CN117170430A - 氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质，涉及传感器技术领域，可以在氮氧传感器中的陶瓷芯片加热至初始温度后，确定陶瓷芯片所处的环境温度，并根据该环境温度确定陶瓷芯片的目标温度。在目标温度小于初始温度，且陶瓷芯片在目标温度下工作正常时，可以对陶瓷芯片进行温度降级，将陶瓷芯片维持在目标温度。控制陶瓷芯片处于更低的温度工作，不仅能够降低加热能耗，还可以防止陶瓷芯片开裂，从而延长氮氧传感器的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及传感器技术领域，特别涉及一种氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质。
背景技术
目前，为了检测尾气排放中的氮氧浓度，通常会在尾气排放管路上设置氮氧传感器。在氮氧传感器工作的过程中，需要对氮氧传感器中的陶瓷芯片进行加热，并将陶瓷芯片维持在设定温度。
然而，将陶瓷芯片长时间维持在设定温度，不仅会消耗大量的加热能耗，还会缩短氮氧传感器的使用寿命。
发明内容
为了解决上述现有技术中的问题，本申请实施例提供了一种氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质，将氮氧传感器中的陶瓷芯片加热至设定温度后，可以对陶瓷芯片进行温度降级，从而降低加热能耗，并延长氮氧传感器的使用寿命。
第一方面，本申请实施例提供了一种氮氧传感器加热控制方法，所述方法包括：
在所述陶瓷芯片加热至初始温度后，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；
根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度；
若所述目标温度小于所述初始温度，则控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作；
若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常，则控制所述陶瓷芯片维持在所述目标温度进行工作。
在一种可能的实施方式中，所述确定所述陶瓷芯片所处的环境温度，包括：
获取当前时刻的发动机转速和所述陶瓷芯片所处的位置；
根据预存的第一对应关系，所述当前时刻的发动机转速和所述陶瓷芯片所处的位置，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；所述第一对应关系包括环境温度与发动机转速和陶瓷芯片位置的对应关系。
在一种可能的实施方式中，所述根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度，包括：
根据预存的第二对应关系，将所述环境温度对应的陶瓷芯片温度，作为所述陶瓷芯片的目标温度；所述第二对应关系包括环境温度与陶瓷芯片温度之间的对应关系。
在一种可能的实施方式中，通过如下方式确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下是否工作正常：
若所述目标温度与所述初始温度的差值小于设定温度阈值，和/或，所述氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与所述氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常。
在一种可能的实施方式中，所述在所述陶瓷芯片加热至初始温度之前，所述方法还包括：
对所述陶瓷芯片进行预加热操作；
若收到露点信号，则将所述陶瓷芯片加热至初始温度。
在一种可能的实施方式中，所述根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度之后，所述方法还包括：
若所述目标温度大于或等于所述初始温度，则将所述陶瓷芯片维持在所述初始温度进行工作。
在一种可能的实施方式中，所述控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作之后，所述方法还包括：
若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下无法工作正常，则将所述陶瓷芯片维持在所述初始温度进行工作。
第二方面，本申请实施例提供了一种氮氧传感器加热控制装置，所述装置包括：
温度确定单元，用于在所述陶瓷芯片加热至初始温度后，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度；
温度降级单元，用于若所述目标温度小于所述初始温度，则控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作；若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常，则控制所述陶瓷芯片维持在所述目标温度进行工作。
第三方面，本申请实施例提供了一种控制器，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器执行时，实现第一方面氮氧传感器加热控制方法中任一项所述的方法。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现第一方面氮氧传感器加热控制方法中任一项所述的方法。
本申请实施例提供的一种氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质，可以在氮氧传感器中的陶瓷芯片加热至初始温度后，确定陶瓷芯片所处的环境温度，并根据该环境温度确定陶瓷芯片的目标温度。在目标温度小于初始温度，且陶瓷芯片在目标温度下工作正常时，可以对陶瓷芯片进行温度降级，将陶瓷芯片维持在目标温度。控制陶瓷芯片处于更低的温度工作，不仅能够降低加热能耗，还可以防止陶瓷芯片开裂，从而延长氮氧传感器的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种氮氧传感器的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种加热曲线的示意图；
图3为本申请实施例提供的一种氮氧传感器加热控制方法的流程图；
图4为本申请实施例提供的一种氮氧传感器加热控制装置的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种控制器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的文件中涉及的术语“包括”和“具有”以及它们的变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
目前，随着机动车尾气排放标准的不断提高,对于氮氧传感器的市场需求量正在不断增加。机动车尾气排放管路上通常设置有两个氮氧传感器，即前氮氧传感器和后氮氧传感器。其中，前氮氧传感器位于三元催化剂之前，用于监测氮氧气体的浓度值，前氮氧传感器可以把该浓度值发送至SCR(尿素喷射系统)。尿素喷射系统能够将该浓度值以及尾气排气温度反馈到整车控制器，使尿素喷射系统形成准确的喷射量，从而闭环控制氮氧的排放量。后氮氧传感器位于三元催化剂之后，可以输出氮氧信号，用于判断机动车尾气排放的合格性。
图1为本申请实施例提供的一种氮氧传感器的结构示意图。如图1所示，氮氧传感器100包括探头101和控制器102，探头101与控制器102通过线束103连接。控制器102中包括接插件104和接插件105。接插件104与线束103连接，接插件105与CAN总线(图中未示出)连接。
其中，探头101内设置有陶瓷芯片，该陶瓷芯片包括从上至下依次层叠的6层氧化锆陶瓷层(ZrO2-1、ZrO2-2、ZrO2-3、ZrO2-4、ZrO2-5、ZrO2-6)，在ZrO2-5与ZrO2-6之间设置有铂加热丝。在氮氧传感器100工作时，可以通过铂加热丝为陶瓷芯片加热。
传统的氮氧传感器加热控制方法，通常会按照图2所示的加热曲线对陶瓷芯片进行加热。如图2所示，陶瓷芯片的整个加热过程被分成了不同的加热阶段。在前期0～t1时段迅速加热陶瓷芯片，随后在t1～t2时段、t2～t3时段和t3～t4时段逐步降低对于陶瓷芯片的加热速率，最终将陶瓷芯片的温度维持在设定温度T，该设定温度T通常被设置为800℃，其目的是在氮氧传感器工作时，排除发动机排气可能造成的影响。
然而，现有的氮氧传感器加热控制方法，在对陶瓷芯片进行加热前，无法确定陶瓷芯片的状态。如果陶瓷芯片的温度过低，或者陶瓷芯片上存在水汽，此时，对陶瓷芯片进行加热会加快陶瓷芯片开裂。并且，将陶瓷芯片长时间维持在如800℃的设定温度，在消耗大量加热能耗的同时，也会加速陶瓷芯片开裂，导致氮氧传感器的使用寿命被大大缩短。
基于此，本申请实施例提供一种氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质，可以先对氮氧传感器中的陶瓷芯片进行预加热操作，预加热操作完成后，可以将氮氧传感器中的陶瓷芯片加热至初始温度，随后确定陶瓷芯片所处的环境温度，并根据该环境温度确定陶瓷芯片的目标温度。在目标温度小于初始温度，且确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常时，可以对陶瓷芯片进行温度降级，将陶瓷芯片维持在目标温度。控制陶瓷芯片处于更低的温度工作，不仅能够降低加热能耗，还可以防止陶瓷芯片开裂，从而延长氮氧传感器的使用寿命。
图3示出了本申请实施例提供的一种氮氧传感器加热控制方法的流程图，该方法可以由氮氧传感器的控制器完成。如图3所示，该氮氧传感器加热控制方法可以包括以下步骤：
步骤S301，对陶瓷芯片进行预加热操作，若收到露点信号，则将陶瓷芯片加热至初始温度。
在一种可选的实施方式中，由于氮氧传感器控制器上电工作时，氮氧传感器探头中的陶瓷芯片处于冷启动状态，因此，陶瓷芯片表面可能存在水汽。为了除去陶瓷芯片表面可能存在的水汽，防止在后续的加热过程中陶瓷芯片受热不均而开裂。氮氧传感器控制器在上电工作时，可以对陶瓷芯片施加较小的加热占空比，使陶瓷芯片处于预加热状态。
示例性地，氮氧传感器控制器可以对陶瓷芯片施加20％的加热占空比，使陶瓷芯片预加热至200℃，从而蒸发陶瓷芯片上可能存在的水汽，避免陶瓷芯片因水汽附着导致的加热不均。
进一步的，对陶瓷芯片进行预加热操作之后，如果氮氧传感器控制器接收到整车控制器发送的露点信号，则可以确定预加热操作已经完成，此时，可以提高对陶瓷芯片施加的加热占空比，将陶瓷芯片加热至初始温度。
示例性地，确定预加热操作完成后，可以将对陶瓷芯片施加的加热占空比调整至90％，从而将陶瓷芯片加热至初始温度。例如，初始温度可以是800℃。
步骤S302，在陶瓷芯片加热至初始温度后，确定陶瓷芯片所处的环境温度。
在一种可选的实施方式中，在确定陶瓷芯片所处的环境温度之前，可以先确定当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置。
示例性地，可以从整车控制器获取当前时刻的发动机转速，并根据氮氧传感器控制器中预存的位置信息确定陶瓷芯片所处的位置。
其中，氮氧传感器控制器中预存的位置信息包括前氮氧传感器的探头位置和后氮氧传感器的探头位置。
发动机尾气排放管路上通常设置有两个氮氧传感器，即前氮氧传感器和后氮氧传感器。在一些实施例中，可以先确定氮氧传感器为前氮氧传感器还是后氮氧传感器，再根据前氮氧传感器的探头位置和后氮氧传感器的探头位置，确定陶瓷芯片所处的位置。由于陶瓷芯片设置在氮氧传感器探头中，因此，陶瓷芯片所处的位置也就是氮氧传感器探头所处的位置。
确定当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置之后，可以根据预存的第一对应关系，当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置，确定陶瓷芯片所处的环境温度。其中，第一对应关系包括环境温度与发动机转速和陶瓷芯片位置的对应关系。
在一些实施例中，第一对应关系可以由氮氧传感器控制器通过自学习获得。
具体的，当氮氧传感器控制器上电工作时，氮氧传感器控制器可以持续记录多个时刻的发动机转速、陶瓷芯片所处的位置、陶瓷芯片所处位置的环境温度。其中，陶瓷芯片所处位置的环境温度，为陶瓷芯片所处位置的排气温度。进一步地，氮氧传感器控制器可以建立预设的对应关系，进行环境温度的自学习。
在一种实施例中，第一对应关系可以包括两组。其中，第一组对应关系为前氮氧传感器的环境温度与发动机转速的对应关系，第一组对应关系可以用式(1)表示，式(1)可以表示为：
T1＝k1*n+c1 (1)
其中，T1为前氮氧传感器对应的环境温度，n为发动机转速，k1和c1均是针对前氮氧传感器预先标定的常数值。
第二组对应关系为后氮氧传感器的环境温度与发动机转速的对应关系，第二组对应关系可以用式(2)表示，式(2)可以表示为：
T2＝k2*n+c2 (2)
其中，T2为后氮氧传感器对应的环境温度，n为发动机转速，k2和c2均是针对后氮氧传感器预先标定的常数值。
在经过预设时段的自学习后，可以根据多个时刻的发动机转速、陶瓷芯片所处的位置、陶瓷芯片所处位置的环境温度修正式(1)中的参数k1、c1，以及式(2)中的参数k2、c2。进一步地，可以将修正后的发动机转速、陶瓷芯片所处的位置、陶瓷芯片所处位置的环境温度的对应关系存储在氮氧传感器的控制器中。
其中，上述自学习过程可以间歇性进行。示例性地，在一些实施例中，可以使用氮氧传感器上电的工作时刻为基准进行每次环境温度的自学习，在另一些实施例中，还可以通过计数器设定环境温度的自学习时间。
需要说明的是，上述环境温度的自学习时间设置仅用于举例说明，对于环境温度的自学习时间的设置，本申请不做任何限定。
通过自学习确定第一对应关系后，可以根据当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置确定陶瓷芯片所处位置的环境温度。
步骤S303，根据环境温度，确定陶瓷芯片的目标温度。
确定陶瓷芯片所处的环境温度之后，可以根据预存的第二对应关系，将环境温度对应的陶瓷芯片温度，作为陶瓷芯片的目标温度。
其中，第二对应关系包括环境温度与陶瓷芯片温度之间的对应关系。
也就是说，每个环境温度均对应有一个目标温度，氮氧传感器控制器可将当前时刻陶瓷芯片所处的环境温度对应的目标温度，作为陶瓷芯片的目标温度。
步骤S304，若目标温度小于初始温度，则控制陶瓷芯片在目标温度进行工作。
在一种可选的实施方式中，得到陶瓷芯片所处的环境温度对应的目标温度后，可以确定该目标温度和初始温度的大小关系。如果目标温度小于初始温度，则可以控制陶瓷芯片在目标温度进行工作。
示例性地，假设陶瓷芯片所处的环境温度为600℃，陶瓷芯片所处的环境温度对应的目标温度为700℃，初始温度为800℃，则可以控制陶瓷芯片在目标温度700℃的状态进行工作。
在另一种可选的实施方式中，如果目标温度大于或等于初始温度，则可以控制陶瓷芯片在初始温度进行工作。
示例性地，假设陶瓷芯片所处的环境温度为900℃，陶瓷芯片所处的环境温度对应的目标温度为850℃，初始温度为800℃，则可以控制陶瓷芯片在800℃的状态进行工作。
步骤S305，若确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常，则控制陶瓷芯片维持在目标温度进行工作。
将陶瓷芯片从初始温度状态调整至目标温度状态后，即对陶瓷芯片进行温度降级后，需要确定陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常，如果陶瓷芯片在目标温度下工作正常，则可以控制陶瓷芯片维持在目标温度进行工作。
在一种可选的实施方式中，可以通过如下方式确定陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常：
在一种实施例中，如果目标温度与初始温度的差值小于设定温度阈值，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常。
其中，设定温度阈值可以根据实际使用情况进行设置。例如，设定温度阈值可以为100℃，又如，设定温度阈值可以为200℃。
示例性地，假设设定温度阈值为100℃，目标温度为750℃，初始温度为800℃，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在750℃进行工作，从而减少氮氧传感器的加热能耗，并延长氮氧传感器的使用寿命。
需要说明的是，上述设定温度阈值仅用于举例说明，对于设定温度阈值的大小，可以根据实际情况进行设定，本申请不做任何限定。
在另一种实施例中，如果氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常。
其中，氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值应当是在相同工况下检测的，例如，两个氮氧浓度值可以均是环境温度为700℃，发动机转速为2000转/分钟时检测得出的氮氧浓度值。设定浓度阈值可以根据实际使用情况进行设置。例如，设定浓度阈值可以为10mg/m3，又如，设定浓度阈值可以为20mg/m3。
示例性地，假设设定浓度阈值为10mg/m3，目标温度为750℃，初始温度为800℃，氮氧传感器在陶瓷芯片处于800℃时检测的氮氧浓度值为120mg/m3，氮氧传感器在陶瓷芯片处于750℃时检测的氮氧浓度值为117mg/m3，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在750℃进行工作，从而减少氮氧传感器的加热能耗，并延长氮氧传感器的使用寿命。
同样需要说明的是，上述设定浓度阈值仅用于举例说明，对于设定浓度阈值的大小，可以根据实际情况进行设定，本申请对此不做任何限定。
在另一种实施例中，如果目标温度与初始温度的差值小于设定温度阈值，且氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常。
假设设定温度阈值为100℃，目标温度为750℃，初始温度为800℃，设定浓度阈值为10mg/m3。氮氧传感器在陶瓷芯片处于800℃时检测的氮氧浓度值为120mg/m3，氮氧传感器在陶瓷芯片处于750℃时检测的氮氧浓度值为117mg/m3，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在750℃进行工作，从而减少氮氧传感器的加热能耗，并延长氮氧传感器的使用寿命。
在一种可选的实施方式中，如果确定陶瓷芯片在目标温度下无法工作正常，则可以控制陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
在一些实施例中，如果确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常的条件为：目标温度与初始温度的差值小于设定温度阈值，则目标温度与初始温度的差值大于或等于设定温度阈值时，可以控制陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
示例性地，假设设定温度阈值为100℃，目标温度为650℃，初始温度为800℃，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下无法工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在800℃进行工作。
在另一些实施例中，如果确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常的条件为：氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值大于或等于设定浓度阈值时，可以控制陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
示例性地，假设设定浓度阈值为10mg/m3，目标温度为720℃，初始温度为800℃，氮氧传感器在陶瓷芯片处于800℃时检测的氮氧浓度值为120mg/m3，氮氧传感器在陶瓷芯片处于720℃时检测的氮氧浓度值为106mg/m3，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下无法工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在800℃进行工作。
在另一些实施例中，如果确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常的条件为：目标温度与初始温度的差值小于设定温度阈值，且氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则如果目标温度与初始温度的差值大于或等于设定温度阈值，且氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值大于或等于设定浓度阈值时，可以控制陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
示例性地，假设设定温度阈值为100℃，设定浓度阈值为10mg/m3，目标温度为650℃，初始温度为800℃，氮氧传感器在陶瓷芯片处于800℃时检测的氮氧浓度值为120mg/m3，氮氧传感器在陶瓷芯片处于650℃时检测的氮氧浓度值为106mg/m3，则可以确定陶瓷芯片在目标温度下无法工作正常，进一步地，可以控制陶瓷芯片维持在800℃进行工作。
需要特别说明的是，为了确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常的时效性和准确性，上述确定陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常的过程可以间歇性进行。
示例性地，在一些实施例中，可以使用氮氧传感器上电的工作时刻为基准进行每次陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常的判断，在另一些实施例中，还可以通过计数器设定陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常的时间。
基于同一发明构思，本发明实施例中还提供了一种氮氧传感器加热控制装置的结构示意图，如图4所示，该氮氧传感器加热控制装置包括：
温度确定单元401，用于在陶瓷芯片加热至初始温度后，确定陶瓷芯片所处的环境温度，根据环境温度，确定陶瓷芯片的目标温度。
温度降级单元402，用于若目标温度小于初始温度，则控制陶瓷芯片在目标温度进行工作，若陶瓷芯片在目标温度下工作正常，则控制陶瓷芯片维持在目标温度进行工作。
在一种可能的实施方式中，温度确定单元401，具体用于：
获取当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置，根据预存的第一对应关系，当前时刻的发动机转速和陶瓷芯片所处的位置，确定陶瓷芯片所处的环境温度。
其中，第一对应关系包括环境温度与发动机转速和陶瓷芯片位置的对应关系。
在一种可能的实施方式中，温度确定单元401，具体用于：
根据预存的第二对应关系，将环境温度对应的陶瓷芯片温度，作为陶瓷芯片的目标温度。
其中，第二对应关系包括环境温度与陶瓷芯片温度之间的对应关系。
在一种可能的实施方式中，温度降级单元402，具体用于：
通过如下方式确定陶瓷芯片在目标温度下是否工作正常：若目标温度与初始温度的差值小于设定温度阈值，和/或，氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则确定陶瓷芯片在目标温度下工作正常。
在一种可能的实施方式中，温度确定单元401，还用于：
对陶瓷芯片进行预加热操作，若收到露点信号，则将陶瓷芯片加热至初始温度。
在一种可能的实施方式中，温度降级单元402，还用于：
若目标温度大于或等于初始温度，则将陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
在一种可能的实施方式中，温度降级单元402，还用于：
若确定陶瓷芯片在目标温度下无法工作正常，则将陶瓷芯片维持在初始温度进行工作。
基于相同的发明构思，本申请实施例还提供了一种控制器。该控制器至少包括用于存储数据的存储器和处理器，其中，对于用于数据处理的处理器而言，在执行处理时，可以采用微处理器、CPU、GPU(Graphics Processing Unit，图形处理单元)、DSP或FPGA实现。对于存储器来说，存储器中存储有操作指令，该操作指令可以为计算机可执行代码，通过该操作指令来实现上述本申请实施例的氮氧传感器加热控制方法的流程中的各个步骤。
图5为本申请实施例提供的一种控制器的结构示意图。如图5所示，控制器500包括存储器501、处理器502、数据获取模块503和总线504。该存储器501、处理器502和数据获取模块503均通过总线504连接，该总线504用于该存储器501、处理器502和数据获取模块503之间传输数据。
其中，存储器501可用于存储软件程序以及模块，处理器502通过运行存储在存储器501中的软件程序以及模块，从而执行控制器500的各种功能应用以及数据处理，如本申请实施例提供的氮氧传感器加热控制方法。存储器501可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个应用的应用程序等；存储数据区可存储根据控制器500的使用所创建的数据等。此外，存储器501可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
处理器502是控制器500的控制中心，利用总线504以及各种接口和线路连接整个控制器500的各个部分，通过运行或执行存储在存储器501内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器501内的数据，执行控制器500的各种功能和处理数据。可选的，处理器502可包括一个或多个处理单元，如CPU、GPU(Graphics Processing Unit，图形处理单元)、数字处理单元等。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，该计算机程序被处理器执行时可用于实现本申请任一实施例所记载的氮氧传感器加热控制方法。
在一些可能的实施方式中，本申请提供的氮氧传感器加热控制方法的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当程序产品在计算机设备上运行时，程序代码用于使计算机设备执行本说明书上述描述的根据本申请各种示例性实施方式的氮氧传感器加热控制方法的步骤，例如，计算机设备可以执行如图3所示的氮氧传感器加热控制方法的流程。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种氮氧传感器加热控制方法，其特征在于，所述氮氧传感器包括陶瓷芯片，所述方法包括：
在所述陶瓷芯片加热至初始温度后，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；
根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度；
若所述目标温度小于所述初始温度，则控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作；
若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常，则控制所述陶瓷芯片维持在所述目标温度进行工作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述陶瓷芯片所处的环境温度，包括：
获取当前时刻的发动机转速和所述陶瓷芯片所处的位置；
根据预存的第一对应关系，所述当前时刻的发动机转速和所述陶瓷芯片所处的位置，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；所述第一对应关系包括环境温度与发动机转速和陶瓷芯片位置的对应关系。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度，包括：
根据预存的第二对应关系，将所述环境温度对应的陶瓷芯片温度，作为所述陶瓷芯片的目标温度；所述第二对应关系包括环境温度与陶瓷芯片温度之间的对应关系。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过如下方式确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下是否工作正常：
若所述目标温度与所述初始温度的差值小于设定温度阈值，和/或，所述氮氧传感器在陶瓷芯片处于初始温度时检测的氮氧浓度值，与所述氮氧传感器在陶瓷芯片处于目标温度时检测的氮氧浓度值的差值小于设定浓度阈值，则确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述陶瓷芯片加热至初始温度之前，所述方法还包括：
对所述陶瓷芯片进行预加热操作；
若收到露点信号，则将所述陶瓷芯片加热至初始温度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度之后，所述方法还包括：
若所述目标温度大于或等于所述初始温度，则将所述陶瓷芯片维持在所述初始温度进行工作。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作之后，所述方法还包括：
若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下无法工作正常，则将所述陶瓷芯片维持在所述初始温度进行工作。
8.一种氮氧传感器加热控制装置，其特征在于，所述装置包括：
温度确定单元，用于在所述陶瓷芯片加热至初始温度后，确定所述陶瓷芯片所处的环境温度；根据所述环境温度，确定所述陶瓷芯片的目标温度；
温度降级单元，用于若所述目标温度小于所述初始温度，则控制所述陶瓷芯片在所述目标温度进行工作；若确定所述陶瓷芯片在所述目标温度下工作正常，则控制所述陶瓷芯片维持在所述目标温度进行工作。
9.一种控制器，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器执行时，实现权利要求1～7中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1～7中任一项所述的方法。
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|---|---|---|---|
| CN202311040554.XA CN117170430A (zh) | 2023-08-17 | 2023-08-17 | 氮氧传感器加热控制方法、装置、控制器及存储介质 |
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|---|---|---|---|---|
| CN117539302A (zh) * | 2023-12-20 | 2024-02-09 | 四川智感蔚蓝科技有限公司 | 一种氮氧传感器的温度控制方法、装置、介质和设备 |
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2023
- 2023-08-17 CN CN202311040554.XA patent/CN117170430A/zh active Pending
Cited By (2)
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| CN117539302B (zh) * | 2023-12-20 | 2024-03-22 | 四川智感蔚蓝科技有限公司 | 一种氮氧传感器的温度控制方法、装置、介质和设备 |
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