CN117134724A - 一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，包括输入模块、多级放大模块和输出模块；所述输入模块用于接收射频信号，并将所述射频信号分配至所述多级放大模块；所述多级放大模块用于对所述射频信号进行多级放大，得到多路子放大信号；所述输出模块用于将所述多路子放大信号适配和驱动到负载，并输出放大信号；所述输出模块包括谐波抑制网络；所述谐波抑制网络用于对所述合成放大信号进行滤波处理，得到放大信号；来实现宽带谐波抑制的电路结构，满足了功率放大器的谐波抑制指标要求。

Description

一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器。
背景技术
随着通信技术的发展，通信系统的复杂程度也变得越来越复杂。在工作于不同频段的雷达之间可能存在谐波干扰，功率放大器芯片作为雷达通信系统中的核心部件，其谐波抑制指标是功率放大器芯片的一个重要指标，对通信系统产生着至关重要的作用。对于超宽带功率放大器芯片，其二次谐波频率常位于工作频带内，传统的谐波抑制结构为单一滤除高次谐波，在滤除高次谐波的同时会滤除工作频带内高频段的有用信号，无法实现抑制二次谐波频率在工作频带内的情况。
为解决现有技术存在的问题，本发明提供了一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，来实现宽带谐波抑制的电路结构，满足了功率放大器的谐波抑制指标要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，包括输入模块、多级放大模块和输出模块；所述输入模块用于接收射频信号，并将所述射频信号分配至所述多级放大模块；所述输入模块包括输入网络和输入匹配网络；所述输入网络用于接收所述射频信号；所述输入匹配网络用于将第一级管芯的输入阻抗匹配到源端；所述多级放大模块用于对所述射频信号进行多级放大，得到多路子放大信号；所述多级放大模块包括稳定网络、偏置网络和级间匹配网络；所述稳定网络用于增大功率放大器的稳定性，保证功率放大器稳定，防止自激；所述偏置网络用于保证直流信号完整地传输到晶体管的漏极和栅极，并防止电路中的射频信号泄漏流入到直流电源；所述级间匹配网络用于多级级联放大电路之间的阻抗匹配；所述输出模块用于将所述多路子放大信号适配和驱动到负载，并输出放大信号；所述输出模块包括输出阻抗匹配网络、功率合成网络和谐波抑制网络；所述输出阻抗匹配网络用于实现输出和负载之间的阻抗匹配；所述功率合成网络用于对所述多路子放大信号进行功率合成，得到合成放大信号；所述谐波抑制网络用于对所述合成放大信号进行滤波处理，得到放大信号。
进一步的，所述多级放大模块为三级级联放大结构，包括第一级级联放大电路、第二级级联放大电路和第三级级联放大电路；所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路均包括所述稳定网络和所述偏置网络；所述第一级级联放大电路和所述第二级级联放大电路之间设置有第一二级级间匹配网络；所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路之间设置有第二三级级间匹配网络。
进一步的，所述偏置网络包括栅极偏置电路和漏极偏置电路；所述栅极偏置电路与所述稳定网络连接；所述稳定网络与所述漏极偏置电路连接。
进一步的，所述栅极偏置电路包括电阻、电感、电容和电源；电阻R1的一端与所述稳定网络连接，另一端与电感L1连接；所述电感L1的另一端与接地电容C1和电感L2连接；所述电感L2的另一端与电源DC1的正极连接；所述电源DC1的负极接地。
进一步的，所述漏极偏置电路包括电阻、电容和电源；电阻R2的一端与接地电容C2和电源DC2的正极连接；所述电源DC2的负极接地。
进一步的，所述稳定网络包括电感、电容和MOS管；电感L3和电容C3并联，一端接所述栅极偏置电路，另一端接MOS管M1的栅极；所述MOS管M1的漏极通过电阻R3与所述漏极偏置电路连接，源极接地。
进一步的，所述第二三级级间匹配网络为级间L型匹配网络，电阻和电容；电阻R4、电容C4和电阻R10的一端通过电容与第二级级联放大电路的漏极偏置电路和稳定网络连接；所述电阻R4的另一端与电阻R5、接地电容C5和电阻R6连接；所述电阻R5的另一端与接地电容C6和电阻R7连接；所述电阻R7的另一端与所述第三级级联放大电路连接；所述电阻R6的另一端与接地电容C7和电阻R8连接；所述电阻R8的另一端与所述第三级级联放大电路和电阻R9连接；所述电阻R9的另一端与接地电容C8和接地电容C9连接；所述电阻R10的另一端与电阻R11、接地电容C11和电阻R12连接；所述电阻R11的另一端与接地电容C10和电阻R13连接；所述电阻R13的另一端与所述第三级级联放大电路、接地电容C8和接地电容C9连接；所述电阻R12的另一端与接地电容C12和电阻R14连接；所述电阻R14的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
进一步的，所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路的栅宽比为1：2：4。
进一步的，所述功率合成网络和所述谐波抑制网络通过同一T型结的微带线实现，包括电阻和电容；电阻R15的一端与所述第三级级联放大电路连接，另一端与接地电容C13、电阻R16和电阻R17连接；所述电阻R16的另一端与电阻R18连接；所述电阻R18的另一端与所述谐波抑制网络和电阻R20连接；所述电阻R20的另一端与电阻R21连接；所述电阻R21的另一端与电阻R19、接地电容C14和电阻R22连接；所述电阻R17的另一端、所述电阻R19的另一端和所述电阻R22的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
进一步的，所述谐波抑制网络包括电阻、电容、电感、MOS管和电源；电容C15的一端与所述功率合成网络和电阻R23连接，所述电容C15的另一端与电阻R24、电容C16和电阻R25连接；所述电阻R23的另一端与所述电阻R24的另一端和MOS管M2的漏极连接；所述电阻R25的另一端与电阻R26和MOS管M3的漏极连接；所述电容C16的另一端和所述电阻R26的另一端连接，并从该端口输出所述放大信号；所述MOS管M2的栅极与电感L4连接，源极接地；所述电感L4的另一端与电源DC3的正极连接；所述电源DC3的负极接地；所述MOS管M3的栅极与电感L5连接，源极接地；所述电感L5的另一端与电源DC4的正极连接；所述电源DC4的负极接地。
本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：
本发明提供的一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器通过较小的漏极金属结构可以比传统的漏极金属结构达到更小的漏源电容，从而使功率放大器达到更高的效率，降低了漏源寄生电容。
本发明提供的一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器采用三级级联放大结构，利用源牵引和负载牵引技术得到不同栅宽下晶体管的阻抗进行阻抗匹配网络设计，输出末级采用功率合成网络与阻抗匹配网络的合成，缩小了芯片面积。版图布局考虑热稳定设计，密集布版。测试结果表明，功率放大器MMIC在5～10 GHz频带内，饱和输出功率可达18W，二次谐波抑制度可达50dBc。
附图说明
图1为本发明一些实施例提供的输入模块的示例性电路图；
图2为本发明一些实施例提供的第一级级联放大电路的示例性电路图；
图3为本发明一些实施例提供的第二级级联放大电路的示例性电路图；
图4为本发明一些实施例提供的第三级级联放大电路的示例性电路图；
图5为本发明一些实施例提供的输出模块的示例性电路图。
图标：1-输入网络，2-栅极偏置电路，3-漏极偏置电路，4-带有偏置电路的功率分配网络，5-级间L型匹配网络，6-谐波抑制网络。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
本发明提供的一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，包括输入模块、多级放大模块和输出模块，是一种具有新型超宽带谐波抑制结构的5GHz-10GHz GaN MMIC放大器芯片。
所述输入模块用于接收射频信号，并将所述射频信号分配至所述多级放大模块；如图1所示，所述输入模块包括输入网络和输入匹配网络。
输入网络用于接收所述射频信号；所述输入匹配网络用于将第一级管芯的输入阻抗匹配到源端。为了改善输入驻波系数在射频输入后接电阻，而后串联电容起隔直作用，防止电路中直流信号流到射频信号源。
所述多级放大模块用于对所述射频信号进行多级放大，得到多路子放大信号；所述多级放大模块包括稳定网络、偏置网络和级间匹配网络。所述稳定网络用于增大功率放大器的稳定性，保证功率放大器稳定，防止自激；所述偏置网络用于保证直流信号完整地传输到晶体管的漏极和栅极，并防止电路中的射频信号泄漏流入到直流电源；所述级间匹配网络用于多级级联放大电路之间的阻抗匹配。
在一些实施例中，所述多级放大模块为三级级联放大结构，包括第一级级联放大电路、第二级级联放大电路和第三级级联放大电路；所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路均包括所述稳定网络和所述偏置网络；所述第一级级联放大电路和所述第二级级联放大电路之间设置有第一二级级间匹配网络；所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路之间设置有第二三级级间匹配网络。
在一些实施例中，所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路的栅宽比为1：2：4。关于第一级级联放大电路、第二级级联放大电路、第三级级联放大电路、第一二级级间匹配网络和第二三级级间匹配网络的更多内容，参见图2、图3和图4，及其相关描述。
在一些实施例中，所述偏置网络包括栅极偏置电路和漏极偏置电路；所述栅极偏置电路与所述稳定网络连接；所述稳定网络与所述漏极偏置电路连接。关于栅极偏置电路和漏极偏置电路的更多内容，参见图2、图3和图4，及其相关描述。
所述输出模块用于将所述多路子放大信号适配和驱动到负载，并输出放大信号；所述输出模块包括输出阻抗匹配网络、功率合成网络和谐波抑制网络；所述输出阻抗匹配网络用于实现输出和负载之间的阻抗匹配；所述功率合成网络用于对所述多路子放大信号进行功率合成，得到合成放大信号；所述谐波抑制网络用于对所述合成放大信号进行滤波处理，得到放大信号。
在一些实施例中，该谐波抑制放大器的版图布局采用对称结构，在满足工艺规则要求下密集排版，相邻管胞之间共源连接，节省面积。电容采用MIM电容，通过多层工艺实现。而由于芯片面积小，而有源区管芯较多，热量集中，在单片上实现大功率的一大难点就是散热问题。为了保证芯片的热稳定性，有源区晶体管采用源跨栅接地的方式，因为衬底SiC热导率良好，通孔远离热源即栅条热导率更好，多胞并联方式可以有效分散热源，降低芯片热阻，提高芯片的长期可靠性。
图2为本发明一些实施例提供的第一级级联放大电路的示例性电路图。图3为本发明一些实施例提供的第二级级联放大电路的示例性电路图。图4为本发明一些实施例提供的第三级级联放大电路的示例性电路图。如图2、图3和图4所示，第一级级联放大电路、第二级级联放大电路和第三级级联放大电路均包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和稳定网络。
在一些实施例中，所述栅极偏置电路包括电阻、电感、电容和电源；电阻R1的一端与所述稳定网络连接，另一端与电感L1连接；所述电感L1的另一端与接地电容C1和电感L2连接；所述电感L2的另一端与电源DC1的正极连接；所述电源DC1的负极接地。
在一些实施例中，所述漏极偏置电路包括电阻、电容和电源；电阻R2的一端与接地电容C2和电源DC2的正极连接；所述电源DC2的负极接地。
偏置网络（即，栅极偏置电路和漏极偏置电路）在对晶体管（每一级级联放大电路中的MOS管）漏极和栅极馈电时，需要通过偏置网络，作用是保证直流信号完整地传输到晶体管漏极和栅极，同时也要防止电路中的射频信号泄漏流入到直流电源，射频电路中典型的偏置网络由四分之波长微带线和旁路电容接地组成，旁路电容容值较大，只有大于一定频率的信号才能通过，对于本次输入的射频信号是短路点，而对于直流信号无法通过旁路电容到地，四分之波长微带线可以把接地的短路点变为开路点，即实现了防止射频信号泄漏的作用。
在一些实施例中，为了进一步提高放大器效率和缩小版图面积，设计的偏置线比四分之波长更短，通过调谐偏置线长度和与之连接的匹配电路共同进行阻抗变换。在栅极偏置网络上，由于栅极电流几乎为0，所以串联小电阻，能增强电路稳定性，消除振荡。
在一些实施例中，所述稳定网络包括电感、电容和MOS管；电感L3和电容C3并联，一端接所述栅极偏置电路，另一端接MOS管M1的栅极；所述MOS管M1的漏极通过电阻R3与所述漏极偏置电路连接，源极接地。其中，稳定网络采用电阻和电容并联的方式，增大了功率放大器的稳定性，保证了功率放大器的稳定，防止自激。为了让功率放大器处于稳定状态，即稳定性系数大于1。在前两级管芯的栅偏置输入端接入电阻－电容RC并联网络，并联电容是为了使晶体管有效栅极电容降低，能够提升整个电路的截止频率，并联电阻的作用为在不损失高频增益的情况下，保障功率放大器芯片的稳定性，防止电路自激。而在末级，由于功率较大，而且末级电路的性能对于输出功率和效率影响非常大，若也加入稳定网络，会很大程度影响效率，所以第三极不加RC稳定网络。
第一级级联放大电路和所述第二级级联放大电路通过第一二级级间匹配网络连接；所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路通过第二三级级间匹配网络连接。
在一些实施例中，所述第二三级级间匹配网络为级间L型匹配网络，包括电阻和电容；电阻R4、电容C4和电阻R10的一端通过电容与第二级级联放大电路的漏极偏置电路和稳定网络连接；所述电阻R4的另一端与电阻R5、接地电容C5和电阻R6连接；所述电阻R5的另一端与接地电容C6和电阻R7连接；所述电阻R7的另一端与所述第三级级联放大电路连接；所述电阻R6的另一端与接地电容C7和电阻R8连接；所述电阻R8的另一端与所述第三级级联放大电路和电阻R9连接；所述电阻R9的另一端与接地电容C8和接地电容C9连接；所述电阻R10的另一端与电阻R11、接地电容C11和电阻R12连接；所述电阻R11的另一端与接地电容C10和电阻R13连接；所述电阻R13的另一端与所述第三级级联放大电路、接地电容C8和接地电容C9连接；所述电阻R12的另一端与接地电容C12和电阻R14连接；所述电阻R14的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
功率放大器最终功率的输出大小和效率的高低，除了和晶体管本身饱和输出功率有关，阻抗匹配网络的影响也很大。三级级联放大结构中，各级之间匹配网络着重点不同，其中输入匹配网络是将第一级管芯的输入阻抗匹配到源端50欧姆，主要改善输入反射系数，第一极间匹配网络不再需要匹配到50欧姆，而是将第一级管芯的输出阻抗共轭匹配到第二级管芯的输入阻抗，也可以将两者匹配到中间值，这一级的匹配网络主要是提高增益和降低损耗。第二三级级间匹配网络和末级的输出阻抗匹配网络对于输出功率和功率附加效率的影响相比于前面匹配网络更大。第二三级级间匹配网络设计三节L型网络，匹配到第三极管胞的输入阻抗，其中偏置线和匹配网络可以共同控制第二级输出二次谐波阻抗和第三级输入二次谐波阻抗。该谐波抑制的宽带功率放大器的工作频率为5GHz-10GHz，带宽为5GHz，中心频率为7.5GHz，相对工作带宽为66.6%，射频电路组件相对工作带宽大于50%，属于宽带放大器范围，所以简单的窄带匹配不符合设计频带要求。选用集总参数元件和分布参数元件混合使用的匹配结构，即用微带线和电容组合的T型匹配网络和多节L型匹配结构。
在一些实施例中，第一二级级间匹配网络还通过在漏极偏置电路外围设置外围器件，即，在电阻R2连接电阻R3的一端连接电阻和电容，并通过电容连接两个额外的电阻构成带有偏置电路的功率分配网络。其中，漏极偏置电路不加电阻，原因是漏极电流大，加电阻会造成电路损耗。串联电容为了起到隔直作用，只要有直流电加入，就要后接隔直电容。而后接入一路分两路功分器，再接L型匹配网络。
图5为本发明一些实施例提供的输出模块的示例性电路图。如图5所示，输出模块包括输出阻抗匹配网络、功率合成网络和谐波抑制网络。
在一些实施例中，所述功率合成网络和所述谐波抑制网络通过同一T型结的微带线实现，包括电阻和电容；电阻R15的一端与所述第三级级联放大电路的漏极偏置电路连接，另一端与接地电容C13、电阻R16和电阻R17连接；所述电阻R16的另一端与电阻R18连接；所述电阻R18的另一端与所述谐波抑制网络和电阻R20连接；所述电阻R20的另一端与电阻R21连接；所述电阻R21的另一端与电阻R19、接地电容C14和电阻R22连接；所述电阻R17的另一端、所述电阻R19的另一端和所述电阻R22的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
首先利用微带线组成的T型结进行两路信号功率合成，然后经过下一个T型结进行四路合成的同时，并联接地电容，电容与微带线组成L型结构进行了阻抗匹配，最后再经过一个T型结进行八路功率合成，所有组成T型结的微带线既实现了功率合成也进行了阻抗匹配。完成功率合成后，输出信号会通过可调的谐波抑制网络进行滤波处理。在输出网络中，漏极偏置电路和谐波抑制网络中各元件都参与了阻抗匹配，使晶体管最佳输出阻抗匹配到负载的50欧姆阻抗。
在一些实施例中，所述谐波抑制网络包括电阻、电容、电感、MOS管和电源；电容C15的一端与所述功率合成网络和电阻R23连接，所述电容C15的另一端与电阻R24、电容C16和电阻R25连接；所述电阻R23的另一端与所述电阻R24的另一端和MOS管M2的漏极连接；所述电阻R25的另一端与电阻R26和MOS管M3的漏极连接；所述电容C16的另一端和所述电阻R26的另一端连接，并从该端口输出所述放大信号；所述MOS管M2的栅极与电感L4连接，源极接地；所述电感L4的另一端与电源DC3的正极连接；所述电源DC3的负极接地；所述MOS管M3的栅极与电感L5连接，源极接地；所述电感L5的另一端与电源DC4的正极连接；所述电源DC4的负极接地。
该谐波抑制网络中的细长微带线可等效为电感，与电容组成LC谐振网络，两个晶体管起开关作用，栅压的大小决定了漏极到源极是否导通。这种可调谐波抑制电路是通过控制晶体管的栅压来实现，当两个晶体管断开时，相当于两个并联LC谐振网络级联，此时电路表现为带阻特性，可以抑制10GHz到20GHz频率范围的二次谐波，而5GHz到8GHz频率范围内的信号可以低损耗地通过。当两个晶体管导通时，微带线一端连通地，相当于电感接地，此时电路相当于一个高通滤波电路，可以低损耗地输出8GHz到10GHz的射频放大信号。相比于传统的谐波抑制网络，通过控制开关的开断，可以对工作频带内C波段（5GHz-8GHz）和X波段（8GHz-10GHz）射频放大信号进行切换，根据应用需求对其中一个频段进行低损耗输出，同时实现二次谐波的高抑制效果。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，包括输入模块、多级放大模块和输出模块；
所述输入模块用于接收射频信号，并将所述射频信号分配至所述多级放大模块；所述输入模块包括输入网络和输入匹配网络；
所述输入网络用于接收所述射频信号；
所述输入匹配网络用于将第一级管芯的输入阻抗匹配到源端；
所述多级放大模块用于对所述射频信号进行多级放大，得到多路子放大信号；所述多级放大模块包括稳定网络、偏置网络和级间匹配网络；
所述稳定网络用于增大功率放大器的稳定性，保证功率放大器稳定，防止自激；
所述偏置网络用于保证直流信号完整地传输到晶体管的漏极和栅极，并防止电路中的射频信号泄漏流入到直流电源；
所述级间匹配网络用于多级级联放大电路之间的阻抗匹配；
所述输出模块用于将所述多路子放大信号适配和驱动到负载，并输出放大信号；所述输出模块包括输出阻抗匹配网络、功率合成网络和谐波抑制网络；
所述输出阻抗匹配网络用于实现输出和负载之间的阻抗匹配；
所述功率合成网络用于对所述多路子放大信号进行功率合成，得到合成放大信号；
所述谐波抑制网络用于对所述合成放大信号进行滤波处理，得到放大信号。
2.根据权利要求1所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述多级放大模块为三级级联放大结构，包括第一级级联放大电路、第二级级联放大电路和第三级级联放大电路；所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路均包括所述稳定网络和所述偏置网络；所述第一级级联放大电路和所述第二级级联放大电路之间设置有第一二级级间匹配网络；所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路之间设置有第二三级级间匹配网络。
3.根据权利要求2所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述偏置网络包括栅极偏置电路和漏极偏置电路；
所述栅极偏置电路与所述稳定网络连接；
所述稳定网络与所述漏极偏置电路连接。
4.根据权利要求3所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述栅极偏置电路包括电阻、电感、电容和电源；
电阻R1的一端与所述稳定网络连接，另一端与电感L1连接；
所述电感L1的另一端与接地电容C1和电感L2连接；
所述电感L2的另一端与电源DC1的正极连接；
所述电源DC1的负极接地。
5.根据权利要求3所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述漏极偏置电路包括电阻、电容和电源；
电阻R2的一端与接地电容C2和电源DC2的正极连接；
所述电源DC2的负极接地。
6.根据权利要求3所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述稳定网络包括电感、电容和MOS管；
电感L3和电容C3并联，一端接所述栅极偏置电路，另一端接MOS管M1的栅极；
所述MOS管M1的漏极通过电阻R3与所述漏极偏置电路连接，源极接地。
7.根据权利要求2所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述第二三级级间匹配网络为级间L型匹配网络，包括电阻和电容；
电阻R4、电容C4和电阻R10的一端通过电容与第二级级联放大电路的漏极偏置电路和稳定网络连接；
所述电阻R4的另一端与电阻R5、接地电容C5和电阻R6连接；
所述电阻R5的另一端与接地电容C6和电阻R7连接；
所述电阻R7的另一端与所述第三级级联放大电路连接；
所述电阻R6的另一端与接地电容C7和电阻R8连接；
所述电阻R8的另一端与所述第三级级联放大电路和电阻R9连接；
所述电阻R9的另一端与接地电容C8和接地电容C9连接；
所述电阻R10的另一端与电阻R11、接地电容C11和电阻R12连接；
所述电阻R11的另一端与接地电容C10和电阻R13连接；
所述电阻R13的另一端与所述第三级级联放大电路、接地电容C8和接地电容C9连接；
所述电阻R12的另一端与接地电容C12和电阻R14连接；
所述电阻R14的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
8.根据权利要求2所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述第一级级联放大电路、所述第二级级联放大电路和所述第三级级联放大电路的栅宽比为1：2：4。
9.根据权利要求1所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述功率合成网络和所述谐波抑制网络通过同一T型结的微带线实现，包括电阻和电容；
电阻R15的一端与所述第三级级联放大电路连接，另一端与接地电容C13、电阻R16和电阻R17连接；
所述电阻R16的另一端与电阻R18连接；
所述电阻R18的另一端与所述谐波抑制网络和电阻R20连接；
所述电阻R20的另一端与电阻R21连接；
所述电阻R21的另一端与电阻R19、接地电容C14和电阻R22连接；
所述电阻R17的另一端、所述电阻R19的另一端和所述电阻R22的另一端与所述第三级级联放大电路连接。
10.根据权利要求1所述的具有谐波抑制网络的宽带功率放大器，其特征在于，所述谐波抑制网络包括电阻、电容、电感、MOS管和电源；
电容C15的一端与所述功率合成网络和电阻R23连接，所述电容C15的另一端与电阻R24、电容C16和电阻R25连接；
所述电阻R23的另一端与所述电阻R24的另一端和MOS管M2的漏极连接；
所述电阻R25的另一端与电阻R26和MOS管M3的漏极连接；
所述电容C16的另一端和所述电阻R26的另一端连接，并从该端口输出所述放大信号；
所述MOS管M2的栅极与电感L4连接，源极接地；
所述电感L4的另一端与电源DC3的正极连接；
所述电源DC3的负极接地；
所述MOS管M3的栅极与电感L5连接，源极接地；
所述电感L5的另一端与电源DC4的正极连接；
所述电源DC4的负极接地。
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