CN117153440B - 轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端 - Google Patents
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- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 121
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 121
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 115
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 107
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 13
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-RNFDNDRNSA-N xenon-135 Chemical compound [135Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-RNFDNDRNSA-N 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C17/00—Monitoring; Testing ; Maintaining
- G21C17/10—Structural combination of fuel element, control rod, reactor core, or moderator structure with sensitive instruments, e.g. for measuring radioactivity, strain
- G21C17/108—Measuring reactor flux
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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Abstract
本发明涉及轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端，包括以下步骤：设置机组初始状态；在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；若是，则获取不同轴向功率偏移下的通量图；根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。本发明通过升功率引起堆芯轴向氙振荡，可以使试验工期大大缩短，而且在升功率期间不存在大幅插棒过程，不会引入额外的触发运行限制工况的风险，同时，在氙振荡试验期间还可以实现堆外核测系统功率量程通道校刻。
Description
技术领域
本发明涉及反应堆堆芯物理试验的技术领域，更具体地说，涉及一种轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端。
背景技术
氙振荡是指由于氙-135核密度空间分布和中子通量空间分布的时间特性之间的耦合。在大型热中子反应堆中，局部区域内中子通量的变化会引起局部区域氙-135浓度和Keff的变化，反过来，后者的变化也引起前者的变化，两者之间的相互作用使堆芯中氙-135浓度和中子通量分布产生空间振荡现象。压水堆核电机组每个燃料循环运行期间均需执行轴向氙振荡试验。
目前压水堆核电机组普遍采用插/提控制棒引起轴向氙振荡的方法，以某三代核电机组首循环启动为例，轴向氙振荡试验在堆芯达到氙平衡状态(48小时)后执行，试验通过维持堆芯功率不变、将控制棒P棒组从参考棒位下插70步后引起堆芯轴向氙振荡，而后通过绘制7个通量图实现堆芯功率分布检查和堆内/外核测系统探测性能检查。由于后续试验仍须在参考棒位和堆芯稳定状态下执行，因此，待7个通量图完成后，须将P棒组提回初始位置，此时又将引起堆芯振荡，须等待堆芯稳定后才能执行其余试验。从P棒开始下插至堆芯稳定，整个氙振荡试验及机组恢复占用关键路径达120小时，再加上试验前置的48小时氙平衡时间，占用关键路径达7天。
现有的方案要求反应堆堆芯达到氙平衡状态，且氙振荡试验后机组要求较长时间进行恢复。另外，现有方案要求控制棒插入较深，存在触发运行限制工况的风险，如闭锁控制棒提升、汽机甩负荷等。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，包括以下步骤：
设置机组初始状态；
在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；
对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；
若是，则获取不同轴向功率偏移下的通量图。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述获取不同轴向功率偏移下的通量图之后还包括：
根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述设置机组初始状态包括：
将机组的初始状态设置为待升功率状态；
将控制棒设置在机组正常运行状态下的参考运行范围内。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升包括：
在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；
采用硼稀释方式提升机组功率。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡包括：
对机组功率进行监测；
判断机组的实时功率是否大于等于预设功率；
若是，则判定进入轴向氙振荡。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述方法还包括：
在机组的实时功率达到所述预设功率时调整控制棒的棒位，且经过调整后的控制棒的棒位在控制棒的参考运行范围内。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图；
所述根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻包括：
根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；
根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻包括：
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；
根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法中，所述方法还包括：
根据所述功率量程通道校刻系数计算堆外功率量程通道的堆芯核功率和轴向功率偏差。
本发明还提供一种轴向氙振荡试验及堆外校刻装置，包括：
初态设置单元，用于设置机组初始状态；
升功率单元，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；
功率监测单元，用于对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；
通量图绘制单元，用于在进入轴向氙振荡后，则获取不同轴向功率偏移下的通量图；
校刻单元，用于根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置中，所述升功率单元包括：
控制棒控制模块，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；
功率提升模块，用于采用硼稀释方式提升机组功率。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置中，所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图；
所述校刻单元包括：
功率参数计算模块，用于根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；
堆外轴向功率偏移计算模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；
校刻模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
在本发明所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置中，所述校刻模块具体用于：
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；
根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
本发明还提供一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行如上所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法的步骤。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，执行如上所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法的步骤。
实施本发明的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，具有以下有益效果：包括以下步骤：设置机组初始状态；在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；若是，则获取不同轴向功率偏移下的通量图；根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。本发明通过升功率引起堆芯轴向氙振荡，可以使试验工期大大缩短，而且在升功率期间不存在大幅插棒过程，不会引入额外的触发运行限制工况的风险，同时，在氙振荡试验期间还可以实现堆外核测系统功率量程通道校刻。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明提供的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法的流程示意图；
图2是本发明提供的反应堆压力容器与冷却剂流向示意图；
图3是某三代核电机组冷/热管段温度随功率变化曲线图；
图4是本发明提供的某三代核电机组升功率引起的轴向氙振荡曲线图；
图5是本发明提供的某三代核电机组氙振荡所在功率平台关键路径对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明根据堆芯与主回路设计特性，提供了一种轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，该方法为一种安全、高效且通用的轴向氙振荡试验方法，并可在氙振荡期间完成堆外核测系统功率量程通道的校刻。其中，本实施例所指的堆外指的是堆外核测系统。
具体的，本发明提供的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法依据的原理如下：如图2所示，在压水堆核电机组的设计中，冷却剂从冷管段进入压力容器，由堆芯下部流向上部，并经热管段流出。机组功率运行模式下，由于堆芯核燃料组件的加热作用，堆芯上部冷却剂温度较下部大，图3为某三代核电机组冷管段和热管段温度随堆芯功率变化曲线。
在压水堆核电站中，冷却剂不仅起堆芯冷却作用，还起到中子慢化作用，即压水堆中冷却剂和慢化剂在实体上是一致的。慢化剂温度系数定义为慢化剂温度每改变一度所引起的反应性变化，为了保证堆芯自稳的安全特性，压水堆冷却剂的慢化剂温度系数应保持负值，如果反应堆功率增加，慢化剂温度升高，负的慢化剂温度系数就会向堆芯引入负的反应性。
其中，在机组升功率时，由于堆芯上部和下部冷却剂温差增大，造成堆芯上半部反应性比堆芯下半部小，使得堆芯下半部中子通量增长比堆芯上半部增长快，进而引起下半部氙浓度比上半部低。根据氙振荡原理，氙核密度空间分布和中子通量空间分布的交变，引起堆芯上/下半部氙浓度的振荡和上/下半部功率的振荡，即轴向氙振荡。图4为某三代核电机组由60％NP升功率至80％NP引起的轴向氙振荡的AO(轴向功率偏移：堆芯上半部产生的功率送去堆芯下半部产生的功率得出的差值和堆芯总功率的比值)演化曲线。
具体的，堆外核测系统功率量程通道校刻的目的是使用热平衡热功率和堆内核测系统测得的功率分布，来校准堆外功率量程通道计算的堆芯核功率和轴向功率偏差，使得堆外核功率和轴向功率偏差符合实际的堆芯功率和轴向功率分布。
基于上述原理，本发明所提供的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法具体可以包括以下步骤：
步骤S101、设置机组初始状态。
本实施例中，所述设置机组初始状态包括：将机组的初始状态设置为待升功率状态；将控制棒设置在机组正常运行状态下的参考运行范围内。
具体的，首先将机组的初始状态设置为待升功率状态，同时将控制棒的置于机组正常运行时的参考运行范围内(即控制棒的上下限范围内)。
步骤S102、在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升。
本实施例中，所述在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升包括：在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；采用硼稀释方式提升机组功率。其中，对于核电机组的功率至少要提升15％名义(或额定)功率(15％NP)。即使控制棒保持不变或者允许少量提/插控制棒，并采用硼稀释方式提升机组功率，且功率提升的数值至少达到15％名义功率。其中，名义功率(NP)为核电机组满负荷运行时的功率。预设范围具体以控制棒的参考运行范围为参考基准，即可对控制棒执行少量操作(插入或者提升)，且插入或者提升的控制棒棒位不得超出参考运行范围且留有裕量。
步骤S103、对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡。
本实施例中，所述对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡包括：对机组功率进行监测；判断机组的实时功率是否大于等于预设功率；若是，则判定进入轴向氙振荡。可选的，本实施例中，预设功率为轴向氙振荡试验所要求的功率(可设为P0)。
进一步地，本实施例中，在机组的实时功率达到所述预设功率时调整控制棒的棒位，且经过调整后的控制棒的棒位在控制棒的参考运行范围内。具体的，在机组的实时功率达到轴向氙振试验所要求的功率后，轴向氙振荡试验开始，其中，在试验期间尽量不动控制棒或者少动控制棒，以避免控制棒移动对氙振荡试验的干扰。其中，可以在机组的实时功率达到P0初期插入或者提升控制棒若干步，以加大或者减小振荡幅度，但是插入或者提升的控制棒棒位不得超出控制棒运行带(即参考运行范围)且留有裕量，且在后期的试验期间尽量不动控制棒或者少动控制棒。
步骤S104、若是，则获取不同轴向功率偏移下的通量图。
可选的，本实施例中，所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图。
进一步地，如图1所示，在步骤S104之后，若需要执行堆外核测系统功率量程通道校刻，则需执行步骤S105。
步骤S105、根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。
本实施例中，所述根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻包括：根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
其中，所述根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻包括：根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
具体的，本实施例中，在执行堆外核测系统功率量程通道校刻时，具体执行以下步骤：
第一步：在氙振荡期间，绘制至少一个振荡通量图。一般地，为了保证校刻准确性，可绘制3个或者更多个振荡通量图，而且各个振荡通量图的AO最大差值不小于2％。
第二步：在氙振荡试验结束且堆芯已达氙平衡状态(从到达P0开始等待至少48小时)后，执行稳态通量图绘制，获得稳态通量图。
第三步：获取第一步中获得的振荡通量图和第二步中获得的稳态通量图中各个通量图的堆内轴向功率偏移(设为AOin)，同时，获取在通量图绘制时的堆外核测系统功率量程的上部电流(设为IU)和下部电流(设为IL)。再根据所得到的IU和IL计算每一个堆内轴向功率偏移AOin对应的堆外轴向功率偏移AOex，从而可以获得一系列(AOin，AOex)点对。
其中，堆外轴向功率偏移可根据下式计算得到：
(1)式中，AOex为堆外轴向功率偏移，IU为堆外核测系统功率量程的上部电流，IL为堆外核测系统功率量程的下部电流。
通过(1)式获得与每一个通量图中所获得的堆内轴向功率偏移AOin对应的堆外轴向功率偏移，从而可以获得一系列(AOin，AOex)点对。
第四步：计算校刻中间系数。其中，校刻中间系数包括：AOin与AOex满足线性关系的系数a和b，以及堆外核测系统功率量程通道的总灵敏度K。
其中，K可通过下式计算得到：
(2)式中，Wj为第j个通量图绘制期间的热平衡热功率，nk为通量图的数量，IUj为第j个通量图的堆外核测系统功率量程的上部电流，ILj为第j个通量图的堆外核测系统功率量程的下部电流。
系数a和系数b则可以通过下式计算得到：
(3)式中为第j个通量图的堆内轴向功率偏移，/>为第j个通量图的堆外轴向功率偏移。
第五步：在第四步中计算得到校刻中间系数a、b和K后，再依据所计算得到的校刻中间系数计算功率量程通道核刻系数。其中，功率量程通道校刻系数分别包括：轴向功率偏差的修正系数、上部功率修正系数以及下部功率修正系数。具体的，轴向功率偏差系数(设为α)、上部功率修正系数(设为KU)和下部功率修正系数(设为KL)可通过下式计算得到：
进一步地，本实施例中，该轴向氙振荡试验及堆外校刻方法还包括：根据所述功率量程通道校刻系数计算堆外功率量程通道的堆芯核功率和轴向功率偏差。
具体的，在获得轴向功率偏差的修正系数、上部功率修正系数以及下部功率修正系数，还可以通过所计算得到的轴向功率偏差的修正系数、上部功率修正系数以及下部功率修正系数计算堆外功率量程通道的堆芯核功率和轴向功率偏差。其中，堆外功率量程通道的堆芯核功率和轴向功率偏差可通过下式计算得到：
(5)式中Pr-ex为堆外功率量程通道的堆芯核功率，ΔIex为轴向功率偏差。
另外，本发明提供的轴向氙振荡试验还可以验证氙振荡是否自发收敛，其中，验证氙振荡是否自发收敛需振荡至少1.5个周期。
本发明还提供一种轴向氙振荡试验及堆外校刻装置，该轴向氙振荡试验及堆外校刻装置可以应用于本发明实施例公开的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法。
具体的，该轴向氙振荡试验及堆外校刻装置包括：
初态设置单元，用于设置机组初始状态。
升功率单元，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升。其中，所述升功率单元包括：控制棒控制模块，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；功率提升模块，用于采用硼稀释方式提升机组功率。
功率监测单元，用于对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡。
通量图绘制单元，用于在进入轴向氙振荡后，则获取不同轴向功率偏移下的通量图。本实施例中，所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图。
进一步地，本实施例中，该轴向氙振荡试验及堆外校刻装置还可以包括：校刻单元，用于根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻。
本实施例中，所述校刻单元包括：功率参数计算模块，用于根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；堆外轴向功率偏移计算模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；校刻模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
进一步地，本实施例中，该所述校刻模块具体用于：根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
具体的，这里的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置中各单元之间具体的配合操作过程具体可以参照上述轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，这里不再赘述。
本发明提供的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，通过升功率引起堆芯轴向氙振荡，可使试验工期缩短至50小时内。具体的，由于核电机组升功率至氙振荡要求的功率平台时氙振荡试验已开始，即氙振荡试验工期与氙平衡工期(48小时)重叠，对于现有的压水堆核电机组，1.5个振荡周期不超过48小时，加上之后的稳态通量图绘制和校刻计算所用的2小时，总工期为50小时。其中，图5给出了某三代核电机组80％NP功率平台关键路径优化前后对比结果。由图5可以看出，本发明可显著缩短试验工期。
进一步地，本发明通过升功率引起堆芯轴向氙振荡试验的方法，可以在机组启堆升功率阶段执行，也可以在机组参与电网调峰时的升功率阶段执行，不存在大幅插棒过程，不会引入额外的触发运行限制工况的风险。另外，本发明还可以在轴向氙振荡试验期间，实现堆外核测系统功率量程通道校刻。
另，本发明的一种终端，包括存储器和处理器；存储器用于存储计算机程序；处理器用于执行计算机程序实现如上面任意一项的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法。具体的，根据本发明的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本发明的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过终端下载和安装并且执行时，执行本发明实施例的方法中限定的上述功能。本发明中的终端可为笔记本、台式机、平板电脑、智能手机等终端，也可为服务器。
另，本发明的一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上面任意一项的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法。具体的，需要说明的是，本发明上述的存储介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是但不限于是电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本发明中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本发明中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、RF(射频)等等，或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读介质可以是上述终端中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该终端中。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据此实施，并不能限制本发明的保护范围。凡跟本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。
Claims (12)
1.一种轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
设置机组初始状态；
在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；
对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；
若是，则获取不同轴向功率偏移下的通量图；所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；
所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图；
所述获取不同轴向功率偏移下的通量图之后还包括：
根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻；
所述根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻包括：
根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；
根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
2.根据权利要求1所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述设置机组初始状态包括：
将机组的初始状态设置为待升功率状态；
将控制棒设置在机组正常运行状态下的参考运行范围内。
3.根据权利要求1所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升包括：
在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；
采用硼稀释方式提升机组功率。
4.根据权利要求1所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡包括：
对机组功率进行监测；
判断机组的实时功率是否大于等于预设功率；
若是，则判定进入轴向氙振荡。
5.根据权利要求4所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述方法还包括：
在机组的实时功率达到所述预设功率时调整控制棒的棒位，且经过调整后的控制棒的棒位在控制棒的参考运行范围内。
6.根据权利要求1所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻包括：
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；
根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
7.根据权利要求6所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述功率量程通道校刻系数计算堆外功率量程通道的堆芯核功率和轴向功率偏差。
8.一种轴向氙振荡试验及堆外校刻装置，其特征在于，包括：
初态设置单元，用于设置机组初始状态；
升功率单元，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒进行机组功率提升；
功率监测单元，用于对机组功率进行监测，并根据机组的实时功率判断是否进入轴向氙振荡；
通量图绘制单元，用于在进入轴向氙振荡后，则获取不同轴向功率偏移下的通量图；所述不同轴向功率偏移下的通量图包括：第一状态下的通量图和第二状态下的通量图；
所述第一状态下的通量图为：在氙振荡期间，不同轴向功率偏移下的振荡通量图；所述第二状态下的通量图为：在氙振荡结束且堆芯已进入氙平衡状态时的稳态通量图；
校刻单元，用于根据不同轴向功率偏移下的通量图进行堆外核测系统的校刻；
所述校刻单元包括：
功率参数计算模块，用于根据所述不同轴向功率偏移下的振荡通量图和所述稳态通量图，获取各个通量图的堆内轴向功率偏移以及与所述堆内轴向功率偏移对应的堆外核测系统的功率参数；
堆外轴向功率偏移计算模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述功率参数，确定堆外轴向功率偏移；
校刻模块，用于根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移，采用最小二乘法进行堆外核测系统的校刻。
9.根据权利要求8所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置，其特征在于，所述升功率单元包括：
控制棒控制模块，用于在完成机组初始状态设置后，保持控制棒不变或者在预设范围内提/插控制棒；
功率提升模块，用于采用硼稀释方式提升机组功率。
10.根据权利要求8所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻装置，其特征在于，所述校刻模块具体用于：
根据所述堆内轴向功率偏移和所述堆外轴向功率偏移进行计算，获得校刻中间系数；
根据所述校刻中间系数进行计算，获得功率量程通道校刻系数，完成堆外核测系统的校刻。
11.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行如权利要求1至7任一项所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法的步骤。
12.一种终端，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，执行如权利要求1至7任一项所述的轴向氙振荡试验及堆外校刻方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311089286.0A CN117153440B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311089286.0A CN117153440B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117153440A CN117153440A (zh) | 2023-12-01 |
| CN117153440B true CN117153440B (zh) | 2024-06-18 |
Family
ID=88907298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311089286.0A Active CN117153440B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 轴向氙振荡试验及堆外校刻方法、装置、存储介质和终端 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117153440B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107274940A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-10-20 | 福建福清核电有限公司 | 核仪表系统功率量程系数刻度试验执行时机优化的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108172312B (zh) * | 2017-12-13 | 2020-01-31 | 广东核电合营有限公司 | 核电站堆外核仪表系统的轴向功率偏差的校准方法 |
| CN114266157B (zh) * | 2021-12-22 | 2024-04-23 | 中国核动力研究设计院 | 实现任意时刻反应堆功率分布试验的方法、装置和设备 |
-
2023
- 2023-08-24 CN CN202311089286.0A patent/CN117153440B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107274940A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-10-20 | 福建福清核电有限公司 | 核仪表系统功率量程系数刻度试验执行时机优化的方法 |
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| Title |
|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117153440A (zh) | 2023-12-01 |
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