CN117135947A - 用于制造发光器件的方法 - Google Patents

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Abstract

用于制造发光器件的方法包括：提供基底层和形成包括第一传输区域和第二传输区域的电子传输层。电子传输层的形成包括：涂覆包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物，使得形成第一预备传输区域和第二预备传输区域；以及利用光照射第一预备传输区域和第二预备传输区域，并且在利用光的照射中，照射在第一预备传输区域上的每单位面积的光的量不同于照射在第二预备传输区域上的每单位面积的光的量。

Description

用于制造发光器件的方法
本申请要求于2022年5月27日递交的韩国专利申请第10-2022-0065607号的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开在此涉及用于制造包括电子传输组合物的发光器件的方法。
背景技术
正在开发用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏机的多媒体装置的各种显示装置。在这样的显示装置中，使用通过从包括有机化合物的发光材料发射光来实现显示的所谓的自发光发光器件。
另外，为了提高显示装置的颜色再现性，使用量子点作为发光材料的发光器件的开发正在进行中，并且期望使用量子点的发光器件的发光效率和寿命的提高。
发明内容
本公开提供用于通过将包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物涂覆到发光器件的电子传输层来制造能够表现出提高的发光效率和寿命特性的发光器件的方法。本公开还提供用于通过提高发射不同颜色光的发光器件中的每一个的发光效率来制造具有提高的可靠性的发光器件的方法。
本发明的实施例提供用于制造发光器件的方法，该方法包括：提供基底层，用于分别发射彼此不同的第一颜色光和第二颜色光的第一像素区域和第二像素区域被限定在基底层上；以及在基底层上形成电子传输层，电子传输层包括分别与第一像素区域和第二像素区域重叠的第一传输区域和第二传输区域。电子传输层的形成包括：在第一像素区域和第二像素区域上涂覆包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物，使得形成第一预备传输区域和第二预备传输区域；以及利用光照射第一预备传输区域和第二预备传输区域，以分别从第一预备传输区域和第二预备传输区域形成第一传输区域和第二传输区域。在利用光的照射中，照射在第一预备传输区域上的每单位面积的光的量不同于照射在第二预备传输区域上的每单位面积的光的量。
在实施例中，利用光的照射可以包括利用第一光照射第一预备传输区域和利用第二光照射第二预备传输区域。在利用第一光的照射中，在电子传输组合物上设置第一掩模，并且与第一预备传输区域重叠的第一开口被限定在第一掩模中。在利用第二光的照射中，在电子传输组合物上设置第二掩模，并且与第二预备传输区域重叠的第二开口被限定在第二掩模中。
在实施例中，第一光的强度可以不同于第二光的强度。
在实施例中，照射第一光的时间段可以不同于照射第二光的时间段。
在实施例中，在基底层上，用于发射不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域可以被进一步限定，在电子传输组合物的涂覆中，可以在第三像素区域上涂覆电子传输组合物以进一步形成第三预备传输区域，并且利用光的照射可以进一步包括使用其中与第三预备传输区域重叠的第三开口被限定的第三掩模，利用第三光照射第三预备传输区域使得形成第三传输区域。
在实施例中，第一光的强度、第二光的强度和第三光的强度可以彼此不同。
在实施例中，照射第一光的时间段、照射第二光的时间段和照射第三光的时间段可以彼此不同。
在实施例中，在基底层上，用于发射不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域可以被进一步限定，在电子传输组合物的涂覆中，可以在第三像素区域上涂覆电子传输组合物以进一步形成第三预备传输区域，并且在利用第二光的第二预备传输区域的照射中，与第三预备传输区域重叠的第三开口可以被进一步限定在第二掩模中，并且可以利用第二光照射第三预备传输区域。
在实施例中，在利用光的照射中，可以使用其上限定有与第一预备传输区域重叠的第一开口以及与第二预备传输区域重叠的第二开口的公共掩模，并且穿过第一开口的光的透射率可以不同于穿过第二开口的光的透射率。
在实施例中，具有第一透光率的第一光控膜可以设置在第一开口中。
在实施例中，具有不同于第一透光率的第二透光率的第二光控膜可以设置在第二开口中。
在实施例中，第一开口可以被提供成多个且被提供成具有多个第一开口中的两个相邻的第一开口之间的第一狭缝宽度的狭缝形式。
在实施例中，第二开口可以被提供成多个且被提供成具有多个第二开口中的两个相邻的第二开口之间的第二狭缝宽度的狭缝形式，并且第二狭缝宽度可以不同于第一狭缝宽度。
在实施例中，在基底层上，用于发射不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域可以被进一步限定，在电子传输组合物的涂覆中，可以在第三像素区域上涂覆电子传输组合物以进一步形成第三预备传输区域，并且在利用光的照射中，与第三预备传输区域重叠的第三开口可以被进一步限定在公共掩模中，并且穿过第三开口的光的透射率可以不同于穿过第一开口的光的透射率和穿过第二开口的光的透射率。
在实施例中，在基底层上，用于发射不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域可以被进一步限定，在电子传输组合物的涂覆中，可以在第三像素区域上涂覆电子传输组合物以进一步形成第三预备传输区域，并且在利用光的照射中，与第三预备传输区域重叠的第三开口可以被进一步限定在公共掩模中，并且穿过第三开口的光的透射率可以与穿过第一开口的光的透射率和穿过第二开口的光的透射率中的任一个基本上相同。
在实施例中，在利用光的照射中，可以从第一预备传输区域中的光酸产生剂分解第一分解量的酸并且可以从第二预备传输区域中的光酸产生剂分解第二分解量的酸，并且第二分解量可以不同于第一分解量。
在实施例中，基底层可以包括分别与第一像素区域和第二像素区域相对应的第一电极，并且在电子传输层的形成之后，该方法可以进一步包括：在电子传输层上形成发光层，发光层包括分别与第一像素区域和第二像素区域相对应的第一发光层和第二发光层；以及在发光层上形成第二电极。
在实施例中，基底层可以包括：第一电极，分别与第一像素区域和第二像素区域相对应；以及发光层，设置在第一电极上并且包括分别与第一像素区域和第二像素区域相对应的第一发光层和第二发光层，其中该方法可以进一步包括：在电子传输层的形成之后，在电子传输层上形成第二电极。
在实施例中，电子传输层的形成可以进一步包括：在电子传输组合物的涂覆之后并且在利用光的照射之前，对第一预备传输区域和第二预备传输区域执行热处理。
在实施例中，电子传输层的形成可以进一步包括：在利用光的照射之后，对第一传输区域和第二传输区域执行热处理。
在实施例中，在利用光的照射之后，电子传输层的形成可以进一步包括：在第一温度下对第一传输区域和第二传输区域执行第一热处理；以及在第一热处理的执行之后，在不同于第一温度的第二温度下对第一传输区域和第二传输区域执行第二热处理。
在本发明的实施例中，用于制造发光器件的方法包括：提供基底层，用于分别发射彼此不同的第一颜色光和第二颜色光的第一像素区域和第二像素区域被限定在基底层上；以及在基底层上形成电子传输层，电子传输层包括分别与第一像素区域和第二像素区域重叠的第一传输区域和第二传输区域。在实施例中，电子传输层的形成可以包括：在第一像素区域和第二像素区域上涂覆包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物，使得分别形成第一预备传输区域和第二预备传输区域；以及利用光照射第一预备传输区域和第二预备传输区域，使得分别从第一预备传输区域和第二预备传输区域形成第一传输区域和第二传输区域。第一预备传输区域和第二预备传输区域的光酸产生剂与金属氧化物的质量比可以基本上相同，并且在利用光的照射中，可以从第一预备传输区域中的光酸产生剂分解第一分解量的酸，并且可以从第二预备传输区域中的光酸产生剂分解第二分解量的酸，并且第二分解量可以不同于第一分解量。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本发明的实施例的显示装置的分解透视图；
图3是沿着图1的线I-I’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图；
图4是根据本发明的实施例的显示模块的显示区域的放大部分的平面图；
图5是沿着图4的线II-II’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图；
图6是沿着图4的线II-II’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图；
图7A和图7B是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的流程图；
图7C是示出根据本发明的实施例的用于制造电子传输层的方法的流程图；
图8A和图8B是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；
图8C是示意性地示出根据本发明的实施例的电子传输组合物的视图；
图8D至图8G是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；
图8H是示出在电子传输材料中发生的反应的步骤的视图；
图8I是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；
图9A和图9B是示出根据本发明的另一实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；
图10A至图10C是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；
图11A至图11C是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图；并且
图12和图13是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的流程图。
具体实施方式
在本公开中，当元件(或区域、层和部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，意指该元件可以直接设置在另一元件上/连接到另一元件/联接到另一元件，或者第三元件可以设置在其间。
相同的附图标记指代相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，元件的厚度、比率和尺寸被夸大。在本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如在本文中所使用的，“一”、“该”和“至少一个”不表示数量限制，并且除非上下文另外明确地指出，否则旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制性的“一”。“或”意指“和/或”。术语“和/或”包括关联部件可以限定的一个或多个的所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
将理解，尽管在本文中可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且第二元件也可以以类似的方式被称为第一元件，而不脱离本发明的权利范围。除非上下文另外明确指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式的术语。
另外，诸如“下方”、“下”、“上方”和“上”等的术语用于描述附图中示出的部件的关系。这些术语用作相对概念，并且相对于附图中指示的方向进行描述。
应理解，术语“包括”或“具有”在本公开中旨在指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，诸如在常用词典中定义的术语的术语应该被解释为具有与现有技术的情境中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确定义，否则不应在过于理想或过于正式的意义上解释。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“大约”、“基本上相同”或“近似”包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“基本上相同”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之内。在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的透视图。图2是根据本发明的实施例的显示装置的分解透视图。图3是沿着图1的线I-I’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图。
在实施例中，显示装置DD可以是诸如电视、监视器或外部广告牌的大型电子装置。此外，显示装置DD可以是诸如个人计算机(例如，膝上型计算机或平板电脑)、个人数字终端、汽车导航系统单元、游戏控制台、智能电话或相机的中小型电子装置。然而，这些仅仅是示例性实施例，并且只要不脱离本发明，可以采用不同的显示装置。在本实施例中，显示装置DD被示例性地图示为智能电话。
参考图1至图3，显示装置DD可以在平行于第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个的显示表面FS上，朝向第三方向DR3显示图像IM。图像IM可以包括运动图像和静止图像两者。在图1中，作为图像IM的示例，图示观察窗和图标。在其上显示图像IM的显示表面FS可以与显示装置DD的前表面相对应。
在本实施例中，每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)基于显示图像IM的方向来定义。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每一个的法线方向可以平行于第三方向DR3。由第一方向至第三方向DR1、DR2、DR3指示的方向是相对概念，并且可以被转换成不同的方向。在本公开中，“在平面上”或“在平面图中”可以意指当在第三方向DR3(即，发光器件或基底层的厚度方向)上观察时。
如图2中所示，根据本实施例的显示装置DD可以包括窗口WP、显示模块DM和外壳HAU。窗口WP和外壳HAU可以彼此结合以构造显示装置DD的外观。
窗口WP可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗口WP可以包括玻璃或塑料。窗口WP的前表面可以限定显示装置DD的显示表面FS。显示表面FS可以包括透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以是具有大约90％或更高的可见光透射率的区域。
边框区域BZA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。边框区域BZA可以限定透射区域TA的形状。边框区域BZA与透射区域TA相邻，并且可以围绕透射区域TA。这仅仅是示例性地图示，并且在根据本发明的实施例的窗口WP中，可以省略边框区域BZA。窗口WP可以包括防指纹层、硬涂层和防反射层当中的至少一个功能层，并且不限于任一个实施例。
显示模块DM可以设置在窗口WP的下部。显示模块DM可以是实质上生成图像IM的部件。在显示模块DM中生成的图像IM被显示在显示模块DM的显示表面IS上，并且通过透射区域TA被用户从外部视觉地识别。
显示模块DM包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是由电信号激活的区域。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA是被边框区域BZA覆盖的区域，并且无法从外部视觉地识别。
如图3中所示，显示模块DM可以包括显示面板DP和光学构件PP。
在实施例的显示模块DM中，显示面板DP可以是发光型显示器。例如，显示面板DP可以是包括量子点发光器件的量子点发光显示面板。然而，本发明的实施例不限于此，并且显示面板DP可以是包括有机电致发光器件的有机发光显示面板。
显示面板DP可以包括第一基底基板BS1、电路层DP-CL和显示器件层DP-EL。
第一基底基板BS1可以是提供在其上设置电路层DP-CL和显示器件层DP-EL的基底表面的构件。第一基底基板BS1可以是玻璃基板、金属基板或塑料基板。然而，本发明的实施例不限于此，并且第一基底基板BS1可以是无机层、有机层或复合材料层。第一基底基板BS1可以是可以被容易地弯折或折叠的柔性基板。
电路层DP-CL设置在第一基底基板BS1上，并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管(未示出)。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示器件层DP-EL的发光器件的驱动晶体管。
显示器件层DP-EL设置在电路层DP-CL上，并且显示器件层DP-EL可以包括多个发光器件ED-1、ED-2和ED-3(参见图5)。稍后将详细描述显示器件层DP-EL。
光学构件PP可以设置在显示面板DP上，以控制由外部光引起的显示面板DP中的反射光。例如，光学构件PP可以包括滤色器层或偏振层。然而，根据本发明的另一实施例，可以省略光学构件PP。
外壳HAU可以被结合到窗口WP，并且提供预定的内部空间。显示模块DM可以被容纳在内部空间中。
外壳HAU可以包括具有相对高的刚性的材料。例如，外壳HAU可以包括玻璃、塑料或金属，或者可以包括由其组合构成的多个框架和/或多个板。外壳HAU可以稳定地保护显示装置DD的容纳在内部空间中的部件免受外部冲击。
图4是根据本发明的实施例的显示模块的构造的一部分的平面图。图5是沿着图4的线II-II’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图。图6是沿着图4的线II-II’截取的根据本发明的实施例的显示模块的截面图。图4图示在显示模块DM(参见图2)的显示表面IS(参见图2)上观察到的显示模块DM(参见图2)的平面，其图示显示模块DM(参见图2)的显示区域DA的放大部分。
参考图4，显示区域DA可以包括像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R以及围绕像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R的外围区域NPXA。
像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以与从其发射从将参照图5描述的发光器件ED-1、ED-2和ED-3提供的光的区域相对应。像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以包括第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R。第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以根据朝向显示模块DM(参见图2)的外部发射的光的颜色来区分。
第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以分别提供具有彼此不同的颜色的第一颜色光至第三颜色光。例如，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是红光。然而，第一颜色光至第三颜色光的示例不限于上述示例。
外围区域NPXA设置第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R的边界，并且可以防止第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R之间的颜色混合。
第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的每一个被提供成多个，并且可以在显示区域DA中具有预定的布置形式的同时，被重复地设置。例如，第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R可以沿着第一方向DR1交替布置，并且形成第一组PXG1。第二像素区域PXA-G可以沿着第一方向DR1布置，并且形成第二组PXG2。第一组PXG1和第二组PXG2中的每一个可以被设置为多个，并且第一组PXG1和第二组PXG2可以沿着第二方向DR2交替布置。
一个第二像素区域PXA-G可以在第四方向DR4上与一个第一像素区域PXA-B或一个第三像素区域PXA-R间隔开设置。第四方向DR4可以被定义为第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向。
图4示例性地图示第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R的布置形式，但是第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以被布置成各种形式，而不限于此。在实施例中，第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有如图4中所示的布置形式。可替代地，第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-R和PXA-G可以具有条纹(Stripe)布置形式或者Diamond />布置形式。
第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R在平面上可以具有各种形状。例如，第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有诸如多边形、圆形或椭圆形等的形状。图4示例性地图示在平面上具有四边形形状(或菱形形状)的第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R以及具有八边形形状的第二像素区域PXA-G。
第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R在平面上可以具有彼此相同的形状，或者其中的至少一些可以具有彼此不同的形状。图4示例性地图示在平面上具有彼此相同形状的第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R以及具有与第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R的形状不同的形状的第二像素区域PXA-G。
第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的至少一些可以在平面上具有不同的面积。根据实施例，发射红光的第三像素区域PXA-R的面积可以大于发射绿光的第二像素区域PXA-G的面积，并且小于发射蓝光的第一像素区域PXA-B的面积。然而，根据发射光的颜色的第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R的大面积与小面积之间的关系不限于此，并且可以根据显示模块DM(参见图2)的设计而改变。另外，不限于此，第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R在平面上可以具有相同的面积。
本发明的显示模块DM(参见图2)的第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R的形状、面积或布置等可以根据发射光的颜色或者显示模块DM(参见图2)的形状和构造以各种方式设计，并且不限于图4中所示的实施例。
参考图5，根据实施例的显示模块DM可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学构件PP，并且显示面板DP可以包括第一基底基板BS1、电路层DP-CL和显示器件层DP-EL。
在本实施例中，显示器件层DP-EL可以包括发光器件ED-1、ED-2和ED-3、像素限定膜PDL以及封装层TFE。
发光器件ED-1、ED-2和ED-3可以包括第一发光器件ED-1、第二发光器件ED-2和第三发光器件ED-3。第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以包括顺序层叠的第一电极EL1、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL和第二电极EL2。
第一电极EL1可以设置在电路层DP-CL上。第一电极EL1被提供成多个，并且第一电极EL1可以分别与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R相对应，并且设置成彼此间隔开的图案。在本实施例中，第一电极EL1中的每一个可以是阴极。
像素限定膜PDL可以设置在电路层DP-CL上。在像素限定膜PDL中，可以限定像素开口OH1、OH2和OH3。像素开口OH1、OH2和OH3中的每一个可以暴露第一电极EL1当中对应的第一电极的至少一部分。像素开口OH1、OH2和OH3可以包括第一像素开口OH1、第二像素开口OH2和第三像素开口OH3。
在第一电极EL1中，由第一像素开口OH1从像素限定膜PDL暴露的区域被定义为第一像素区域PXA-B。在第一电极EL1中，由第二像素开口OH2从像素限定膜PDL暴露的区域被定义为第二像素区域PXA-G。在第一电极EL1中，由第三像素开口OH3从像素限定膜PDL暴露的区域被定义为第三像素区域PXA-R。
电子传输层ETL可以设置在第一电极EL1上。电子传输层ETL可以包括在平面图中与第一电极EL1当中的限定第一像素区域PXA-B的第一电极重叠的第一传输区域ETR-1、与限定第二像素区域PXA-G的第一电极重叠的第二传输区域ETR-2以及与限定第三像素区域PXA-R的第一电极重叠的第三传输区域ETR-3。
根据本实施例，电子传输层ETL可以包括金属氧化物MO(参见图8H)、从光酸产生剂PG(参见图8H)的一部分分解的酸和酸的共轭碱以及未分解的残余光酸产生剂PG-R(参见图8H)。
通过从光酸产生剂PG(参见图8H)产生的酸，金属氧化物MO(参见图8H)可以被表面改性，这可以导致金属氧化物MO(参见图8H)的n掺杂现象，以最终导致发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的电流密度的增大。可以稍后详细描述金属氧化物MO(参见图8H)的表面改性。
图5示例性地图示电子传输层ETL被提供成其中第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3彼此间隔开设置的多个图案的形式，但是本发明的实施例不限于此，并且电子传输层ETL被提供为公共层并且在公共层中，第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3可以被划分。
根据本发明的另一实施例，发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以进一步包括电子注入层和空穴阻挡层中的至少一个。例如，电子注入层可以设置在第一电极EL1与电子传输层ETL之间，并且空穴阻挡层可以设置在电子传输层ETL与发光层EML之间。电子注入层可以在不增大驱动电压的情况下，改善对电子传输层ETL的电子注入特性，并且空穴阻挡层可以防止从空穴传输层HTL到电子传输层ETL的空穴注入。
发光层EML可以设置在电子传输层ETL上。发光层EML可以包括与第一像素区域PXA-B相对应的第一发光层EML-B、与第二像素区域PXA-G相对应的第二发光层EML-G以及与第三像素区域PXA-R相对应的第三发光层EML-R。第一发光层EML-B可以设置在第一传输区域ETR-1上，第二发光层EML-G可以设置在第二传输区域ETR-2上，并且第三发光层EML-R可以设置在第三传输区域ETR-3上。
根据本实施例，第一发光层至第三发光层EML-B、EML-G和EML-R可以包括量子点QD1、QD2和QD3。量子点QD1、QD2和QD3可以包括第一量子点QD1、第二量子点QD2和第三量子点QD3。
第一发光层EML-B可以包括第一量子点QD1。第一量子点QD1可以发射为第一颜色光的蓝光。第二发光层EML-G可以包括第二量子点QD2。第二量子点QD2可以发射为第二颜色光的绿光。第三发光层EML-R可以包括第三量子点QD3。第三量子点QD3可以发射为第三颜色光的红光。
在实施例中，第一颜色光可以是具有在大约410纳米(nm)至大约480nm的波长区域内的中心波长的光，第二颜色光可以是具有在大约500nm至大约570nm的波长区域内的中心波长的光，并且第三颜色光可以是具有在大约625nm至大约675nm的波长区域内的中心波长的光。
实施例的发光层EML中包括的量子点QD1、QD2和QD3可以是可以选自II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合的半导体纳米晶体。
II-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，该二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组，该三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组，并且该四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及其混合物组成的组。
III-VI族化合物可以选自由二元化合物和三元化合物组成的组，该二元化合物选自由In2S3和In2Se3及其混合物组成的组，该三元化合物选自由InGaS3和InGaSe3及其混合物组成的组。
I-III-VI族化合物可以选自三元化合物或者诸如AgInGaS2和CuInGaS2等的四元化合物，该三元化合物选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其混合物组成的组。
III-V族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，该二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组，该三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组，并且该四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。III-V族化合物可以进一步包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，该二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组，该三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组，并且该四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组的二元化合物。
此时，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于同一颗粒中。另外，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。在核-壳结构中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心变低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点QD1、QD2和QD3可以具有包括具有上述纳米晶体的核和围绕该核的壳的核-壳结构。量子点QD1、QD2和QD3的壳可以充当用于防止核的化学变形从而保持半导体特性的保护层和/或用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可以是单个层或多个层。量子点QD1、QD2和QD3的壳的示例可以是金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO等的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4等的三元化合物。然而，本发明的实施例不限于此。
此外，半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP或AlSb等。然而，本发明的实施例不限于此。
量子点QD1、QD2和QD3可以具有大约45nm或更小、优选地大约40nm或更小、更优选地大约30nm或更小的发光波长谱的半峰全宽(“FWHM”)，并且可以在上述范围内提高颜色纯度或颜色再现性。另外，通过量子点QD1、QD2和QD3发射的光在所有方向上发射，使得可以提高宽视角。
另外，尽管量子点QD1、QD2和QD3的形式不受特别限制，只要其是本领域中常用的形式，但是可以使用更具体地，球体、金字塔、多臂或立方体的形状的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板等的形式的量子点。
量子点QD1、QD2和QD3可以根据其颗粒尺寸控制发射光的颜色。相应地，量子点QD1、QD2和QD3可以具有诸如蓝色、红色和绿色等的各种发光颜色。
量子点QD1、QD2和QD3的颗粒尺寸越小，可以发射更短波长区域的光。例如，在具有相同核的量子点QD1、QD2和QD3中，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射红光的量子点的颗粒尺寸。另外，在具有相同核的量子点QD1、QD2和QD3中，发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射绿光的量子点的颗粒尺寸。然而，实施例不限于此。即使在具有相同核的量子点QD1、QD2和QD3中，颗粒的尺寸也可以根据用于形成壳的材料和壳的厚度来控制。
当量子点QD1、QD2和QD3具有诸如蓝色、红色和绿色等的各种发光颜色时，具有不同发光颜色的量子点QD1、QD2和QD3可以具有彼此不同的核材料。
空穴传输层HTL可以设置在发光层EML上。空穴传输层HTL可以包括与第一像素区域PXA-B相对应并且设置在第一发光层EML-B上的第四传输区域HTR-1、与第二像素区域PXA-G相对应并且设置在第二发光层EML-G上的第五传输区域HTR-2以及与第三像素区域PXA-R相对应并且设置在第三发光层EML-R上的第六传输区域HTR-3。
空穴传输层HTL可以包括本领域已知的常见材料。例如，空穴传输层HTL可以进一步包括例如诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑的咔唑类衍生物、芴类衍生物、诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(“TPD”)和4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(“TCTA”)的三苯胺类衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPD”)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](“TAPC”)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(“HMTPD”)或1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
图5示例性地图示空穴传输层HTL被提供成其中第四传输区域至第六传输区域HTR-1、HTR-2和HTR-3彼此间隔开设置的多个图案的形式，但是本发明的实施例不限于此，并且空穴传输层HTL被提供为公共层并且在公共层中，第四传输区域至第六传输区域HTR-1、HTR-2和HTR-3可以被分离。
根据本发明的另一实施例，发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以进一步包括空穴注入层和电子阻挡层中的至少一个。例如，空穴注入层可以设置在第二电极EL2与空穴传输层HTL之间，并且电子阻挡层可以设置在空穴传输层HTL与发光层EML之间。空穴注入层可以在不增大驱动电压的情况下，提高对空穴传输层HTL的空穴注入特性，并且电子阻挡层可以防止从电子传输层ETL到空穴传输层HTL的电子注入。
第二电极EL2可以设置在空穴传输层HTL上。第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3的第二电极EL2可以彼此连接，并且被提供成单体的形状。也就是说，第二电极EL2可以以公共层的形式提供。在本实施例中，第二电极EL2可以是阳极。
如图5中所示，实施例的发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以具有倒置器件结构，在该倒置器件结构中，基于发射光的上方向，电子传输层ETL设置在发光层EML下方并且空穴传输层HTL设置在发光层EML上方。
封装层TFE可以覆盖发光器件ED-1、ED-2和ED-3，从而对发光器件ED-1、ED-2和ED-3进行封装。封装层TFE设置在第二电极EL2上，并且可以被设置为填充像素开口OH1、OH2和OH3。
封装层TFE可以具有其中重复无机层/有机层的多层结构。例如，封装层TFE可以具有无机层/有机层/无机层的结构。无机层可以保护发光器件ED-1、ED-2和ED-3免受外部湿气的影响，并且有机层可以防止由在制造工艺期间引入的异物导致的发光器件ED-1、ED-2和ED-3的印记缺陷。
在本实施例中，光学构件PP可以包括第二基底基板BS2和滤色器层CFL。实施例的显示模块DM可以进一步包括设置在显示面板DP的发光器件ED-1、ED-2和ED-3上的滤色器层CFL。
第二基底基板BS2可以是提供在其上设置滤色器层CFL等的基底表面的构件。第二基底基板BS2可以是玻璃基板、金属基板或塑料基板等。然而，本发明的实施例不限于此，并且第二基底基板BS2可以是无机层、有机层或复合材料层。
滤色器层CFL可以包括遮光部分BM和滤色器CF。滤色器CF可以包括多个滤色器CF-B、CF-G和CF-R。也就是说，滤色器层CFL可以包括透射第一颜色光的第一滤色器CF-B、透射第二颜色光的第二滤色器CF-G和透射第三颜色光的第三滤色器CF-R。
滤色器CF-B、CF-G和CF-R中的每一个可以包括聚合物光敏树脂以及颜料或染料。第一滤色器CF-B可以包括蓝色颜料或蓝色染料，第二滤色器CF-G可以包括绿色颜料或绿色染料，并且第三滤色器CF-R可以包括红色颜料或红色染料。本发明的实施例不限于此。在另一实施例中，第一滤色器CF-B可以不包括颜料或染料。
遮光部分BM可以是黑矩阵。遮光部分BM可以通过包括包含黑色颜料或黑色染料的有机遮光材料或无机遮光材料来形成。遮光部分BM防止光泄漏现象，并且可以区分相邻的滤色器CF-B、CF-G和CF-R之间的边界。
滤色器层CFL可以进一步包括缓冲层BFL。例如，缓冲层BFL可以是用于保护滤色器CF-B、CF-G和CF-R的保护层。缓冲层BFL可以是包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅当中的至少一种无机材料的无机材料层。缓冲层BFL可以由单个层或多个层形成。
在图5中所示的实施例中，图示滤色器层CFL的第一滤色器CF-B与第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R部分重叠，并且与外围区域NPXA完全重叠，但是本发明的实施例不限于此。例如，第一滤色器至第三滤色器CF-B、CF-G和CF-R可以被遮光部分BM区分，并且可以不彼此重叠。在实施例中，第一滤色器至第三滤色器CF-B、CF-G和CF-R中的每一个可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R相对应地设置。根据另一实施例，可以省略滤色器层CFL。
图5示例性地图示光学构件PP，并且根据另一实施例，光学构件PP可以包括偏振层(未示出)。偏振层(未示出)可以阻挡从外部提供到显示面板DP的外部光。另外，偏振层(未示出)可以减少由于外部光而在显示面板DP中产生的反射光。
偏振层(未示出)可以是具有抗反射功能的圆偏振器，或者偏振层(未示出)可以包括线性偏振器和λ/4相位延迟器。偏振层(未示出)可以设置在第二基底基板BS2上并被暴露，或者偏振层(未示出)可以设置在第二基底基板BS2的下部。
参考图6，根据本发明的实施例的显示模块DM’的显示器件层DP-EL’包括发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’，并且发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’可以包括第一发光器件ED-1’、第二发光器件ED-2’和第三发光器件ED-3’。相同/相似的附图标记用于与参考图5描述的部件相同/相似的部件，并且省略其冗余描述。
第一发光器件至第三发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’中的每一个可以包括第一电极EL1’、空穴传输层HTL’、发光层EML、电子传输层ETL’和第二电极EL2’。根据本实施例，第一电极EL1’可以与阳极相对应，并且第二电极EL2’可以与阴极相对应。
空穴传输层HTL’可以设置在第一电极EL1’与发光层EML之间。也就是说，第四传输区域HTR-1’可以设置在限定第一像素区域PXA-B的第一电极EL1’上，第五传输区域HTR-2’可以设置在限定第二像素区域PXA-G的第一电极EL1’上，并且第六传输区域HTR-3’可以设置在限定第三像素区域PXA-R的第一电极EL1’上。
电子传输层ETL’可以设置在发光层EML与第二电极EL2’之间。也就是说，第一传输区域ETR-1’可以设置在第一发光层EML-B上，第二传输区域ETR-2’可以设置在第二发光层EML-G上，并且第三传输区域ETR-3’可以设置在第三发光层EML-R上。
不同于图5中所示的倒置发光器件ED-1、ED-2和ED-3，图6图示包括发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’的实施例，在发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’中，空穴传输层HTL’设置在为阳极的第一电极EL1’与发光层EML之间并且电子传输层ETL’设置在为阴极的第二电极EL2’与发光层EML之间。
图7A和图7B是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的流程图。图7C是根据本发明的实施例的形成电子传输层的细分步骤的流程图。
参考图7A，根据实施例的用于制造发光器件的方法可以包括提供基底层的步骤S100、在基底层上形成电子传输层的步骤S200、在电子传输层上形成发光层的步骤S300以及在发光层上形成第二电极的步骤S400。本实施例可以与用于制造具有图5的叠层结构的发光器件ED-1、ED-2和ED-3的方法相对应。
一起参考图5，在本实施例的提供基底层的步骤S100中，基底层可以是提供在其上形成将稍后描述的电子传输层的参考表面的部件。在实施例中，基底层包括发光器件ED-1、ED-2和ED-3的部件当中的第一电极EL1，并且参考表面可以是第一电极EL1的上表面。此时，第一电极EL1中的每一个可以是阴极。
在本实施例的形成电子传输层的步骤S200中，可以形成电子传输层ETL以设置在第一电极EL1上。
尽管未图示，但是在形成发光层的步骤S300之后并且在形成第二电极的步骤S400之前，可以进一步包括在发光层EML上形成空穴传输层HTL。
参考图7B，根据实施例的用于制造发光器件的方法可以包括提供基底层的步骤S100’、在基底层上形成电子传输层的步骤S200’以及在电子传输层上形成第二电极的步骤S300’。本实施例可以与用于制造具有图6的叠层结构的发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’的方法相对应。
一起参考图6，在本实施例的提供基底层的步骤S100’中，基底层可以是提供在其上形成将稍后描述的电子传输层的参考表面的部件。在实施例中，基底层包括发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’的部件当中的第一电极EL1’和设置在第一电极EL1’上的发光层EML，并且参考表面可以是发光层EML的上表面。此时，第一电极EL1’中的每一个可以是阳极。
根据另一实施例，基底层可以进一步包括设置在第一电极EL1’与发光层EML之间的空穴传输层HTL’。
在本实施例的形成电子传输层的步骤S200’中，可以形成电子传输层ETL’以设置在发光层EML上。
参考图7C，根据实施例的形成电子传输层的步骤S200可以包括涂覆电子传输材料(例如，电子传输组合物)的步骤S201和利用光照射的步骤S202。图7C的流程图不仅可以应用于图7A的形成电子传输层的步骤S200，还可以应用于图7B的形成电子传输层的步骤S200’。
在涂覆电子传输材料的步骤S201中，形成第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3(参见图8D)，并且在利用光照射的步骤S202中，第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3各自被光照射，以形成包括第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3(参见图8I)的电子传输层ETL(参见图8I)。
在下文中，参考图8A至图8H，将基于图5的发光器件ED-1、ED-2和ED-3详细描述用于制造发光器件的方法，这可以类似地应用于用于制造图6的发光器件ED-1’、ED-2’和ED-3’的方法。
图8A和图8B是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。图8C是示意性地示出根据本发明的实施例的电子传输组合物的视图。
图8D至图8G是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。图8H是示出在电子传输材料中发生的反应的步骤的视图。图8I是示出根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。
参考图8A，用于制造发光器件的方法可以包括提供基底层的步骤S100(参见图7A)。
在本实施例中，基底层BL可以包括第一基底基板BS1、设置在第一基底基板BS1上的电路层DP-CL、设置在电路层DP-CL上的第一电极EL1以及像素限定膜PDL，像素限定膜PDL设置在电路层DP-CL上并且具有限定在其中的、暴露第一电极EL1当中对应的第一电极的至少一部分的第一像素开口至第三像素开口OH1、OH2和OH3。在本实施例中，第一电极EL1可以是阴极。
在基底层BL上，可以限定第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R。第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以被定义为第一电极EL1中的分别由第一像素开口至第三像素开口OH1、OH2和OH3从像素限定膜PDL暴露的区域。
参考图8B至图8D，用于制造发光器件的方法包括形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)，并且形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)可以包括涂覆电子传输材料的步骤S201(参见图7C)。
如图8B和图8D中所示，在涂覆电子传输材料的步骤S201(参见图7C)中，可以将电子传输组合物ICP涂覆在从像素限定膜PDL暴露的第一电极EL1上。涂覆的电子传输组合物ICP可以形成预备电子传输层ETL-I。预备电子传输层ETL-I可以包括第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3。
电子传输组合物ICP可以被涂覆在第一电极EL1当中限定第一像素区域PXA-B的第一电极EL1上，以形成第一预备传输区域ETR-I1。电子传输组合物ICP可以被涂覆在第一电极EL1当中限定第二像素区域PXA-G的第一电极EL1上，以形成第二预备传输区域ETR-I2。电子传输组合物ICP可以被涂覆在第一电极EL1当中限定第三像素区域PXA-R的第一电极EL1上，以形成第三预备传输区域ETR-I3。
用于涂覆电子传输组合物ICP的方法不受特别限制，并且可以使用诸如旋涂、浇铸、Langmuir-Blodgett(“LB”)、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(“LITI”)等的方法。图8B图示通过喷嘴NZ在像素限定膜PDL之间涂覆电子传输组合物ICP，但是本发明的实施例不限于此。
如图8C中所示，根据实施例的电子传输组合物ICP可以包括金属氧化物MO和光酸产生剂PG。在本实施例中，第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3可以由具有基本上相同的光酸产生剂PG与金属氧化物MO的质量比的电子传输组合物ICP形成。在本公开中，“基本上相同”不仅意指具有物理上相同的数值，还意指在工艺中可能出现的误差范围内具有稍微不同的数值。
根据实施例，金属氧化物MO可以包括包含硅、铝、锌、铟、镓、钇、锗、钪、钛、钽、铪、锆、铈、钼、镍、铬、铁、铌、钨、锡和铜中的至少一种的金属的氧化物或其混合物，但是不限于此。
例如，金属氧化物MO可以包括氧化锌。氧化锌的类型没有特别限制，但是可以是例如ZnO、ZnMgO或其组合，并且除了Mg之外，可以掺杂Li或Y等。另外，除了氧化锌之外，金属氧化物MO可以包括TiO2、SiO2、SnO2、WO3、Ta2O3、BaTiO3、BaZrO3、ZrO2、HfO2、Al2O3、Y2O3或ZrSiO4等，但是不限于此。
在本公开中，光酸产生剂PG可以意指通过诸如可见光、紫外光或红外光等的光的照射而放出至少一种酸的材料。在本公开中，“酸”可以意指提供氢离子(H+)的化合物。
根据实施例，光酸产生剂PG可以是离子化合物或非离子化合物。光酸产生剂PG的示例包括但不限于诸如硫鎓类化合物、碘鎓类化合物、磷鎓类化合物、重氮鎓类化合物、磺酸盐类化合物、吡啶鎓类化合物、三嗪类化合物和酰亚胺类化合物的化合物。光酸产生剂PG可以单独使用，或者可以混合并使用其中的两种或多种。另外，光酸产生剂PG可以包括通过诸如加热的施加能量而不是光来产生酸的材料。
根据实施例，电子传输组合物ICP可以进一步包括溶剂SV。溶剂SV可以是有机溶剂或诸如水的无机溶剂。有机溶剂可以包括非质子溶剂或质子溶剂。
非质子溶剂可以包括例如己烷、甲苯、氯仿、二甲基亚砜、辛烷、二甲苯、十六烷、苯基环己烷、三甘醇单丁醚或二甲基甲酰胺、癸烷、十二烷十六碳烯、四氢化萘、乙基萘、乙基联苯、异丙基萘、二异丙基萘、二异丙基联苯、异丙基苯、戊基苯、二异丙基苯、十氢化萘、苯基萘、环己基十氢化萘、癸基苯、十二烷基苯、辛基苯、环己烷、环戊烷或环庚烷等，但是不限于此。
质子溶剂可以是能够提供至少一个质子的化合物。更具体地，质子溶剂可以是包含至少一个可离解质子的化合物。例如，质子溶剂可以意指质子液体材料或质子聚合物。质子溶剂的类型可以包括例如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇或二甘醇等，但是不限于此。
根据实施例，电子传输组合物ICP可以进一步包括弱酸(未示出)。由于包括弱酸(未示出)，可以从光酸产生剂PG缓慢释放酸，并且可以提高金属氧化物MO的分散稳定性。相应地，预备电子传输层ETL-I可以被形成为均匀的薄膜。例如，弱酸(未示出)可以具有大约4.75或更大的pKa(酸离解常数)。
参考图8E至图8H，用于制造发光器件的方法包括形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)，并且形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)可以包括利用光照射预备电子传输层的步骤S202(参见图7C)。
首先，参考图8E，利用光照射的步骤S202(参见图7C)可以包括利用第一光LT1照射第一预备传输区域ETR-I1。在利用第一光LT1的照射中，第一掩模MK1可以设置在预备电子传输层ETL-I(或电子传输组合物ICP(参见图8B))上。第一掩模MK1可以在其中限定在平面图中与第一预备传输区域ETR-I1重叠的第一开口OP1。第一开口OP1可以通过从第一掩模MK1的上表面穿透到其下表面来形成。
第一光LT1从第一光照射装置LU1照射，并且照射的第一光LT1可以穿过第一开口OP1并被照射在第一预备传输区域ETR-I1上。第一光LT1被照射在第一预备传输区域ETR-I1上达预定的时间段，使得第一预备传输区域ETR-I1可以被转换成第一传输区域ETR-1。
此后，参考图8F，利用光照射的步骤S202(参见图7C)可以包括利用第二光LT2照射第二预备传输区域ETR-I2。在利用第二光LT2的照射中，第二掩模MK2可以设置在预备电子传输层ETL-I(或电子传输组合物ICP(参见图8B))上。第二掩模MK2可以在其中限定在平面图中与第二预备传输区域ETR-I2重叠的第二开口OP2。第二开口OP2可以通过从第二掩模MK2的上表面穿透到其下表面来形成。
第二光LT2从第二光照射装置LU2照射，并且照射的第二光LT2可以穿过第二开口OP2并被照射在第二预备传输区域ETR-I2上。第二光LT2被照射在第二预备传输区域ETR-I2上达预定的时间段，使得第二预备传输区域ETR-I2可以被转换成第二传输区域ETR-2。
根据本实施例，从由第二光照射装置LU2提供的第二光LT2照射在第二预备传输区域ETR-I2上的每单位面积的光的量(在下文中，第二光的量)可以不同于从由第一光照射装置LU1提供的第一光LT1照射在第一预备传输区域ETR-I1上的每单位面积的光的量(在下文中，第一光的量)。例如，第二光的量可以小于第一光的量。
在实施例中，为了控制第二光的量小于第一光的量，照射第一光LT1的时间段和照射第二光LT2的时间段可以被设置为相同，并且第二光LT2的强度可以被设置为低于第一光LT1的强度。
另外，在另一实施例中，为了控制第二光的量小于第一光的量，第一光LT1的强度和第二光LT2的强度可以被设置为相同，并且照射第二光LT2的时间段可以被设置为短于照射第一光LT1的时间段。
另外，在另一实施例中，为了控制第二光的量小于第一光的量，照射第一光LT1的时间段、照射第二光LT2的时间段、第一光LT1的强度和第二光LT2的强度可以全部被控制。
此后，参考图8G，利用光照射的步骤S202(参见图7C)可以包括利用第三光LT3照射第三预备传输区域ETR-I3。这里，第一光LT1至第三光LT3可以是紫外光。在利用第三光LT3的照射中，第三掩模MK3可以设置在预备电子传输层ETL-I(或电子传输组合物ICP(参见图8B))上。第三掩模MK3可以在其中限定在平面图中与第三预备传输区域ETR-I3重叠的第三开口OP3。第三开口OP3可以通过从第三掩模MK3的上表面穿透到其下表面来形成。
第三光LT3通过第三光照射装置LU3照射，并且照射的第三光LT3可以穿过第三开口OP3并被照射在第三预备传输区域ETR-I3上。通过利用第三光LT3照射达预定时间段，第三预备传输区域ETR-I3可以被转换成第三传输区域ETR-3。
根据本实施例，从由第三光照射装置LU3提供的第三光LT3照射在第三预备传输区域ETR-I3上的每单位面积的光的量(在下文中，第三光的量)可以不同于第一光的量和第二光的量。例如，第三光的量可以大于第一光的量和第二光的量。
在实施例中，为了控制第三光的量大于第一光的量和第二光的量，照射第一光LT1的时间段、照射第二光LT2的时间段和照射第三光LT3的时间段可以全部被设置为相同，并且第三光LT3的强度可以被设置为高于第一光LT1的强度和第二光LT2的强度。
另外，在另一实施例中，为了控制第三光的量大于第一光的量和第二光的量，第一光LT1的强度、第二光LT2的强度和第三光LT3的强度可以全部被设置为相同，并且照射第三光LT3的时间段可以被设置为长于照射第一光LT1的时间段和照射第二光LT2的时间段。
另外，在另一实施例中，为了控制第三光的量大于第一光的量和第二光的量，照射第一光至第三光LT1、LT2和LT3中的每一个的时间段以及第一光至第三光LT1、LT2和LT3中的每一个的强度可以全部被控制。
在图8E至图8G的工艺中，通过照射的第一光至第三光LT1、LT2和LT3，包括第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3的预备电子传输层ETL-I中的光酸产生剂PG发生反应，使得可以形成包括第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3(参见图8I)的电子传输层ETL(参见图8I)。
图8H示出在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，在电子传输组合物ICP中发生的反应步骤。与图5和图8B至图8G一起参考图8H，根据实施例，金属氧化物MO的表面可以通过由电子传输组合物ICP中的光酸产生剂PG的分解形成的氢离子(H+)被改性。
电子传输组合物ICP中的光酸产生剂PG的一部分可以被照射的光分解并且形成酸。相应地，氢离子(H+)可以被吸附在金属氧化物MO的表面上，或者氢离子(H+)可以与吸附在金属氧化物MO的表面上的醋酸盐基团反应，使得醋酸盐基团可以被从金属氧化物MO去除。
其表面被从光酸产生剂PG分解的酸改性的金属氧化物MO可以向发光器件ED-1、ED-2和ED-3提供提高的电子迁移率特性。随着吸附到金属氧化物MO的氢离子(H+)的数量增加，费米能级更靠近导带(“CB”)地移动，因此费米能级与导带之间的能量差可以减小。相应地，随着充当施主的金属氧化物MO的电子的数量增加，可以获得n掺杂效应。
另外，一般而言，当醋酸盐基团被吸附到金属氧化物MO时，费米能级更靠近价带(“VB”)地移动，因此费米能级与价带之间的能量差可以减小，并且可以获得p掺杂效应。此时，随着醋酸盐基团被从金属氧化物MO去除，费米能级再次更靠近导带地移动，使得可以减小p掺杂效应。
相应地，发光器件ED-1、ED-2和ED-3的电流密度增大，使得可以提高发光器件ED-1、ED-2和ED-3的发光效率和寿命特性。此时，根据待被吸附的氢离子(H+)的数量，即根据从光酸产生剂PG分解的氢离子(H+)的浓度，控制费米能级移动的水平，以控制n掺杂的程度。
当在典型发光器件中形成被应用金属氧化物的电子传输区域时，为了提高发光效率和寿命特性，已经应用其中引入能够在电子传输区域上供应酸的树脂层的正老化方法。然而，由于该方法需要增加一系列用于树脂涂覆的工艺，因此存在由于工艺时间和制造成本的增加而降低工艺效率的问题。另外，当该方法被应用于前发光结构时，可能存在由树脂层引起的雾现象发生的问题，使得透射率被降低。
另一方面，根据本发明，通过将光酸产生剂PG直接引入到电子传输组合物ICP，可以减少制造成本和加工时间，使得可以提高显示装置DD(参见图1)的可靠性和生产率，并且此外，由于抑制了由树脂引起的雾现象，本发明可以被应用于前发光结构和后发光结构两者。
此时，根据比较示例，第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3由具有基本上相同的金属氧化物MO与光酸产生剂PG的质量比的电子传输组合物ICP形成，并且可以将基本上相同的每单位面积光的量照射在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3上。此时，从光酸产生剂PG分解的酸的量在第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3中可以基本上相同。
然而，在发光层EML中形成激子以发射预定波长范围内的光所需的电子和空穴的量可以取决于第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3而改变。另外，随着以彼此相似的量提供所需的量的电子和空穴，可以提高发光器件的效率。因此，根据比较示例，可能不满足第一发光器件ED-1、第二发光器件ED-2和第三发光器件ED-3当中的一些发光器件中所需的电子的量。可替代地，通过以超过一些发光器件中所需的量的量产生电子，产生的空穴的量的差异可能大。相应地，一些发光器件的效率可能降低。
然而，根据本实施例，通过不同地设置照射在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3中的每一个上的每单位面积的光的量，可以控制从第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3中的光酸产生剂PG分解的酸的量。
在本实施例中，第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3中的每一个可以包括金属氧化物MO、从光酸产生剂PG的一部分分解的酸和未分解的残余光酸产生剂PG-R，并且从第一传输区域ETR-1中的光酸产生剂PG分解的酸的量(第一分解量)、从第二传输区域ETR-2中的光酸产生剂PG分解的酸的量(第二分解量)和从第三传输区域ETR-3中的光酸产生剂PG分解的酸的量(第三分解量)可以彼此不同。
例如，在第一发光层EML-B中发射第一颜色光所需的电子的量可以大于在第二发光层EML-G中发射第二颜色光所需的电子的量。此时，如果在利用第一光LT1照射第一预备传输区域ETR-I1的步骤中照射在第一预备传输区域ETR-I1上的第一光的量大于在利用第二光LT2照射第二预备传输区域ETR-I2的步骤中照射在第二预备传输区域ETR-I2上的第二光的量，则第一传输区域ETR-1中的光酸产生剂PG的第一分解量可以大于第二传输区域ETR-2中的光酸产生剂PG的第二分解量。通过以上内容，第一传输区域ETR-1中的n掺杂的程度可以大于第二传输区域ETR-2中的n掺杂的程度，并且可以提供第一发光器件ED-1和第二发光器件ED-2两者中所需的电子的量。相应地，通过提高第一发光器件ED-1和第二发光器件ED-2的效率以及第一发光器件ED-1和第二发光器件ED-2的寿命两者，可以提高第一发光器件ED-1和第二发光器件ED-2中的每一个的可靠性。
通过以上内容，可以设置第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3中的每一个中的从光酸产生剂PG分解的酸的量，以匹配在发光层EML中发射预定颜色的光所需的电子的量。
根据本发明的另一实施例，在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，可以控制照射在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3中的每一个上的每单位面积的光的量，并且同时，在涂覆电子传输材料的步骤S201(参见图7C)中，可以控制涂覆在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3中的每一个上的光酸产生剂PG与金属氧化物MO的质量比。
参考图8I，在形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)之后，根据实施例的用于制造发光器件的方法可以包括形成发光层的步骤S300(参见图7A)、形成空穴传输层和形成第二电极的步骤S400(参见图7A)。图8I示例性地图示在形成发光层的步骤S300(参见图7A)之后并且形成第二电极的步骤S400(参见图7A)之前，进一步包括形成空穴传输层。
在形成发光层的步骤S300中(参见图7A)，发光层EML可以形成在电子传输层ETL上。发光层EML可以包括第一发光层至第三发光层EML-B、EML-G和EML-R。第一发光层EML-B与第一像素区域PXA-B相对应，并且可以形成在第一传输区域ETR-1上。第二发光层EML-G与第二像素区域PXA-G相对应，并且可以形成在第二传输区域ETR-2上。第三发光层EML-R与第三像素区域PXA-R相对应，并且可以形成在第三传输区域ETR-3上。
在空穴传输层的形成中，空穴传输层HTL可以形成在发光层EML上。空穴传输层HTL可以包括第四传输区域至第六传输区域HTR-1、HTR-2和HTR-3。第四传输区域HTR-1与第一像素区域PXA-B相对应，并且可以设置在第一发光层EML-B上。第五传输区域HTR-2与第二像素区域PXA-G相对应，并且可以形成在第二发光层EML-G上。第六传输区域HTR-3与第三像素区域PXA-R相对应，并且可以设置在第三发光层EML-R上。根据本发明的另一实施例，可以省略形成空穴传输层。
在形成第二电极的步骤S400中(参见图7A)，第二电极EL2可以形成在空穴传输层HTL上。第二电极EL2可以被形成为公共层，以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的全部相对应。在本实施例中，第二电极EL2可以是阳极。
图9A和图9B是示出根据本发明的另一实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。图9A和图9B图示在形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)中利用光照射的步骤S202(参见图7C)。在参考图9A和图9B描述用于制造实施例的发光器件的方法时，相同/相似的附图标记用于与参考图1至图8I描述的部件相同/相似的部件，并且省略其冗余描述。
首先，如图9A中所示，在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，第一掩模MK1-A可以设置在预备电子传输层ETL-I上。第一掩模MK1-A可以在其中限定在平面图中与第一预备传输区域ETR-I1重叠的第一开口OP1。
第一光LT1-A可以通过第一光照射装置LU1-A照射。照射的第一光LT1-A可以穿过第一开口OP1并被照射在第一预备传输区域ETR-I1上。第一光LT1-A被照射在第一预备传输区域ETR-I1上达预定的时间段，使得第一预备传输区域ETR-I1可以被转换成第一传输区域ETR-1。
此后，如图9B中所示，可以在预备电子传输层ETL-I上设置第二掩模MK2-A。在平面图中，第二掩模MK2-A可以在其中限定与第二预备传输区域ETR-I2重叠的第二开口OP2并且在其中限定与第三预备传输区域ETR-I3重叠的第三开口OP3。
可以从第二光照射装置LU2-A照射第二光LT2-A。照射的第二光LT2-A可以穿过第二开口OP2并被照射在第二预备传输区域ETR-I2上，并且可以穿过第三开口OP3并被照射在第三预备传输区域ETR-I3上。第二光LT2-A被照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3中的每一个上达预定的时间段，使得第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3可以分别被转换成第二传输区域ETR-2和第三传输区域ETR-3(参见图5)。
根据本实施例，从由第二光照射装置LU2-A提供的第二光LT2-A照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3中的每一个上的每单位面积的光的量(在下文中，2-1光的量)可以不同于从由第一光照射装置LU1-A提供的第一光LT1-A照射在第一预备传输区域ETR-I1上的每单位面积的光的量(在下文中，1-1光的量)。
1-1光的量和2-1光的量可以通过控制第一光LT1-A的强度和第二光LT2-A的强度或通过控制照射第一光LT1-A的时间段和照射第二光LT2-A的时间段来设置。
根据本实施例，通过一个掩模，即第二掩模MK2-A，第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3当中的两个传输区域可以同时被光照射。当提供最优的电子量所需的酸的量相似时，通过使用同一掩模同时照射光，可以进一步简化工艺。
图9A和图9B示例性地图示利用光同时照射第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3，但是同时照射的预备传输区域的类型不限于此。
在下文中，通过表1的结果，参考示例和比较示例，将详细描述提高根据本发明的实施例制造的发光器件的效率和寿命的效果。另外，下面示出的示例仅仅是为了说明的目的以促进本发明的理解，并且因此，本发明的范围不限于此。
[表1]
表1示出通过测量分别包括通过不同地设置照射在第一预备传输区域ETR-I1上的第一光的量、照射在第二预备传输区域ETR-I2上的第二光的量和照射在第三预备传输区域ETR-I3上的第三光的量而制造的各种实施例的第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3的第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3的发光效率和寿命获得的数据值。此时，第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3被制造为具有相同的用于测量的面积，并且通过测量每输入功率的亮度(cd/A)来获得发光效率，并且通过测量从发光器件提供的光的亮度基于初始提供的光的亮度减小到小于90％所花费的时间来获得寿命。
示例1是指其中第一光的量至第三光的量都被不同地设置的、上面参考本发明的图8E至图8I描述的实施例，并且示例2是指其中第二光的量和第三光的量被设置为相同并且第一光的量被设置为不同于第二光的量和第三光的量的、上面参考本发明的图9A和图9B描述的实施例。另一方面，比较示例1至比较示例3是指其中第一光的量至第三光的量都被设置为相同的比较示例。在上面的表1中，基于在示例1中测量的发光器件的发光效率和寿命，在示例2和比较示例1至比较示例3中测量的发光器件的发光效率和寿命以与示例1的发光效率和寿命的比值示出。
参考上面表1中的比较示例1至比较示例3的结果，可以确认，与第一光的量被设置为3毫焦耳(mJ)的情况相比，当第一光的量被设置为10mJ时，第一发光器件ED-1的发光效率被降低至0.56倍并且其寿命被降低至0.41倍，并且当第一光的量被设置为12mJ时，第一发光器件ED-1的发光效率被降低至0.42倍并且其寿命被降低至0.24倍。也就是说，当第一光的量被设置为3mJ时，发光效率最高，使得可以提供具有最长寿命的第一发光器件ED-1。
参考上面表1中的比较示例1至比较示例3的结果，可以确认，与第二光的量被设置为10mJ的情况相比，当第二光的量被设置为3mJ时，第二发光器件ED-2的发光效率被降低至0.63倍并且其寿命被降低至0.52倍，并且当第二光的量被设置为12mJ时，第二发光器件ED-2的发光效率被降低至0.86倍并且其寿命被降低至0.68倍。也就是说，当第二光的量被设置为10mJ时，发光效率最高，使得可以提供具有最长寿命的第二发光器件ED-2。
参考上面表1中的比较示例1至比较示例3的结果，可以确认，与第三光的量被设置为12mJ的情况相比，当第三光的量被设置为3mJ时，第三发光器件ED-3的发光效率被降低至0.51倍并且其寿命被降低至0.32倍，并且当第三光的量被设置为10mJ时，第三发光器件ED-3的发光效率被降低至0.79倍并且其寿命被降低至0.64倍。也就是说，当第三光的量被设置为12mJ时，发光效率最高，使得可以提供具有最长寿命的第三发光器件ED-3。
也就是说，根据比较示例1至比较示例3，可以确认，第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3当中的任一个发光器件被提供适于提供所需电子的量的光的量，并且因此可以具有高发光效率和长寿命，但是其余发光器件不被提供所需电子的量，并且因此具有相对低的发光效率和短寿命。
另一方面，根据本发明，可以确认，第一传输区域至第三传输区域中的每一个可以如示例1中那样以适当量的光照射，由此可以最大化第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的全部的发光效率和寿命。也就是说，通过适当地控制从第一传输区域至第三传输区域ETR-1、ETR-2和ETR-3中的光酸产生剂PG分解的酸的量，可以提供第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2、ED-3中的每一个中所需的电子的量。
另外，根据示例2，第三发光器件ED-3的发光效率可能被降低并且其寿命可能被缩短，但是只要发光效率被降低的程度和寿命被缩短的程度在显示装置DD(参见图1)的运行中是可接受的，通过同时制造第一传输区域ETR-1和第二传输区域ETR-2，可以通过工艺简化实现成本降低效果。
图10A至图10C是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。图10A至图10C各自图示在形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)中利用光照射的步骤S202(参见图7C)。在参考图10A和图10C描述用于制造实施例的发光器件的方法时，相同/相似的附图标记用于与参考图1至图8I描述的部件相同/相似的部件，并且省略其冗余描述。
参考图10A，在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，公共掩模MK-B1可以设置在预备电子传输层ETL-I上。在平面图中，公共掩模MK-B1可以具有限定在其上的与第一预备传输区域ETR-I1重叠的第一开口OP1、与第二预备传输区域ETR-12重叠的第二开口OP2以及与第三预备传输区域ETR-13重叠的第三开口OP3。
根据本实施例，具有第一透光率的第一光控膜FL1可以设置在第一开口OP1中，具有第二透光率的第二光控膜FL2可以设置在第二开口OP2中，并且具有第三透光率的第三光控膜FL3可以设置在第三开口OP3中。例如，第一光控膜至第三光控膜FL1、FL2和FL3中的每一个可以是光敏膜。根据本实施例，第一透光率至第三透光率可以彼此不同。例如，第二透光率可以高于第一透光率并且低于第三透光率。
在利用光照射的步骤S202中(参见图7C)，可以通过公共光照射装置LU-B利用公共光LT-B照射预备电子传输层ETL-I。照射的公共光LT-B可以穿过第一光控膜FL1并被照射在第一预备传输区域ETR-I1上，可以穿过第二光控膜FL2并被照射在第二预备传输区域ETR-I2上，并且可以穿过第三光控膜FL3并被照射在第三预备传输区域ETR-I3上。
在本实施例中，在公共光LT-B中，穿过第一开口OP1的光的强度、穿过第二开口OP2的光的强度和穿过第三开口OP3的光的强度可以彼此不同。相应地，基本上照射在第一预备传输区域ETR-I1上的光的强度、基本上照射在第二预备传输区域ETR-I2上的光的强度和基本上照射在第三预备传输区域ETR-I3上的光的强度可以彼此不同。也就是说，照射在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3上的每单位面积的光的量可以彼此不同。
例如，照射在第二预备传输区域ETR-I2上的每单位面积的光的量可以大于照射在第一预备传输区域ETR-I1上的每单位面积的光的量，并且可以小于照射在第三预备传输区域ETR-I3上的每单位面积的光的量。
参考图10B，在根据实施例的公共掩模MK-B2上，可以限定第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。具有第一透光率的第一光控膜FL1可以设置在第一开口OP1中，并且具有第二透光率的第二光控膜FL2可以设置在第二开口OP2中。不同于图10A中所示的公共掩模MK-B1，在本实施例的公共掩模MK-B2的第三开口OP3中，可以不设置单独的光控膜。相应地，通过公共光照射装置LU-B照射的公共光LT-B可以穿过第三开口OP3，并且被直接照射在第三预备传输区域ETR-I3上。
图10B示例性地图示不在第三开口OP3中设置单独的光控膜，但是本发明的实施例不限于此，并且在另一实施例中，可以不在第一开口OP1或第二开口OP2中设置单独的光控膜。
参考图10C，在根据实施例的公共掩模MK-B3上，可以在公共掩模MK-B3中限定第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。不同于图10A中所示的公共掩模MK-B1，在本实施例的公共掩模MK-B3中，具有第二透光率的第二光控膜FL2可以设置在第二开口OP2和第三开口OP3中的每一个中。也就是说，第二开口OP2中的透光率和第三开口OP3中的透光率可以基本上相同。
相应地，在本实施例中，在公共光LT-B中，穿过第二开口OP2和第三开口OP3并分别被照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3上的光的强度基本上相同，并且分别照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3上的每单位面积的光的量可以基本上相同。
图10C示例性地图示具有相同透光率的光控膜分别设置在第二开口OP2和第三开口OP3中，但是本发明的实施例不限于此，并且在另一实施例中，具有相同透光率的光控膜可以分别设置在第一开口OP1和第二开口OP2中或者第一开口OP1和第三开口OP3中。
图11A至图11C是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的步骤中的一些的截面图。图11A至图11C各自图示在形成电子传输层的步骤S200(参见图7A)中利用光照射的步骤S202(参见图7C)。在参考图11A至图11C描述用于制造实施例的发光器件的方法时，相同/相似的附图标记用于与参考图1至图8I描述的部件相同/相似的部件，并且省略其冗余描述。
参考图11A，在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，公共掩模MK-C1可以设置在预备电子传输层ETL-I上。在公共掩模MK-C1中，可以限定在平面图中与一个第一预备传输区域ETR-I1重叠的多个第一开口OP1-1、与一个第二预备传输区域ETR-I2重叠的多个第二开口OP2-1以及与一个第三预备传输区域ETR-I3重叠的多个第三开口OP3-1。第一开口至第三开口OP1-1、OP2-1和OP3-1中的每一个可以被提供成狭缝的形式。
在本实施例中，第一开口OP1-1之间的宽度W1(在下文中，第一狭缝宽度)、第二开口OP2-1之间的宽度W2(在下文中，第二狭缝宽度)和第三开口OP3-1之间的宽度W3(在下文中，第三狭缝宽度)可以彼此不同。例如，第二狭缝宽度W2可以大于第一狭缝宽度W1，并且小于第三狭缝宽度W3。
在利用光照射的步骤S202(参见图7C)中，可以通过公共光照射装置LU-C利用公共光LT-C照射预备电子传输层ETL-I。照射的公共光LT-C可以穿过第一开口OP1-1并被照射在第一预备传输区域ETR-I1上，可以穿过第二开口OP2-1并被照射在第二预备传输区域ETR-I2上，并且可以穿过第三开口OP3-1并被照射在第三预备传输区域ETR-I3上。
在本实施例中，在公共光LT-C中，穿过第一开口OP1-1的光的强度、穿过第二开口OP2-1的光的强度和穿过第三开口OP3-1的光的强度可以彼此不同。相应地，基本上照射在第一预备传输区域ETR-I1上的光的强度、基本上照射在第二预备传输区域ETR-I2上的光的强度和基本上照射在第三预备传输区域ETR-I3上的光的强度可以彼此不同。也就是说，照射在第一预备传输区域至第三预备传输区域ETR-I1、ETR-I2和ETR-I3上的每单位面积的光的量可以彼此不同。
例如，照射在第二预备传输区域ETR-I2上的每单位面积的光的量可以大于照射在第一预备传输区域ETR-I1上的每单位面积的光的量，并且可以小于照射在第三预备传输区域ETR-I3上的每单位面积的光的量。
参考图11B，不同于图11A中所示的公共掩模MK-C1，在根据实施例的公共掩模MK-C2中，可以限定在平面图中与一个第一预备传输区域ETR-I1重叠的多个第一开口OP1-1、与一个第二预备传输区域ETR-I2重叠的多个第二开口OP2-1以及与一个第三预备传输区域ETR-I3重叠的一个第三开口OP3-2。相应地，在本实施例中，通过公共光照射装置LU-C照射的公共光LT-C可以穿过第三开口OP3-2，并且被直接照射在第三预备传输区域ETR-I3上。
参考图11C，在根据实施例的公共掩模MK-C3中，可以限定在平面图中与一个第一预备传输区域ETR-I1重叠的多个第一开口OP1-1、与一个第二预备传输区域ETR-I2重叠的多个第二开口OP2-1以及与一个第三预备传输区域ETR-I3重叠的多个第三开口OP3-3。
不同于图11A中所示的实施例，在本实施例中，第二狭缝宽度W2和第三狭缝宽度W3-3可以基本上相同。第一狭缝宽度W1可以小于第二狭缝宽度W2和第三狭缝宽度W3-3中的每一个。相应地，在通过公共光照射装置LU-C照射的公共光LT-C中，穿过第二开口OP2-1和第三开口OP3-3的光的透射率可以基本上相同。
相应地，在本实施例中，在公共光LT-C中，穿过第二开口OP2-1和第三开口OP3-3并被分别照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3上的光的强度基本上相同，并且分别照射在第二预备传输区域ETR-I2和第三预备传输区域ETR-I3上的每单位面积的光的量可以基本上相同。
图12和图13是示出根据本发明的其他实施例的用于制造发光器件的方法的流程图。
参考图12，根据实施例的形成电子传输层的步骤S200a可以进一步包括：在利用光照射的步骤S202之后，在第一温度下执行第一热处理的步骤S202a和在第二温度下执行第二热处理的步骤S202b。
执行第一热处理的步骤S202a可以是在第一温度下对第一传输区域至第三传输区域执行热处理达预定时间段。由于根据实施例的形成电子传输层的步骤S200a包括执行第一热处理的步骤S202a，因此可以去除第一传输区域至第三传输区域中的不必要的残留溶剂，并且相应地，电子传输层ETL(参见图8I)可以被形成为均匀的薄膜。
在实施例中，第一温度不受特别限制，但是可以是大约100℃至大约150℃，优选地大约110℃至大约145℃。然而，本发明的实施例不限于此。在第一温度下执行第一热处理的步骤S202a中的热处理温度和热处理持续时间可以取决于材料的类型或量等适当地选择。
执行第二热处理的步骤S202b可以是在第二温度下执行热处理达预定时间段。通过执行第二热处理的步骤S202b，可以控制由光酸产生剂PG(参见图8H)形成的氢离子(H+)与金属氧化物MO(参见图8H)之间的相互作用的程度。
在实施例中，第二温度可以是低于上述第一温度的温度，并且可以是例如大约50℃至大约95℃，优选地大约60℃至大约85℃。
在实施例中，执行第二热处理的步骤S202b可以意指将具有预定波长的、一定强度的光连续暴露于第一传输区域至第三传输区域以稳定电子传输层的光学特性的步骤。另外，执行第二热处理的步骤S202b中的光的诸如波长、强度和曝光持续时间的条件可以取决于材料的类型适当地选择。执行第二热处理的步骤S202b是可以进一步提高发光器件的光效率的、用于提高电子传输层的光学物理特性的工艺。在一些情况下，可以省略执行第二热处理的步骤S202b。
参考图13，根据实施例的形成电子传输层的步骤S200b可以进一步包括在涂覆电子传输材料的步骤S201之后并且在利用光照射的步骤S202之前，在第一温度下执行第一热处理的步骤S202a，并且可以进一步包括在利用光照射的步骤S202之后，在第二温度下执行第二热处理的步骤S202b。
不同于图12，在图13的本实施例中，在利用光照射的步骤S202之前执行第一热处理的步骤S202a被执行，并且因此，可以在第一温度下对第一预备传输区域至第三预备传输区域执行第一热处理达预定时间段。也就是说，取决于电子传输材料中包括的材料，执行第一热处理的步骤S202a可以具有不同的工艺顺序。在本实施例中，在一些情况下可以省略执行第二热处理的步骤S202b。
根据本发明，通过使用包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物形成电子传输层，可以制造表现出提高的发光效率和寿命特性的发光器件。另外，通过提高发射不同颜色光的发光器件中的每一个的发光效率，可以制造具有提高的可靠性的发光器件。
虽然已经参考本发明的优选实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种修改和改变，而不脱离如权利要求书中阐述的本发明的精神和范围。因此，本发明的技术范围不旨在限于在说明书的详细描述中阐述的内容，而是旨在由权利要求书来限定。

Claims (22)

1.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：
提供基底层，配置为分别发射彼此不同的第一颜色光和第二颜色光的第一像素区域和第二像素区域被限定在所述基底层上；以及
在所述基底层上形成电子传输层，所述电子传输层包括分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域重叠的第一传输区域和第二传输区域，其中，所述电子传输层的所述形成包括：
在所述第一像素区域和所述第二像素区域上涂覆包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物，使得形成第一预备传输区域和第二预备传输区域；以及
利用光照射所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域，以分别从所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域形成所述第一传输区域和所述第二传输区域，
其中，在利用所述光的所述照射中，照射在所述第一预备传输区域上的每单位面积的所述光的量不同于照射在所述第二预备传输区域上的每单位面积的所述光的量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用所述光的所述照射包括：
利用第一光照射所述第一预备传输区域；以及
利用第二光照射所述第二预备传输区域，
其中，在利用所述第一光的所述照射中，在所述电子传输组合物上设置第一掩模，并且与所述第一预备传输区域重叠的第一开口被限定在所述第一掩模中，
其中，在利用所述第二光的所述照射中，在所述电子传输组合物上设置第二掩模，并且与所述第二预备传输区域重叠的第二开口被限定在所述第二掩模中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一光的强度不同于所述第二光的强度。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，照射所述第一光的时间段不同于照射所述第二光的时间段。
5.根据权利要求2所述的方法，其中：
在所述基底层上，配置为发射不同于所述第一颜色光和所述第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域被进一步限定；
所述电子传输组合物的所述涂覆进一步包括在所述第三像素区域上涂覆所述电子传输组合物，以进一步形成第三预备传输区域；并且
利用所述光的所述照射进一步包括使用其中与所述第三预备传输区域重叠的第三开口被限定的第三掩模，利用第三光照射所述第三预备传输区域，使得形成第三传输区域。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一光的强度、所述第二光的强度和所述第三光的强度彼此不同。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，照射所述第一光的时间段、照射所述第二光的时间段和照射所述第三光的时间段彼此不同。
8.根据权利要求2所述的方法，其中：
在所述基底层上，配置为发射不同于所述第一颜色光和所述第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域被进一步限定；
所述电子传输组合物的所述涂覆进一步包括在所述第三像素区域上涂覆所述电子传输组合物，以进一步形成第三预备传输区域；并且
在利用所述第二光的所述第二预备传输区域的所述照射中，与所述第三预备传输区域重叠的第三开口被进一步限定在所述第二掩模中，并且利用所述第二光照射所述第三预备传输区域。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在利用所述光的所述照射中，使用其上限定有与所述第一预备传输区域重叠的第一开口以及与所述第二预备传输区域重叠的第二开口的公共掩模，并且穿过所述第一开口的所述光的透射率不同于穿过所述第二开口的所述光的透射率。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，具有第一透光率的第一光控膜设置在所述第一开口中。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，具有不同于所述第一透光率的第二透光率的第二光控膜设置在所述第二开口中。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一开口被提供成多个且被提供成具有多个所述第一开口中的两个相邻的第一开口之间的第一狭缝宽度的狭缝形式。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二开口被提供成多个且被提供成具有多个所述第二开口中的两个相邻的第二开口之间的第二狭缝宽度的狭缝形式，并且所述第二狭缝宽度不同于所述第一狭缝宽度。
14.根据权利要求9所述的方法，其中：
在所述基底层上，配置为发射不同于所述第一颜色光和所述第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域被进一步限定；
所述电子传输组合物的所述涂覆进一步包括在所述第三像素区域上涂覆所述电子传输组合物，以进一步形成第三预备传输区域；并且
在利用所述光的所述照射中，与所述第三预备传输区域重叠的第三开口被进一步限定在所述公共掩模中，并且穿过所述第三开口的所述光的透射率不同于穿过所述第一开口的所述光的所述透射率和穿过所述第二开口的所述光的所述透射率。
15.根据权利要求9所述的方法，其中：
在所述基底层上，配置为发射不同于所述第一颜色光和所述第二颜色光的第三颜色光的第三像素区域被进一步限定；
所述电子传输组合物的所述涂覆进一步包括在所述第三像素区域上涂覆所述电子传输组合物，以进一步形成第三预备传输区域；并且
在利用所述光的所述照射中，与所述第三预备传输区域重叠的第三开口被进一步限定在所述公共掩模中，并且穿过所述第三开口的所述光的透射率与穿过所述第一开口的所述光的所述透射率和穿过所述第二开口的所述光的所述透射率中的任一个相同。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，在利用所述光的所述照射中，从所述第一预备传输区域中的所述光酸产生剂分解第一分解量的酸并且从所述第二预备传输区域中的所述光酸产生剂分解第二分解量的酸，并且所述第二分解量不同于所述第一分解量。
17.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述基底层包括分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域相对应的第一电极，并且
在所述电子传输层的所述形成之后，所述方法进一步包括：
在所述电子传输层上形成发光层，所述发光层包括分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域相对应的第一发光层和第二发光层；以及
在所述发光层上形成第二电极。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述基底层包括：
第一电极，分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域相对应；以及
发光层，设置在所述第一电极上并且包括分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域相对应的第一发光层和第二发光层，并且
所述方法进一步包括：
在所述电子传输层的所述形成之后，在所述电子传输层上形成第二电极。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电子传输层的所述形成进一步包括：
在所述电子传输组合物的所述涂覆之后并且在利用所述光的所述照射之前，对所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域执行热处理。
20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电子传输层的所述形成进一步包括：
在利用所述光的所述照射之后，对所述第一传输区域和所述第二传输区域执行热处理。
21.根据权利要求1所述的方法，其中，在利用所述光的所述照射之后，所述电子传输层的所述形成进一步包括：
在第一温度下对所述第一传输区域和所述第二传输区域执行第一热处理；以及
在所述第一热处理的所述执行之后，在不同于所述第一温度的第二温度下对所述第一传输区域和所述第二传输区域执行第二热处理。
22.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：
提供基底层，配置为分别发射彼此不同的第一颜色光和第二颜色光的第一像素区域和第二像素区域被限定在所述基底层上；以及
在所述基底层上形成电子传输层，所述电子传输层包括分别与所述第一像素区域和所述第二像素区域重叠的第一传输区域和第二传输区域，其中，所述电子传输层的所述形成包括：
在所述第一像素区域和所述第二像素区域上涂覆包括金属氧化物和光酸产生剂的电子传输组合物，使得分别形成第一预备传输区域和第二预备传输区域；以及
利用光照射所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域，使得分别从所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域形成所述第一传输区域和所述第二传输区域，
其中：所述第一预备传输区域和所述第二预备传输区域的所述光酸产生剂与所述金属氧化物的质量比相同，
在利用所述光的所述照射中，从所述第一预备传输区域中的所述光酸产生剂分解第一分解量的酸，并且从所述第二预备传输区域中的所述光酸产生剂分解第二分解量的酸，并且
所述第二分解量不同于所述第一分解量。
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