基板。该显示面板可以是OLED显示面板，也可以是QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板，MLED显示面板(包括Micro-LED微发光二极体和Mini-LED次毫米发光二极体)等。
第四方面，基于相同的发明构思，请参阅图8，在另一个可选的实施例中，提供了一种显示设备，包括第三方面实施例提供的显示面板。该显示设备可以是智能手机、平板电脑、车载显示屏、电视、电脑用显示器、会议一体机等。
第三方面实施例提供的显示面板和第四方面实施例提供的显示设备的技术效果可参阅第一方面实施例和第二方面实施例中的相关内容，此处不再进行赘述。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板包括阳极区、位于所述阳极区至少一侧的辅助电极区以及所述阳极区与所述辅助电极区之间的间隔区；
在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述阳极区和所述辅助电极区，所述第二透明导电层位于所述阳极区、所述间隔区和所述辅助电极区，所述第一金属层位于所述辅助电极区；
刻蚀掉位于所述间隔区的所述第二透明导电层；
在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；
刻蚀掉位于所述间隔区的所述第三透明导电层和所述第二金属层，获得位于所述辅助电极区的辅助电极结构和位于所述阳极区的阳极结构。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层，包括：
采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层；
在所述第一透明导电层上形成依次层叠的所述第二透明导电层和所述第一金属层。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层，包括：
采用透明导电材料，在所述衬底基板上进行第一步沉积，形成第一导电材料层，所述第一导电材料层的厚度为650埃～750埃；
对包括所述第一导电材料层的衬底基板进行清洗；
采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第一导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第一透明导电层；所述第一透明导电层的厚度为1300埃～1500埃；
对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层和第一金属层，包括：
在所述衬底基板上形成第一透明导电层，并对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗；
在清洗后的所述第一透明导电层上形成厚度为250埃～350埃的第二透明导电层；
对包括所述第二透明导电层的衬底基板进行清洗；
在清洗后的所述第二透明导电层上形成所述第一金属层。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层，包括：
在所述间隔区、所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成所述第二金属层；
采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层，包括：
采用透明导电材料，在所述第二金属层上进行第一步沉积，形成第二导电材料层，所述第二导电材料层的厚度为400埃～500埃；
对包括所述第二导电材料层的衬底基板进行清洗；
采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第二导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第三透明导电层，所述第三透明导电层的厚度为800埃～1000埃；
对包括所述第三透明导电层的所述衬底基板进行清洗。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡，所述第一金属层的材质为铜或铜合金，所述第二金属层为铜与钼铌合金的复合膜层。
8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1～7任一项所述制造方法获得。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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