CN117130503A - 显示装置 - Google Patents

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CN117130503A CN202310554181.1A CN202310554181A CN117130503A CN 117130503 A CN117130503 A CN 117130503A CN 202310554181 A CN202310554181 A CN 202310554181A CN 117130503 A CN117130503 A CN 117130503A
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宋姬林
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李哲坤
田武经
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Abstract

本公开提供一种显示装置，有源区域和与有源区域相邻的外围区域限定在所述显示装置中。所述显示装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上；以及元件层，设置在电路层上并且包括发光元件和光接收元件。电路层包括：像素驱动电路，连接到发光元件；传感器驱动电路，连接到光接收元件；多条复位电压布线，设置在有源区域中并且将复位电压提供到传感器驱动电路；以及复位电压强化布线，设置在外围区域中，所述复位电压强化布线连接到多条复位电压布线并且在第一方向上延伸。

Description

显示装置
技术领域
本发明构思的实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够识别生物特征信息的显示装置。
背景技术
显示装置提供用户可以通过其与显示装置进行交互的各种各样的功能，诸如显示图像以向用户提供信息以及检测用户的输入。最近的显示装置还包括用于感测用户的生物特征信息的功能。
生物特征信息识别方法包括用于感测在电极之间产生的电容的变化的电容性方法、用于使用光学传感器感测入射光的光学方法和用于使用例如压电器件感测振动的超声波方法等。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种能够提高用于生物特征信息识别的传感器的感测性能的显示装置。
本发明构思的实施例提供一种显示装置，有源区域和与所述有源区域相邻的外围区域限定在所述显示装置中。所述显示装置包括基体层、设置在所述基体层上的电路层以及设置在所述电路层上并且包括发光元件和光接收元件的元件层。
在实施例中，所述电路层包括：像素驱动电路，连接到所述发光元件；传感器驱动电路，连接到所述光接收元件；多条复位电压布线，设置在所述有源区域中并且被配置为将复位电压提供到所述传感器驱动电路；以及复位电压强化布线，设置在所述外围区域中，所述复位电压强化布线连接到所述多条复位电压布线，并且在第一方向上延伸。
在实施例中，显示图像的有源区域以及外围区域限定在显示装置中，所述外围区域包括设置在所述有源区域的上侧的第一外围区域、设置在所述有源区域的下侧的第二外围区域以及分别设置在所述有源区域的左侧和右侧的第三外围区域和第四外围区域。所述显示装置包括：基体层、设置在所述基体层上的电路层以及设置在所述电路层上并且包括发光元件和光接收元件的元件层。
在实施例中，所述电路层包括：复位电压强化布线，设置在所述第一外围区域和所述第二外围区域中并且连接到所述有源区域中的复位电压布线；以及复位控制强化布线、第一初始化电压强化布线和第二初始化电压强化布线，设置在所述第三外围区域和所述第四外围区域中。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的实施例，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本发明构思的实施例的显示装置的截面图；
图3是根据本发明构思的实施例的显示装置的框图；
图4A和图4B是根据本发明构思的实施例的显示面板的部分的放大平面图；
图5A是示出根据本发明构思的实施例的像素中的一个和对应的传感器的电路图；
图5B是在描述图5A中所示的像素和传感器的操作时参照的波形图；
图6是根据本发明构思的实施例的显示面板的截面图；
图7是根据本发明构思的实施例的显示装置的平面图；
图8A至图8G是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图；
图9A至图9G是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图；
图10A至图10I是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图；
图11A是根据本发明构思的实施例的电路层的一部分的放大图；
图11B和图11C是根据本发明构思的实施例的沿着图11A的线I-I'截取的截面图；
图12A是根据本发明构思的实施例的电路层的一部分的放大图；
图12B是图12A的区域XX'的放大图；以及
图13A和图13B是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的发光元件和光接收元件的截面图。
具体实施方式
将参照附图在下文中更充分地描述本发明构思的实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以指代同样的元件。
将理解的是，当诸如膜、区、层等的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”、“耦接到”另一组件或“与”另一组件“相邻”时，所述组件可以直接在另一组件上、直接连接到、直接耦接到所述另一组件或直接与所述另一组件相邻，或者可以存在居间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，所述组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者还可以存在一个或多个居间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，所述组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或多个居间组件还可以覆盖所述另一组件。用于描述组件之间的关系的其它词语应以同样的方式进行解释。
如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。
如本文中使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
为了易于描述，本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“具有”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图。图2是根据本发明构思的实施例的显示装置的截面图。
参照图1和图2，根据本发明构思的实施例的显示装置DD可以具有矩形形状，所述矩形形状具有与第一方向DR1平行的长边(例如，左边和右边)和与同第一方向DR1交叉的第二方向DR2平行的短边(例如，上边和下边)。然而，显示装置DD不限于此，并且可以具有诸如以圆形和其它多边形形状为例的各种形状。
显示装置DD可以是根据电信号而激活的装置。显示装置DD可以包括各种实施例。例如，显示装置DD可以应用于诸如智能手表、平板计算机、膝上型计算机、个人计算机和智能电视机的电子装置。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直的法线方向限定为第三方向DR3。在本说明书中，“当在平面中观察时”或“当在平面图中观察时”可以表示在第三方向DR3上观察的状态。
显示装置DD的顶表面可以限定为显示表面IS，并且可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。由显示装置DD产生的图像IM可以通过显示表面IS提供给用户。
显示表面IS可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是显示图像IM的区域。用户通过透射区域TA观察图像IM。在实施例中，透射区域TA被示出为具有倒圆的顶点的矩形形状。然而，这是作为示例说明的，并且透射区域TA不限于此，并且可以具有各种形状。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。因此，透射区域TA的形状可以基本上由边框区域BZA限定。然而，这是作为示例说明的，并且边框区域BZA可以设置为仅与透射区域TA的一侧相邻，或者可以根据实施例省略边框区域BZA。
显示装置DD可以感测从显示装置DD的外部施加的外部输入。外部输入可以包括从显示装置DD的外部提供的各种类型的输入。例如，除了通过身体的一部分(诸如用户的手指US_F)或通过单独的装置(例如，有源笔、数字化仪等)的接触之外，外部输入还可以包括靠近显示装置DD或在预定距离处与显示装置DD相邻而不与显示装置DD进行直接接触而施加的外部输入(例如，悬停)。另外，外部输入可以具有诸如力、压力、温度和光的各种类型。
显示装置DD可以感测从显示装置DD的外部施加的用户的生物特征信息。能够感测用户的生物特征信息的生物特征信息感测区域可以被提供在显示装置DD的显示表面IS上。生物特征信息感测区域可以被提供在整个透射区域TA中，或者可以被提供在透射区域TA的局部区域中。例如，生物特征信息感测区域可以在实施例中与透射区域TA的整个尺寸对应，或者可以在实施例中与小于整个透射区域TA的局部区域对应。根据本发明构思的实施例，图1示出了整个透射区域TA被用作生物特征信息感测区域的情况。
显示装置DD可以包括窗WM、显示模块DM和壳体EDC。在实施例中，窗WM和壳体EDC组合以构成显示装置DD的外观。
窗WM的前表面限定显示装置DD的显示表面IS。窗WM可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗WM可以包括玻璃或塑料。窗WM可以具有多层结构或单层结构。例如，窗WM可以包括用粘合剂接合的多个塑料膜，或者可以包括用粘合剂接合的玻璃基底和塑料膜。
显示模块DM可以包括显示面板DP和输入感测层ISL。显示面板DP可以根据电信号显示图像，并且输入感测层ISL可以感测从显示装置DD的外部施加的外部输入。外部输入可以以各种类型提供。
根据本发明构思的实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是不受特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括例如量子点和量子棒等。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
参照图2，显示面板DP包括基体层BL、电路层DP_CL、元件层DP_ED和封装层TFE。根据本发明构思的实施例的显示面板DP可以是柔性显示面板。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，显示面板DP可以是围绕折叠轴折叠的可折叠显示面板或刚性显示面板。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以是例如聚酰亚胺类树脂层，并且合成树脂层的材料不受特别限制。另外，基体层BL可以包括例如玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底等。
电路层DP_CL设置在基体层BL上。电路层DP_CL设置在基体层BL和元件层DP_ED之间。电路层DP_CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，包括在电路层DP_CL中的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机膜和至少一个中间有机膜。电路元件可以包括例如包含在用于显示图像的多个像素中的每一个中的像素驱动电路以及包含在用于识别外部信息的多个传感器中的每一个中的传感器驱动电路等。外部信息可以是生物特征信息。根据本发明构思的实施例，传感器可以是指纹识别传感器、接近度传感器和虹膜识别传感器等。另外，传感器可以是用于以光学方式识别生物特征信息的光学传感器。电路层DP_CL还可以包括连接到像素驱动电路和/或传感器驱动电路的信号线。
元件层DP_ED可以包括包含在像素中的每一个中的发光元件和包含在传感器中的每一个中的光接收元件。根据本发明构思的实施例，光接收元件可以是光电二极管。光接收元件可以是感测或响应于被用户的指纹反射的光的传感器。电路层DP_CL和元件层DP_ED将在下面参照图6和图8A至图10I详细描述。
封装层TFE密封元件层DP_ED。封装层TFE可以包括至少一个有机膜和至少一个无机膜。无机膜可以包括无机材料并且可以保护元件层DP_ED免受例如湿气/氧的影响。无机膜可以包括例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等，但不特别局限于此。有机膜可以包括有机材料，并且可以保护元件层DP_ED免受诸如以灰尘颗粒为例的异物的影响。
输入感测层ISL可以设置在显示面板DP上。输入感测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。根据本发明构思的实施例，输入感测层ISL可以通过连续的工艺被提供在显示面板DP上。也就是说，在实施例中，当输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上时，粘合剂膜不设置在输入感测层ISL和封装层TFE之间。可选地，在实施例中，粘合剂膜可以设置在输入感测层ISL和显示面板DP之间。在这种情况下，在通过与显示面板DP的工艺分开的工艺制造(而不是与显示面板DP一起通过连续的工艺制造)之后，输入感测层ISL可以通过粘合剂膜固定到显示面板DP的顶表面。
输入感测层ISL可以感测外部输入(例如，用户的触摸)，将外部输入转换为预定的输入信号，并且将输入信号提供到显示面板DP。输入感测层ISL可以包括用于感测外部输入的多个感测电极。感测电极可以以电容性的方式感测外部输入。显示面板DP可以从输入感测层ISL接收输入信号，并且产生与输入信号对应的图像。
显示模块DM还可以包括滤色器层CFL。根据本发明构思的实施例，滤色器层CFL可以设置在输入感测层ISL上。然而，本发明构思的实施例不限于此。滤色器层CFL也可以设置在显示面板DP和输入感测层ISL之间。滤色器层CFL可以包括多个滤色器和黑矩阵。
关于输入感测层ISL和滤色器层CFL的结构的细节将在下面描述。
根据本发明构思的实施例的显示装置DD还可以包括粘合剂层AL。窗WM可以通过粘合剂层AL附接到滤色器层CFL。粘合剂层AL可以包括例如光学透明粘合剂(OCA)、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合剂(PSA)。
壳体EDC与窗WM组合以提供预定的内部空间。显示模块DM可以被容纳在内部空间中。壳体EDC可以包括具有相对高的刚性的材料。例如，壳体EDC可以包括玻璃、塑料、金属或由它们的组合构成的多个框架和/或板。壳体EDC可以安全地保护显示装置DD的被容纳在内部空间中的组件免受外部冲击。在实施例中，用于供应用于显示装置DD的整体操作的电力的电池模块等可以设置在显示模块DM和壳体EDC之间。
图3是根据本发明构思的实施例的显示装置的框图。
参照图3，显示装置DD包括显示面板DP、面板驱动器和驱动控制器100。根据本发明构思的实施例，面板驱动器包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发射驱动器350、电压发生器400和读出电路500。
驱动控制器100接收图像信号RGB和控制信号CTRL。驱动控制器100根据驱动控制器100和数据驱动器200之间的接口规范产生通过转换图像信号RGB的数据格式而获得的图像数据DATA。驱动控制器100输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS和第四控制信号RCS。
数据驱动器200从驱动控制器100接收第三控制信号DCS和图像数据DATA。数据驱动器200将图像数据DATA转换为数据信号，并且将数据信号输出到下面描述的多条数据线DL1、DL2、……和DLm，其中，m是正整数。数据信号是与图像数据DATA的色阶值对应的模拟电压。
扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS将扫描信号输出到扫描线。
电压发生器400产生用于显示面板DP的操作的电压。在实施例中，电压发生器400产生第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1以及第二初始化电压VINT2。
显示面板DP可以包括与透射区域TA(在图1中示出)对应的有源区域DA和与边框区域BZA(在图1中示出)对应的外围区域NDA。
显示面板DP可以包括设置在有源区域DA中的多个像素PX和设置在有源区域DA中的多个传感器FX。根据本发明构思的实施例，多个传感器FX中的每一个可以设置在彼此相邻的两个像素PX之间。多个像素PX和多个传感器FX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上交替地布置。然而，本发明构思的实施例不限于此。也就是说，根据实施例，两个或更多个像素PX可以设置在多个传感器FX之中的在第一方向DR1上彼此相邻的两个传感器FX之间，或者两个或更多个像素PX可以设置在多个传感器FX之中的在第二方向DR2上彼此相邻的两个传感器FX之间。
显示面板DP还包括初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn、数据线DL1至DLm以及读出线RL1、RL2、……和RLh，其中，n、m和h中的每一者是正整数。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn在第一方向DR1上彼此间隔开。数据线DL1至DLm和读出线RL1至RLh在第一方向DR1上延伸，并且在第二方向DR2上彼此间隔开。
多个像素PX中的每一个电连接到初始化扫描线SIL1至SILn中的对应的初始化扫描线、补偿扫描线SCL1至SCLn中的对应的补偿扫描线、写入扫描线SWL1至SWLn中的对应的写入扫描线、黑色扫描线SBL1至SBLn中的对应的黑色扫描线、发射控制线EML1至EMLn中的对应的发射控制线以及数据线DL1至DLm中的对应的数据线。例如，多个像素PX中的每一个可以电连接到四条扫描线。然而，连接到像素PX中的每一个的扫描线的数量不限于此，并且可以根据实施例而改变。
多个传感器FX中的每一个电连接到写入扫描线SWL1至SWLn中的对应的写入扫描线和读出线RL1至RLh中的对应的读出线。多个传感器FX中的每一个可以电连接到一条扫描线。然而，本发明构思的实施例不限于此。连接到传感器FX中的每一个的扫描线的数量可以改变。根据本发明构思的实施例，读出线RL1至RLh的数量可以小于或等于数据线DL1至DLm的数量。例如，读出线RL1至RLh的数量可以与数据线DL1至DLm的数量的1/2、1/4或1/8等对应。
扫描驱动器300可以设置在显示面板DP的外围区域NDA中。扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。响应于第一控制信号SCS，扫描驱动器300将初始化扫描信号输出到初始化扫描线SIL1至SILn，并且将补偿扫描信号输出到补偿扫描线SCL1至SCLn。另外，响应于第一控制信号SCS，扫描驱动器300可以将写入扫描信号输出到写入扫描线SWL1至SWLn，并且可以将黑色扫描信号输出到黑色扫描线SBL1至SBLn。可选地，扫描驱动器300可以包括第一扫描驱动器和第二扫描驱动器。第一扫描驱动器可以输出初始化扫描信号和补偿扫描信号，并且第二扫描驱动器可以输出写入扫描信号和黑色扫描信号。
发射驱动器350可以设置在显示面板DP的外围区域NDA中。发射驱动器350从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发射驱动器350可以响应于第二控制信号ECS将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。可选择地，扫描驱动器300可以连接到发射控制线EML1至EMLn。在这种情况下，可以省略发射驱动器350，并且扫描驱动器300可以将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。
读出电路500从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。读出电路500可以响应于第四控制信号RCS从读出线RL1至RLh接收读出信号。读出电路500可以处理从读出线RL1至RLh接收的读出信号，并且向驱动控制器100提供通过处理接收的读出信号而获得的检测信号S_FS。驱动控制器100可以基于检测信号S_FS识别生物特征信息。
图4A和图4B是根据本发明构思的实施例的显示面板的部分的放大平面图。
参照图4A，显示面板DP包括多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB以及多个传感器FX。
多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB可以被分组为多个基准像素单元RPU。根据本发明构思的实施例，基准像素单元RPU中的每一个可以包括四个像素，即，两个第一像素PXG1和PXG2(在下文中被称为第一绿色像素PXG1和第二绿色像素PXG2)、一个第三像素PXR(在下文中被称为红色像素PXR)和一个第四像素PXB(在下文中被称为蓝色像素PXB)。然而，包括在基准像素单元RPU中的每一个中的像素的数量不限于此。可选地，基准像素单元RPU中的每一个可以包括三个像素，即，第一绿色像素PXG1(或第二绿色像素PXG2)、红色像素PXR和蓝色像素PXB。
第一绿色像素PXG1和第二绿色像素PXG2分别包括第一发光元件ED_G1和第二发光元件ED_G2(在下文中被称为第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2)，红色像素PXR包括第三发光元件ED_R(在下文中被称为红色发光元件ED_R)，并且蓝色像素PXB包括第四发光元件ED_B(在下文中被称为蓝色发光元件ED_B)。根据本发明构思的实施例，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者输出第一颜色光(例如，绿光)，红色发光元件ED_R输出与第一颜色光不同的第二颜色光(例如，红光)，并且蓝色发光元件ED_B输出与第一颜色光和第二颜色光不同的第三颜色光(例如，蓝光)。从第一绿色发光元件ED_G1输出的绿光可以与从第二绿色发光元件ED_G2输出的绿光具有相同的波段。
在第一方向DR1和第二方向DR2上，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以交替且重复地布置。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1和第二方向DR2上交替且重复地布置。在第一方向DR1和第二方向DR2上，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以分别布置在与其中布置有红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的行和列不同的行和列中。
根据本发明构思的实施例，红色发光元件ED_R可以具有大于第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者的尺寸的尺寸。另外，蓝色发光元件ED_B可以具有大于红色发光元件ED_R的尺寸的尺寸或与红色发光元件ED_R的尺寸相同的尺寸。发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的每一者的尺寸不限于此，并且可以根据实施例进行各种修改。例如，在本发明构思的实施例中，发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B也可以具有相同的尺寸。
第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的形状不同的形状。根据本发明构思的实施例，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一者可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的八边形形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以具有相同或不同的尺寸，但是具有相同的形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一者的形状不限于此。例如，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一者可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的八边形形状，或者可以具有正方形形状和矩形形状中的一种。
第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者可以具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上长的八边形形状。根据本发明构思的实施例，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2具有相同的尺寸和相同的形状。然而，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的形状不限于此。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的八边形形状，或者可以具有正方形形状和矩形形状中的一种。
第一绿色发光元件ED_G1电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。例如，第一绿色发光元件ED_G1包括第一绿色阳极电极G1_AE和第一绿色发光层G1_EL，并且第一绿色阳极电极G1_AE通过接触孔连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。第二绿色发光元件ED_G2电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。例如，第二绿色发光元件ED_G2包括第二绿色阳极电极G2_AE和第二绿色发光层G2_EL，并且第二绿色阳极电极G2_AE通过接触孔连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。
第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的尺寸。第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同或不同的形状。根据本发明构思的实施例，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL在同一平面中具有不同的形状。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。
红色发光元件ED_R电连接到红色像素驱动电路R_PD。例如，红色发光元件ED_R包括红色阳极电极R_AE和红色发光层R_EL，并且红色阳极电极R_AE通过接触孔连接到红色像素驱动电路R_PD。蓝色发光元件ED_B电连接到蓝色像素驱动电路B_PD。例如，蓝色发光元件ED_B包括蓝色阳极电极B_AE和蓝色发光层B_EL，并且蓝色阳极电极B_AE通过接触孔连接到蓝色像素驱动电路B_PD。
传感器FX中的每一个包括光感测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光感测单元LSU可以包括一个或多个光接收元件。根据本发明构思的实施例，光感测单元LSU包括k个光接收元件，并且k个光接收元件中的一个连接到传感器驱动电路O_SD。这里，k可以是等于或大于二的正整数。图4A示出了k是二的情况。当k是二时，光感测单元LSU包括两个光接收元件(在下文中被称为第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)。根据本发明构思的实施例，两个光接收元件(例如，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)可以设置为与一个基准像素单元RPU对应。然而，设置为与基准像素单元RPU中的每一个对应的光接收元件的数量不限于此。例如，在实施例中，一个光接收元件可以设置为与基准像素单元RPU中的每一个对应。
第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者在第二方向DR2上设置在对应的红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B之间。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以在第一方向DR1上设置为与对应的第一绿色发光元件ED_G1或对应的第二绿色发光元件ED_G2相邻。在第一行的基准像素单元RPU中，第一光接收元件OPD1和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光接收元件OPD2和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻。在第二行的基准像素单元RPU中，第一光接收元件OPD1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光接收元件OPD2和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻。根据本发明构思的实施例，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者设置于在第一方向DR1上彼此相邻的对应的第一绿色发光元件ED_G1和对应的第二绿色发光元件ED_G2之间。
第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有相同的尺寸和相同的形状。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以具有小于红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一者的尺寸的尺寸。根据本发明构思的实施例，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以具有小于或等于第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者的尺寸的尺寸。然而，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者的尺寸不受特别限制，并且可以根据实施例进行各种修改。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一者的形状不同的形状。根据本发明构思的实施例，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以具有正方形形状。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者的形状不限于此。可选地，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的矩形形状。
传感器驱动电路O_SD连接到第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的一者(例如，第一光接收元件OPD1)。在第一方向DR1上，传感器驱动电路O_SD可以与红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD具有相同的长度。当在平面中观察时，传感器驱动电路O_SD可以与第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的一者(例如，第一光接收元件OPD1)重叠。当在平面中观察时，传感器驱动电路O_SD可以与第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的一者(例如，第一绿色发光元件ED_G1)重叠。
第一光接收元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，并且第二光接收元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第一感测阳极电极O_AE1通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SD。
传感器FX中的每一个还可以包括用于将第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2电连接的路由布线RW。路由布线RW电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。根据本发明构思的实施例，路由布线RW可以与第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2一起一体地提供。
路由布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层上。在这种情况下，路由布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE包括相同的材料，并且可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE通过相同的工艺提供。
第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以通过路由布线RW并联地连接到传感器驱动电路O_SD。因此，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以通过传感器驱动电路O_SD同时导通或同时截止。连接到传感器驱动电路O_SD的第一光接收元件OPD1可以被称为主光接收元件，并且通过路由布线RW电连接到第一光接收元件OPD1的第二光接收元件OPD2可以被称为虚设光接收元件。
当如图4B中k是四时，光感测单元LSUa可以包括四个光接收元件(在下文中被称为第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4)。第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4中的一者(例如，第三光接收元件OPD3)连接到传感器驱动电路O_SDa。
传感器FX中的每一个还可以包括电连接第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4的三条路由布线(在下文中被称为第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3)。第一路由布线RW1电连接四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中的在第一方向DR1上彼此相邻的两个光接收元件(即，第一光接收元件OPD1和第三光接收元件OPD3)。第二路由布线RW2电连接四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中的在第二方向DR2上彼此相邻的两个光接收元件(即，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)。第三路由布线RW3电连接四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中的在第二方向DR2上彼此相邻的两个光接收元件(即，第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4)。直接连接到传感器驱动电路O_SDa的第三光接收元件OPD3可以被称为主光接收元件，并且其余的第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2和第四光接收元件OPD4可以被称为虚设光接收元件。
第一光接收元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，并且第二光接收元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第三光接收元件OPD3包括第三感测阳极电极O_AE3和第三光电转换层O_RL3，并且第四光接收元件OPD4包括第四感测阳极电极O_AE4和第四光电转换层O_RL4。第三感测阳极电极O_AE3通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SDa。在第一方向DR1上，传感器驱动电路O_SDa可以具有大于红色像素驱动电路R_PD的长度和蓝色像素驱动电路B_PD的长度的长度。因此，当在平面中观察时，传感器驱动电路O_SDa可以设置为与第一光接收元件OPD1至第四光接收元件OPD4中的两者(例如，第一光接收元件OPD1和第三光接收元件OPD3)重叠。当在平面中观察时，传感器驱动电路O_SDa可以与两个绿色发光元件(例如，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2)重叠。
第一路由布线RW1电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第三感测阳极电极O_AE3，并且第二路由布线RW2电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。第三路由布线RW3电连接到第三感测阳极电极O_AE3和第四感测阳极电极O_AE4。根据本发明构思的实施例，第一路由布线RW1至第三路由布线RW3可以与第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4一起一体地提供。
第一路由布线RW1至第三路由布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层上。在这种情况下，第一路由布线RW1至第三路由布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE包括相同的材料，并且可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE通过相同的工艺提供。
第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4可以通过第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3并联地连接到传感器驱动电路O_SDa。因此，第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4可以通过传感器驱动电路O_SDa同时导通或同时截止。
在图4A和图4B中分别示出的传感器驱动电路O_SD和O_SDa中的每一者可以包括多个晶体管。根据本发明构思的实施例，传感器驱动电路O_SD和像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD可以通过相同的工艺同时提供，并且传感器驱动电路O_SDa、像素驱动电路R_PD和B_PD以及像素驱动电路G1_PD和G2_PD可以通过相同的工艺同时提供。另外，扫描驱动器300(参见图3)可以包括通过与传感器驱动电路O_SD和O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD的工艺相同的工艺提供的晶体管。
图5A是示出根据本发明构思的实施例的像素中的一个和对应的传感器的电路图。图5B是在描述图5A中所示的像素和传感器的操作时参照的波形图。
作为示例，图5A示出了图3中所示的多个像素PX中的一个像素(例如，红色像素PXR)的等效电路图。因为多个像素PX具有相同的电路配置，为了便于说明，除了对红色像素PXR的电路配置的描述之外，将不给出对其余像素的详细描述。另外，在图3中示出的多个传感器FX中的一个传感器FX的等效电路图在图5A中作为示例示出。因为多个传感器FX具有相同的电路配置，为了便于解释，除了对传感器FX的电路配置的描述之外，将不给出对其余传感器的详细描述。
参照图5A，红色像素PXR连接到图3中所示的数据线DL1至DLm中的第i数据线DLi、图3中所示的初始化扫描线SIL1至SILn中的第j初始化扫描线SILj、图3中所示的补偿扫描线SCL1至SCLn中的第j补偿扫描线SCLj、图3中所示的写入扫描线SWL1至SWLn中的第j写入扫描线SWLj、图3中所示的黑色扫描线SBL1至SBLn中的第j黑色扫描线SBLj以及图3中所示的发射控制线EML1至EMLn中的第j发射控制线EMLj。
红色像素PXR包括红色发光元件ED_R和红色像素驱动电路R_PD。红色发光元件ED_R可以是发光二极管。根据本发明构思的实施例，红色发光元件ED_R可以是包括有机发光层的有机发光二极管。
红色像素驱动电路R_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2以及一个电容器Cst。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一者可以是具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的一些晶体管可以是P型晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的其余晶体管可以是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一者可以是具有氧化物半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是低温多晶硅(LTPS)晶体管。
根据本发明构思的实施例的红色像素驱动电路R_PD的配置不限于图5A中所示的配置。图5A中所示的红色像素驱动电路R_PD仅是示例，并且红色像素驱动电路R_PD的配置可以根据本发明构思的实施例进行修改。例如，在实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的全部晶体管可以是P型晶体管，或者第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的全部晶体管可以是N型晶体管。
第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j黑色扫描线SBLj和第j发射控制线EMLj可以分别将第j初始化扫描信号SIj、第j补偿扫描信号SCj、第j写入扫描信号SWj、第j黑色扫描信号SBj和第j发射控制信号EMj传输到红色像素PXR。第i数据线DLi将第i数据信号Di传输到红色像素PXR。第i数据信号Di可以具有与输入到显示装置DD(参见图3)的图像信号RGB(参见图3)对应的电压电平。
第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可以分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传输到红色像素PXR。另外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别将第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2传输到红色像素PXR。
第一晶体管T1连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1和红色发光元件ED_R之间。第一晶体管T1包括经由第一发射控制晶体管ET1连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、经由第二发射控制晶体管ET2连接到红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE(参见图4A)的第二电极以及连接到电容器Cst的一端(例如，第一节点N1)的第三电极(例如，栅极电极)。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di，并且可以将驱动电流Id供应到红色发光元件ED_R。
第二晶体管T2连接在数据线DLi和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2包括连接到第i数据线DLi的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j写入扫描线SWLj的第三电极(例如，栅极电极)。第二晶体管T2可以根据通过第j写入扫描线SWLj传输的第j写入扫描信号SWj而导通，以将从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3包括连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极以及连接到第j补偿扫描线SCLj的第三电极(例如，栅极电极)。第三晶体管T3可以根据通过第j补偿扫描线SCLj接收的第j补偿扫描信号SCj而导通，以将第一晶体管T1的第三电极和第二电极彼此连接，并且因此可以使第一晶体管T1是以二极管式连接的。
第四晶体管T4连接在被施加有第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3和第一节点N1之间。第四晶体管T4包括连接到被传输有第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极以及连接到第j初始化扫描线SILj的第三电极(例如，栅极电极)。第四晶体管T4根据通过第j初始化扫描线SILj接收的第j初始化扫描信号SIj而导通。导通的第四晶体管T4将第一初始化电压VINT1传输到第一节点N1，以将第一晶体管T1的第三电极的电位(例如，第一节点N1的电位)初始化。
第一发射控制晶体管ET1包括连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅极电极)。
第二发射控制晶体管ET2包括连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、连接到红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE的第二电极以及连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅极电极)。
第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2根据通过第j发射控制线EMLj传输的第j发射控制信号EMj而同时导通。通过导通的第一发射控制晶体管ET1施加的第一驱动电压ELVDD可以通过以二极管式连接的第一晶体管T1被补偿，并且然后可以被传输到红色发光元件ED_R。
第五晶体管T5包括连接到被传输有第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4的第一电极、连接到第二发射控制晶体管ET2的第二电极的第二电极以及连接到第j黑色扫描线SBLj的第三电极(例如，栅极电极)。第二初始化电压VINT2可以具有低于或等于第一初始化电压VINT1的电压电平的电压电平。
如上所述，电容器Cst的一端连接到第一晶体管T1的第三电极，并且电容器Cst的另一端连接到第一驱动电压线VL1。红色发光元件ED_R的阴极电极可以连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一驱动电压ELVDD的电压电平的电压电平。根据本发明构思的实施例，第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一初始化电压VINT1的电压电平和第二初始化电压VINT2的电压电平的电压电平。
参照图5A和图5B，第j发射控制信号EMj在非发射周期NEP期间具有高电平。第j初始化扫描信号SIj在非发射周期NEP中激活。当在第j初始化扫描信号SIj的激活周期AP1(在下文中被称为第一激活周期AP1)期间通过第j初始化扫描线SILj提供高电平的第j初始化扫描信号SIj时，第四晶体管T4响应于高电平的第j初始化扫描信号SIj而导通。第一初始化电压VINT1通过导通的第四晶体管T4被传输到第一晶体管T1的第三电极，并且第一节点N1被初始化为第一初始化电压VINT1。因此，第一激活周期AP1可以限定为红色像素PXR的初始化周期。
之后，第j补偿扫描信号SCj激活，并且当在第j补偿扫描信号SCj的激活周期AP2(在下文中被称为第二激活周期AP2)期间通过第j补偿扫描线SCLj提供高电平的第j补偿扫描信号SCj时，第三晶体管T3导通。第一晶体管T1通过导通的第三晶体管T3变为以二极管式连接并且正向偏置。根据实施例，第一激活周期AP1不与第二激活周期AP2重叠。
第j写入扫描信号SWj在第二激活周期AP2中激活。第j写入扫描信号SWj在激活周期AP4(在下文中被称为第四激活周期AP4)期间具有低电平。在第四激活周期AP4期间，第二晶体管T2由低电平的第j写入扫描信号SWj导通。然后，通过从自第i数据线DLi提供的第i数据信号Di中减去第一晶体管T1的阈值电压(Vth)而得到的补偿电压(例如，“Di-Vth”)被施加到第一晶体管T1的第三电极。也就是说，第一晶体管T1的第三电极的电位可以是补偿电压(例如，“Di-Vth”)。第四激活周期AP4可以与第二激活周期AP2重叠。第二激活周期AP2的持续时间可以长于第四激活周期AP4的持续时间。
第一驱动电压ELVDD和补偿电压(“Di-Vth”)可以分别被施加到电容器Cst的两端，并且与两端之间的电压差对应的电荷可以被存储在电容器Cst中。这里，高电平的第j补偿扫描信号SCj的周期可以被称为红色像素PXR的补偿周期。
根据实施例，第j黑色扫描信号SBj在第j补偿扫描信号SCj的第二激活周期AP2中激活。第j黑色扫描信号SBj在激活周期AP3(在下文中被称为第三激活周期AP3)期间具有低电平。在第三激活周期AP3期间，第五晶体管T5通过经由第j黑色扫描线SBLj接收低电平的第j黑色扫描信号SBj而导通。通过第五晶体管T5，驱动电流Id的一部分可以逸出作为经过第五晶体管T5的旁路电流Ibp。第三激活周期AP3可以与第二激活周期AP2重叠。第二激活周期AP2的持续时间可以长于第三激活周期AP3的持续时间。在实施例中，第三激活周期AP3可以在第四激活周期AP4之前，并且不与第四激活周期AP4重叠。
在红色像素PXR显示黑色图像的情况下，当红色发光元件ED_R即使在第一晶体管T1的最小驱动电流作为驱动电流Id流动的情况下仍发光时，红色像素PXR无法正常显示黑色图像。因此，根据本发明构思的实施例的红色像素PXR中的第五晶体管T5可以将第一晶体管T1的最小驱动电流的一部分作为旁路电流Ibp转移到除了朝向红色发光元件ED_R的电流路径之外的电流路径。这里，第一晶体管T1的最小驱动电流指在第一晶体管T1因为第一晶体管T1的栅极-源极电压(Vgs)低于第一晶体管T1的阈值电压(Vth)而截止的条件下流经第一晶体管T1的电流。以这种方式，在第一晶体管T1截止的条件下，流经第一晶体管T1的最小驱动电流(例如，大约10pA或更小的电流)被传输到红色发光元件ED_R，并且因此，显示黑色色阶的图像。当红色像素PXR显示黑色图像时，旁路电流Ibp对最小驱动电流的影响可能是相对大的，而当红色像素PXR显示诸如常规图像和白色图像的图像时，旁路电流Ibp对驱动电流Id具有小的影响。因此，当显示黑色图像时，通过从驱动电流Id中减去通过第五晶体管T5逸出的旁路电流Ibp的电流的量而得到的电流(例如，发射电流Ied)被提供到红色发光元件ED_R。结果是，可以准确地显示黑色图像。因此，红色像素PXR可以通过使用第五晶体管T5来实现准确的黑色色阶的图像，并且结果是，可以改善对比度。
之后，从第j发射控制线EMLj提供的第j发射控制信号EMj从高电平转变为低电平。第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2由低电平的第j发射控制信号EMj导通。然后，产生根据第一晶体管T1的第三电极的电压和第一驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流Id，并且驱动电流Id通过第二发射控制晶体管ET2被供应到红色发光元件ED_R，并且因此，发射电流Ied流经红色发光元件ED_R。
返回参照图5A，传感器FX连接到图3中所示的读出线RL1至RLh中的第d读出线RLd、第j写入扫描线SWLj和复位控制线RCL。
传感器FX包括光感测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光感测单元LSU可以包括彼此并联地连接的k个光接收元件。当k是二时，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以彼此并联地连接。当k是四时，第一光接收元件OPD1至第四光接收元件OPD4(参见图4B)可以彼此并联地连接。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以是光电二极管。根据本发明构思的实施例，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一者可以是包括包含在光电转换层中的有机材料的有机光电二极管。
第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1(参见图4A)和第二光接收元件OPD2的第二感测阳极电极O_AE2(参见图4A)可以连接到第一感测节点SN1，并且第一光接收元件OPD1的第一感测阴极电极和第二光接收元件OPD2的第二感测阴极电极可以连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第一感测阴极电极和第二感测阴极电极可以电连接到红色发光元件ED_R的阴极电极以及发光元件ED_G1、ED_G2和ED_B(参见图4A)的阴极电极。根据本发明构思的实施例，第一感测阴极电极和第二感测阴极电极可以与发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的阴极电极一起一体地提供，以限定公共阴极电极C_CE(参见图6)。
传感器驱动电路O_SD包括三个晶体管ST1至ST3。三个晶体管ST1至ST3可以分别是例如复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的至少一者可以是氧化物半导体晶体管。根据本发明构思的实施例，复位晶体管ST1可以是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是LTPS晶体管。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，根据实施例，至少复位晶体管ST1和输出晶体管ST3可以是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2可以是LTPS晶体管。
另外，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些晶体管可以是P型晶体管，并且复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的其余晶体管可以是N型晶体管。根据本发明构思的实施例，放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是PMOS晶体管，并且复位晶体管ST1可以是NMOS晶体管。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，根据实施例，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的全部晶体管可以是N型晶体管，或者复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的全部晶体管可以是P型晶体管。
复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些晶体管(例如，复位晶体管ST1)可以是与红色像素PXR的第三晶体管T3和第四晶体管T4的类型相同的类型的晶体管。放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是与红色像素PXR的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2的类型相同的类型的晶体管。
根据本发明构思的实施例的传感器驱动电路O_SD的电路配置不限于图5A的电路配置。也就是说，图5A中所示的传感器驱动电路O_SD仅是示例，并且传感器驱动电路O_SD的配置可以根据实施例进行修改。
复位晶体管ST1包括连接到接收复位电压Vrst的复位电压线VL5的第一电极、连接到第一感测节点SN1的第二电极以及连接到接收复位控制信号RST的复位控制线RCL的第三电极。复位晶体管ST1可以响应于复位控制信号RST将第一感测节点SN1的电位复位到复位电压Vrst。复位控制信号RST可以是通过复位控制线RCL提供的信号。然而，本发明构思的实施例不限于此。可选地，复位控制信号RST可以是通过第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj。也就是说，复位晶体管ST1可以接收从第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj作为复位控制信号RST。根据本发明构思的实施例，至少在复位控制信号RST的激活周期期间，复位电压Vrst可以具有低于第二驱动电压ELVSS的电压电平的电压电平。复位电压Vrst可以是保持在低于第二驱动电压ELVSS的电压电平的电压电平的直流(DC)电压。
复位晶体管ST1可以包括串联地连接的多个子复位晶体管。例如，复位晶体管ST1可以包括两个子复位晶体管(在下文中被称为第一子复位晶体管和第二子复位晶体管)。在这种情况下，第一子复位晶体管的第三电极和第二子复位晶体管的第三电极连接到复位控制线RCL。另外，第一子复位晶体管的第二电极和第二子复位晶体管的第一电极可以彼此电连接。另外，复位电压Vrst可以被施加到第一子复位晶体管的第一电极，并且第二子复位晶体管的第二电极可以电连接到第一感测节点SN1。然而，子复位晶体管的数量不限于此，并且可以根据实施例进行各种改变。
放大晶体管ST2包括接收感测驱动电压SLVD的第一电极、连接到第二感测节点SN2的第二电极以及连接到第一感测节点SN1的第三电极。放大晶体管ST2可以根据第一感测节点SN1的电位而导通，以将感测驱动电压SLVD施加到第二感测节点SN2。根据本发明构思的实施例，感测驱动电压SLVD可以是第一驱动电压ELVDD以及第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的一者。在感测驱动电压SLVD是第一驱动电压ELVDD的情况下，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第一驱动电压线VL1。在感测驱动电压SLVD是第一初始化电压VINT1的情况下，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第一初始化电压线VL3。在感测驱动电压SLVD是第二初始化电压VINT2的情况下，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第二初始化电压线VL4。
输出晶体管ST3包括连接到第二感测节点SN2的第一电极、连接到第d读出线RLd的第二电极以及接收输出控制信号的第三电极。输出晶体管ST3可以响应于输出控制信号将第d读出信号FSd传输到第d读出线RLd。输出控制信号可以是通过第j写入扫描线SWLj提供的第j写入扫描信号SWj。也就是说，输出晶体管ST3可以接收从第j写入扫描线SWLj提供的第j写入扫描信号SWj作为输出控制信号。
传感器FX的光感测单元LSU可以在发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的发射周期期间暴露于光。所述光可以是从发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的任意一者输出的光。
当用户的手指US_F(参见图1)接触显示表面IS(参见图1)时，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2产生与由指纹的脊或由指纹的脊之间的谷反射的光对应的光电荷。流经光接收元件OPD1和OPD2的电流的量由于所产生的光电荷而改变。当光接收元件OPD1和OPD2接收由指纹的脊反射的光时，流经光接收元件OPD1和OPD2的电流可以被称为第一电流，并且当光接收元件OPD1和OPD2接收由指纹的谷反射的光时，流经光接收元件OPD1和OPD2的电流可以被称为第二电流。因为由指纹的脊反射的光和由指纹的谷反射的光之间的光的量是不同的，所以光的量之间的差异呈现为第一电流和第二电流之间的差异。当第一电流流经光接收元件OPD1和OPD2时，第一感测节点SN1的电位可以被称为第一电位，并且当第二电流流经光接收元件OPD1和OPD2时，第一感测节点SN1的电位可以被称为第二电位。根据本发明构思的实施例，第一电流可以高于第二电流，并且在这种情况下，第一电位可以低于第二电位。
放大晶体管ST2可以是源极跟随器放大器，该源极跟随器放大器产生与被输入到放大晶体管ST2的第三电极的第一感测节点SN1的电位成比例的源极-漏极电流。
在第四激活周期AP4(参见图5B)期间，低电平的第j写入扫描信号SWj通过第j写入扫描线SWLj被提供到输出晶体管ST3。当输出晶体管ST3响应于低电平的第j写入扫描信号SWj而导通时，与流经放大晶体管ST2的电流对应的第d读出信号FSd可以被输出到第d读出线RLd。
之后，当高电平的复位控制信号RST在复位周期期间通过复位控制线RCL被提供到复位晶体管ST1时，复位晶体管ST1导通。复位周期可以限定为复位控制信号RST的激活周期(例如，高电平周期)。可选地，当复位晶体管ST1是PMOS晶体管时，低电平的复位控制信号RST可以在复位周期期间被提供到复位控制线RCL。在复位周期期间，第一感测节点SN1可以被复位到与复位电压Vrst对应的电位。根据本发明构思的实施例，复位电压Vrst可以具有低于第二驱动电压ELVSS的电压电平的电压电平。
之后，当复位周期结束时，光感测单元LSU可以产生与接收的光对应的光电荷，并且所产生的光电荷可以被累积在第一感测节点SN1中。
图6是根据本发明构思的实施例的显示面板的截面图，具体地，图6是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的像素中的一个和对应的传感器的截面图。
参照图6，显示面板DP(参见图3)可以包括基体层BL、电路层DP_CL和元件层DP_ED。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。例如，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，并且合成树脂层的材料不受特别限制。合成树脂层可以包括例如丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。另外，基体层BL可以包括例如玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底等。
至少一个无机层提供在基体层BL的顶表面上。无机层可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以被提供为多个无机层。多个无机层可以构成将在下面描述的阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。阻挡层BRL和缓冲层BFL可以选择性地设置。
电路层DP_CL可以包括阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。阻挡层BRL可以防止异物从显示装置DD的外部被引入。阻挡层BRL可以包括例如氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层中的每一者可以被提供为多层，并且氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
缓冲层BFL可以设置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL可以增加基体层BL与半导体图案和/或导电图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括例如氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
半导体图案设置在缓冲层BFL上。在下文中，直接设置在缓冲层BFL上的半导体图案限定为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅。然而，第一半导体图案不限于此，并且还可以包括例如非晶硅。
为了便于说明，在图6中仅示出了第一半导体图案的一部分。根据实施例，第一半导体图案的另一部分可以进一步设置在红色像素PXR(参见图5A)的另一区域中。第一半导体图案依据第一半导体图案是否被掺杂而具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括被掺杂有P型掺杂剂的掺杂区，并且N型晶体管包括被掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。
掺杂区的电导率高于非掺杂区的电导率，并且掺杂区基本上用作电极或信号线。非掺杂区基本上与晶体管的有源部(或沟道)对应。换句话说，第一半导体图案的一部分可以是晶体管的有源部，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且再一部分可以是连接信号线(或连接电极)。
如图6中所示，第一晶体管T1的第一电极S1、沟道部分A1和第二电极D1由第一半导体图案提供。第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1从沟道部分A1在相反的方向上延伸。
图6示出了由第一半导体图案提供的连接信号线CSL的一部分。在实施例中，当在平面中观察时，连接信号线CSL可以连接到第二发射控制晶体管ET2(参见图5A)的第二电极。
第一绝缘层10设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10与多个像素PX(参见图3)公共地重叠并且覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施例中，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。除了第一绝缘层10之外，将下面描述的电路层DP_CL的绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且也可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种。
第一晶体管T1的第三电极G1设置在第一绝缘层10上。第三电极G1可以是金属图案的一部分。第一晶体管T1的第三电极G1与第一晶体管T1的沟道部分A1重叠。在对第一半导体图案进行掺杂的工艺中，第一晶体管T1的第三电极G1可以用作掩模。
覆盖第三电极G1的第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20与多个像素PX公共地重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。在实施例中，第二绝缘层20可以是单层氧化硅层。
上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。上电极UE可以与第三电极G1重叠。上电极UE可以是金属图案的一部分或被掺杂的半导体图案的一部分。第三电极G1的一部分和与所述部分重叠的上电极UE可以限定电容器Cst(参见图5A)。在本发明构思的实施例中，可以省略上电极UE。
在本发明构思的实施例中，第二绝缘层20可以用绝缘图案来代替。上电极UE设置在绝缘图案上。上电极UE可以用作用于从第二绝缘层20提供绝缘图案的掩模。
覆盖上电极UE的第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上。在实施例中，第三绝缘层30可以是单层氧化硅层。半导体图案设置在第三绝缘层30上。在下文中，直接设置在第三绝缘层30上的半导体图案限定为第二半导体图案。第二半导体图案可以包括金属氧化物。氧化物半导体可以包括晶体或非晶体氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)的金属的氧化物或诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)的金属和它们的氧化物的混合物。氧化物半导体可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟锌锡(IZTO)和氧化锌锡(ZTO)等。
为了便于说明，图6仅示出了第二半导体图案的一部分。在实施例中，第二半导体图案的另一部分可以进一步设置在传感器FX(参见图3)的另一区域中。第二半导体图案可以包括根据金属氧化物是否被还原而划分的多个区。其中金属氧化物被还原的区(在下文中被称为还原区)具有比其中金属氧化物未被还原的区(在下文中被称为非还原区)的电导率高的电导率。还原区基本上具有电极或信号线的功能。非还原区基本上与晶体管的沟道部分对应。换句话说，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的沟道部分，并且另一部分可以是晶体管的第一电极或第二电极。
如图6中所示，第三晶体管T3的第一电极S3、沟道部分A3和第二电极D3从第二半导体图案提供。第三晶体管T3的第一电极S3和第二电极D3从沟道部分A3在相反的方向上延伸。
电路层DP_CL还可以包括传感器驱动电路O_SD(参见图5A)的半导体图案的一部分。为了便于说明，示出了传感器驱动电路O_SD的半导体图案的复位晶体管ST1。复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部分STA1和第二电极STD1从第二半导体图案提供。根据本发明构思的实施例，第二半导体图案可以包括金属氧化物。第一电极STS1和第二电极STD1包括从金属氧化物半导体被还原的金属。第一电极STS1和第二电极STD1可以具有从第二半导体图案的顶表面起的预定厚度，并且可以包括具有被还原的金属的金属层。
第四绝缘层40覆盖复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部分STA1和第二电极STD1。第三晶体管T3的第三电极G3和复位晶体管ST1的第三电极STG1设置在第四绝缘层40上。在实施例中，第三电极STG1可以是金属图案的一部分。复位晶体管ST1的第三电极STG1与复位晶体管ST1的沟道部分STA1重叠。为了便于说明，示出了一个第三电极STG1，但实施例不限于此。例如，在实施例中，复位晶体管ST1可以包括两个第三电极。
覆盖第三晶体管T3的第三电极G3和复位晶体管ST1的第三电极STG1的第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上。在实施例中，第五绝缘层50可以包括氧化硅层和氮化硅层。第五绝缘层50可以包括交替地层叠的多个氧化硅层和多个氮化硅层。
至少一个绝缘层进一步设置在第五绝缘层50上。在实施例中，第六绝缘层60和第七绝缘层70可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一者可以是有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一者可以是单层聚酰亚胺类树脂层。第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一者不限于此，并且可以包括例如丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以通过贯穿第一绝缘层10至第五绝缘层50的第一接触孔CH1连接到连接信号线CSL，并且第二连接电极CNE20可以通过贯穿第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE10。在本发明构思的实施例中，可以省略第五绝缘层50至第七绝缘层70中的至少一者，并且也可以省略第一连接电极CNE10和第二连接电极CNE20中的一者。
第三连接电极CNE11可以进一步设置在第五绝缘层50上。第三连接电极CNE11可以通过贯穿第四绝缘层40和第五绝缘层50的第三接触孔CH3连接到复位晶体管ST1的第二电极STD1，并且第四连接电极CNE21可以通过贯穿第六绝缘层60的第四接触孔CH4连接到第三连接电极CNE11。
数据线DLi(参见图5A)和读出线RLd可以与第二连接电极CNE20和第四连接电极CNE21设置在同一层(例如，第六绝缘层60)上。然而，本发明构思的实施例不限于此。可选地，数据线DLi(参见图5A)和读出线RLd可以与第一连接电极CNE10和第三连接电极CNE11设置在同一层(例如，第五绝缘层50)上。第二连接电极CNE20和第四连接电极CNE21、数据线DLi以及读出线RLd被第七绝缘层70覆盖。
元件层DP_ED设置在电路层DP_CL上。元件层DP_ED可以包括红色发光元件ED_R(参见图4A)的红色阳极电极R_AE和第一光接收元件OPD1(参见图4A)的第一感测阳极电极O_AE1。如图6中所示，红色阳极电极R_AE可以通过贯穿第八绝缘层80的第七接触孔CH7连接到第一虚设连接电极CNE30。第一感测阳极电极O_AE1可以通过贯穿第八绝缘层80的第八接触孔CH8连接到第二虚设连接电极CNE31。
元件层DP_ED还包括设置在电路层DP_CL上的像素限定膜PDL。像素限定膜PDL可以包括限定为与红色发光元件ED_R对应的发光开口OP1和限定为与第一光接收元件OPD1对应的光接收开口OP2。发光开口OP1暴露红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE的至少一部分。像素限定膜PDL的发光开口OP1可以限定发光区域PXA。例如，多个像素PX(参见图3)可以根据特定规则布置在显示面板DP(参见图3)的平面上。其中布置有多个像素PX的区域可以限定为像素区域，并且像素区域中的每一个可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
光接收开口OP2暴露第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1。像素限定膜PDL的光接收开口OP2可以限定光接收区域SA。例如，多个传感器FX(参见图3)可以根据特定规则布置在显示面板DP的平面上。其中布置有多个传感器FX的区域可以限定为感测区域，并且感测区域中的每一个可以包括光接收区域SA和与光接收区域SA相邻的非光接收区域NSA。非光接收区域NSA可以围绕光接收区域SA。
红色发光层R_EL设置为与限定在像素限定膜PDL中的发光开口OP1对应，并且第一光电转换层O_RL1提供为与限定在像素限定膜PDL中的光接收开口OP2对应。虽然图案化的红色发光层R_EL被示出为示例，但是本发明构思的实施例不限于此。公共发光层可以公共地设置在多个像素PX中。在这种情况下，公共发光层可以产生白光或蓝光。公共阴极电极C_CE公共地连接到发光元件ED_R和光接收元件OPD1。公共阴极电极C_CE可以面对感测阳极电极O_AE1和红色阳极电极R_AE。公共阴极电极C_CE设置在红色发光层R_EL和第一光电转换层O_RL1上。公共阴极电极C_CE公共地设置在多个像素PX和多个传感器FX中。
图7是根据本发明构思的实施例的显示装置的平面图。
参照图7，显示装置DD可以包括显示面板DP，并且有源区域DA和外围区域NDA可以限定在显示面板DP中。外围区域NDA包括第一外围区域NDA1、第二外围区域NDA2、第三外围区域NDA3和第四外围区域NDA4。第一外围区域NDA1设置在有源区域DA的在第一方向DR1上的上侧，并且第二外围区域NDA2设置在有源区域DA的在第一方向DR1上的下侧。第三外围区域NDA3可以设置在有源区域DA的在第二方向DR2上的一侧(例如，左侧)，并且第四外围区域NDA4可以设置在有源区域DA的在第二方向DR2上的另一侧(例如，右侧)。
已经参照图4A至图6描述了显示面板DP的有源区域DA的元件层DP_ED，并且为了便于解释，将省略对其的进一步详细的描述。
显示面板DP的电路层DP_CL(参见图6)可以包括复位电压强化布线VRST_W、驱动电压布线ELV_W、第三驱动电压布线VSS、复位控制强化布线GR_W、第一初始化电压强化布线VINT_W以及第二初始化电压强化布线AINT_W。
复位电压强化布线VRST_W可以设置在显示面板DP的外围区域NDA中。复位电压强化布线VRST_W可以包括第一复位电压强化布线VRST_W1和第二复位电压强化布线VRST_W2。第一复位电压强化布线VRST_W1可以设置在第一外围区域NDA1中，并且第二复位电压强化布线VRST_W2可以设置在第二外围区域NDA2中。复位电压强化布线VRST_W可以连接到设置在有源区域DA中的多条复位电压布线。第一复位电压强化布线VRST_W1和第二复位电压强化布线VRST_W2中的每一者可以是在第二方向DR2上延伸的条状布线。
在实施例中，通过包括设置在外围区域NDA中的复位电压强化布线VRST_W，显示面板DP可以以均匀的性能驱动像素PX(参见图3)和传感器FX(参见图3)，而无论像素PX和传感器FX在整个有源区域DA中的位置如何。例如，复位电压强化布线VRST_W可以通过减小被提供到传感器FX的复位电压Vrst(参见图5A)的电压降来允许确保均匀的感测性能。
在实施例中，显示面板DP可以包括设置在外围区域NDA中的驱动电压布线ELV_W。驱动电压布线ELV_W可以是被提供有第一驱动电压ELVDD(参见图5A)的布线。驱动电压布线ELV_W可以包括设置在第一外围区域NDA1中的第一驱动电压布线ELV_W1和设置在第二外围区域NDA2中的第二驱动电压布线ELV_W2。第一驱动电压布线ELV_W1可以设置为比第一复位电压强化布线VRST_W1靠近有源区域DA。第一驱动电压布线ELV_W1包括延伸到有源区域DA的部分和设置在外围区域NDA中的部分。为了便于说明，在图7中示出了设置在外围区域NDA中的所述部分。第一驱动电压布线ELV_W1可以设置为围绕有源区域DA。也就是说，在实施例中，第一驱动电压布线ELV_W1不仅可以设置在第一外围区域NDA1中，而且还可以设置在第二外围区域NDA2中。
复位电压强化布线VRST_W可以设置为比第一驱动电压布线ELV_W1距离有源区域DA远。也就是说，在第一外围区域NDA1中，第一复位电压强化布线VRST_W1可以设置为比第一驱动电压布线ELV_W1距离有源区域DA远。第一复位电压强化布线VRST_W1设置为比第一驱动电压布线ELV_W1距离有源区域DA远。结果是，可以使布线之间的信号的重叠最小化或减少布线之间的信号的重叠。
第二驱动电压布线ELV_W2可以电连接到第一驱动电压布线ELV_W1。第二驱动电压布线ELV_W2可以设置为比第二复位电压强化布线VRST_W2距离有源区域DA远。因此，像素PX和传感器FX可以以均匀的性能操作，而无论像素PX和传感器FX在有源区域DA中的位置如何。
第二驱动电压ELVSS可以被提供到第三驱动电压布线VSS。第三驱动电压布线VSS可以设置为比第一驱动电压布线ELV_W1和第二驱动电压布线ELV_W2以及复位电压强化布线VRST_W距离有源区域DA远。第三驱动电压布线VSS可以连接到面板驱动器IC。例如，第三驱动电压布线VSS可以连接到电压发生器400(参见图3)。第三驱动电压布线VSS可以在外围区域NDA的最外部分处延伸。
复位控制强化布线GR_W、第一初始化电压强化布线VINT_W和第二初始化电压强化布线AINT_W可以设置在第三外围区域NDA3和第四外围区域NDA4中。复位控制强化布线GR_W、第一初始化电压强化布线VINT_W和第二初始化电压强化布线AINT_W中的每一者可以是在第一方向DR1上延伸的条状布线。
复位控制强化布线GR_W可以包括设置在第三外围区域NDA3中的第一复位控制强化布线GR_W1和设置在第四外围区域NDA4中的第二复位控制强化布线GR_W2。第一复位控制强化布线GR_W1和第二复位控制强化布线GR_W2在第二方向DR2上彼此间隔开，有源区域DA介于第一复位控制强化布线GR_W1和第二复位控制强化布线GR_W2之间。
第一初始化电压强化布线VINT_W可以包括设置在第三外围区域NDA3中的第一-第一初始化电压强化布线VINT_W1和设置在第四外围区域NDA4中的第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2。第一-第一初始化电压强化布线VINT_W1和第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2在第二方向DR2上彼此间隔开，有源区域DA介于第一-第一初始化电压强化布线VINT_W1和第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2之间。
第二初始化电压强化布线AINT_W可以包括设置在第三外围区域NDA3中的第二-第一初始化电压强化布线AINT_W1和设置在第四外围区域NDA4中的第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2。第二-第一初始化电压强化布线AINT_W1和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2在第二方向DR2上彼此间隔开，有源区域DA介于第二-第一初始化电压强化布线AINT_W1和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2之间。
复位控制强化布线GR_W、第一初始化电压强化布线VINT_W和第二初始化电压强化布线AINT_W可以在第二方向DR2上布置。复位控制强化布线GR_W可以设置为比第一初始化电压强化布线VINT_W和第二初始化电压强化布线AINT_W靠近有源区域DA。第一初始化电压强化布线VINT_W可以设置为比第二初始化电压强化布线AINT_W和复位控制强化布线GR_W距离有源区域DA远。第二初始化电压强化布线AINT_W可以设置在复位控制强化布线GR_W和第一初始化电压强化布线VINT_W之间。
复位控制强化布线GR_W可以电连接到有源区域DA的复位控制布线。复位控制布线可以与图5A的复位控制线RCL对应。复位控制强化布线GR_W可以使显示面板DP的上部部分和下部部分之间的负载差最小化或减少显示面板DP的上部部分和下部部分之间的负载差，使得有源区域DA的所有复位晶体管ST1(参见图5A)可以同时导通或截止。即，复位控制强化布线GR_W可以使复位电压Vrst基本上均匀地被施加到整个有源区域DA中的传感器驱动电路O_SD(参见图4A)中的每一个中。
第一初始化电压强化布线VINT_W可以连接到有源区域DA的第一初始化电压布线。第一初始化电压布线可以与图5A的第一初始化电压线VL3对应。
第二初始化电压强化布线AINT_W可以连接到有源区域DA的第二初始化电压布线。第二初始化电压布线可以与图5A的第二初始化电压线VL4对应。
复位控制强化布线GR_W、第一初始化电压强化布线VINT_W和第二初始化电压强化布线AINT_W可以设置为比扫描驱动器300和发射驱动器350靠近有源区域DA。这里，发射驱动器350可以用扫描驱动器300来代替。下面将描述显示面板DP的设置在有源区域DA和外围区域NDA中的电路层DP_CL。
图8A至图8G是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图。图8A至图8G是示出根据实施例的电路层的有源区域和外围区域的部分的平面图。图8A至图8G是图7的区域AA'的放大图。也就是说，图8A至图8G示出了第一外围区域NDA1和第四外围区域NDA4的部分。
参照图8A至图8G，当在平面中观察时，导电图案和半导体图案中的每一者根据预定的规则重复地布置。在图8A至图8G中示出了像素驱动电路的部分和传感器驱动电路的一部分的平面图。
第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2可以具有彼此对称的结构，第一电路部分PDC1可以是图4A中所示的第一绿色像素驱动电路G1_PD的一部分，并且第二电路部分PDC2可以是图4A中所示的蓝色像素驱动电路B_PD的一部分。第三电路部分SDC可以是图4A中所示的传感器驱动电路O_SD的一部分。
虽然具有彼此对称的结构的第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2在图8A至图8G中被示出为示例，但是与第一电路部分PDC1的结构相同的结构可以连续地重复，或者与第二电路部分PDC2的结构相同的结构可以连续地重复。另外，图8A至图8G中所示的第一电路部分PDC1、第三电路部分SDC和第二电路部分PDC2可以在第二方向DR2上顺序地布置。然而，本发明构思的实施例不限于此。
在图8A至图8G中，第一电路部分PDC1、第三电路部分SDC和第二电路部分PDC2可以设置在有源区域DA中。第四外围区域NDA4(参见图7)可以包括第一区域BRDA和第二区域DRVA。第一区域BRDA可以是其中设置有用于连接驱动电路和驱动器的连接图案的桥接区域。第二区域DRVA可以是其中设置有驱动器的驱动区域。第二区域DRVA比第一区域BRDA距离有源区域DA远。
参照图6、图7、图8A和图8B，示出了基体导电层BML和第一半导体层1100。基体导电层BML可以设置在基体层BL上。基体导电层BML可以包括第一驱动电压布线ELV_W1。第一驱动电压布线ELV_W1可以包括设置在有源区域DA中的第一部分BML_DL和设置在外围区域NDA中的第二部分BML_ELV。第一部分BML_DL可以包括从第二部分BML_ELV朝向有源区域DA延伸的多个分支。第二部分BML_ELV可以设置在外围区域NDA中以围绕有源区域DA。
第一半导体层1100可以设置在基体导电层BML上。第一半导体层1100可以设置在基体导电层BML和第一绝缘层10之间。第一半导体层1100可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅和多晶硅等。例如，第一半导体层1100可以包括低温多晶硅(LTPS)。
第一半导体层1100包括被包含在第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2中的第一半导体图案1110、被包含在第三电路部分SDC中的第二半导体图案1120以及设置在第二区域DRVA中的第三半导体图案1130。
参照图6、图7和图8A至图8C，第一导电层1200可以设置在第一绝缘层10上。第一导电层1200可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如，第一导电层1200可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等，但不特别局限于此。
第一导电层1200可以包括第一栅极布线1210、第一栅极电极1220、第二栅极布线1230、第一子栅极布线1250和第二子栅极布线1260。
第一栅极布线1210可以在第二方向DR2上延伸。第一栅极布线1210与图5A的第j写入扫描线SWLj对应。例如，第j写入扫描信号SWj(参见图5A)可以被提供到第一栅极布线1210。
第一栅极布线1210与第一半导体图案1110一起可以构成图5A的第二晶体管T2。另外，第一栅极布线1210与第一半导体图案1110一起可以构成图5A的第五晶体管T5。第一栅极布线1210与第二半导体图案1120一起可以构成图5A的输出晶体管ST3。
第一栅极电极1220可以以岛形状设置。第一栅极电极1220与第一半导体图案1110一起可以构成图5A的第一晶体管T1。第一栅极电极1220可以与图6中示出的第一晶体管T1的第三电极G1对应。
第二栅极布线1230可以在第二方向DR2上延伸。第二栅极布线1230可以与图5A的第j发射控制线EMLj对应。例如，第j发射控制信号EMj(参见图5A)可以被提供到第二栅极布线1230。第二栅极布线1230与第一半导体图案1110一起可以构成图5A的第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2。
第二栅极电极1240可以以岛形状设置。第二栅极电极1240与第二半导体图案1120一起可以构成图5A的放大晶体管ST2。
第一栅极布线1210、第一栅极电极1220和第二栅极布线1230可以设置在有源区域DA中。
第一子栅极布线1250可以至少设置在第一区域BRDA中。第二子栅极布线1260可以至少设置在第二区域DRVA中。第一子栅极布线1250和第二子栅极布线1260可以是用于驱动设置在第二区域DRVA中的子像素的子像素驱动电路的组件。
参照图6、图7和图8A至图8D，第二绝缘层20可以覆盖第一导电层1200并且可以设置在第一绝缘层10上。第二导电层1300可以设置在第二绝缘层20上。第二导电层1300可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
第二导电层1300可以包括第三栅极布线1310、第四栅极布线1320、电容器电极1330、第一初始化电压布线1340和第一复位控制布线1350。
第三栅极布线1310可以在第二方向DR2上延伸。第三栅极布线1310可以与第j补偿扫描线SCLj(参见图5A)对应。第四栅极布线1320可以在第二方向DR2上延伸。第四栅极布线1320可以与第j初始化扫描线SILj(参见图5A)对应。电容器电极1330可以与第一栅极电极1220重叠，并且可以以岛形状设置。例如，电容器电极1330与第一栅极电极1220一起可以构成电容器Cst(参见图5A)。电容器电极1330可以与上电极UE对应。驱动电压ELVDD(参见图5A)可以被提供到电容器电极1330。另外，贯穿电容器电极1330的开口1330_OP可以限定在电容器电极1330中，并且第一栅极电极1220可以通过开口1330_OP部分地暴露。
第一初始化电压布线1340可以在第二方向DR2上延伸。第一初始化电压布线1340可以与图5A的第一初始化电压线VL3对应。第一初始化电压VINT1(参见图5A)可以通过第一初始化电压布线1340提供。第一复位控制布线1350可以在第二方向DR2上延伸。第一复位控制布线1350可以与图5A的复位控制线RCL对应。复位控制信号RST(参见图5A)可以通过第一复位控制布线1350提供。
第二导电层1300还可以包括第三子栅极布线1360和第四子栅极布线1370。第三子栅极布线1360和第四子栅极布线1370可以设置在第一区域BRDA和第二区域DRVA中。
第三子栅极布线1360和第四子栅极布线1370可以分别连接到第一子栅极布线1250和第二子栅极布线1260，以构成子像素的子像素驱动电路。
第三绝缘层30可以覆盖第二导电层1300并且可以设置在第二绝缘层20上。包括氧化物半导体的第二半导体层可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以覆盖第二半导体层并且可以设置在第三绝缘层30上。第三导电层可以设置在第四绝缘层40上。第三导电层可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第三导电层可以包括栅极布线和电连接到第一复位控制布线1350的第二复位控制布线。
参照图6、图7和图8A至图8E，第五绝缘层50可以覆盖第三导电层的至少一部分并且可以设置在第四绝缘层40上。第四导电层1600可以设置在第五绝缘层50上。第四导电层1600可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。在下文中，为了便于说明，在图8E中仅示出了包括在第四导电层1600中的组件中的一些组件。
第四导电层1600可以包括第一连接图案1610、第二连接图案1620、第三连接图案1630、第四连接图案1640、第五连接图案1650、第六连接图案1660、第一复位电压布线1670、第二初始化电压布线1680、第七连接图案1691和第八连接图案1692、第一-第一驱动电压布线SD1_ELV、和第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1。
第一连接图案1610可以与第一半导体图案1110接触。数据信号(例如，第i数据信号Di(参见图5A))可以通过第一连接图案1610传输到第一半导体图案1110。
第二连接图案1620可以通过分别提供在第二连接图案1620的一侧和相对侧的接触部分与第一半导体图案1110和电容器电极1330接触。驱动电压ELVDD(参见图5A)可以通过第二连接图案1620传输到第一半导体图案1110。
第三连接图案1630可以通过接触部分与第二半导体图案和第一初始化电压布线1340接触。因此，第一初始化电压VINT1可以通过第三连接图案1630传输到第四晶体管T4(参见图5A)。
第四连接图案1640可以通过接触部分与第一半导体图案1110接触。第四连接图案1640可以将驱动电流Id(参见图5A)从第一半导体图案1110传输到对应的发光元件(例如，红色发光元件ED_R(参见图5A))。
第五连接图案1650可以通过接触部分与第一半导体图案1110接触。第五连接图案1650可以将第一晶体管T1(参见图5A)和第三晶体管T3(参见图5A)电连接。
第六连接图案1660可以通过接触部分与第一半导体图案1110接触。第六连接图案1660可以将第二发射控制晶体管ET2(参见图5A)和第三晶体管T3电连接。
第一复位电压布线1670可以在第二方向DR2上延伸。第一复位电压布线1670可以与图5A的复位电压线VL5对应。复位电压Vrst(参见图5A)可以被提供到第一复位电压布线1670。第一复位电压布线1670可以通过接触部分连接到复位晶体管ST1(参见图5A)。复位晶体管ST1可以通过第一复位电压布线1670接收复位电压Vrst。然而，与图8E中所示的不同，第一复位电压布线1670也可以通过接触部分连接到第四栅极布线1320。在这种情况下，复位晶体管ST1可以通过第一复位电压布线1670接收作为复位电压Vrst的第j初始化扫描信号SIj。
第二初始化电压布线1680可以在第二方向DR2上延伸。第二初始化电压布线1680可以与图5A的第二初始化电压线VL4对应。第二初始化电压VINT2(参见图5A)可以通过第二初始化电压布线1680提供。第二初始化电压布线1680可以延伸到第一区域BRDA。之后，第二初始化电压布线1680可以通过第一区域BRDA中的接触孔连接到第五导电层的第二初始化电压强化布线AINT_W。
第七连接图案1691的一侧可以通过接触部分与第二半导体图案1120接触。第七连接图案1691的相对侧可以通过接触部分与第六栅极布线1520(参见图10F)接触。输出晶体管ST3可以通过第七连接图案1691接收第j补偿扫描信号SCj。
第八连接图案1692的一侧可以通过接触部分与第四半导体图案接触。第八连接图案1692的相对侧可以通过接触部分与第二栅极电极1240接触。第八连接图案1692可以将复位晶体管ST1电连接到放大晶体管ST2(参见图5A)。
第一-第一驱动电压布线SD1_ELV可以通过接触孔ELV_CNT1连接到第一驱动电压布线ELV_W1。第一-第一驱动电压布线SD1_ELV可以具有在第二方向DR2上延伸的条形状。
第四导电层1600还可以包括设置在第一区域BRDA中的第一桥接图案1681、第二桥接图案1682、第三桥接图案1683和第四桥接图案1693。
第一桥接图案1681和第二桥接图案1682可以分别连接到第一初始化电压布线1340和第二栅极布线1230。第三桥接图案1683可以具有岛形状。第三桥接图案1683可以连接到第一复位控制布线1350。第四桥接图案1693可以连接到第一栅极布线1210。
第四导电层1600还可以包括设置在第二区域DRVA中的子连接图案1694和1695。子连接图案1694和1695可以连接到第四子栅极布线1370。
第一复位电压强化布线VRST_W1可以包括第四导电层1600的第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1和第五导电层1700(参见图8F)的第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2(参见图8F)。第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1可以在第一方向DR1上设置在第一-第一驱动电压布线SD1_ELV上方。第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1可以具有在第二方向DR2上延伸的宽金属布线的形状。之后，第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1可以连接到第五导电层1700的第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2以降低电阻。
参照图6、图7和图8A至图8F，第六绝缘层60可以覆盖第四导电层1600的至少一部分并且可以设置在第五绝缘层50上。第五导电层1700可以设置在第六绝缘层60上。第五导电层1700可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
第五导电层1700可以包括第一数据布线1711、第二数据布线1712、驱动电压布线1720、第九连接图案1730、第十连接图案1740、第十一连接图案1750、读出布线1760、第一-第二驱动电压布线SD2_ELV和第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2。
第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第一方向DR1上延伸。第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一者可以与图5A的第i数据线DLi对应。例如，第i数据信号Di可以被提供到第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一者。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的每一者可以通过接触部分与第一连接图案1610接触。
驱动电压布线1720可以在第一方向DR1上延伸并且可以与第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2重叠。驱动电压布线1720可以与图5A的第一驱动电压线VL1对应。例如，第一驱动电压ELVDD可以被提供到驱动电压布线1720。驱动电压布线1720可以通过接触部分与第二连接图案1620接触。
第九连接图案1730可以以岛形状设置。第九连接图案1730可以通过被提供在第九连接图案1730的一侧的接触部分与第四半导体图案接触。第九连接图案1730可以通过被提供在第九连接图案1730的相对侧的接触部分电连接到图5A的第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1(参见图4A)。
第十连接图案1740可以以岛形状设置。第十连接图案1740可以通过被提供在第十连接图案1740的一侧的接触部分与第一半导体图案1110接触。第十连接图案1740可以通过被提供在第十连接图案1740的相对侧的接触部分电连接到对应的发光元件(例如，红色发光元件ED_R(参见图4A))的阳极电极(例如，红色阳极电极R_AE(参见图4A))。
第十一连接图案1750包括在第十一连接图案1750的一侧突出的接触部分1750_CNT，并且具有在第一方向DR1上延伸的条形状。第十一连接图案1750可以通过被提供在一侧的接触部分1750_CNT与第一复位电压布线1670接触。第十一连接图案1750可以在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到设置在第十一连接图案1750的上侧处的第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2。因此，第十一连接图案1750可以电连接第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2和第一复位电压布线1670。
读出布线1760可以在第一方向DR1上延伸。读出布线1760可以设置在设置为彼此相邻的两条数据布线(例如，第一数据布线1711和第二数据布线1712)之间。读出布线1760可以与图5A的第d读出线RLd对应。例如，第d读出信号FSd可以传输到读出布线1760。读出布线1760可以通过接触部分与输出晶体管ST3(参见图5A)接触。
第一-第二驱动电压布线SD2_ELV可以通过接触孔ELV_CNT2连接到第一-第一驱动电压布线SD1_ELV。第一-第二驱动电压布线SD2_ELV可以包括彼此分离的多个部分。第一驱动电压布线ELV_W1、第一-第一驱动电压布线SD1_ELV和第一-第二驱动电压布线SD2_ELV可以通过接触孔ELV_CNT1和ELV_CNT2彼此电连接。
第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以在第一方向DR1上设置在第一-第二驱动电压布线SD2_ELV上方。第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以是在第二方向DR2上延伸的条状宽金属布线。第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以通过接触部分VRST_CNT连接到第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1(参见图8E)。因此，第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以通过连接到第十一连接图案1750的第一-第一复位电压强化布线VRST_W1-1电连接到有源区域DA的第一复位电压布线1670。
第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以包括彼此间隔开的两个或更多个部件。例如，第一-第二复位电压强化布线VRST_W1-2可以包括彼此间隔开的第一部分和第二部分，并且读出布线1760可以在所述第一部件和所述第二部件之间穿过。
第五导电层1700可以包括在第四外围区域NDA4中的第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2。第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2中的每一者可以具有在第一方向DR1上延伸的条形状。第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2可以设置于设置在有源区域DA和第二区域DRVA之间的第一区域BRDA中。
第二复位控制强化布线GR_W2可以通过接触部分1683_CNT连接到第三桥接图案1683。第二复位控制强化布线GR_W2可以通过第三桥接图案1683电连接到第一复位控制布线1350。
第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2可以分别通过接触部分1681_CNT和1682_CNT连接到第一桥接图案1681和第二桥接图案1682。第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2可以通过第一桥接图案1681和第二桥接图案1682电连接到第一初始化电压布线1340。
第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2可以设置在第二复位控制强化布线GR_W2和第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2之间。第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2可以电连接到第二初始化电压布线1680。第二初始化电压布线1680可以被提供为多个。第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2可以通过接触部分1680_CNT直接连接到多个第二初始化电压布线1680。
参照图6、图7和图8A至图8G，第八绝缘层80可以覆盖第五导电层1700的至少一部分并且可以设置在第六绝缘层60上。第六导电层1800可以设置在第八绝缘层80上。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60和第八绝缘层80之间。
第六导电层1800可以包括多个阳极电极。参照图4A和图4B，第六导电层1800可以包括第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2、第一绿色阳极电极G1_AE、第二绿色阳极电极G2_AE、红色阳极电极R_AE和蓝色阳极电极B_AE。
第六导电层1800还可以包括设置在第二区域DRVA中的子阳极电极AE-1。子阳极电极AE-1可以构成设置在第二区域DRVA中的子像素中的一个。
图9A至图9G是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图。图9A至图9G是图7的区域BB'的放大图。也就是说，图9A至图9G示出了第二外围区域NDA2和第三外围区域NDA3的部分。
参照图9A至图9G，当在平面中观察时，导电图案和半导体图案中的每一者可以具有其中导电图案和半导体图案中的每一者根据预定规则重复和布置的结构。在图9A至图9G中示出了像素驱动电路的部分和传感器驱动电路的一部分的平面图。第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2可以具有彼此对称的结构，第一电路部分PDC1可以是图4A中所示的第一绿色像素驱动电路G1_PD的一部分，并且第二电路部分PDC2可以是图4A中所示的蓝色像素驱动电路B_PD的一部分。第三电路部分SDC可以是图4A中所示的传感器驱动电路O_SD的一部分。
图9A至图9G中的有源区域DA的结构可以与图8A至图8G中的结构基本相同。图8A至图8G和图9A至图9G之间的差异可以出现在第二外围区域NDA2和第三外围区域NDA3中。为了便于解释，通过参考参照图8A至图8G给出的关于有源区域DA的描述，将省略将参照图9A至图9G给出的关于有源区域DA的大部分描述。也就是说，为了便于解释，当与参照图8A至图8G给出的描述重复时，将省略参照图9A至图9G给出的描述。
在图6、图7和图9E中，第四导电层1600可以包括第二复位电压强化布线VRST_W2和第二-第一驱动电压布线ELV_W2-1。
第二复位电压强化布线VRST_W2可以设置在第一-第一驱动电压布线SD1_ELV下方，以便靠近第一-第一驱动电压布线SD1_ELV。第二复位电压强化布线VRST_W2可以包括在第二方向DR2上延伸的条状宽金属布线。
第二-第一驱动电压布线ELV_W2-1可以在第一方向DR1上设置在第二复位电压强化布线VRST_W2下方。第二-第一驱动电压布线ELV_W2-1可以包括宽金属布线。
在图6、图7、图9E和图9F中，根据实施例，第二复位电压强化布线VRST_W2未设置在第五导电层1700中。第二复位电压强化布线VRST_W2可以通过接触部分1750_CNT连接到第十一连接图案1750。也就是说，第二复位电压强化布线VRST_W2可以通过第十一连接图案1750与第一复位电压布线1670直接接触。
第二-第二驱动电压布线ELV_W2-2可以设置在第五导电层1700中。第二-第二驱动电压布线ELV_W2-2可以连接到驱动电压布线1720。第二-第二驱动电压布线ELV_W2-2可以通过接触部分ELV_W2_CNT连接到第二-第一驱动电压布线ELV_W2-1。第二-第一驱动电压布线ELV_W2-1和第二-第二驱动电压布线ELV_W2-2可以被包括在第二驱动电压布线ELV_W2中。
参照图9E至图9F，在第二外围区域NDA2中，第二复位电压强化布线VRST_W2可以设置在第四导电层1600中。第二驱动电压布线ELV_W2可以设置在第四导电层1600和第五导电层1700中。
第五导电层1700可以包括在第三外围区域NDA3中的第一复位控制强化布线GR_W1、第一-第一初始化电压强化布线VINT_W1和第二-第一初始化电压强化布线AINT_W1。
图10A至图10I是示出根据本发明构思的实施例的包括在电路层中的导电图案的布置的视图。图10A至图10I是图7的区域CC'的放大图。也就是说，图10A至图10I示出了第四外围区域NDA4的一部分。图10A至图10I中的有源区域DA的电路层DP_CL的配置与图8A至图8G中的基本相同。因此，为了便于解释，当与参照图8A至图8G给出的描述重叠时，将省略将参照图10A至图10I给出的描述。
参照图6、图7、图10D和图10E，第三绝缘层30可以覆盖第二导电层1300并且可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体层1400可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体层1400可以包括氧化物半导体。第二半导体层1400可以设置在与其中设置有第一半导体层1100的层不同的层中，并且根据实施例，第二半导体层1400不与第一半导体层1100重叠。第二半导体层1400包括第三半导体图案1410。
参照图6、图7和图10D至图10F，第四绝缘层40可以覆盖第二半导体层1400并且可以设置在第三绝缘层30上。第三导电层1500可以设置在第四绝缘层40上。第三导电层1500可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
第三导电层1500可以包括第五栅极布线1510、第六栅极布线1520和第二复位控制布线1530。
第五栅极布线1510可以在第二方向DR2上延伸。第五栅极布线1510可以与第三栅极布线1310和第三半导体图案1410重叠。在实施例中，第五栅极布线1510可以通过接触部分与第三栅极布线1310接触。因此，施加到第三栅极布线1310的第j补偿扫描信号SCj(参见图5A)可以被提供到第五栅极布线1510。第三栅极布线1310、第三半导体图案1410和第五栅极布线1510可以构成图5A的第三晶体管T3。
第六栅极布线1520可以在第二方向DR2上延伸。第六栅极布线1520可以与第四栅极布线1320和第三半导体图案1410重叠。第六栅极布线1520可以电连接到第四栅极布线1320。第j初始化扫描信号SIj(参见图5A)可以被提供到第六栅极布线1520。第四栅极布线1320、第六栅极布线1520和第三半导体图案1410可以构成图5A的第四晶体管T4。
第二复位控制布线1530可以在第二方向DR2上延伸。第二复位控制布线1530与第五栅极布线1510电绝缘。第二复位控制布线1530在第一方向DR1上与第五栅极布线1510间隔开。第二复位控制布线1530与第六栅极布线1520电绝缘。第二复位控制布线1530在第一方向DR1上与第六栅极布线1520间隔开。第二复位控制布线1530可以与图5A的复位控制线RCL对应。复位控制信号RST(参见图5A)可以通过第二复位控制布线1530被提供。
第三导电层1500还可以包括第七栅极布线1541和1542。第七栅极布线1541和1542可以包括多条布线。第七栅极布线1542可以设置在第四外围区域NDA4中，并且可以包括在第一方向DR1上延伸的多条布线。
参照图6、图7和图10H，第五导电层1700可以包括在第四外围区域NDA4中的第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2。
第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2中的每一者可以被提供为在第一方向DR1上延伸的宽金属布线。第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2可以通过经由接触部分与设置在第四导电层1600(参见图10G)中并且各自在第二方向DR2上延伸的多个桥接图案接触而将信号传输到第四导电层1600的设置在有源区域DA中的对应部分。图8E至图8F提供了第二复位控制强化布线GR_W2、第一-第二初始化电压强化布线VINT_W2和第二-第二初始化电压强化布线AINT_W2的进一步详细描述。
图11A是根据本发明构思的实施例的电路层的一部分的放大图。图11B和图11C是根据本发明构思的实施例的沿着图11A的线I-I'截取的截面图。
图11A是图7的区域EE'的放大图。图11A示出了图7的第二外围区域NDA2的一部分。图11A示出了显示面板DP的引入端处的布线。
在图11A中，第二驱动电压布线ELV_W2、第三驱动电压布线VSS、第二复位电压强化布线VRST_W2和第一复位控制强化布线GR_W1可以连接到焊盘部件PDD。在实施例中，第二驱动电压布线ELV_W2、第三驱动电压布线VSS、第二复位电压强化布线VRST_W2和第一复位控制强化布线GR_W1可以通过焊盘部件PDD连接到柔性电路板和主驱动电路。
用于将第二驱动电压布线ELV_W2、第三驱动电压布线VSS、第二复位电压强化布线VRST_W2和第一复位控制强化布线GR_W1连接到焊盘部件PDD的连接布线可以用宽金属布线来实现。
在图11A、图11B和图11C中，第二驱动电压布线ELV_W2、第三驱动电压布线VSS、第二复位电压强化布线VRST_W2和第一复位控制强化布线GR_W1中的每一者可以被实现为双布线或单布线。参照图11A至图11C，与在有源区域DA(参见图7)中的情况不同，在其中设置有显示面板的引入端的区域EE'中，第二驱动电压布线ELV_W2、第三驱动电压布线VSS、第二复位电压强化布线VRST_W2和第一复位控制强化布线GR_W1中的每一者可以包括双布线或单布线。例如，第二复位电压强化布线VRST_W2在有源区域DA中仅设置在第四导电层1600中，然而，在图11B中，第二复位电压强化布线VRST_W2在连接到焊盘部件的引入端中设置在第四导电层1600和第五导电层1700中，并且因此，第二复位电压强化布线VRST_W2可以被实现为双布线。第二复位电压强化布线VRST_W2的双布线可以通过接触部分彼此接触。在图11C中，如同在有源区域DA中，第二复位电压强化布线VRST_W2可以被实现为在引入端处也仅设置在第四导电层1600中的单布线。
图12A是根据本发明构思的实施例的电路层的一部分的放大图。图12A是图7的区域DD'的放大图。图12B是图12A的区域XX'的放大图。
参照图12A，面板驱动器IC可以连接到读出布线1760(参见图8F)。这里，面板驱动器IC可以包括读出电路500(参见图3)。读出电路500可以连接到有源区域DA(参见图7)的读出布线1760。从读出电路500延伸到有源区域DA的读出布线1760的布线可以是读出扇出布线RFO。也就是说，读出扇出布线RFO可以从读出电路500延伸以连接到有源区域DA的读出布线1760。
在图12B中，读出扇出布线RFO可以与控制信号布线SCSL交叉。控制信号布线SCSL可以包括在第二方向DR2上延伸的多条布线。控制信号布线SCSL可以是用于将诸如第一控制信号SCS(参见图3)或第二控制信号ECS(参见图3)的控制信号提供到扫描驱动器300(参见图3)或发射驱动器350(参见图3)的布线。控制信号布线SCSL可以包括诸如以将时钟信号提供到扫描驱动器300或发射驱动器350的时钟布线为例的各种信号布线。
第一复位电压强化布线VRST_W1可以设置在控制信号布线SCSL和读出扇出布线RFO之间。因此，第一复位电压强化布线VRST_W1可以防止在控制信号布线SCSL和读出扇出布线RFO之间发生耦合现象。第一复位电压强化布线VRST_W1可以与控制信号布线SCSL重叠。第一复位电压强化布线VRST_W1可以设置在控制信号布线SCSL和读出扇出布线RFO之间。例如，读出扇出布线RFO可以设置在第一导电层1200(参见图8C)和/或第二导电层1300(参见图8D)中，控制信号布线SCSL可以设置在第五导电层1700(参见图8F)中，并且第一复位电压强化布线VRST_W1可以设置在第四导电层1600(参见图8E)中。
通过设置在控制信号布线SCSL和读出扇出布线RFO之间，第一复位电压强化布线VRST_W1可以将控制信号布线SCSL与读出扇出布线RFO屏蔽，以遮蔽控制信号布线SCSL。也就是说，第一复位电压强化布线VRST_W1可以防止从读出扇出布线RFO输出的感测信号与施加到控制信号布线SCSL的数据信号耦合。因此，可以提高传感器FX(参见图3)的感测准确度。
图13A和图13B是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的发光元件和光接收元件的截面图。
参照图13A和图13B，第一电极层设置在电路层DP_CL上。像素限定膜PDL被提供在第一电极层上。第一电极层可以包括红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G_AE和蓝色阳极电极B_AE。像素限定膜PDL的第一发光开口OP1_1、第二发光开口OP1_2和第三发光开口OP1_3分别暴露红色阳极电极R_AE的至少一部分、绿色阳极电极G_AE的至少一部分和蓝色阳极电极B_AE的至少一部分。在本发明构思的实施例中，像素限定膜PDL还可以包括黑色材料。像素限定膜PDL还可以包括碳黑或诸如苯胺黑的黑色有机染料/颜料。像素限定膜PDL可以由通过将蓝色有机材料和黑色有机材料混合而得到的材料提供。像素限定膜PDL还可以包括拒液性有机材料。
如图13A中所示，显示面板DP可以包括第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B以及分别与第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B相邻的第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B。非发光区域NPXA-R、NPXA-G和NPXA-B中的每一者可以围绕发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的对应一者。在实施例中，第一发光区域PXA-R限定为与红色阳极电极R_AE的被第一发光开口OP1_1暴露的部分区域对应。第二发光区域PXA-G限定为与绿色阳极电极G_AE的被第二发光开口OP1_2暴露的部分区域对应。第三发光区域PXA-B限定为与蓝色阳极电极B_AE的被第三发光开口OP1_3暴露的部分区域对应。非像素区域NPA可以限定在第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B之间。
发光层可以设置在第一电极层上。发光层可以包括红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL可以设置在分别与第一发光开口OP1_1、第二发光开口OP1_2和第三发光开口OP1_3对应的区域中。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL可以被单独提供。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者可以包括有机材料和/或无机材料。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者可以产生具有预定颜色的有色光。例如，红色发光层R_EL可以产生红光，绿色发光层G_EL可以产生绿光，并且蓝色发光层B_EL可以产生蓝光。
尽管被图案化的红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL被示出为示例，但是本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，一个发光层可以公共地设置在第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B中。在这种情况下，发光层可以产生白光或蓝光。另外，发光层可以具有被称为串联(tandem)的多层结构。
红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料作为发光材料。可选地，红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以从例如II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合的组中选择。
第二电极层设置在红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL上。第二电极层可以包括红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE。红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以彼此电连接。根据本发明构思的实施例，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以彼此具有一体的形状。在这种情况下，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以公共地设置在第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B、第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B以及非像素区域NPA中。
元件层DP_ED还可以包括第一光接收元件OPD1。第一光接收元件OPD1可以是光电二极管。像素限定膜PDL还可以包括被提供为与第一光接收元件OPD1对应的光接收开口OP2。
第一光接收元件OPD1可以包括第一感测阳极电极O_AE1、第一光电转换层O_RL1和感测阴极电极O_CE1。第一感测阳极电极O_AE1可以与第一电极层设置在同一层上。也就是说，第一感测阳极电极O_AE1可以设置在电路层DP_CL上，并且可以与红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G_AE和蓝色阳极电极B_AE同时通过相同的工艺提供。
像素限定膜PDL的光接收开口OP2暴露第一感测阳极电极O_AE1的至少一部分。第一光电转换层O_RL1设置在第一感测阳极电极O_AE1的被光接收开口OP2暴露的部分上。第一光电转换层O_RL1可以包括有机光感测材料。感测阴极电极O_CE1可以设置在第一光电转换层O_RL1上。感测阴极电极O_CE1可以与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE同时通过相同的工艺提供。根据本发明构思的实施例，感测阴极电极O_CE1可以与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE一起具有一体的形状，从而提供公共阴极电极C_CE(参见图6)。
封装层TFE设置在元件层DP_ED上。封装层TFE包括至少一个无机层和/或一个有机层。在本发明构思的实施例中，封装层TFE可以包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层。在本发明构思的实施例中，封装层TFE可以包括交替地层叠的多个无机层和多个有机层。
封装层TFE的无机层中的每一个可以保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B以及第一光接收元件OPD1免受湿气/氧的影响，并且封装层TFE的有机层可以保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B以及第一光接收元件OPD1免受诸如以灰尘颗粒为例的异物的影响。封装层TFE的无机层可以包括例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等，并且不特别局限于此。封装层TFE的有机层可以包括丙烯酸有机层，并且不受特别限制。
显示装置DD(参见图1)包括设置在显示面板DP上的输入感测层ISL和设置在输入感测层ISL上的滤色器层CFL。
输入感测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。输入感测层ISL包括第一导电层ICL1、绝缘层IL、第二导电层ICL2和保护层PL。第一导电层ICL1可以设置在封装层TFE上。尽管在图13A和图13B中示出了第一导电层ICL1直接设置在封装层TFE上的结构，但是本发明构思的实施例不限于此。输入感测层ISL还可以包括设置在第一导电层ICL1和封装层TFE之间的基体绝缘层。在这种情况下，封装层TFE可以被基体绝缘层覆盖，并且第一导电层ICL1可以设置在基体绝缘层上。根据本发明构思的实施例，基体绝缘层可以包括无机绝缘材料。
绝缘层IL可以覆盖第一导电层ICL1。第二导电层ICL2设置在绝缘层IL上。虽然示出了输入感测层ISL包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2的结构，但是本发明构思的实施例不限于此。例如，输入感测层ISL可以仅包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一者。
保护层PL可以设置在第二导电层ICL2上。保护层PL可以包括有机绝缘材料。保护层PL可以用于保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受例如湿气/氧的影响，并且用于保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受例如异物的影响。
滤色器层CFL可以设置在输入感测层ISL上。滤色器层CFL可以直接设置在保护层PL上。滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B。第一滤色器CF_R具有第一颜色，第二滤色器CF_G具有第二颜色，并且第三滤色器CF_B具有第三颜色。根据本发明构思的实施例，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色。
滤色器层CFL还可以包括虚设滤色器DCF。根据本发明构思的实施例，当其中设置有光电转换层O_RL1的区域限定为光接收区域SA并且在光接收区域SA的外围的区域限定为非光接收区域NSA时，虚设滤色器DCF可以设置为与光接收区域SA对应。虚设滤色器DCF可以与光接收区域SA和非光接收区域NSA重叠。根据本发明构思的实施例，虚设滤色器DCF可以与第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B中的一者具有相同的颜色。根据本发明构思的实施例，虚设滤色器DCF可以具有与第二滤色器CF_G的颜色相同的绿色。
滤色器层CFL还可以包括黑矩阵BM。黑矩阵BM可以设置为与非像素区域NPA对应。黑矩阵BM可以在非像素区域NPA中与第一导电层ICL1和第二导电层ICL2重叠。根据本发明构思的实施例，黑矩阵BM可以与非像素区域NPA以及第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B重叠。根据本发明构思的实施例，黑矩阵BM不与第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B重叠。
滤色器层CFL还可以包括外涂层OCL。外涂层OCL可以包括有机绝缘材料。外涂层OCL可以被提供有适合于去除第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B之间的台阶的厚度。外涂层OCL可以包括而不特别局限于一种材料，只要所述材料具有预定的厚度并且能够使滤色器层CFL的上表面平坦化即可，并且外涂层OCL可以包括例如丙烯酸酯类有机材料。
参照图13B，当显示装置DD(参见图1)操作时，红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B中的每一者可以输出光。红色发光元件ED_R输出红光波段的红光，绿色发光元件ED_G输出绿光波段的绿光，并且蓝色发光元件ED_B输出蓝光波段的蓝光。
根据本发明构思的实施例，第一光接收元件OPD1可以从红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B之中的特定的发光元件(例如，绿色发光元件ED_G)接收光。也就是说，第一光接收元件OPD1可以接收从绿色发光元件ED_G输出的绿光Lg1的通过被用户的指纹反射而产生的反射绿光Lg2。绿光Lg1和反射绿光Lg2可以是绿光波段的光。虚设滤色器DCF设置在第一光接收元件OPD1上。虚设滤色器DCF可以具有绿颜色。因此，反射绿光Lg2可以穿过虚设滤色器DCF以入射在第一光接收元件OPD1上。
根据实施例，分别从红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B输出的红光和蓝光也可以被用户的手指US_F反射。例如，当反射红光Lr2限定为从红色发光元件ED_R输出的红光Lr1的通过被用户的手指US_F反射而产生的光时，反射红光Lr2可以不能穿过虚设滤色器DCF，并且可以被虚设滤色器DCF吸收。因此，反射红光Lr2可以不能穿过虚设滤色器DCF，并且可以不能入射在第一光接收元件OPD1上。同样地，当蓝光被用户的手指US_F反射时，反射蓝光可以被虚设滤色器DCF吸收。因此，只有反射绿光Lg2可以被提供到第一光接收元件OPD1。
按照本发明构思的领域中的惯例，从功能块、功能单元和/或功能模块的角度描述并在附图中示出了实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术来形成的诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等的电子(或光学)电路物理上地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器等实现的情况下，块、单元和/或模块可以使用软件(例如，微代码)进行编程，以执行本文中讨论的各种功能，并且可以选择性地由固件和/或软件驱动。可选地，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件实现，或者可以被实现为执行一些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程微处理器和相关联的电路)的组合。
根据本发明构思的实施例，通过在外围区域中包括强化布线并且通过设置信号布线使得信号布线不彼此重叠，可以改善有源区域中的传感器的感测性能和感测均匀性。
虽然已经参照本发明构思的实施例具体示出并描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由所附权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (28)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基体层；
电路层，设置在所述基体层上；以及
元件层，设置在所述电路层上并且包括发光元件和光接收元件，
其中，所述电路层包括：
像素驱动电路，连接到所述发光元件；
传感器驱动电路，连接到所述光接收元件；
多条复位电压布线，设置在有源区域中并且被配置为将复位电压提供到所述传感器驱动电路；以及
复位电压强化布线，设置在外围区域中，所述外围区域与所述有源区域相邻，并且所述复位电压强化布线连接到所述多条复位电压布线并且在第一方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述复位电压强化布线具有在所述第一方向上延伸的条形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述外围区域包括限定在所述有源区域的上侧的第一外围区域和限定在所述有源区域的下侧的第二外围区域，并且
所述复位电压强化布线包括设置在所述第一外围区域中的第一复位电压强化布线和设置在所述第二外围区域中的第二复位电压强化布线。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述电路层包括：
第一导电层，设置在所述基体层上；
第二导电层，设置在所述第一导电层上并且包括栅极布线；
第三导电层，设置在所述第二导电层上并且包括所述多条复位电压布线；以及
第四导电层，设置在所述第三导电层上并且包括读出布线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
第一驱动电压布线，设置在所述第一外围区域中并且被配置为将驱动电压提供到所述像素驱动电路，
其中，所述第一驱动电压布线设置为比所述第一复位电压强化布线靠近所述有源区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一驱动电压布线设置在所述第一导电层中。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
第二驱动电压布线，设置在所述第二外围区域中，
其中，所述第二驱动电压布线设置为比所述第二复位电压强化布线距离所述有源区域远。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二驱动电压布线设置在所述第三导电层和所述第四导电层中的至少一者中。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一复位电压强化布线设置在所述第三导电层和所述第二导电层中。
10.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二复位电压强化布线设置在所述第三导电层中。
11.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述外围区域还包括分别限定在所述有源区域的左侧和右侧的第三外围区域和第四外围区域，
其中，所述电路层还包括：
复位控制强化布线，设置在所述第三外围区域和所述第四外围区域中，并且连接到所述有源区域的复位控制布线；
第一初始化电压强化布线，连接到所述有源区域中的第一初始化电压布线；以及
第二初始化电压强化布线，连接到所述有源区域中的第二初始化电压布线。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述复位控制强化布线、所述第一初始化电压强化布线和所述第二初始化电压强化布线中的每一者具有在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的条形状。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述复位控制强化布线、所述第一初始化电压强化布线和所述第二初始化电压强化布线设置在所述第四导电层中。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
第一连接图案，被配置为将所述复位控制强化布线和所述复位控制布线连接；
第二连接图案，被配置为将所述第一初始化电压强化布线和所述第一初始化电压布线连接；以及
第三连接图案，被配置为将所述第二初始化电压强化布线和所述第二初始化电压布线连接。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
至少一个面板驱动器，所述复位控制强化布线连接到所述至少一个面板驱动器；以及
扫描驱动器，被配置为接收控制信号。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
控制信号布线，连接到所述扫描驱动器并且被配置为将所述控制信号提供到所述扫描驱动器；以及
读出扇出布线，与所述控制信号布线交叉并且将所述读出布线连接到所述面板驱动器，
其中，所述复位电压强化布线与所述控制信号布线重叠，并且所述复位电压强化布线在所述电路层的厚度方向上设置在所述控制信号布线和所述读出扇出布线之间。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述读出扇出布线设置在所述第二导电层中，所述控制信号布线设置在所述第四导电层中，并且所述复位电压强化布线设置在所述第三导电层中。
18.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基体层；
电路层，设置在所述基体层上；以及
元件层，设置在所述电路层上并且包括发光元件和光接收元件，
其中，所述电路层包括：
复位电压强化布线，设置在第一外围区域和第二外围区域中并且连接到有源区域中的复位电压布线，
其中，在所述有源区域中显示图像，所述第一外围区域设置在所述有源区域的上侧，所述第二外围区域设置在所述有源区域的下侧，第三外围区域设置在所述有源区域的左侧，并且第四外围区域设置在所述有源区域的右侧；以及
复位控制强化布线、第一初始化电压强化布线和第二初始化电压强化布线，设置在所述第三外围区域和所述第四外围区域中。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述复位电压强化布线具有在第一方向上延伸的条形状。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述复位控制强化布线、所述第一初始化电压强化布线和所述第二初始化电压强化布线中的每一者具有在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的条形状。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，在所述第一方向上，所述复位控制强化布线设置为比所述第一初始化电压强化布线靠近所述有源区域，并且所述第二初始化电压强化布线设置在所述复位控制强化布线和所述第一初始化电压强化布线之间。
22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述电路层包括：
第一导电层，设置在所述基体层上；
第二导电层，设置在所述第一导电层上并且包括栅极布线；
第三导电层，设置在所述第二导电层上并且包括所述复位电压布线；以及
第四导电层，设置在所述第三导电层上并且包括读出布线。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述复位电压强化布线包括设置在所述第一外围区域中的第一复位电压强化布线和设置在所述第二外围区域中的第二复位电压强化布线。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一复位电压强化布线设置在所述第三导电层和所述第四导电层中，并且所述第二复位电压强化布线设置在所述第三导电层中。
25.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述复位控制强化布线、所述第一初始化电压强化布线和所述第二初始化电压强化布线设置在所述第四导电层中。
26.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
控制信号布线，被配置为接收控制信号；以及
读出扇出布线，与所述控制信号布线交叉并且连接到所述读出布线，
其中，所述复位电压强化布线与所述控制信号布线重叠，并且所述复位电压强化布线在所述电路层的厚度方向上设置在所述控制信号布线和所述读出扇出布线之间，并且所述复位电压强化布线将所述控制信号布线与所述读出扇出布线屏蔽。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述读出扇出布线设置在所述第二导电层中，所述控制信号布线设置在所述第四导电层中，并且所述复位电压强化布线设置在所述第三导电层中。
28.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述电路层还包括：
像素驱动电路，连接到所述发光元件；以及
传感器驱动电路，连接到所述光接收元件，
其中，所述复位电压强化布线和所述复位控制强化布线连接到所述传感器驱动电路。
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