CN117200723B - 一种功率放大器及控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种功率放大器及控制方法，包括输入电路、调谐槽、反馈电感、驱动级三极管、级间电路和输出电路；输入电路的一端和调谐槽的一端均与驱动级三极管的基极连接；反馈电感的一端与调谐槽的另一端连接，反馈电感的另一端和级间电路的一端均与驱动级三极管的集电极连接；驱动级三极管的发射极接地；级间电路的另一端与输出电路连接；解决了现有技术在面对大规模的应用场景和繁杂的系统平台需求时，需要采用大量的射频功率放大器来对应进行适配，即对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要采用与其对应的专用功率放大器芯片，由此带来的新一代功率放大器的应用成本过高的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及通信设备技术领域，尤其涉及一种功率放大器及控制方法。
背景技术
目前，由5G催生大量射频前端系统的应用场景，如高清直播、远程控制、无人驾驶、智慧城市等等，不同的应用场景都有其具体要求，即使同一个应用场景，对于不同的客户平台，所需的性能也差别不一，这对于射频前端系统来说，无疑是一项巨大的工作量和成本消耗。
在射频前端系统中，功率放大器占据相当重要的位置并起着举足轻重的作用，负责将信号无失真发射；功率放大器作为射频/毫米波领域的关键模块，是射频发射机中功耗最大的模块，其性能直接决定发射机的性能。
现有技术在面对大规模的应用场景和繁杂的系统平台需求时，需要采用大量的射频功率放大器来对应进行适配，即对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要采用与其对应的专用功率放大器芯片，由此带来的新一代功率放大器的应用成本过高。
发明内容
本发明提供了一种功率放大器及控制方法，解决了现有技术在面对大规模的应用场景和繁杂的系统平台需求时，需要采用大量的射频功率放大器来对应进行适配，即对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要采用与其对应的专用功率放大器芯片，由此带来的新一代功率放大器的应用成本过高的技术问题。
本发明第一方面提供的一种功率放大器，包括输入电路、调谐槽、反馈电感、驱动级三极管、级间电路和输出电路；
所述输入电路的一端和所述调谐槽的一端均与所述驱动级三极管的基极连接；
所述反馈电感的一端与所述调谐槽的另一端连接，所述反馈电感的另一端和所述级间电路的一端均与所述驱动级三极管的集电极连接；
所述驱动级三极管的发射极接地；
所述级间电路的另一端与所述输出电路连接。
可选地，所述调谐槽包括并联电容和并联电阻；
所述并联电容与所述并联电阻串联；
所述并联电容与所述输入电路的一端连接；
所述反馈电感的一端与所述并联电阻连接。
可选地，所述并联电容和所述并联电阻均设置有多个；
和/或，
所述并联电容和所述并联电阻均设置有多个修调档位。
可选地，所述输入电路包括输入端口、第一传输线、第二传输线、第一电容、第二电容、驱动级栅极电压网络；
所述输入端口与所述第一传输线的一端连接，所述第一传输线的另一端和所述第二传输线的一端均与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；
所述第二电容的一端与所述第二传输线的另一端连接，所述并联电容、所述驱动级栅极电压网络和所述驱动级三极管的基极均与所述第二电容的另一端连接。
可选地，所述级间电路包括驱动级漏极电压网络、级间匹配网络和输出级栅极电压网络；
所述反馈电感的另一端、所述驱动级三极管的集电极和所述级间匹配网络的一端均与所述驱动级漏极电压网络的一端连接；
所述输出级栅极电压网络的一端和所述输出电路均与所述级间匹配网络的另一端连接。
可选地，所述输出电路包括输出级三极管、输出级漏极电压网络、输出匹配网络和输出端口；
所述输出级栅极电压网络的一端和所述级间匹配网络的另一端均与所述输出级三极管的基极连接；
所述输出级三极管的发射极接地；
所述输出匹配网络的一端和所述输出级漏极电压网络的一端均与所述输出级三极管的集电极连接；
所述输出匹配网络的另一端与所述输出端口连接。
可选地，所述级间匹配网络包括第三传输线、第四传输线、第三电容和第四电容；
所述第三传输线的一端与所述驱动级漏极电压网络的一端连接；
所述第三传输线的另一端和所述第四传输线的一端均与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端接地；
所述第四电容的一端与所述第四传输线的另一端连接，所述输出级栅极电压网络的一端与所述输出级三极管的基极均与所述第四电容的另一端连接。
可选地，所述输出匹配网络包括第五传输线、第六传输线、第五电容和第六电容；
所述输出级三极管的集电极与所述输出级漏极电压网络的一端均与所述第五传输线的一端连接；
所述第五传输线的另一端和所述第六传输线的一端均与所述第五电容的一端连接，所述第五电容的另一端接地；
所述第六电容的一端与所述第六传输线的另一端连接，所述第六电容的另一端与所述输出端口连接。
可选地，所述驱动级栅极电压网络包括第一扼流电感和驱动级栅极偏置电压端口；
所述并联电容、所述第二电容的另一端和所述驱动级三极管的基极均与所述第一扼流电感的一端连接；
所述第一扼流电感的另一端与所述驱动级栅极偏置电压端口连接。
可选地，所述驱动级漏极电压网络包括第二扼流电感和驱动级漏极偏置电压端口；
所述反馈电感的另一端、所述驱动级三极管的集电极和所述第三传输线的一端均与所述第二扼流电感的一端连接；
所述第二扼流电感的另一端与所述驱动级漏极偏置电压端口连接；
所述输出级栅极电压网络包括第三扼流电感和输出级栅极偏置电压端口；
所述输出级三极管的基极和所述第四电容的另一端均与所述第三扼流电感的一端连接；
所述第三扼流电感的另一端与所述输出级栅极偏置电压端口连接。
可选地，所述输出级漏极电压网络包括第四扼流电感和输出级漏极偏置电压端口；
所述输出级三极管的集电极和所述输出匹配网络的一端均与所述第四扼流电感的一端连接；
所述第四扼流电感的另一端与所述输出级漏极偏置电压端口连接。
本发明第二方面提供的一种应用于上述功率放大器的控制方法，包括：
通过参数可调谐法对调谐槽的电阻电容参数进行调谐。
从以上技术方案可以看出，本发明具有以下优点：
本发明的上述技术方案第一方面提供了一种功率放大器，该功率放大器包括输入电路、调谐槽、反馈电感、驱动级三极管、级间电路和输出电路；输入电路的一端和调谐槽的一端均与驱动级三极管的基极连接；反馈电感的一端与调谐槽的另一端连接，反馈电感的另一端和级间电路的一端均与驱动级三极管的集电极连接；驱动级三极管的发射极接地；级间电路的另一端与输出电路连接；上述方案，通过设置调谐槽与反馈电感连接，对调谐槽内的元器件参数值进行调谐，能够控制可调谐的带宽和增益范围，从而达到带宽和增益可调的目的，同时，相较于现有技术对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要设置与其对应的专用功率放大器芯片的过程，本申请只需针对特定需求，对调谐槽内的元器件参数值进行调谐即可，不需要设计定制化的专用功率放大器，从而降低功率放大器的制造成本以及功率放大器的设计时间成本。
本发明的上述技术方案第二方面提供了一种功率放大器的控制方法，通过参数可调谐法，对本申请设置的功率放大器中的调谐槽的电阻电容参数进行调谐，能够控制可调谐的带宽和增益范围，从而达到带宽和增益可调的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例一提供的一种功率放大器的拓扑结构示意图；
图2为本申请实施例一提供的对调谐槽中的并联电容和并联电阻采用激光切割方法调谐参数值的示意图；
图3为本申请实施例一提供的设置调谐槽中的并联电容和并联电阻的档位的示意图；
图4为本申请实施例一提供的输入匹配网络的电路示意图；
图5为本发明实施例二提供的一种功率放大器的控制方法的步骤流程图
图6为本申请实施例二提供的采用激光切割方法切割调谐槽中的并联电阻的调谐效果图；
图7为本申请实施例二提供的采用激光切割方法切割调谐槽中的并联电容的调谐效果图。
其中，附图标记含义如下：
1、输入电路；2、调谐槽；3、反馈电感；4、驱动级栅极电压网络；5、驱动级三极管；6、级间电路；7、输出电路；8、第一传输线；9、第二传输线；10、第一电容；11、第二电容。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种功率放大器及控制方法，用于解决现有技术在面对大规模的应用场景和繁杂的系统平台需求时，需要采用大量的射频功率放大器来对应进行适配，即对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要采用与其对应的专用功率放大器芯片，由此带来的新一代功率放大器的应用成本过高的技术问题。
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种功率放大器的拓扑结构示意图。
本发明提供的一种功率放大器，包括输入电路1、调谐槽2、反馈电感3、驱动级三极管5、级间电路6和输出电路7；输入电路1的一端和调谐槽2的一端均与驱动级三极管5的基极连接；反馈电感3的一端与调谐槽2的另一端连接，反馈电感3的另一端和级间电路6的一端均与驱动级三极管5的集电极连接；驱动级三极管5的发射极接地；级间电路6的另一端与输出电路7连接。
需要说明的是，请参阅图1，在电路层面上，搭建一个带宽和增益可调谐的拓扑结构。MOS管M1、M2通过级联的方式形成两级放大器，其中，M2为输出级，M1为驱动级；OMN、ISMN、IMN分别是输出匹配网络、级间匹配网络和输入匹配网络，实现阻抗变换功能；V1G、V1D分别是驱动级的栅极偏置电压（驱动级栅极偏置电压端口）和漏极偏置电压（驱动级漏极偏置电压端口），V2G、V2D分别是输出级的栅极偏置电压（输出级栅极偏置电压端口）和漏极偏置电压（输出级栅极偏置电压端口）；Lk1- Lk4分别为第一扼流电感、第二扼流电感、第三扼流电感和第四扼流电感，用于隔离交流和直流；RFIN和RFOUT分别是信号输入端口和输出端口。
进一步地，驱动级三极管5的基极与输入电路1的一端，调谐槽2的一端接入驱动级三极管5的基极与输入电路1的一端之间的连接线路；驱动级三极管5的集电极与反馈电感3的另一端连接，级间电路6的一端接入驱动级三极管5的集电极与反馈电感3的另一端之间的连接线路。
作为进一步地改进，调谐槽2包括并联电容和并联电阻；并联电容与并联电阻串联；并联电容与输入电路1的一端连接；反馈电感的一端与并联电阻连接。
可选地，并联电容和并联电阻均设置有多个；和/或，并联电容和并联电阻均设置有多个修调档位。
需要说明的是，反馈电感3（Lf）和设置的调谐槽2串联构成驱动级的反馈回路，其中，调谐槽2由多个并联电容（电容Cf和Cf1、Cf2并联）和多个并联电阻（电阻Rf和Rf1、Rf2并联）串联形成。
进一步地，请参阅图2，需要进行调谐操作时，可以采用激光切割的方法对电路器件参数进行调谐，达到改变电路工作模式的目的；在虚线框中的a-f的“打叉”处可以进行激光切割，激光切割后该元器件将不起作用，从而改变电路连接器件和参数，进一步调谐功率放大器的带宽和增益。另外，可以通过设置多个元器件来扩大修调范围，进一步提高可调谐的带宽和增益范围。
进一步地，请参阅图3，在面积的限制下，还可以通过设置多个档位来扩大修调范围，比如设置百分比不同的元器件值，例如，电容Cf1和Cf2可以分别选择10%Cf和20%Cf两个档位，电阻Rf1和Rf2可以分别选择10%Rf和20%Rf两个档位。
作为进一步地改进，输入电路包括输入端口、第一传输线8、第二传输线9、第一电容10、第二电容11、驱动级栅极电压网络4；输入端口与第一传输线8的一端连接，第一传输线8的另一端和第二传输线9的一端均与第一电容10的一端连接，第一电容10的另一端接地；第二电容11的一端与第二传输线9的另一端连接，并联电容、驱动级栅极电压网络和驱动级三极管5的基极均与第二电容11的另一端连接。
需要说明的是，第二电容11的另一端与并联电容连接，驱动级栅极电压网络和驱动级三极管5的基极分别接入第二电容11的另一端与并联电容之间的连接线路。
可选地，驱动级栅极电压网络4包括第一扼流电感和驱动级栅极偏置电压端口；并联电容、第二电容11的另一端和驱动级三极管5的基极均与第一扼流电感的一端连接；第一扼流电感的另一端与驱动级栅极偏置电压端口连接。
需要说明的是，请参阅图4，第一电容10、第二电容11、第二传输线9和第一传输线8构成输入匹配网络，输出匹配网络、级间匹配网络与输入匹配网络的电路结构一致，均采用两个电容以及两个传输线构成。
进一步地，第一扼流电感的一端与并联电容连接，第二电容11的另一端和驱动级三极管5的基极分别接入第一扼流电感的一端与并联电容之间的连接线路。
作为进一步地改进，级间电路6包括驱动级漏极电压网络、级间匹配网络和输出级栅极电压网络；反馈电感3的另一端、驱动级三极管5的集电极和级间匹配网络的一端均与驱动级漏极电压网络的一端连接；级间匹配网络的另一端均与输出级栅极电压网络的一端和输出电路7连接。
需要说明的是，驱动级漏极电压网络的一端与反馈电感3的另一端连接，驱动级三极管5的集电极和级间匹配网络的一端分别接入驱动级漏极电压网络的一端与反馈电感3的另一端之间的连接线路。
可选地，级间匹配网络包括第三传输线、第四传输线、第三电容和第四电容；第三传输线的一端与驱动级漏极电压网络的一端连接；第三传输线的另一端和第四传输线的一端均与第三电容的一端连接，第三电容的另一端接地；第四电容的一端与第四传输线的另一端连接，输出级栅极电压网络的一端与输出级三极管的基极均与第四电容的另一端连接。
需要说明的是，第四电容的另一端与输出级栅极电压网络的一端连接，输出级三极管的基极接入第四电容的另一端与输出级栅极电压网络的一端之间的连接线路。
可选地，驱动级漏极电压网络包括第二扼流电感和驱动级漏极偏置电压端口；反馈电感的另一端、驱动级三极管的集电极和第三传输线的一端均与第二扼流电感的一端连接；第二扼流电感的另一端与驱动级漏极偏置电压端口连接；
输出级栅极电压网络包括第三扼流电感和输出级栅极偏置电压端口；输出级三极管的基极和第四电容的另一端均与第三扼流电感的一端连接；第三扼流电感的另一端与输出级栅极偏置电压端口连接。
需要说明的是，第二扼流电感的一端与反馈电感的另一端连接，驱动级三极管的集电极和第三传输线的一端分别接入第二扼流电感的一端与反馈电感的另一端之间的连接线路；第三扼流电感的一端与输出级三极管的基极连接，第四电容的另一端接入第三扼流电感的一端与输出级三极管的基极之间的连接线路。
作为进一步地改进，输出电路7包括输出级三极管、输出级漏极电压网络、输出匹配网络和输出端口；输出级栅极电压网络的一端和级间匹配网络的另一端均与输出级三极管的基极连接；输出级三极管的发射极接地；输出匹配网络的一端和输出级漏极电压网络的一端均与输出级三极管的集电极连接；输出匹配网络的另一端与输出端口连接。
需要说明的是，输出级三极管的基极与输出级栅极电压网络的一端连接，级间匹配网络的另一端接入输出级三极管的基极与输出级栅极电压网络的一端之间的连接线路；输出级三极管的集电极与输出匹配网络的一端连接，输出级漏极电压网络的一端接入输出级三极管的集电极与输出匹配网络的一端之间的连接线路。
可选地，输出匹配网络包括第五传输线、第六传输线、第五电容和第六电容；输出级三极管的集电极与输出级漏极电压网络的一端均与第五传输线的一端连接；第五传输线的另一端和第六传输线的一端均与第五电容的一端连接，第五电容的另一端接地；第六电容的一端与第六传输线的另一端连接，第六电容的另一端与输出端口连接。
需要说明的是，第五传输线的一端与输出级三极管的集电极连接，输出级漏极电压网络的一端接入第五传输线的一端与输出级三极管的集电极之间的连接线路。
可选地，输出级漏极电压网络包括第四扼流电感和输出级漏极偏置电压端口；输出级三极管的集电极和输出匹配网络的一端均与第四扼流电感的一端连接；第四扼流电感的另一端与输出级漏极偏置电压端口连接。
需要说明的是，第四扼流电感的一端与输出级三极管的集电极连接，输出匹配网络的一端接入第四扼流电感的一端与输出级三极管的集电极之间的连接线路。
在本发明实施例中，本申请提供了一种功率放大器，该功率放大器包括输入电路、调谐槽、反馈电感、驱动级三极管、级间电路和输出电路；输入电路的一端和调谐槽的一端均与驱动级三极管的基极连接；反馈电感的一端与调谐槽的另一端连接，反馈电感的另一端和级间电路的一端均与驱动级三极管的集电极连接；驱动级三极管的发射极接地；级间电路的另一端与输出电路连接；上述方案，通过设置调谐槽与反馈电感连接，对调谐槽内的元器件参数值进行调谐，能够控制可调谐的带宽和增益范围，从而达到带宽和增益可调的目的，同时，相较于现有技术对于每一个应用场景中的每一种需求，都需要设置与其对应的专用功率放大器芯片的过程，本申请只需针对特定需求，对调谐槽内的元器件参数值进行调谐即可，不需要设计定制化的专用功率放大器，从而降低功率放大器的制造成本以及功率放大器的设计时间成本。
请参阅图5，图5为本发明实施例二提供的一种功率放大器的控制方法的步骤流程图。
步骤501、通过参数可调谐法对调谐槽的电阻电容参数进行调谐。
参数可调谐法为激光切割法。
电阻电容参数为并联电容的参数值和并联电阻的参数值。
需要说明的是，由于本申请提出的功率放大器芯片尺寸很小，一经制造完成人工无法修改，故采用激光切割法对该功率放大器中的调谐槽的电阻电容参数进行调谐，具体地，采用激光切割法，对本申请提出的功率放大器中的调谐槽的中的并联电阻、并联电容的参数值进行调谐，能够控制可调谐的带宽和增益范围，从而达到带宽和增益可调的目的。
示例性地，请参阅图6，本申请采用激光切割方法单独对并联电阻进行切割的情形，具体地，在“未切割”下的情形，并联电容Cf、Cf1、Cf2与并联电阻Rf、Rf1、Rf2相串联，由图6可知构成驱动级的反馈路上的总电阻值和总电容值；在切割d时，并联电容Cf、Cf1、Cf2与并联电阻Rf、Rf2相串联，此时相比于“未切割”的情形，驱动级的反馈路上的总电阻值变大，总电容值不变；在切割d和f时，并联电容Cf、Cf1、Cf2与电阻Rf相串联，此时相比于“未切割”的情形和“切割d”的情形，驱动级的反馈路上的总电阻值变大，总电容值不变。
进一步地，请参与图7，本申请采用激光切割方法单独对并联电容进行切割的情形，在“未切割”下的情形，并联电容Cf、Cf1、Cf2与并联电阻Rf、Rf1、Rf2相串联，由图7可知构成驱动级的反馈路上的总电阻值和总电容值；在切割c时，并联电容Cf1、Cf2与并联电阻Rf、Rf1、Rf2相串联，此时相比“未切割”的情形，驱动级的反馈路上的总电容值变小，总电阻值不变；在切割c和e时，电容Cf与并联电阻Rf、Rf1、Rf2相串联，此时相比“未切割”的情形和“切割c”的情形，驱动级的反馈路上的总电容值变小，总电阻值不变。
基于上述基础，本申请设置多个电阻或电容并联的形式，通过激光切割修调的方法改变驱动级反馈路上的电阻值和电容值，构造出多种反馈量的频率选择模式，达到带宽和增益可调的目的。
在本发明实施例中，本申请提供了一种功率放大器调谐方法，采用参数可调谐法，对本申请设置的功率放大器中的调谐槽的电阻电容参数进行调谐，能够控制可调谐的带宽和增益范围，从而达到带宽和增益可调的目的。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种功率放大器，其特征在于，包括输入电路、调谐槽、反馈电感、驱动级MOS管、级间电路和输出电路；
所述输入电路的一端和所述调谐槽的一端均与所述驱动级MOS管的栅极连接；
所述反馈电感的一端与所述调谐槽的另一端连接，所述反馈电感的另一端和所述级间电路的一端均与所述驱动级MOS管的漏极连接；
所述驱动级MOS管的源极接地；
所述级间电路的另一端与所述输出电路连接；
所述调谐槽包括并联电容和并联电阻；
所述并联电容与所述并联电阻串联；
所述并联电容与所述输入电路的一端连接；
所述反馈电感的一端与所述并联电阻连接；
所述输入电路包括输入端口、第一传输线、第二传输线、第一电容、第二电容、驱动级栅极电压网络；
所述输入端口与所述第一传输线的一端连接，所述第一传输线的另一端和所述第二传输线的一端均与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；
所述第二电容的一端与所述第二传输线的另一端连接，所述并联电容、所述驱动级栅极电压网络和所述驱动级MOS管的栅极均与所述第二电容的另一端连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述并联电容和所述并联电阻均设置有多个；
和/或，
所述并联电容和所述并联电阻均设置有多个修调档位。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述级间电路包括驱动级漏极电压网络、级间匹配网络和输出级栅极电压网络；
所述反馈电感的另一端、所述驱动级MOS管的漏极和所述级间匹配网络的一端均与所述驱动级漏极电压网络的一端连接；
所述输出级栅极电压网络的一端和所述输出电路均与所述级间匹配网络的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述输出电路包括输出级MOS管、输出级漏极电压网络、输出匹配网络和输出端口；
所述输出级栅极电压网络的一端和所述级间匹配网络的另一端均与所述输出级MOS管的栅极连接；
所述输出级MOS管的源极接地；
所述输出匹配网络的一端和所述输出级漏极电压网络的一端均与所述输出级MOS管的漏极连接；
所述输出匹配网络的另一端与所述输出端口连接。
5.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述级间匹配网络包括第三传输线、第四传输线、第三电容和第四电容；
所述第三传输线的一端与所述驱动级漏极电压网络的一端连接；
所述第三传输线的另一端和所述第四传输线的一端均与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端接地；
所述第四电容的一端与所述第四传输线的另一端连接，所述输出级栅极电压网络的一端与所述输出级MOS管的栅极均与所述第四电容的另一端连接。
6.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括第五传输线、第六传输线、第五电容和第六电容；
所述输出级MOS管的漏极与所述输出级漏极电压网络的一端均与所述第五传输线的一端连接；
所述第五传输线的另一端和所述第六传输线的一端均与所述第五电容的一端连接，所述第五电容的另一端接地；
所述第六电容的一端与所述第六传输线的另一端连接，所述第六电容的另一端与所述输出端口连接。
7.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述驱动级栅极电压网络包括第一扼流电感和驱动级栅极偏置电压端口；
所述并联电容、所述第二电容的另一端和所述驱动级MOS管的栅极均与所述第一扼流电感的一端连接；
所述第一扼流电感的另一端与所述驱动级栅极偏置电压端口连接。
8.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述驱动级漏极电压网络包括第二扼流电感和驱动级漏极偏置电压端口；
所述反馈电感的另一端、所述驱动级MOS管的漏极和所述第三传输线的一端均与所述第二扼流电感的一端连接；
所述第二扼流电感的另一端与所述驱动级漏极偏置电压端口连接；
所述输出级栅极电压网络包括第三扼流电感和输出级栅极偏置电压端口；
所述输出级MOS管的栅极和所述第四电容的另一端均与所述第三扼流电感的一端连接；
所述第三扼流电感的另一端与所述输出级栅极偏置电压端口连接。
9.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述输出级漏极电压网络包括第四扼流电感和输出级漏极偏置电压端口；
所述输出级MOS管的漏极和所述输出匹配网络的一端均与所述第四扼流电感的一端连接；
所述第四扼流电感的另一端与所述输出级漏极偏置电压端口连接。
10.一种应用于权利要求1-9任一项所述的功率放大器的控制方法，其特征在于，包括：
通过参数可调谐法对调谐槽的电阻电容参数进行调谐。
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| US5808511A (en) * | 1996-08-09 | 1998-09-15 | Trw Inc. | Active feedback pre-distortion linearization |
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| CN105841683A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-10 | 上海交通大学 | 一种考虑能量损耗的压电陀螺等效电路 |
| CN111682859A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-09-18 | 西安电子科技大学 | 一种低功耗ab类cmos的功率放大器 |
| CN112653396A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-13 | 电子科技大学 | 一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器 |
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2023
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