CN117177839A - 研磨方法及研磨装置 - Google Patents

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CN117177839A CN202280029035.0A CN202280029035A CN117177839A CN 117177839 A CN117177839 A CN 117177839A CN 202280029035 A CN202280029035 A CN 202280029035A CN 117177839 A CN117177839 A CN 117177839A
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盐川阳一
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Abstract

本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。

Description

研磨方法及研磨装置
技术领域
本发明关于一种一边将晶片等基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别是关于一边基于膜厚测定器的测定值来调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。
背景技术
CMP(化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing))装置在半导体组件的制造中，使用于研磨晶片等的基板表面的工序的研磨装置。CMP装置由研磨头保持基板并使基板旋转，进一步在旋转的研磨台上的研磨垫上按压基板来研磨基板的表面。在研磨中，在研磨垫上供给研磨液(浆液)，基板表面通过研磨液的化学性作用与研磨液所含的研磨粒的机械性作用而被平坦化。
由CMP装置进行基板的研磨时，为了检查基板的研磨终点及调节基板的研磨条件，正确检测基板表面的状态变化很重要。例如，因为对目标的研磨终点的过度研磨、研磨不足直接造成产品不良，所以需要严格管理研磨量。因此，CMP装置中备有在基板研磨中测定基板的膜厚的膜厚测定器(例如，参照专利文献1)。该膜厚测定器例如设置于研磨台内，研磨台每旋转一周，生成表示基板的多个区域的膜厚的膜厚信号。通过膜厚信号表示的基板的膜厚到达规定的目标厚度时，CMP装置对研磨头及研磨台发出指令而结束基板的研磨。
研磨头在其下部具有形成用于将基板按压于研磨垫的多个压力室的弹性膜。通过在各压力室中供给压缩空气等的加压流体，从而经由弹性膜并通过流体压将基板按压于研磨垫。供给至各压力室的流体压通过膜厚测定器所测定的基板每个区域的膜厚来决定。例如，供给至各压力室的流体压(也即，基板相对于研磨垫的研磨负重)基于研磨率与将基板按压于研磨垫的按压力成正比的所谓普雷斯顿(Preston)经验法则作调整。也即，提高研磨率时，使流体压上升，降低研磨率时，使流体压减少。通过如此构成，由于基板的每个区域可调整将基板按压于研磨垫的按压力，因此能够以均匀的厚度来研磨整个基板表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－148933号公报
(发明要解决的问题)
但是，因为将旋转的基板按压于旋转的研磨垫所产生的摩擦热，在基板研磨中会造成研磨垫的温度逐渐上升。基板的研磨率除了依赖于基板相对于研磨垫的研磨负重之外，也依赖于研磨垫的表面温度。此因，研磨液对基板的化学性作用依赖于温度。
图20A是表示以规定的研磨负重研磨基板时的研磨率与研磨温度的关系的一例图，图20B是表示以规定的研磨负重研磨基板时的研磨率与研磨温度的关系的其他例图。图20A及图20B中，纵轴表示研磨率，横轴表示研磨温度(对于研磨垫的表面温度)。图20A及图20B所示的曲线图分别是表示以一定的研磨负重研磨基板时的研磨率与研磨温度的关系的曲线图，不过形成于基板上的膜的种类与研磨液的种类不同。
如图20A所示，当研磨负重一定时，一般而言，随着研磨温度上升而研磨率也上升。因而，通过在基板与研磨垫之间产生的摩擦热而研磨垫的温度上升时，研磨率也上升。当研磨率过度上升时，可能难以用正确的膜厚轮廓来研磨基板。再者，若研磨率超过检测研磨终点的分辨率(也即，研磨台每旋转一周的研磨量)时，无法精确检测研磨终点，而可能产生过度研磨。
如图20B所示，根据研磨的膜的种类，存在随着研磨温度上升而上升的研磨率转为减少的转折点TP。因为研磨温度超过转折点时研磨率减少，所以CMP装置使供给至各压力室的流体压上升。如此，则研磨垫的表面温度更加上升，研磨率降低，结果可能造成研磨装置的处理量降低。
发明内容
因此，本发明的目的为提供一种可获得正确的膜厚轮廓的研磨方法。此外，本发明的目的为提供一种可获得正确的膜厚轮廓的研磨装置。
(解决问题的技术手段)
一个方式提供一种研磨方法，使用垫温度调整装置将研磨垫的研磨面的温度调整至规定温度，基于设于所述研磨垫的膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板。
一个方式为在所述研磨面的温度到达所述规定温度之后立刻开始研磨所述基板的工序。
一个方式为在所述研磨面的温度稳定保持在所述规定温度后开始研磨所述基板的工序。
一个方式为一边将所述研磨面的温度维持在所述规定温度，一边进行研磨所述基板的工序。
一个方式为所述规定温度是第一规定温度，研磨所述基板的工序包含：第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及第二研磨，以与所述第一规定温度不同的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，从所述第一研磨切换为所述第二研磨是在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时进行的。
一个方式为所述规定温度是第一规定温度，研磨所述基板的工序包含：第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及第二研磨，以从所述第一规定温度逐渐变化的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，从所述第一研磨切换为所述第二研磨是在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时进行的。
一个方式为提供一种研磨装置，具备：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头将基板按压于所述研磨垫的研磨面来研磨所述基板；垫温度测定器，该垫温度测定器测定所述研磨面的温度；垫温度调整装置，该垫温度调整装置调整所述研磨面的温度；膜厚测定器，该膜厚测定器安装于所述研磨台；及控制装置，该控制装置至少控制所述研磨头与所述垫温度调整装置的动作，所述控制装置基于所述垫温度测定器的测定值，并使用所述垫温度调整装置将所述研磨面的温度调整成规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板。
一个方式为所述控制装置在所述研磨面的温度到达所述规定温度之后立刻开始所述基板的研磨。
一个方式为所述控制装置在所述研磨面的温度稳定保持在所述规定温度后开始所述基板的研磨。
一个方式为所述控制装置一边将所述研磨面的温度维持在所述规定温度，一边进行所述基板的研磨。
一个方式为所述规定温度是第一规定温度，所述基板的研磨包含：第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及第二研磨，以与所述第一规定温度不同的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，所述控制装置在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时，从所述第一研磨切换为所述第二研磨。
一个方式为所述规定温度是第一规定温度，所述基板的研磨包含：第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及第二研磨，以从所述第一规定温度逐渐变化的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，所述控制装置在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时，从所述第一研磨切换为所述第二研磨。
发明效果
采用本发明时，由于在基板研磨中将研磨垫维持在规定温度，因此，能够以基于膜厚测定器的测定值的期望研磨率来研磨基板。结果，能够以正确的膜厚轮廓研磨基板。
附图说明
图1是表示一种实施方式的研磨装置的模式图。
图2是表示图1所示的研磨头的剖面图。
图3是表示一种实施方式的热交换器的水平剖面图。
图4是表示研磨垫上的热交换器与研磨头的位置关系的俯视图。
图5A是表示在晶片研磨中通过垫温度调整装置而调整的研磨垫的研磨面的温度变化的一例曲线图。
图5B是表示晶片的膜厚变化的曲线图。
图6A是表示在晶片研磨中通过垫温度调整装置而调整的研磨垫的研磨面的温度变化的其他例曲线图。
图6B是表示晶片的膜厚变化的曲线图。
图7是用于说明温度切换膜厚的模式图。
图8A是表示在晶片研磨中通过垫温度调整装置而调整的研磨垫的研磨面的温度变化的又一其他例曲线图。
图8B是表示晶片的膜厚变化的曲线图。
图9是其他实施方式的研磨装置的概略俯视图。
图10是表示图9所示的红外线加热器的模式图。
图11是表示排列于研磨垫的半径向的多个红外线加热器的图。
图12是表示具备反射板的垫温度调整装置的图。
图13是表示具备吸引喷嘴的垫温度调整装置的图。
图14是表示具备吸引喷嘴的垫温度调整装置的图。
图15是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。
图16是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。
图17是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。
图18是表示图16所示的实施方式的加热流体喷嘴的修改例的图。
图19是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。
图20A是表示以规定的研磨负重研磨基板时的研磨率与研磨温度的关系的一例图。
图20B是表示以规定的研磨负重研磨基板时的研磨率与研磨温度的关系的其他例图。
具体实施方式
以下，参照图来说明本发明的实施方式。
图1是表示一种实施方式的研磨装置(CMP装置)的模式图。如图1所示，研磨装置具备：保持基板的一例的晶片W并使其旋转的研磨头1；支承研磨垫3的研磨台2；在研磨垫3的表面供给研磨液(浆液)的研磨液供给喷嘴4；及用于调整研磨垫3的研磨面3a的温度的垫温度调整装置5。研磨垫3的表面(上表面)构成研磨晶片W的研磨面3a。
研磨头1可在铅直方向移动，且可将其轴心作为中心而在箭头指示的方向旋转。晶片W通过真空吸附等而保持于研磨头1的下表面。研磨台2连结有台马达6，并可在箭头指示的方向旋转。如图1所示，研磨头1及研磨台2在相同方向旋转。研磨垫3贴合于研磨台2的上表面。
研磨装置具备控制研磨头1、台马达6、研磨液供给喷嘴4、垫温度调整装置5的动作的控制装置40。控制装置40至少由一台计算机构成。控制装置40例如具备：储存程序的存储装置110；及按照程序所含的命令进行运算的运算装置120。运算装置120包含按照程序所含的命令进行运算的CPU(中央处理装置)或GPU(图形处理单元)等。存储装置110具备：运算装置120可存取的主存储装置(例如随机存取内存)；与储存数据及程序的辅助存储装置(例如，硬盘机或固态硬盘)。
研磨装置进一步具备发挥测定晶片W的膜厚的膜厚测定器功能的膜厚传感器7。该膜厚传感器7固定于研磨台2，并与研磨台2一起旋转。膜厚传感器7以生成按照晶片W的膜厚而变化的膜厚信号的方式构成。膜厚传感器7设置于研磨台2内，研磨台2每旋转一次，生成表示包含晶片W的中心部的多个区域的膜厚的膜厚信号。
作为膜厚传感器7的例，例如有光学式传感器及涡流传感器。涡流传感器是检测通过晶片W的涡流而形成的交链磁通，并基于检测出的交链磁通来检测晶片W的厚度的传感器。光学传感器是对晶片W照射光，通过测定从晶片W反射的干涉波来检测晶片W的厚度的传感器。
晶片W研磨中，膜厚传感器7与研磨台2一起旋转，穿过晶片W表面并生成膜厚信号。该膜厚信号是直接或间接表示晶片W的膜厚的指标值，且随着晶片W的膜厚减少而变化。膜厚传感器7连接于控制装置40，膜厚信号可发送至控制装置40。控制装置40在通过膜厚信号表示的晶片W的膜厚到达规定的目标厚度时，对研磨头1及研磨台2发出指令结束晶片W的研磨。
图2是表示图1所示的研磨头1的剖面图。研磨头1具备：圆板状的载体25；在载体25的下方形成多个(本实施方式是四个)压力室D1、D2、D3、D4的圆形柔软的弹性膜(隔膜)26；及以包围弹性膜26的方式配置并按压研磨垫3的研磨面3a的扣环28。压力室D1、D2、D3、D4形成于弹性膜26与载体25的下面之间。研磨头1的载体25固定于头轴杆的下端。
弹性膜26具有多个环状的分隔壁26a。压力室D1、D2、D3、D4通过这些分隔壁26a而彼此隔开。中央的压力室D1是圆形，其他压力室D2、D3、D4是环状。这些压力室D1、D2、D3、D4同心圆状地排列。压力室的数量并无特别限定，研磨头1也可具备比四个多的压力室，或是比四个少的压力室。
压力室D1、D2、D3、D4连接于流体管线G1、G2、G3、G4，加压流体(例如加压空气)可通过流体管线G1、G2、G3、G4而供给至压力室D1、D2、D3、D4内。流体管线G1、G2、G3、G4中分别安装有压力调整器R1、R2、R3、R4。压力调整器R1、R2、R3、R4可独立调节压力室D1、D2、D3、D4内的加压流体的压力。由此，研磨头1能够以相同研磨负重或不同研磨负重来研磨晶片W对应的四个区域，也即中央部、内侧中间部、外侧中间部及周缘部。
在扣环28与载体25之间配置有环状的弹性膜29。在该弹性膜29的内部形成有环状的压力室D5。该压力室D5连接于流体管线G5，加压流体(例如加压空气)可通过流体管线G5而供给至压力室D5内。在流体管线G5中安装有压力调整器R5。压力室D5内的加压流体的压力通过压力调整器R5来调节。压力室D5内的压力施加于扣环28，扣环28与弹性膜(隔膜)26独立地可直接按压研磨垫3的研磨面3a。流体管线G1、G2、G3、G4、G5中分别安装有流量计K1、K2、K3、K4、K5。
晶片W研磨中，弹性膜26对研磨垫3的研磨面3a按压晶片W，扣环28在晶片W周围按压研磨垫3的研磨面3a。控制装置40基于从膜厚传感器7发送的表示多个区域的膜厚的膜厚信号，控制(或决定)供给至压力室D1、D2、D3、D4、D5的加压流体的压力。通过如此构成，由于晶片W每个区域可调整将晶片W按压于研磨垫3的按压力(也即，研磨负重)，因此可将晶片W的整个表面研磨成均匀的膜厚。
在图1所示的实施方式中，垫温度调整装置5具备：通过与研磨垫3进行热交换来调整研磨面3a的温度的热交换器11；将温度调整后的加热流体及冷却流体供给至热交换器11的流体供给系统30；及连结于热交换器11的升降机构20。热交换器11位于研磨台2及研磨垫3的研磨面3a的上方，热交换器11的底面面对研磨垫3的研磨面3a。升降机构20以使热交换器11上升及下降的方式构成。更具体而言，升降机构20以在将热交换器11的底面靠近研磨垫3的研磨面3a的方向，也即在从研磨垫3的研磨面3a离开的方向移动的方式构成。升降机构20具备马达或空气汽缸等致动器(无图示)。升降机构20的动作通过控制装置40来控制。
流体供给系统30具备：贮存温度调整后的加热流体的作为加热流体供给源的加热流体供给槽31；连结加热流体供给槽31与热交换器11的加热流体供给管32及加热流体回流管33。加热流体供给管32及加热流体回流管33的一方端部连接于加热流体供给槽31，另一方端部连接于热交换器11。
温度调整后的加热流体从加热流体供给槽31通过加热流体供给管32而供给至热交换器11，在热交换器11内流动，而后从热交换器11通过加热流体回流管33而返回加热流体供给槽31。如此，加热流体在加热流体供给槽31与热交换器11之间循环。加热流体供给槽31具有加热器(无图示)，加热流体通过加热器而加热至规定温度。
流体供给系统30进一步具备：安装于加热流体供给管32的第一开闭阀41及第一流量控制阀42。第一流量控制阀42配置于热交换器11与第一开闭阀41之间。第一开闭阀41是不具流量调整功能的阀门，而第一流量控制阀42是具有流量调整功能的阀门。
流体供给系统30进一步具备：连接于热交换器11的冷却流体供给管51及冷却流体排出管52。冷却流体供给管51连接于设于设置研磨装置的工厂的冷却流体供给源(例如，冷水供给源)。冷却流体通过冷却流体供给管51而供给至热交换器11，在热交换器11内流动，而后从热交换器11通过冷却流体排出管52排出。一种实施方式也可将在热交换器11内流动的冷却流体通过冷却流体排出管52而返回冷却流体供给源。
流体供给系统30进一步具备：安装于冷却流体供给管51的第二开闭阀55及第二流量控制阀56。第二流量控制阀56配置于热交换器11与第二开闭阀55之间。第二开闭阀55是不具流量调整功能的阀门，而第二流量控制阀56是具有流量调整功能的阀门。
第一开闭阀41、第一流量控制阀42、第二开闭阀55及第二流量控制阀56连接于控制装置40，第一开闭阀41、第一流量控制阀42、第二开闭阀55及第二流量控制阀56的动作通过控制装置40来控制。
研磨装置进一步具备测定研磨垫3的研磨面3a的温度(以下，称为垫表面温度)的垫温度测定器39。垫温度测定器39连接于控制装置40。控制装置40以基于通过垫温度测定器39测定的垫表面温度来操作第一流量控制阀42及第二流量控制阀56的方式构成。第一开闭阀41及第二开闭阀55通常打开。垫温度测定器39可使用能够以非接触方式测定研磨垫3的研磨面3a的温度的放射温度计。垫温度测定器39配置于研磨垫3的研磨面3a的上方。
垫温度测定器39以非接触方式测定垫表面温度，并将其测定值发送至控制装置40。垫温度测定器39也可是测定研磨垫3的表面温度的红外线放射温度计或是热电偶温度计，也可以是沿着研磨垫3的径向取得研磨垫3的温度分布(温度轮廓)的温度分布测定器。温度分布测定器的例如为温度记录器、热电堆及红外线摄影机。垫温度测定器39是温度分布测定器时，垫温度测定器39以测定包含研磨垫3的中心与外周缘且沿着该研磨垫3的半径向的区域的研磨垫3的表面温度分布的方式构成。在本说明书中，温度分布(温度轮廓)表示垫表面温度与晶片W上的半径向的位置的关系。
控制装置40以将垫表面温度维持在预先设定的目标温度的方式，通过基于所测定的垫表面温度，操作第一流量控制阀42及第二流量控制阀56，来控制加热流体及冷却流体的流量。第一流量控制阀42及第二流量控制阀56按照来自控制装置40的控制信号动作，调整供给至热交换器11的加热流体的流量及冷却流体的流量。在流经热交换器11的加热流体及冷却流体与研磨垫3之间进行热交换，由此，垫表面温度变化。
通过这种反馈控制，将研磨垫3的研磨面3a的温度(也即，垫表面温度)维持在规定的目标温度。上述反馈控制可使用PID控制。研磨垫3的目标温度根据构成晶片W的表面的膜种类、或研磨程序来决定。决定后的目标温度预先输入控制装置40，并存储于存储装置110内。
为了将垫表面温度维持在规定的目标温度，热交换器11在晶片W研磨中与研磨垫3的表面(也即研磨面3a)接触。本说明书中，热交换器11与研磨垫3的研磨面3a接触的方式，除了热交换器11直接接触研磨垫3的研磨面3a的方式之外，也包含在热交换器11与研磨垫3的研磨面3a之间存在研磨液(浆液)的状态下，热交换器11接触研磨垫3的研磨面3a的方式。任何一个方式皆为流经热交换器11的加热流体及冷却流体与研磨垫3之间进行热交换，由此来控制垫表面温度。
供给至热交换器11的加热流体使用温水等加热流体。加热流体通过加热流体供给槽31的加热器(无图示)例如加热至约80℃。更迅速使研磨垫3的表面温度上升情况下，也可使用硅油作为加热流体。使用硅油作为加热流体情况下，硅油通过加热流体供给槽31的加热器加热至100℃以上(例如，约120℃)。
供给至热交换器11的冷却流体使用冷水或硅油等的冷却流体。使用硅油作为冷却流体情况下，将冷机作为冷却流体供给源而连接于冷却流体供给管51，通过将硅油冷却至0℃以下可迅速冷却研磨垫3。冷水可使用纯水。为了冷却纯水而生成冷水，也可使用冷机作为冷却流体供给源。此时，也可将在热交换器11内流动的冷水通过冷却流体排出管52而返回冷机。
加热流体供给管32及冷却流体供给管51是完全独立的配管。因此，加热流体及冷却流体不致混合而同时供给至热交换器11。加热流体回流管33及冷却流体排出管52也是完全独立的配管。因此，加热流体不致与冷却流体混合而返回加热流体供给槽31，冷却流体不致与加热流体混合而排出，或是返回冷却流体供给源。
其次，参照图3说明热交换器11。图3是表示一种实施方式的热交换器11的水平剖面图。如图3所示，热交换器11具备将加热流路61及冷却流路62形成于内部的流路构造体71。本实施方式中，整个热交换器11具有圆形。热交换器11的底面平坦且圆形。热交换器11的底面由流路构造体71的底面构成。流路构造体71由耐磨损性优异并且热传导率高的材质，例如由致密质地的碳化硅(SiC)等的陶瓷构成。
加热流路61及冷却流路62彼此邻接(彼此并列)而延伸，且螺旋状延伸。再者，加热流路61及冷却流路62具有点对称的形状，且彼此具有相同长度。加热流路61及冷却流路62基本上分别由曲率一定的多个圆弧流路64、与连结这些圆弧流路64的倾斜流路65而构成。邻接的两个圆弧流路64通过各倾斜流路65连结。
采用这种构成时，可将加热流路61及冷却流路62的各个最外周部配置于热交换器11的最外周部。换言之，热交换器11的整个底面位于加热流路61及冷却流路62的下方，加热流体及冷却流体可将研磨垫3的研磨面3a迅速加热及冷却。加热流体及冷却流体与研磨垫3之间的热交换是在研磨垫3的研磨面3a与热交换器11的底面之间存在浆液的状态下进行的。不过，加热流路61及冷却流路62的形状不限定于图2所示的实施方式，也可具有其他形状。
加热流体供给管32(参照图1)连接于加热流路61的入口61a，加热流体回流管33(参照图1)连接于加热流路61的出口61b。冷却流体供给管51(参照图1)连接于冷却流路62的入口62a，冷却流体排出管52(参照图1)连接于冷却流路62的出口62b。加热流路61及冷却流路62的入口61a、62a位于热交换器11的周缘部，加热流路61及冷却流路62的出口61b、62b位于热交换器11的中心部。因此，加热流体及冷却流体从热交换器11的周缘部朝向中心部而螺旋状流动。加热流路61及冷却流路62完全分离，在热交换器11中加热流体及冷却流体不致混合。
图4是表示研磨垫3上的热交换器11与研磨头1的位置关系的俯视图。热交换器11从上方观看时是圆形，且热交换器11的直径比研磨头1的直径小。从研磨垫3的旋转中心O至热交换器11的中心P的距离与从研磨垫3的旋转中心O至研磨头1的中心Q的距离相同。由于加热流路61及冷却流路62彼此邻接，因此加热流路61及冷却流路62除了在研磨垫3的径向上并列之外，也沿着研磨垫3的周向上并列。因此，研磨台2及研磨垫3旋转中，研磨垫3与加热流体及冷却流体两者进行热交换。
具有这种垫温度调整装置5的研磨装置如下进行晶片W的研磨。研磨的晶片W通过研磨头1保持，并且通过研磨头1而旋转。研磨台2与研磨垫3一起通过台马达6而旋转。在该状态下，将研磨液(浆液)从研磨液供给喷嘴4供给至研磨垫3的研磨面3a。接着，垫温度调整装置5的热交换器11接触研磨垫3的研磨面3a，而将研磨面3a的温度调整及维持在规定的温度。再者，晶片W的表面通过研磨头1被按压于研磨垫3的研磨面3a。晶片W的表面在浆液的存在下，通过与研磨垫3滑动接触而被研磨。晶片W的表面通过浆液的化学性作用与浆液所含的研磨粒的机械性作用而被平坦化。
图5A是表示在晶片W研磨中通过垫温度调整装置5而调整的研磨垫3的研磨面3a的温度变化的一例曲线图，图5B是表示晶片W的膜厚变化的曲线图。图5A中，纵轴表示研磨面3a的温度，横轴表示经过时间。图5B中，纵轴表示晶片W的膜厚，横轴表示经过时间。
如图5A所示，本实施方式中，热交换器11在时刻Ta接触研磨垫3的研磨面3a，并以研磨面3a的温度到达规定温度T1的方式，将该研磨面3a加热。时刻Ta相当于开始使用垫温度调整装置5调整研磨面3a的温度的时刻。本实施方式中，保持于研磨头1的晶片W在时刻Ta按压于研磨面3a。此时，供给至压力室D1、D2、D3、D4、D5(参照图2)的加压流体的压力设定为任意值，尚未开始基于膜厚传感器(膜厚测定器)7的测定值控制将晶片W按压于研磨面3a的研磨负重来研磨晶片W。
接着，控制装置40基于从垫温度测定器39发送的研磨面3a的温度的测定值，决定研磨面3a的温度是否稳定保持在规定温度T1。例如，控制装置40预先存储对于规定温度T1设定的容许值，并监视研磨面3a的温度经过规定时间是否保持在该容许值内。控制装置40将研磨面3a的温度保持在容许值内的时间到达规定的经过时间的时刻决定为稳定时刻Tb。
一种实施方式中，控制装置40也可并非在时刻Ta而是在时刻Tb，将保持于研磨头1的晶片W按压于研磨垫3的研磨面3a。
接着，当研磨时间到达稳定时刻Tb时，控制装置40基于膜厚传感器(膜厚测定器)7的测定值控制将晶片W按压于研磨面3a的研磨负重而开始研磨晶片W。即使在晶片W与研磨垫3之间产生摩擦热，在时刻Tb以后，研磨垫3的研磨面3a的温度通过垫温度调整装置5仍维持在规定温度T1。因此，由于研磨率不依研磨温度而变化，因此能够以基于膜厚传感器7的测定值的希望研磨率来研磨晶片W。也即，如图5B所示，膜厚以一定速度减少。结果，能够以正确的膜厚轮廓研磨基板。研磨晶片W至膜厚到达目标膜厚M1时，控制装置40在该时刻Tc结束晶片W的研磨。
采用本实施方式时，即使研磨的膜是具有图20B所示的转折点TP的膜，由于在晶片W研磨中研磨率不变化，因此研磨装置的处理量不致降低。就连将规定的温度T1设定为转折点TP的研磨温度或是该研磨温度附近，仍能够以最大研磨率来研磨晶片W。结果，可使研磨装置的处理量提高。
一种实施方式中，控制装置40从时刻Ta起即使经过规定时间TE仍未到达时刻Tb时，也可基于膜厚传感器7的测定值控制将晶片W按压于研磨面3a的研磨负重而开始研磨晶片W。此时，因为包含垫温度调整装置5及垫温度测定器39的研磨装置的构成组件、及/或晶片W有可能发生异常，所以控制装置40也可发出警报，也可除了警报之外，还停止研磨晶片W。控制装置40预先存储规定时间TE。
一种实施方式中，控制装置40即使研磨规定量的膜而仍未到达时刻Tb时，也可基于膜厚传感器7的测定值控制将晶片W按压于研磨面3a的研磨负重来开始研磨晶片W。此时，因为包含垫温度调整装置5及垫温度测定器39的研磨装置的构成组件、及/或晶片W有可能发生异常，所以控制装置40也可发出警报，也可除了警报之外，还停止研磨晶片W。控制装置40预先存储上述规定量。
膜厚传感器7是涡流传感器时，依涡流传感器的种类，测定值会受到周围温度的影响。因此，本实施方式也可通过控制装置40来修正涡流传感器的测定值。例如，通过预先实验获得表示温度与涡流传感器的测定值的关系的关系公式或表，并使用该关系公式或表来修正涡流传感器的测定值。
一种实施方式中，控制装置40也可以在研磨垫3的研磨面3a的温度最初到达规定温度T1的时刻Td后，立刻可基于膜厚传感器7的测定值控制将晶片W按压于研磨面3a的研磨负重来开始研磨晶片W。此时，虽然在从时刻Td到达Tb之间的研磨率不稳定，不过，由于在时刻Tb以后的研磨率稳定，因此，最后能够以正确的膜厚轮廓研磨基板。一种实施方式也可并非在时刻Ta，而在时刻Td将保持于研磨头1的晶片W按压于研磨垫3的研磨面3a。
如上述，晶片W的研磨率也依赖于研磨垫3的研磨面3a的温度。因而，为了抑制处理量降低并且取得更正确的膜厚轮廓，也可使上述规定温度T1变化。参照图6A及图6B而说明的以下实施方式的说明、及参照图8A及图8B而说明的以下实施方式的说明，是将上述规定温度T1称为“第一规定温度T1”，并将从第一规定温度而变化的研磨垫3的研磨温度称为”第二规定温度T2”。此外，因为不特别说明的这些本实施方式的构成，与参照图5A及图5B而说明的实施方式同样，所以省略其重复的说明。
图6A是表示在晶片W研磨中通过垫温度调整装置5调整的研磨垫3的研磨面3a的温度变化的其他例曲线图，图6B是表示晶片W的膜厚变化的曲线图。图6A中，纵轴表示研磨面3a的温度，横轴表示经过时间。图6B中，纵轴表示晶片W的膜厚，横轴表示经过时间。
如图6A及图6B所示，控制装置40在晶片W的膜厚到达温度切换膜厚M2时，将第一规定温度T1切换成第二规定温度T2。本实施方式中第二规定温度T2的温度比第一规定温度T1低，在第二规定温度T2的研磨率比在第一规定温度的研磨率低。
图7是用于说明温度切换膜厚M2的模式图。图7模式性地描绘研磨对象物的晶片W的剖面。如图7所示，温度切换膜厚M2设定在目标膜厚M1附近。
本实施方式中，控制装置40在到达温度切换膜厚M2前，将研磨面3a的温度调整及维持在成为高研磨率(例如，最大研磨率)的第一规定温度T1来研磨晶片W。控制装置40在膜厚到达温度切换膜厚M2时，将研磨面3a的温度变更成研磨率成为比在第一规定温度T1的研磨率低的研磨率的第二规定温度T2。由于在第二规定温度T2缓慢进行晶片W的研磨，因此可获得更正确的膜厚轮廓。另外，在到达温度切换膜厚M2前，由于研磨面3a的温度维持在成为高研磨率的第一规定温度T1，因此可抑制处理量降低。
图6A及图6B所示的例中，第二规定温度T2比第一规定温度T1低。但是，由于晶片W的膜的种类、浆液的性状及/或研磨条件(例如，研磨头1的转速及研磨台2的转速等)的关系，通过使研磨面3a的温度上升，研磨率会降低。例如，研磨的膜是具有图20B所示的转折点TP的膜时，通过使研磨面3a的温度比转折点TP的研磨温度高，可使研磨率降低。这种情况下，也可将第二规定温度T2设定成比第一规定温度T1高。
本实施方式中，第二规定温度T2及温度切换膜厚M2优选考虑研磨的膜的种类、研磨条件(例如，研磨头1及研磨台2的转速及浆液的种类)、研磨装置的处理量等来设定。例如，想抑制研磨装置的处理量的降低时，也可考虑研磨的膜的种类及研磨条件，并将温度切换膜厚M2设定成尽量接近目标膜厚M1的值，也可将第二规定温度T2设定成尽量高(或是低)的温度。
图8A是表示在晶片W研磨中通过垫温度调整装置5调整的研磨垫3的研磨面3a的温度变化的又一其他例曲线图，图8B是表示晶片W的膜厚变化的曲线图。图8A中，纵轴表示研磨面3a的温度，横轴表示经过时间。图8B中，纵轴表示晶片W的膜厚，横轴表示经过时间。
图8A及图8B所示的实施方式中也是，控制装置40在膜厚到达温度切换膜厚M2时，使研磨面3a的温度从第一规定温度T1变化为研磨率成为比在第一规定温度的研磨率低的研磨率的第二规定温度T2。本实施方式中，控制装置40使第二规定温度T2逐渐降低。通过进行这种控制，由于研磨率逐渐减少，因此可抑制处理量降低，并可获得更正确的膜厚轮廓。与参照图6A及图6B所说明的实施方式同样地，通过使研磨面3a的温度上升，当研磨率降低时，控制装置40使第二规定温度T2逐渐上升。
本实施方式仍与参照图5A及图5B所说明的实施方式同样地，第二规定温度T2及温度切换膜厚M2优选考虑研磨的膜的种类、研磨条件(例如，研磨头1及研磨台2的转速及浆液的种类)及研磨装置的处理量等来设定。再者，本实施方式中，通过调整第二规定温度的变化量，可调整研磨装置的处理量。例如，提高设定第二规定温度的变化量时，可使研磨装置的处理量提高。另外，降低设定第二规定温度的变化量时，可获得更正确的膜厚轮廓。
上述实施方式为垫温度调整装置5具有与研磨面3a接触的热交换器11，作为调整研磨垫3的研磨面3a的温度的装置(也即，作为研磨面3a的加热装置及冷却装置而发挥功能的装置)。也即，上述垫温度调整装置5是热交换器11接触研磨面3a的接触型的垫温度调整装置。但是，垫温度调整装置5也可以是不具接触研磨面3a的构成组件的非接触型的垫温度调整装置。
图9是其他实施方式的研磨装置(CMP装置)的概略俯视图。图9所示的研磨装置与图1所示的研磨装置仅垫温度调整装置的构成不同。因而，对于相同或对应的构成组件通过注记相同符号，而省略其重复的说明。
本实施方式为垫温度调整装置5是置于研磨垫3的研磨面3a的上方的非接触型的垫温度调整装置。该垫温度调整装置5具备与研磨垫3的研磨面3a平行地延伸的加热装置(红外线加热器)15。
红外线加热器15将红外线(辐射热)放射至研磨垫3的研磨面3a。本实施方式为红外线加热器15具有与研磨垫3平行(也即水平方向)配置的圆盘形状，不过，红外线加热器15的形状不限定于本实施方式。一种实施方式为红外线加热器15也可具有在研磨垫3的半径向延伸的长方形状。一种实施方式为红外线加热器15也可构成可沿着研磨垫3的半径向而摇动。
图10是表示图9所示的红外线加热器15的模式图。如图10所示，红外线加热器15配置于研磨垫3的上方。更具体而言，红外线加热器15配置于如下高度：供给至研磨垫3的研磨面3a上的研磨液不会附着，且可将研磨面3a加热。通过如此配置，垫温度调整装置5的任何一个构成组件皆不接触研磨垫3。因而，可防止因为垫温度调整装置5的构成组件与研磨垫3的研磨面3a接触而造成晶片W的污染。
再者，垫温度调整装置5的任何一个构成组件与研磨垫3(的研磨面3a)接触时，该构成组件上必然会附着(或是，黏着)研磨液。此时，附着的研磨液作为异物而掉落于研磨垫3的研磨面3a，结果，可能在晶片W上产生刮痕等的瑕疵。采用本实施方式的构成时，由于垫温度调整装置5的任何一个构成组件皆不与研磨垫3接触，因此，不致从垫温度调整装置5的构成组件掉落的异物在晶片W上产生刮痕等的瑕疵。
如图9所示，垫温度调整装置5也可具备冷却研磨垫3的研磨面3a的冷却装置17。冷却装置17的一例如有将气体喷射至研磨面3a而冷却的冷却装置。如图9所示，冷却装置17连接于控制装置40，控制装置40可与红外线加热器15独立地控制冷却装置17。通过如此构成，控制装置40可更精确调整研磨面3a的温度。
一种实施方式为垫温度调整装置5也可具备多个加热装置。图11是表示排列于研磨垫3的半径向的多个红外线加热器15A、15B、15C的图。图11所示的垫温度调整装置5具备纵向排列于研磨垫3的半径向的多个(本实施方式是三个)红外线加热器15A、15B、15C。另外，红外线加热器的数量不限定于本实施方式。也可设置两个红外线加热器，或是，也可设置四个以上的红外线加热器。
多个红外线加热器15A、15B、15C分别连接于控制装置40。控制装置40可个别地控制各红外线加热器15A、15B、15C，可使研磨垫3的表面温度局部变化。一种实施方式为各红外线加热器15A、15B、15C也可构成可沿着研磨垫3的半径向而摇动。
图12是表示具备反射板的垫温度调整装置的图。如图12所示，垫温度调整装置5也可具备将从红外线加热器15放射的红外线朝向研磨垫3反射的反射板16。反射板16以覆盖红外线加热器15的方式而配置于红外线加热器15的上方。反射板16可有效将通过其反射而从红外线加热器15放射的红外线反射至研磨垫3的研磨面3a。一种实施方式为反射板16除了红外线加热器15的上方外，也可配置于红外线加热器15的侧方。
图13及图14是表示具备吸引喷嘴的垫温度调整装置的图。如图13及图14所示，垫温度调整装置5也可具备通过吸引通过红外线加热器15加热的研磨垫3的研磨面3a附近的热空气，而降低环境温度的吸引喷嘴75。吸引喷嘴75邻接于研磨面3a，通过吸入研磨面3a上方的空气来降低研磨面3a的温度。
吸引喷嘴75连接于吸引装置76。更具体而言，吸引喷嘴75的吸引口75a配置于研磨面3a的上方，吸引喷嘴75的连接端75b经由吸引管线74而连接于吸引装置76。吸引管线74连接有控制阀78。这些吸引喷嘴75、吸引管线74、控制阀78及吸引装置76构成吸引机构70。垫温度调整装置5具备吸引机构70。
吸引喷嘴75的吸引口75a配置于不吸引供给至研磨垫3的研磨面3a上的研磨液，而可吸引研磨面3a的热的高度。图13所示的实施方式中，将吸引喷嘴75的吸引口75a配置于红外线加热器15的中央。但是，吸引口75a的配置位置不限定于图13所示的实施方式。
图15是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。由于不特别说明的本实施方式的构成及动作与上述实施方式相同，因此省略其重复的说明。如图15所示，垫温度调整装置5也可具备邻接于红外线加热器15而配置且形成朝向研磨垫3的研磨面3a的空气流动(参照图15的箭头)的风扇79。
图15所示的实施方式为将风扇79配置于红外线加热器15的上方，并经由红外线加热器15而与研磨垫3的研磨面3a相对配置。一种实施方式为也可将风扇79配置于红外线加热器15的下方。
风扇79连接于控制装置40，控制装置40可驱动风扇79。在驱动红外线加热器15的状态下驱动风扇79时，风扇79周围的空气作为热风而吹送至研磨垫3的研磨面3a。控制装置40将通过风扇79所吹送的空气流速(也即，风速)控制在研磨垫3上的研磨液不致飞散程度的流速。图15所示的实施方式中，设有单一的风扇79，不过风扇79的数量不限定于本实施方式。也可设置多个风扇79。
控制装置40可个别地控制红外线加热器15及风扇79。因此，一种实施方式为控制装置40也可基于通过垫温度测定器39测定的研磨垫3的研磨面3a的温度，不驱动红外线加热器15，而仅驱动风扇79。结果，研磨垫3的研磨面3a通过风扇79的旋转而吹送的空气冷却。
图16及图17是垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。由于不特别说明的本实施方式的构成及动作与上述实施方式相同，因此省略其重复的说明。
图16及图17所示的实施方式为垫温度调整装置5不具备红外线加热器15，取而代之，具备将加热流体吹送至研磨垫3的研磨面3a的加热流体喷嘴80。
垫温度调整装置5也可具备吸引从加热流体喷嘴80供给的加热流体的吸引喷嘴75。吸引喷嘴75具有与图13所示的实施方式的吸引喷嘴75同样的构成。因此，省略吸引喷嘴75的构成的说明。
如图16及图17所示，加热流体喷嘴80具备以加热流体朝向吸引喷嘴75的吸引口75a流动的方式，而配置于吸引喷嘴75的吸引口75a周围的多个供给口80a。
如图17所示，加热流体喷嘴80连接于加热流体供给源82。更具体而言，加热流体喷嘴80的供给口80a配置于研磨面3a的上方，加热流体喷嘴80的连接端80b经由供给管线而连接于加热流体供给源82。供给管线81连接有控制阀83。加热流体喷嘴80、供给管线81、加热流体供给源82及控制阀83构成加热机构60。垫温度调整装置5具备加热机构60。
控制装置40连接于控制阀83。在控制装置40打开控制阀83时，通过供给管线81而从加热流体喷嘴80的供给口80a朝向研磨垫3的研磨面3a供给加热流体。加热流体的一例如有加热后的气体、加热蒸气及过热蒸气。另外，加热后的气体的一例如有高温空气(也即，热风)。所谓过热蒸气，是指将饱和蒸气进一步加热的高温蒸气。
图17所示的实施方式中，以包围吸引喷嘴75的吸引口75a的方式等间隔配置有三个供给口80a。不过供给口80a的数量不限定于本实施方式。供给口80a的数量也可以是两个，或是也可以是四个以上。也能够以包围吸引口75a的方式不等间隔地配置多个供给口80a。
如图16及图17所示，垫温度调整装置5也可具备覆盖吸引喷嘴75的吸引口75a及加热流体喷嘴80的供给口80a的隔热盖85。
图18是表示图16所示的实施方式的加热流体喷嘴80的修改例的图。各供给口80a也能够以研磨垫3上的研磨液不致飞散的角度而倾斜。一种实施方式如图18所示，多个(本实施方式是三个)供给口80a以通过加热流体形成朝向吸引喷嘴75的吸引口75a的回转流(参照图18的圆弧状的箭头)的方式，而朝向吸引喷嘴75的吸引口75a以规定的角度倾斜。图18所示的实施方式为各供给口80a沿着隔热盖85的圆周向延伸，并朝向吸引口75a以规定的角度倾斜。
图19是表示垫温度调整装置的又一其他实施方式的图。如图19所示，也可组合图13所示的实施方式与图16所示的实施方式。图19所示的实施方式中，在隔热盖85的内面贴合有反射板16。另外，也可组合图10所示的实施方式(也即，并未设置反射板16的实施方式)与图16所示的实施方式。
研磨垫3的表面温度可基于上述实施方式所说明的构成而变更。例如，通过采用变更供给至红外线加热器15的电流大小的手段、变更反射板16的角度的手段、变更红外线加热器15与研磨垫3的研磨面3a之间的距离的手段；变更风扇79的转速的手段；及变更加热流体接触研磨垫3的研磨面3a的角度的手段中的至少一个手段，控制装置40可变更研磨垫3的表面温度。
变更反射板16的角度时，控制装置40也可控制可变更反射板16的角度的马达(无图示)的动作。变更红外线加热器15与研磨垫3的研磨面3a之间的距离时，控制装置40也可控制能够调整红外线加热器15的高度的马达(无图示)的动作。变更加热流体接触研磨面3a的角度时，控制装置40也可控制能够变更加热流体喷嘴80的角度的马达(无图示)的动作。
图11所示的实施方式中，对于使研磨垫3的表面温度局部变化的一例作说明，不过，也可通过以下说明的手段而使研磨垫3的表面温度局部变化。例如，通过采用变更反射板16的角度的手段、变更红外线加热器15的定向角的手段、及变更接触加热流体的角度的手段中至少一个手段，控制装置40可使研磨垫3的研磨面3a的温度局部变化。
上述实施方式以具有本发明所属的技术领域的一般知识的人可实施本发明为目的而记载者。本领域技术人员当然可实施上述实施方式的各种修改例，本发明的技术性思想也可适用于其他实施方式。因此，本发明不限定于记载的实施方式，而在按照通过权利要求所定义的技术性思想的最广范围作解释。
产业上的可利用性
本发明可利用于将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面来研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别是可利用于基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重来研磨基板的研磨方法及研磨装置。
【符号说明】
1:研磨头
2:研磨台
3:研磨垫
4:研磨液供给喷嘴
5:垫温度调整装置
6:台马达
11:热交换器
15:加热装置(红外线加热器)
15A,15B,15C:红外线加热器
16:反射板
17:冷却装置
25:吸引喷嘴
26:弹性膜
30:流体供给系统
39:垫温度测定器
40:控制装置
60:加热机构
70:吸引机构
79:风扇
80:加热流体喷嘴

Claims (12)

1.一种研磨方法，其特征在于，使用垫温度调整装置将研磨垫的研磨面的温度调整至规定温度，
基于设于所述研磨垫的膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板。
2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
在所述研磨面的温度到达所述规定温度之后立刻开始研磨所述基板的工序。
3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
在所述研磨面的温度稳定保持在所述规定温度后开始研磨所述基板的工序。
4.如权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其特征在于，
一边将所述研磨面的温度维持在所述规定温度，一边进行研磨所述基板的工序。
5.如权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其特征在于，
所述规定温度是第一规定温度，
研磨所述基板的工序包含：
第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及
第二研磨，以与所述第一规定温度不同的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，
从所述第一研磨切换为所述第二研磨是在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时进行的。
6.如权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其特征在于，
所述规定温度是第一规定温度，
研磨所述基板的工序包含：
第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及
第二研磨，以从所述第一规定温度逐渐变化的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，
从所述第一研磨切换为所述第二研磨是在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时进行的。
7.一种研磨装置，其特征在于，具备：
研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；
研磨头，该研磨头将基板按压于所述研磨垫的研磨面来研磨所述基板；
垫温度测定器，该垫温度测定器测定所述研磨面的温度；
垫温度调整装置，该垫温度调整装置调整所述研磨面的温度；
膜厚测定器，该膜厚测定器安装于所述研磨台；及
控制装置，该控制装置至少控制所述研磨头与所述垫温度调整装置的动作，
所述控制装置基于所述垫温度测定器的测定值，并使用所述垫温度调整装置将所述研磨面的温度调整成规定温度，
并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板。
8.如权利要求7所述的研磨装置，其特征在于，
所述控制装置在所述研磨面的温度到达所述规定温度之后立刻开始所述基板的研磨。
9.如权利要求7所述的研磨装置，其特征在于，
所述控制装置在所述研磨面的温度稳定保持在所述规定温度后开始所述基板的研磨。
10.如权利要求7～9中任一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述控制装置一边将所述研磨面的温度维持在所述规定温度，一边进行所述基板的研磨。
11.如权利要求7～9中任一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述规定温度是第一规定温度，
所述基板的研磨包含：
第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及
第二研磨，以与所述第一规定温度不同的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，
所述控制装置在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时，从所述第一研磨切换为所述第二研磨。
12.如权利要求7～9中任一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述规定温度是第一规定温度，
所述基板的研磨包含：
第一研磨，以所述第一规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板；及
第二研磨，以从所述第一规定温度逐渐变化的第二规定温度，并基于所述膜厚测定器的测定值，一边控制将所述基板按压于所述研磨面的研磨负重，一边研磨所述基板，
所述控制装置在通过所述膜厚测定器测定的所述基板的剩余膜的量到达规定量时，从所述第一研磨切换为所述第二研磨。
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