CN117135955A - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的电子装置包括：显示面板，所述显示面板包括：基底层；电路元件层，包括缓冲层、晶体管、配置在所述缓冲层上的至少一个绝缘层以及配置在所述至少一个绝缘层上且与边区域重叠的第一金属图案；显示元件层，包括配置在第一电极和第二电极之间的有机层，并包括与像素区域重叠的发光元件，在所述第二电极中界定有与所述边区域相对应的电极开口部；以及封装层，配置在所述显示元件层上，在所述至少一个绝缘层中界定有绝缘开口部，所述绝缘开口部与界定所述电极开口部的所述第二电极的边缘和所述第一金属图案之间重叠，并使所述缓冲层的一部分暴露。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种可靠性得到提升的电子装置。
背景技术
电子装置根据电信号激活。电子装置可以包括由显示图像的显示单元或者感测外部输入的感测单元之类各种电子部件构成的装置。电子部件可以通过多样地排列的信号线彼此电连接。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可靠性得到提升的电子装置。
根据本发明的一实施例的电子装置包括：显示面板，包括提供图像的像素区域、被所述像素区域环绕的边区域以及被所述边区域环绕的孔区域，所述显示面板包括：基底层；电路元件层，包括配置在所述基底层上的缓冲层、配置在所述缓冲层上的至少一个晶体管、配置在所述缓冲层上的至少一个绝缘层以及配置在所述至少一个绝缘层上且与所述边区域重叠的第一金属图案；显示元件层，包括与所述至少一个晶体管连接的第一电极、第二电极以及配置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，并包括与所述像素区域重叠的发光元件，在所述第二电极中界定有与所述边区域相对应的电极开口部；以及封装层，配置在所述显示元件层上，在所述孔区域中界定有贯通所述显示面板的孔，在所述至少一个绝缘层中界定有绝缘开口部，所述绝缘开口部与界定所述电极开口部的所述第二电极的边缘和所述第一金属图案之间重叠，并使所述缓冲层的一部分暴露。
可以是，其特征在于，所述有机层覆盖从所述绝缘开口部暴露的所述缓冲层的所述一部分，所述第二电极仅与所述像素区域重叠，并从所述绝缘开口部隔开。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括：第一坝部，配置在所述至少一个绝缘层上，并与所述第一金属图案和所述孔之间重叠，在所述有机层中界定有使所述第一金属图案暴露的第一有机开口部，所述有机层覆盖所述第一坝部。
可以是，其特征在于，所述封装层包括第一无机层、配置在所述第一无机层上且由所述第一坝部界定边界的薄膜有机层以及配置在所述薄膜有机层上的第二无机层，所述第一无机层覆盖所述第一金属图案。
可以是，其特征在于，所述第一无机层和所述第二无机层从所述第一坝部的上面至所述孔区域彼此接触。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括：第二坝部，与所述边区域重叠，并比所述第一坝部与所述孔相邻；以及第二金属图案，配置在所述第一坝部和所述第二坝部之间，在所述有机层中界定有使所述第二金属图案暴露的第二有机开口部，所述有机层覆盖所述第二坝部。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括：第三坝部，与所述边区域重叠，并比所述第二坝部与所述孔相邻；以及第三金属图案，配置在所述第二坝部和所述第三坝部之间，在所述有机层中界定有使所述第三金属图案暴露的第三有机开口部，所述有机层覆盖所述第三坝部。
可以是，其特征在于，所述第三坝部的厚度小于所述第一坝部以及所述第二坝部。
可以是，其特征在于，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管，包括第一有源区图案、与所述第一有源区图案重叠的第一控制电极；以及第二晶体管，包括第二有源区图案、与所述第二有源区图案重叠的第二控制电极，所述电路元件层还包括：上电极，与所述第一控制电极重叠。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括配置在所述缓冲层上且覆盖所述第一有源区图案的第一绝缘层、配置在所述第一绝缘层上且覆盖所述第一控制电极的第二绝缘层、配置在所述第二绝缘层上且覆盖所述上电极的第三绝缘层、配置在所述第三绝缘层上且覆盖所述第二有源区图案的第四绝缘层、配置在所述第四绝缘层上且覆盖所述第二控制电极的第五绝缘层、配置在所述第五绝缘层上的第六绝缘层以及配置在所述第六绝缘层上的第七绝缘层，所述至少一个绝缘层包括所述第一绝缘层至所述第五绝缘层中的至少任一个。
可以是，其特征在于，所述第一绝缘层以及所述第四绝缘层包括单层的硅氧化物，所述第二绝缘层包括单层的硅氮化物，所述第三绝缘层以及所述第五绝缘层包括依次层叠的硅氮化物以及硅氧化物。
可以是，其特征在于，所述第一绝缘层至所述第五绝缘层在除了所述绝缘开口部之外的所述边区域中彼此接触。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括：第一连接电极，配置在所述第五绝缘层上，并通过界定在所述第一绝缘层至所述第五绝缘层的第一接触孔与第一半导体图案连接；以及第二连接电极，配置在所述第六绝缘层上，并通过界定在所述第六绝缘层的接触孔与所述第一连接电极连接，所述第一连接电极以及所述第二连接电极的每一个包括依次层叠的下层、中间层以及上层。
可以是，其特征在于，所述第一金属图案包括与所述第一连接电极的所述下层相同的物质。
可以是，其特征在于，所述下层以及所述上层包括钛，所述中间层包括铝。
可以是，其特征在于，所述电子装置还包括：平坦化层，配置在所述封装层上，并环绕所述孔区域。
可以是，其特征在于，所述电子装置还包括：输入传感器，配置在所述封装层以及所述平坦化层上，并与所述孔区域隔开。
可以是，其特征在于，所述基底层包括：第一基底层，包括有机物；覆盖层，配置在所述第一基底层上，并包括无机物；以及第二基底层，配置在所述覆盖层上，并包括有机物，所述电路元件层还包括：阻挡层，配置在所述第二基底层和所述缓冲层之间。
可以是，其特征在于，所述电路元件层还包括：遮光图案，配置在所述阻挡层上且被所述缓冲层覆盖，并与所述至少一个晶体管重叠。
可以是，其特征在于，所述电子装置还包括：电子模组，与所述孔重叠，所述电子模组包括发光模组、受光模组以及相机模组中的至少任一个。
根据本发明，可以容易地阻断流入孔的水分以及氧气。
另外，根据包括能够防止在与孔相邻的区域中包括在发光元件中的阴极电极被过度加工的绝缘开口部，可以提供可靠性得到提升的电子装置。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
图2a是根据本发明的一实施例的电子装置的分解立体图。
图2b是根据本发明的一实施例的电子装置的框图。
图3是根据本发明的一实施例的与孔相邻的显示面板的平面图。
图4是根据本发明的一实施例的与孔相邻的显示模组的截面图。
图5是放大图4的一区域的截面图。
图6a至图6l是示出根据本发明的一实施例的显示模组的制造方法的截面图。
图7a至图7d是示出根据比较实施例的显示模组的制造方法的截面图。
(附图标记说明)
1000：电子装置 100：显示模组
200：外壳 300：窗体
VA：绝缘开口部 10、20、30、40、50：第一至第五绝缘层
MT1、MT2、MT3：第一至第三金属图案
DMP1、DMP2、DMP3：第一至第三坝部
MH：孔
MA：边区域
HA：孔区域
具体实施方式
在本说明书中，当提及任一构成要件(或区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接于”或“结合于”其它构成要件时，其意指任一构成要件可以直接配置/连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了技术内容的有效说明而放大的。“和/或”将关联的构成要件所能定义的一个以上的组合全部包括。
第一、第二等术语可以用于说明各种构成要件，但所述构成要件并不被所述术语所限制。所述术语仅用于将一个构成要件与其它构成要件区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要件可以命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可以命名为第一构成要件。只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。
另外，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成要件的关联关系。所述术语是相对性概念，以附图中表示的方向为基准进行说明。
“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在，并不是预先排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
只要没有不同地定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应解释为与相关技术的脉络上具有的含义相同的含义，只要在此没有明确地定义，不应解释为太理想化或过于形式化的含义。
以下，参照附图说明本发明的实施例。
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。图2a是根据本发明的一实施例的电子装置的分解立体图。图2b是根据本发明的一实施例的电子装置的框图。图3是根据本发明的一实施例的与孔相邻的显示面板的平面图。
电子装置1000可以是根据电信号激活的装置。电子装置1000可以包括各种实施例。例如，电子装置1000可以包括平板、笔记本、计算机、智能电视等。在本实施例中，电子装置1000例示性地示出为智能电话。
电子装置1000可以在与第一方向DR1以及第二方向DR2的每一个平行的显示面IS朝向第三方向DR3显示图像IM。显示图像IM的显示面IS可以与电子装置1000的前面(frontsurface)FS相对应，并可以与窗体300的前面FS相对应。由此，电子装置1000的前面FS以及窗体300的前面FS可以使用相同的附图标记。图像IM可以包括动态图像以及静态图像。在图1中，作为图像IM的一例，示出了时钟和多个图标。
在本实施例中，以显示图像IM的方向为基准界定各部件的前面(或者上面)和背面(或者下面)。可以是，前面和背面在第三方向DR3上彼此背对(opposing)，前面和背面的每一个的法线方向与第三方向DR3平行。前面和背面之间的第三方向DR3上的隔开距离可以与电子装置1000的第三方向DR3上的厚度相对应。
根据本发明的一实施例的电子装置1000可以感测从外部施加的用户的输入TC。用户的输入TC包括用户身体的一部分、光、热或者压力等各种形式的外部输入。在本实施例中，用户的输入TC示出为施加到窗体300的前面FS的用户的手。然而，其是例示性地示出的，如上所述，用户的输入TC可以提供为各种形式，另外，电子装置1000也可以根据电子装置1000的结构感测施加到电子装置1000的侧面或者背面的用户的输入TC，不限于任一个实施例。
另一方面，在本实施例中，第一区域A1可以界定在透光区域TA内部。第一区域A1可以是与后述的显示模组100中的电子模组400重叠的区域。在第一区域A1中可以界定有贯通显示模组100的孔MH(参照图2a)。在图1中示出了孔MH在显示模组100的右侧上端界定为一个圆形状，但是孔MH的数量以及形状不限于此，其可以根据电子模组400的数量以及形状以各种数量以及形状提供于显示模组100。
可以是，电子装置1000通过第一区域A1接收电子模组400中所需的外部信号，或者将从电子模组400输出的信号提供到外部。根据本发明，第一区域A1提供为与透光区域TA重叠，从而可以减小用于形成透光区域TA的边框区域BZA的面积。
参照图2a，电子装置1000可以包括显示模组100、外壳200、窗体300以及电子模组400。窗体300和外壳200结合而构成电子装置1000的外观。
窗体300可以包括绝缘面板。例如，窗体300可以由玻璃、塑料或者它们的组合构成。
如上所述，窗体300的前面FS界定电子装置1000的前面FS。窗体300可以包括透光区域TA以及与透光区域TA相邻的边框区域BZA。透光区域TA可以是光学上透明的区域。例如，透光区域TA可以是具有约90％以上的可见光透射率的区域。边框区域BZA可以是具有光透射率相比于透光区域TA相对低的区域。边框区域BZA界定透光区域TA的形状。
边框区域BZA可以具有预定的颜色。可以是，边框区域BZA由界定透光区域TA的透明基板和单独提供的边框层界定，或者由插入或者着色于透明基板而形成的墨水层界定。
显示模组100可以包括电子面板EP以及驱动电路IC。
电子面板EP可以显示图像IM且感测外部的输入TC。电子面板EP的显示面IS包括有源区域AA以及周边区域NAA。有源区域AA可以是根据电信号激活的区域。
在本实施例中，可以是，有源区域AA是显示图像IM的区域，同时是感测外部的输入TC的区域。有源区域AA可以是配置后述的多个像素PX的区域。
有源区域AA与透光区域TA的至少一部分重叠。例如，透光区域TA与有源区域AA的前面或者至少一部分重叠。由此，可以是，用户通过透光区域TA识别图像IM，或者提供外部的输入TC。然而，其是例示性地示出的，在有源区域AA内显示图像IM的区域和感测外部的输入TC的区域也可以彼此分离，不限于任一个实施例。
周边区域NAA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。周边区域NAA与有源区域AA相邻。周边区域NAA可以围绕有源区域AA。周边区域NAA可以是不显示图像IM的区域。在周边区域NAA中可以配置用于驱动有源区域AA的驱动电路或者驱动布线等。
在本实施例中，电子面板EP组装为有源区域AA以及周边区域NAA朝向窗体300的平坦的状态。然而，其是例示性地示出的，电子面板EP中的周边区域NAA的一部分可以弯曲。例如，周边区域NAA中的一部分可以朝向电子装置1000的背面，从而减小在电子装置1000前面看到的边框区域BZA。或者，电子面板EP也可以组装为有源区域AA的一部分弯曲的状态。或者，在根据本发明的一实施例的电子面板EP中，也可以省略周边区域NAA。
有源区域AA可以包括第一区域A1以及第二区域A2。在本发明中，第一区域A1可以具有相比于第二区域A2相对高的光透射率。例如，第一区域A1可以是界定有贯通显示模组100的孔MH的区域。
第一区域A1可以界定为与配置显示模组100中的电子模组400的区域重叠的区域。第一区域A1可以包括后述的边区域MA(参照图4)以及与孔MH相对应的孔区域HA(参照图4)。
在本实施例中，界定于第一区域A1的孔MH示出为圆形状，但是孔MH可以具有多边形、椭圆、具有至少一个曲线的图形等各种形状，不限于任一个实施例。
第二区域A2与第一区域A1相邻。在本实施例中，第二区域A2示出为围绕第一区域A1的整体的形状，其是例示性地示出的，第二区域A2也可以界定为仅与第一区域A1的边沿中的一部分相邻，不限于任一个实施例。在本说明书中，第二区域A2可以定义为“像素区域”。
电子面板EP可以包括平面部FN以及弯曲部BN。平面部FN可以以与第一方向DR1以及第二方向DR2所界定的平面实质上平行的状态组装。有源区域AA可以提供于平面部FN。
弯曲部BN可以从平面部FN延伸而弯曲，弯曲部BN可以组装成位于平面部FN的背面侧。弯曲部BN在组装时与平面部FN在平面上重叠，因此能够减小电子装置1000的边框区域BZA。另一方面，其是例示性地示出的，在电子面板EP中，也可以省略弯曲部BN。
驱动电路IC可以安装于弯曲部BN。驱动电路IC示出为以芯片形式提供的实施例，但是不限于此，也可以提供单独的电路基板而通过柔性膜等与电子面板EP电连接。
驱动电路IC与有源区域AA电连接而向有源区域AA传送电信号。例如，驱动电路IC可以包括数据驱动电路，可以向配置于有源区域AA的像素PX提供数据信号。或者，驱动电路IC可以包括触摸驱动电路，也可以与配置于有源区域AA的输入传感器电连接。另一方面，其是例示性地说明的，驱动电路IC可以设计为除了上述的电路之外还包括各种电路或者向有源区域AA提供各种电信号，不限于任一个实施例。
另一方面，根据一实施例的电子装置1000也可以还包括与电子面板EP以及驱动电路IC电连接的主电路基板。主电路基板可以包括用于驱动电子面板EP的各种驱动电路或者用于电源供应的连接器等。主电路基板可以是硬性的印刷电路基板(Printed circuitboard，PCB)，但是不限于此，也可以是柔性的电路基板，不限于任一个实施例。
电子模组400配置在显示模组100的下侧。电子模组400可以通过第一区域A1接收所传送的外部输入或者通过第一区域A1输出信号。根据本发明，将透射率相对高的第一区域A1提供于有源区域AA内部，从而可以将电子模组400配置为与有源区域AA重叠。由此，可以防止边框区域BZA增加。
参照图2b，电子装置1000可以包括显示模组100、电源供应模组PM、第一电子模组EM1以及第二电子模组EM2。显示模组100、电源供应模组PM、第一电子模组EM1以及第二电子模组EM2可以彼此电连接。
在图2b中例示性地示出了显示模组100的构成中的显示面板110以及输入传感器120。显示面板110可以是生成图像IM的构成。显示面板110所生成的图像IM通过透光区域TA显示在显示面IS而从外部被用户识别。输入传感器120感测从外部施加的外部的输入TC。如上所述，输入传感器120可以感测提供到窗体300的外部的输入TC。
电源供应模组PM供应电子装置1000的整体工作所需的电源。电源供应模组PM可以包括通常的电池模组。
第一电子模组EM1以及第二电子模组EM2包括用于使电子装置1000工作的各种功能性模组。第一电子模组EM1可以直接安装于与电子面板EP电连接的母板或者安装于单独的基板而通过连接器(未示出)等与母板电连接。
第一电子模组EM1可以包括控制模组CM、无线通信模组TM、图像输入模组IIM、声音输入模组AIM、存储器MM以及外部接口IF。所述模组中的一部分也可以不安装于母板，而通过柔性电路基板与母板电连接。
控制模组CM控制电子装置1000的整体工作。控制模组CM可以是微处理器。例如，控制模组CM使显示模组100激活或者不激活。控制模组CM可以根据从电子面板EP接收的触摸信号来控制图像输入模组IIM或者声音输入模组AIM等的其它模组。
无线通信模组TM可以利用蓝牙或者Wi-Fi线路与其它终端机发送/接收无线信号。无线通信模组TM可以利用一般通信线路发送/接收语音信号。无线通信模组TM包括调制要发送的信号进行发送的发送部TM1以及解调接收的信号的接收部TM2。
图像输入模组IIM对图像信号进行处理而将其转换为能够显示在电子面板EP的图像数据。声音输入模组AIM在录音模式、语音识别模式等下通过麦克风(Microphone)接收外部的声音信号而将其转换为电语音数据。
外部接口IF起到与外部充电器、有线/无线数据端口、卡(例如，存储卡(Memorycard)、SIM/UIM卡)槽等连接的接口作用。
第二电子模组EM2可以包括声音输出模组AOM、发光模组LM、受光模组LRM以及相机模组CMM等。可以是，所述构成直接安装于母板，或者安装于单独的基板而通过连接器(未示出)等与电子面板EP电连接，或者与第一电子模组EM1电连接。
声音输出模组AOM对从无线通信模组TM接收的声音数据或者存储在存储器MM中的声音数据进行转换并将其向外部输出。
发光模组LM生成光且输出光。发光模组LM可以输出红外线。发光模组LM可以包括LED元件。受光模组LRM可以感测红外线。当感测到预定水平以上的红外线时，受光模组LRM可以激活。受光模组LRM可以包括CMOS传感器。可以是，在输出在发光模组LM中生成的红外光之后，被外部物体(例如，用户手指或者面部)反射，反射的红外光入射到受光模组LRM。相机模组CMM拍摄外部的图像。
根据本发明的一实施例的电子模组400可以包括第二电子模组EM2的构成中的至少任一个。例如，电子模组400可以包括相机、扬声器、光感测传感器以及热感测传感器中的至少任一个。可以是，电子模组400通过第一区域A1感测接收到的外部被摄体或者通过第一区域A1将语音等声音信号提供到外部。另外，电子模组400也可以包括多个构成，不限于任一个实施例。另一方面，虽然未示出，电子模组400也可以通过单独的粘合剂附着于电子面板EP。
重新参照图2a，外壳200与窗体300结合。外壳200与窗体300结合而提供预定的内部空间。显示模组100以及电子模组400可以容纳于内部空间。
外壳200可以包括具有相对高的刚性的物质。例如，可以是，外壳200包括玻璃、塑料或金属，或者包括由它们的组合构成的多个框架和/或板。外壳200可以稳定地保护容纳于内部空间的电子装置1000的构成免受外部冲击。
图3是图2a的XX'区域的放大图。在图3中示出了显示面板110中的与孔MH相邻的有源区域AA的一部分。
包括在显示面板110中的像素PX配置于孔MH的周边，并与第一区域A1隔开，并且配置于第二区域A2。孔MH可以界定在有源区域AA内。由此，像素PX中的至少一部分可以与孔MH相邻地配置。像素PX中的一部分可以围绕孔MH。
在显示面板110中的第一区域A1中可以界定至少一个绝缘开口部VA。绝缘开口部VA可以贯通包括在显示面板110中的绝缘层中的至少任一个而形成。将后述详细的说明。
绝缘开口部VA在平面上沿着孔MH的边沿配置。绝缘开口部VA可以相比于孔MH与第二区域A2更相邻地配置。在平面上，绝缘开口部VA可以具有环绕孔MH的闭合线形状。在图3中将绝缘开口部VA以及孔MH的平面上的形状示出为圆形，但是绝缘开口部VA以及孔MH的形状可以彼此不同。另外，可以是，绝缘开口部VA以及孔MH的每一个在平面上具有多边形、椭圆或者包括至少一部分曲线的闭合线形状，或者提供为包括局部断开的多个图案的形状，不限于任一个实施例。
在第一区域A1中可以配置与像素PX连接的多个信号线SGL1、SGL2。信号线SGL1、SGL2经由第一区域A1而与隔着孔MH隔开的像素PX接通。为了方便说明，在图3中例示性地示出了与像素PX连接的多个信号线中的两个信号线SGL1、SGL2。
第一信号线SGL1沿着第一方向DR1延伸。第一信号线SGL1与像素PX中的沿着第一方向DR1排列的相同行内的像素PX连接。第一信号线SGL1例示性地说明为与连接于像素PX的扫描线中的任一个对应。
与第一信号线SGL1连接的像素PX中的一部分以孔MH为中心配置在左侧，另一部分以孔MH为中心配置在右侧。由此，与第一信号线SGL1连接的相同行内的像素PX即使以孔MH为中心省略一部分的像素，也可以实质上通过相同的扫描信号导通/截止。
第二信号线SGL2沿着第二方向DR2延伸。第二信号线SGL2与像素PX中的沿着第二方向DR2排列的相同列内的像素PX连接。第二信号线SGL2例示性地说明为与连接于像素PX的数据线中的任一个对应。
与第二信号线SGL2连接的像素PX中的一部分以孔MH为中心配置在上侧，另一部分以孔MH为中心配置在下侧。由此，与第二信号线SGL2连接的相同列内的像素PX即使以孔MH为中心省略一部分的像素，也可以通过相同的线接收数据信号。
然而，隔着孔MH隔开的像素PX的连接关系不限于此，第一信号线SGL1以及第二信号线SGL2中的至少任一个可以在第一区域A1内断开，并可以还包括配置于与断开的信号线不同的层而连接断开的部分的连接图案。
图4是根据本发明的一实施例的与孔相邻的显示模组的截面图。图5是放大图4的一区域的截面图。
参照图4以及图5，根据一实施例的显示模组100可以包括显示面板110以及输入传感器120。输入传感器120可以直接配置在显示面板110上。显示面板110可以包括基底层BS、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED以及封装层80。显示模组100可以包括第一区域A1以及环绕第一区域A1的至少一部分的第二区域A2。
第一区域A1可以包括边区域MA以及孔区域HA。边区域MA可以界定为在本发明的显示面板110制造方法中的在第一区域A1中去除发光元件OLED的第二电极CE的工艺中照射激光束的区域。孔区域HA可以界定为形成孔MH的区域。
第二区域A2(像素区域)可以包括发光区域PXA以及非发光区域NPXA。发光区域PXA可以是与像素界定膜PDL的显示开口部OP相对应的区域。非发光区域NPXA可以与发光区域PXA相邻。
显示面板110可以还包括防反射层、折射率调节层等之类功能性层。电路元件层DP-CL包括至少多个绝缘层以及电路元件。以下，绝缘层可以包括有机层和/或无机层。
在基底层BS上通过涂层、蒸镀等方式形成绝缘层、半导体层以及导电层。之后，可以以光刻的方式对绝缘层、半导体层以及导电层选择性地进行图案化。以这种方式形成半导体图案、导电图案、信号线等。
基底层BS可以是配置电路元件层DP-CL的剩余构成的基体层。基底层BS可以具有将包括有机物的层以及包括无机物的层交替层叠的结构。例如，在本实施例中，基底层BS可以包括第一基底层PI1、覆盖层BI以及第二基底层PI2。
第一基底层PI1可以配置在最下侧。第一基底层PI1可以包括有机物。例如，第一基底层PI1可以包括聚酰亚胺(polyimide：PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate：PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate：PET)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate：PC)、聚醚酰亚胺(polyetherimide：PEI)以及聚醚砜(polyethersulfone：PES)中的任一个。
覆盖层BI可以配置在第一基底层PI1上。覆盖层BI可以包括无机物。例如，覆盖层BI可以包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、硅氮化物、锆氧化物、铪氧化物以及非晶硅中的至少一个。
第二基底层PI2可以配置在覆盖层BI上。第二基底层PI2可以包括有机物。包括在第二基底层PI2中的有机物可以与包括在第一基底层PI1中的有机物相同。
然而，不限于此，基底层BS可以提供为单层。此时，基底层BS可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。尤其，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，其材料不特别受限。除此之外，基底层BS可以包括玻璃、金属或者有机/无机复合材料等。
阻挡层BRL可以配置在基底层BS上。阻挡层BRL可以包括无机物。例如，阻挡层BRL可以包括硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物以及铪氧化物中的至少一个。
缓冲层BFL可以配置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL提升阻挡层BRL和半导体图案和/或导电图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括硅氧化物层以及硅氮化物层。另外，硅氮氧化物层可以由单层或者多层结构构成，不限于任一个实施例。
在缓冲层BFL上配置有半导体图案。以下，直接配置在缓冲层BFL上的半导体图案定义为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。例如，第一半导体图案可以包括多晶硅。但是不限于此，第一半导体图案也可以包括非晶硅。
在图4中仅示出第一半导体图案的一部分，可以还在像素PX(参照图3)的其它区域中配置第一半导体图案。第一半导体图案根据掺杂与否而电性质不同。第一半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以由N型掺杂剂或者P型掺杂剂掺杂。P类型的晶体管包括由P型掺杂剂掺杂的掺杂区域。
第一晶体管T1的源极S1、有源区AT1、漏极D1从第一半导体图案形成。第一晶体管T1的源极S1以及漏极D1形成为隔着有源区AT1彼此隔开。
在缓冲层BFL上可以配置有连接信号线SCL。连接信号线SCL从第一半导体图案形成。连接信号线SCL可以与包括在像素PX中的多个晶体管中的任一个连接。
在阻挡层BRL上可以配置有遮光层BMI。遮光层BMI可以被缓冲层BFL覆盖。遮光层BMI可以与至少一个晶体管重叠。遮光层BMI可以包括金属。例如，遮光层BMI可以包括钼(Mo)。
缓冲层BFL可以被第一绝缘层10覆盖。
第一绝缘层10可以配置在缓冲层BFL上，并覆盖第一半导体图案以及连接信号线SCL。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并可以具有单层或者多层结构。第一绝缘层10可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物以及铪氧化物中的至少一个。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层的硅氧化物层。
在第一绝缘层10上配置有第一晶体管T1的栅极G1。栅极G1可以是金属图案的一部分。第一晶体管T1的栅极G1与第一晶体管T1的有源区AT1重叠。在掺杂第一半导体图案的工艺中，第一晶体管T1的栅极G1与掩模相同。
在第一绝缘层10上配置有覆盖栅极G1的第二绝缘层20。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并可以具有单层或者多层结构。在本实施例中，第二绝缘层20可以是单层的硅氮化物层。
在第二绝缘层20上可以配置有上电极UE。上电极UE可以与栅极G1重叠。上电极UE可以是金属图案的一部分或者掺杂的半导体图案的一部分。栅极G1的一部分和与其重叠的上电极UE可以定义包括在像素PX中的电容器。在本发明的一实施例中，也可以省略上电极UE。
在第二绝缘层20上配置有覆盖上电极UE的第三绝缘层30。在本实施例中，第三绝缘层30可以包括交替层叠的至少一个硅氧化物层和硅氮化物层。
在第三绝缘层30上配置有半导体图案。以下，直接配置在第三绝缘层30上的半导体图案定义为第二半导体图案。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括结晶性或者非晶性氧化物半导体。
例如，氧化物半导体可以包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)等的金属氧化物或者锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)等金属和它们的氧化物的混合物。氧化物半导体可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铟氧化物(ZIO)、铟氧化物(InO)、钛氧化物(TiO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、锌锡氧化物(ZTO)等。
从第二半导体图案形成第二晶体管T2的源极S2、有源区AT2、漏极D2。源极S2以及漏极D2包括从金属氧化物半导体还原的金属。源极S2以及漏极D2可以包括金属层，所述金属层从第二半导体图案的上面具有预定的厚度，并包括所述还原的金属。
在第三绝缘层30上配置有覆盖第二半导体图案的第四绝缘层40。在本实施例中，第四绝缘层40可以是单层的硅氧化物层。
在第四绝缘层40上配置有第二晶体管T2的栅极G2。栅极G2可以是金属图案的一部分。第二晶体管T2的栅极G2与第二晶体管T2的有源区AT2重叠。
在第四绝缘层40上配置有覆盖栅极G2的第五绝缘层50。在本实施例中，第五绝缘层50可以包括交替层叠的至少一个硅氧化物层和硅氮化物层。
在第五绝缘层50上还配置有至少一个绝缘层。如本实施例那样，第六绝缘层60和第七绝缘层70可以配置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60以及第七绝缘层70可以是有机层，并可以具有单层或者多层结构。第六绝缘层60以及第七绝缘层70可以是单层的聚酰亚胺类树脂层。
不限于此，第六绝缘层60以及第七绝缘层70也可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及二萘嵌苯类树脂中的至少任一个。
在第五绝缘层50上可以配置有第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可以通过贯通第一至第五绝缘层10～50的第一接触孔CH1与连接信号线SCL接通。
在第六绝缘层60上也可以配置有第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2通过贯通第六绝缘层60的第二接触孔CH-60与第一连接电极CNE1连接。
在第七绝缘层70上配置有发光元件OLED。发光元件OLED的第一电极AE配置在第七绝缘层70上。在第七绝缘层70上配置有像素界定膜PDL。像素界定膜PDL可以界定有使第一电极AE的至少一部分暴露的显示开口部OP。在本实施例中，像素界定膜PDL可以包括光吸收物质。例如，像素界定膜PDL可以具有黑色。
在第七绝缘层70上配置有发光元件OLED。
像素界定膜PDL的显示开口部OP可以界定发光区域PXA。例如，多个像素PX(参照图3)可以以一定的规则配置在显示面板110的平面上。配置有多个像素PX的区域可以界定为第二区域A2(像素区域)，一个像素区域可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
第一电极AE配置在第七绝缘层70上。第一电极AE通过贯通第七绝缘层70的第三接触孔CH-70与第二连接电极CNE2连接。第一电极AE可以单独地图案化而配置在多个像素PX(参照图3)的每一个中。
有机层EML配置在第一电极AE上。在本说明书中，有机层EML可以定义为包括空穴控制层、发光层以及电子控制层。只要包括在发光层中的物质是生成光的物质，则不限于任一个实施例。空穴控制层可以包括空穴传输层以及空穴注入层。电子控制层可以包括电子传输层以及电子注入层。
包括在有机层EML中的空穴控制层以及电子控制层可以是随着通过开放掩模(open mask)蒸镀而形成在第一区域A1以及第二区域A2的整体的公共层。发光层可以配置在空穴控制层和电子控制层之间，并以单独地图案化在像素PX的每一个中的形式提供。此时，发光层可以通过FMM(fine metal mask；高精度金属掩模)形成。
在有机层EML上配置有第二电极CE。在本发明中，第二电极CE可以仅配置在第二区域A2，并与第一区域A1隔开。在本发明中，第二电极CE可以界定有与边区域MA相对应的电极开口部。电极开口部在平面上环绕边区域MA。电极开口部可以界定为与第一区域A1和第二区域A2的边界相邻的第二电极CE的边缘CE-E。
封装层80可以包括第一无机层81、薄膜有机层82以及第二无机层83。然而，不限于此，封装层80可以还包括多个无机层以及有机层。
第一无机层81可以与第二电极CE接触。第一无机层81可以防止外部水分或者氧气渗透到有机层EML。例如，第一无机层81可以包括硅氮化物、硅氧化物或者组合它们的化合物。第一无机层81可以通过蒸镀工艺形成。
薄膜有机层82可以配置在第一无机层81上而与第一无机层81接触。薄膜有机层82可以在第一无机层81上提供平坦面。形成在第一无机层81上面的弯曲或者存在于第一无机层81上的颗粒(particle)等被薄膜有机层82覆盖，从而可以阻断第一无机层81的上面的表面状态对形成在薄膜有机层82上的构成产生的影响。薄膜有机层82可以包括有机物，可以通过旋转涂层、狭缝涂层、喷墨工艺之类溶液工艺形成。
在形成薄膜有机层82的溶液工艺时，包括有机物的溶液可以仅涂布至第一坝部DMP1。由此，在薄膜有机层82的平面上的边界可以由第一坝部DMP1确定。
第二无机层83配置在薄膜有机层82上而覆盖薄膜有机层82。第二无机层83可以比配置在第一无机层81上的情况稳定地形成在相对平坦的面。第二无机层83封装从薄膜有机层82放出的水分等而防止其流入到外部。第二无机层83可以包括硅氮化物、硅氧化物或者组合它们的化合物。第二无机层83可以通过蒸镀工艺形成。
平坦化层YOC可以在与第一区域A1相邻的第二区域A2以及第一区域A1中补偿由于薄膜有机层82以及第二无机层83形成的台阶。由此，配置在第二无机层83以及平坦化层YOC上的输入传感器120可以形成在平坦的面上。根据一实施例的平坦化层YOC可以包括有机物。
输入传感器120可以直接形成在封装层80上。输入传感器120可以包括多个导电图案MS1、MS2以及感测绝缘层91、92、93。感测绝缘层91、92、93可以包括第一感测绝缘层91、第二感测绝缘层92以及第三感测绝缘层93。
第一感测绝缘层91配置在封装层80上。第一导电图案MS1可以配置在第一感测绝缘层91上，并被第二感测绝缘层92覆盖。第二导电图案MS2可以配置在第二感测绝缘层92上，并被第三感测绝缘层93覆盖。
导电图案MS1、MS2的每一个具有导电性。可以是，导电图案MS1、MS2的每一个提供为单个层，或者提供为多个层，不限于任一个实施例。根据本发明的导电图案MS1、MS2中的至少任一个导电图案可以在平面上提供为网格线。
构成导电图案MS1、MS2的网格线可以与非发光区域NPXA重叠且与发光区域PXA隔开。由此，即使输入传感器120直接形成在显示面板110上，也可以没有输入传感器120的干涉而向用户提供在显示面板110的像素PX(参照图3)中形成的光。
根据本发明的显示模组100可以界定有贯通孔区域HA的孔MH。可以是，孔MH贯通与孔区域HA重叠的基底层BS、第一至第五绝缘层10、20、30、40、50、平坦化层YOC、第一以及第二无机层81、83以及第一至第三感测绝缘层91、92、93，贯通侧面彼此对齐。
根据在根据本发明的显示模组100中在第二区域A2(像素区域)的内部界定有贯通显示模组100的孔MH，要求阻断流入孔MH的水分以及氧气向配置有像素PX的第二区域A2流入的路径的结构物。
在与孔MH重叠的显示模组100的下方配置有电子模组400。在本实施例中，配置在显示模组100的下方的电子模组400可以包括在图2b中说明的发光模组LM、受光模组LRM以及相机模组CMM中的至少任一个。
根据本发明的电路元件层DP-CL可以包括配置在第一区域A1中的边区域MA的第一至第三坝部DMP1、DMP2、DMP3、第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3。另外，在与边区域MA重叠的第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中可以界定有贯通第一至第五绝缘层10、20、30、40、50的绝缘开口部VA。在与边区域MA重叠的有机层EML中可以界定有使对应的第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3暴露的第一至第三有机开口部OPE1、OPE2、OPE3。
第一至第三坝部DMP1、DMP2、DMP3可以配置在第五绝缘层50上。第一至第三坝部DMP1、DMP2、DMP3的每一个可以被有机层EML覆盖而与有机层EML接触。
第一坝部DMP1可以配置为在第一至第三坝部DMP1、DMP2、DMP3中与第二区域A2最相邻。可以是，第二坝部DMP2配置在第一坝部DMP1和第三坝部DMP3之间，第三坝部DMP3配置为与孔MH最相邻。可以是，第三坝部DMP3环绕孔MH，第二坝部DMP2环绕第三坝部DMP3，第一坝部DMP1环绕第二坝部DMP2。第一坝部DMP1可以是界定封装层80的薄膜有机层82的边界的隔壁。可以省略第二以及第三坝部DMP2、DMP3中的至少任一个。
在本实施例中，第一至第三坝部DMP1、DMP2、DMP3的每一个提供为多层。可以是，第一以及第二坝部DMP1、DMP2包括依次层叠的第一至第三层DM1、DM2、DM3，第三坝部DMP3包括依次层叠的第一以及第二层DM1、DM2。可以是，第一层DM1在与第七绝缘层70相同的工艺中形成而包括与第七绝缘层70相同的物质，第二层DM2在与像素界定膜PDL相同的工艺中形成而包括与像素界定膜PDL相同的物质。第三层DM3可以包括有机物。
在本实施例中，第三坝部DMP3的厚度可以小于第一以及第二坝部DMP1、DMP2的厚度。
可以是，第一无机层81和第二无机层83在第二区域A2中密封薄膜有机层82，第一无机层81和第二无机层83在第一区域A1中从第一坝部DMP1的上面至孔区域HA彼此接触。
第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以配置在第五绝缘层50上。第一金属图案MT1可以配置在与第一区域A1相邻的第二电极CE的边缘CE-E和第一坝部DMP1之间。第二金属图案MT2可以配置在第一坝部DMP1和第二坝部DMP2之间。第三金属图案MT3可以配置在第二坝部DMP2和第三坝部DMP3之间。
第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以具有包括在第一连接电极CNE1中的金属中的任一个。例如，当第一连接电极CNE1包括依次层叠的钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)时，第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以包括配置在下方的钛(Ti)。即，第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以是对通过与第一连接电极CNE1相同的工艺形成的导电层进行追加蚀刻工艺形成的金属图案。
在与边区域MA重叠的有机层EML中可以界定有第一至第三有机开口部OPE1、OPE2、OPE3。
可以是，第一有机开口部OPE1使第一金属图案MT1暴露，第二有机开口部OPE2使第二金属图案MT2暴露，第三有机开口部OPE3使第三金属图案MT3暴露。第一无机层81可以覆盖通过第一至第三有机开口部OPE1、OPE2、OPE3暴露的第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3。
根据本发明，在配置有第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3的区域中，有机层EML可以根据界定有第一至第三有机开口部OPE1、OPE2、OPE3而具有断线的结构。由此，可以阻断流入孔MH的水分以及氧气通过有机层EML向配置有像素PX的第二区域A2流入的路径。由此，可以提供可靠性得到提升的电子装置1000(参照图1)。
在与边区域MA重叠的第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中可以界定有绝缘开口部VA。绝缘开口部VA可以重叠在界定为与第一区域A1和第二区域A2的边界相邻的第二电极CE的边缘CE-E的电极开口部和第一金属图案MT1之间。绝缘开口部VA可以使缓冲层BFL的一部分BFL-U暴露。
从绝缘开口部VA暴露的缓冲层BFL的所述一部分BFL-U可以被有机层EML覆盖。另外，界定有绝缘开口部VA的第一至第五绝缘层10、20、30、40、50的每一个的侧面可以被有机层EML覆盖。
依据根据本发明的显示模组100包括绝缘开口部VA，可以防止在向第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3施加激光束的工艺中对第二电极CE的边缘CE-E进行过度加工。由此，第二电极CE的边缘CE-E的形状不变形，可以提供封装层80的台阶覆盖得到提升的显示面板110。对关于其的说明通过后述的显示模组的制造方法进行说明。
图6a至图6l是示出根据本发明的一实施例的显示模组的制造方法的截面图。针对与在图4以及图5中说明的构成相同/类似的构成，使用相同/类似的附图标记，省略重复的说明。
参照图6a，根据一实施例的显示模组的制造方法可以在基底层BS上形成阻挡层BRL、缓冲层BFL以及第一至第五绝缘层10、20、30、40、50。
在本实施例中，第一绝缘层10以及第四绝缘层40可以包括单层的硅氧化物。第二绝缘层20可以包括单层的硅氮化物。第三绝缘层30以及第五绝缘层50可以包括依次层叠的硅氮化物以及硅氧化物。包括硅氮化物的绝缘层和包括硅氧化物的绝缘层的折射率可以彼此不同。
在图6a中作为一例示放大示出了第四绝缘层40和第五绝缘层50。可以是，第四绝缘层40包括单层的硅氧化物，第五绝缘层50包括依次层叠的硅氮化物层SN以及硅氧化物层SO。
根据本实施例，可以是，在第一绝缘层10和第三绝缘层30之间形成有依次层叠的硅氧化物层-硅氮化物层-硅氧化物层，在第四绝缘层40和第五绝缘层50之间形成有依次层叠的硅氧化物层-硅氮化物层-硅氧化物层。
之后，参照图6b，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成绝缘开口部VA的步骤。绝缘开口部VA可以以去除第一至第五绝缘层10、20、30、40、50而使缓冲层BFL的一部分BFL-U暴露的方式形成。第一至第五绝缘层10、20、30、40、50的每一个的侧面10-E、20-E、30-E、40-E、50-E对齐而形成绝缘开口部VA。
在本实施例中，说明了去除第一至第五绝缘层10、20、30、40、50而形成绝缘开口部VA，但是形成绝缘开口部VA的绝缘层不限于此。例如，只要去除第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中的包括硅氮化物的层以及配置于包括所述硅氮化物的层的上方以及下方且具有与硅氮化物不同折射率的层，则形成绝缘开口部VA的绝缘层不限于任一个。
之后，参照图6c，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成第一金属层MT-1的步骤。第一金属层MT-1可以形成在第五绝缘层50上，并覆盖绝缘开口部VA。根据一实施例的第一金属层MT-1可以包括依次层叠的下层M1、中间层M2以及上层M3。可以是，下层M1以及上层M3包括钛(Ti)，中间层M2包括铝(Al)。
之后，参照图6d，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成预备金属图案MT-P的步骤。预备金属图案MT-P可以去除第一金属层MT-1而形成。预备金属图案MT-P可以具有与包括在第一金属层MT-1中的下层M1、中间层M2以及上层M3相同的层结构。当对第一金属层MT-1进行图案化而形成预备金属图案MT-P时，在图4中说明的第一连接电极CNE1也可以从第一金属层MT-1图案化而形成。
之后，参照图6e，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成第二金属层MT-2的步骤。第二金属层MT-2可以形成在第五绝缘层50上，并覆盖绝缘开口部VA以及预备金属图案MT-P。第二金属层MT-2可以包括如第一金属层MT-1那样依次层叠的下层、中间层以及上层。可以是，下层以及上层包括钛(Ti)，中间层包括铝(Al)。
之后，参照图6f，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3的步骤。第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以根据从包括在预备金属图案MT-P中的下层、中间层以及上层去除中间层以及上层而仅留下下层来形成。
第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3可以通过蚀刻工艺去除第二金属层MT-2和预备金属图案MT-P的一部分而形成。可以通过第一次蚀刻工艺去除第二金属层MT-2以及预备金属图案MT-P的一部分。第一次蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。
根据本实施例，由于根据预备金属图案MT-P和第二金属层MT-2重叠而形成的台阶，在仅配置有第二金属层MT-2的区域与预备金属图案MT-P和第二金属层MT-2所重叠的区域中可能产生蚀刻率差。为了去除预备金属图案MT-P中的残留的中间层以及上层，可以进行第二次蚀刻工艺。第二次蚀刻工艺可以是湿法蚀刻工艺。
在第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3中的至少任一个边缘中，由于台阶引起的蚀刻率差，第二金属层MT-2的下层可能以隔壁形式残留。由于第二金属层MT-2的下层包括钛(Ti)，因此在本说明书中，可以将其定义为尖端部分Tip。
当对第二金属层MT-2进行图案化而形成第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3时，在图4中说明的第二连接电极CNE2也可以从第二金属层MT-2图案化而形成。
之后，参照图6g，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成有机层EML以及第二电极CE的步骤。有机层EML以及第二电极CE可以构成在图4中说明的发光元件OLED。
有机层EML以及第二电极CE可以形成在第五绝缘层50的整体。有机层EML可以覆盖第一至第五绝缘层10、20、30、40、50的每一个的侧面10-E、20-E、30-E、40-E、50-E以及从绝缘开口部VA暴露的缓冲层BFL的一部分。第二电极CE可以形成在有机层EML上。
根据本实施例，在第五绝缘层50上形成有机层EML之前可以还包括对第六绝缘层60、第七绝缘层70以及像素界定膜PDL进行图案化而形成坝部DMP1、DMP2、DMP3的步骤。
之后，参照图6h以及图6i，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括去除与边区域MA重叠的第二电极CE的步骤。
激光器LS照射激光束的起始点可以从与绝缘开口部VA相邻的第二区域A2沿着一方向照射至孔区域HA。从激光器LS照射的激光束可以具有能够去除第二电极CE且穿过有机层EML的波长。由此，若从边区域MA至孔区域HA照射激光束，则可以从边区域MA至孔区域HA去除第二电极CE。可以是，去除了第二电极CE的起始点界定为第二电极CE的边缘CE-E，环绕孔区域HA的第二电极CE的电极开口部界定为边缘CE-E。
根据本实施例，当激光束照射到第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3时，可以去除配置在第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3上的有机层EML。由此，在与边区域MA重叠的有机层EML中可以形成有使对应的第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3暴露的第一至第三有机开口部OPE1、OPE2、OPE3。
根据一实施例，在第二电极CE上可以形成覆盖第二电极CE的封盖层，当激光束照射到第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3时，所述封盖层可以与有机层EML以及第二电极CE一起被去除。
根据本发明，在第一区域A1中，有机层EML可以在与第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3重叠的区域中具有断线的结构。由此，可以阻断流入孔MH的水分以及氧气通过有机层EML向第二区域A2流入的路径。由此，可以提供可靠性得到提升的显示模组的制造方法。
依据根据本发明的显示模组的制造方法，当被照射激光束时，向形成在第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3的边缘的尖端部分Tip照射的激光束的一部分可以在尖端部分Tip进行反射/折射而产生向第一至第五绝缘层10、20、30、40、50内部流入的激光束。此时，入射至配置在第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中的硅氧化物层之间的硅氮化物层的激光束可以经由所述硅氮化物层而传送到第二电极CE的边缘CE-E。
如此，进行反射/折射而传送到第二电极CE的边缘CE-E的激光束可能过度加工第二电极CE的边缘CE-E而产生第二电极CE的边缘CE-E从有机层EML浮起或者形状变形的问题。过度加工第二电极CE的边缘CE-E的次数可能至少每当激光束照射到第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3时会发生。
图7a至图7d是示出根据比较实施例的显示模组的制造方法的截面图。参照图7a至图7d，根据比较实施例的显示模组100-S的制造方法例示性地示出了在未形成本发明的绝缘开口部VA的状态下进行去除与边区域MA重叠的第二电极CE的步骤。
当激光器LS的激光束照射到第一金属图案MT1时，照射到第一金属图案MT1的尖端部分Tip(参照图6f)的激光束的一部分可以进行经由第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中的硅氮化物层而照射到第二电极CE的边缘CE-E的第一次过度加工AC1。此时，第二电极CE的边缘CE-E可以变形为与初始形状不同的形状。
当激光器LS的激光束照射到第二金属图案MT2时，照射到第二金属图案MT2的尖端部分Tip(参照图6f)的激光束的一部分可以进行经由第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中的硅氮化物层而照射到第二电极CE的边缘CE-E的第二次过度加工AC2。
由此，当完成去除第二电极CE的步骤之后，过度加工的第二电极CE的边缘CE-E可能产生从第五绝缘层50浮起或者形状变形的不良。
重新依据根据本发明的显示模组的制造方法，当激光器LS的激光束照射到第一至第三金属图案MT1、MT2、MT3时，即使照射到尖端部分Tip(参照图6f)的激光束的一部分泄露至第一至第五绝缘层10、20、30、40、50，根据包括第一至第五绝缘层10、20、30、40、50断线的绝缘开口部VA，也可以防止过度加工第二电极CE的边缘CE-E。
由此，即使在去除与边区域MA重叠的第二电极CE的工艺之后形成封装层80的第一无机层81，也可以提供封装层80的台阶覆盖得到提升的显示模组100的制造方法。由此，可以提供可靠性得到提升的电子装置1000(参照图1)。
之后，参照图6j以及图6k，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成封装层80的步骤。可以是，将第一无机层81以及第二无机层83形成在第一区域A1以及第二区域A2整体，薄膜有机层82形成至第一坝部DMP1。
之后，可以还包括形成平坦化层YOC的步骤。平坦化层YOC可以形成为补偿由于薄膜有机层82形成在第一区域A1和第二区域A2中的台阶。
之后，可以还包括在封装层80以及平坦化层YOC上形成输入传感器120的步骤。输入传感器120可以直接形成在封装层80上。在本说明书中，“直接形成”的含义可以意指以与形成封装层80以及平坦化层YOC的工艺连续的工艺形成输入传感器120。
之后，参照图6l，根据一实施例的显示模组的制造方法可以包括形成孔MH的步骤。孔MH可以根据对与孔区域HA重叠的构成照射激光束进行去除来形成。
以上参照了本发明的优选实施例进行了说明，但是只要是本技术领域的熟练的技术人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员，则可以理解在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内可以对本发明进行各种修改以及变更。
由此，本发明的技术范围不限定为说明书的详细的说明中记载的内容，而仅应由权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种电子装置，其中，包括：
显示面板，包括提供图像的像素区域、被所述像素区域环绕的边区域以及被所述边区域环绕的孔区域，
所述显示面板包括：
基底层；
电路元件层，包括配置在所述基底层上的缓冲层、配置在所述缓冲层上的至少一个晶体管、配置在所述缓冲层上的至少一个绝缘层以及配置在所述至少一个绝缘层上且与所述边区域重叠的第一金属图案；
显示元件层，包括与所述至少一个晶体管连接的第一电极、第二电极以及配置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，并包括与所述像素区域重叠的发光元件，在所述第二电极中界定有与所述边区域相对应的电极开口部；以及
封装层，配置在所述显示元件层上，
在所述孔区域中界定有贯通所述显示面板的孔，
在所述至少一个绝缘层中界定有绝缘开口部，所述绝缘开口部与界定所述电极开口部的所述第二电极的边缘和所述第一金属图案之间重叠，并使所述缓冲层的一部分暴露。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述有机层覆盖从所述绝缘开口部暴露的所述缓冲层的所述一部分，
所述第二电极仅与所述像素区域重叠，并从所述绝缘开口部隔开。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括：
第一坝部，配置在所述至少一个绝缘层上，并与所述第一金属图案和所述孔之间重叠，
在所述有机层中界定有使所述第一金属图案暴露的第一有机开口部，所述有机层覆盖所述第一坝部。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，
所述封装层包括第一无机层、配置在所述第一无机层上且由所述第一坝部界定边界的薄膜有机层以及配置在所述薄膜有机层上的第二无机层，
所述第一无机层覆盖所述第一金属图案。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，
所述第一无机层和所述第二无机层从所述第一坝部的上面至所述孔区域彼此接触。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括：
第二坝部，与所述边区域重叠，并比所述第一坝部与所述孔相邻；以及
第二金属图案，配置在所述第一坝部和所述第二坝部之间，
在所述有机层中界定有使所述第二金属图案暴露的第二有机开口部，所述有机层覆盖所述第二坝部。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括：
第三坝部，与所述边区域重叠，并比所述第二坝部与所述孔相邻；以及
第三金属图案，配置在所述第二坝部和所述第三坝部之间，
在所述有机层中界定有使所述第三金属图案暴露的第三有机开口部，所述有机层覆盖所述第三坝部。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中，
所述第三坝部的厚度小于所述第一坝部以及所述第二坝部。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述至少一个晶体管包括：
第一晶体管，包括第一有源区图案、与所述第一有源区图案重叠的第一控制电极；以及
第二晶体管，包括第二有源区图案、与所述第二有源区图案重叠的第二控制电极，
所述电路元件层还包括：
上电极，与所述第一控制电极重叠。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括配置在所述缓冲层上且覆盖所述第一有源区图案的第一绝缘层、配置在所述第一绝缘层上且覆盖所述第一控制电极的第二绝缘层、配置在所述第二绝缘层上且覆盖所述上电极的第三绝缘层、配置在所述第三绝缘层上且覆盖所述第二有源区图案的第四绝缘层、配置在所述第四绝缘层上且覆盖所述第二控制电极的第五绝缘层、配置在所述第五绝缘层上的第六绝缘层以及配置在所述第六绝缘层上的第七绝缘层，
所述至少一个绝缘层包括所述第一绝缘层至所述第五绝缘层中的至少任一个。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，
所述第一绝缘层以及所述第四绝缘层包括单层的硅氧化物，
所述第二绝缘层包括单层的硅氮化物，
所述第三绝缘层以及所述第五绝缘层包括依次层叠的硅氮化物以及硅氧化物。
12.根据权利要求10所述的电子装置，其中，
所述第一绝缘层至所述第五绝缘层在除了所述绝缘开口部之外的所述边区域中彼此接触。
13.根据权利要求10所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括：
第一连接电极，配置在所述第五绝缘层上，并通过界定在所述第一绝缘层至所述第五绝缘层的第一接触孔与第一半导体图案连接；以及
第二连接电极，配置在所述第六绝缘层上，并通过界定在所述第六绝缘层的接触孔与所述第一连接电极连接，
所述第一连接电极以及所述第二连接电极的每一个包括依次层叠的下层、中间层以及上层。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中，
所述第一金属图案包括与所述第一连接电极的所述下层相同的物质。
15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，
所述下层以及所述上层包括钛，所述中间层包括铝。
16.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述电子装置还包括：
平坦化层，配置在所述封装层上，并环绕所述孔区域。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，
所述电子装置还包括：
输入传感器，配置在所述封装层以及所述平坦化层上，并与所述孔区域隔开。
18.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述基底层包括：
第一基底层，包括有机物；
覆盖层，配置在所述第一基底层上，并包括无机物；以及
第二基底层，配置在所述覆盖层上，并包括有机物，
所述电路元件层还包括：
阻挡层，配置在所述第二基底层和所述缓冲层之间。
19.根据权利要求18所述的电子装置，其中，
所述电路元件层还包括：
遮光图案，配置在所述阻挡层上且被所述缓冲层覆盖，并与所述至少一个晶体管重叠。
20.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述电子装置还包括：
电子模组，与所述孔重叠，
所述电子模组包括发光模组、受光模组以及相机模组中的至少任一个。
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