CN117116523A - 一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 - Google Patents
一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117116523A CN117116523A CN202310996689.7A CN202310996689A CN117116523A CN 117116523 A CN117116523 A CN 117116523A CN 202310996689 A CN202310996689 A CN 202310996689A CN 117116523 A CN117116523 A CN 117116523A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver
- solar cell
- front side
- paste
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- -1 silver-aluminum Chemical compound 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- NDSYZZUVPRGESW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-octoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCOCCOCCO NDSYZZUVPRGESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 2-hydroxyethyl (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCO MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 229940095098 glycol oleate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法。该方法包括：TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层采用银铝浆印刷，印刷高度为1‑5μm，印刷宽度为24‑26μm，银铝浆由银粉、铝粉、玻璃粉和有机载体构成；TOPCon太阳能电池正面副栅的第二层采用银浆印刷，印刷高度为5‑7μm，印刷宽度为26‑28μm，银浆由银粉、玻璃粉和有机载体构成；将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层和第二层电极共烧结。该方法采用二次印刷正面副栅，通过优化正面副栅的分布，提高了电极与硅片接触性能以及电极导电性能，降低了串联电阻，进而提高了TOPCon太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法。
背景技术
近年来随着电池新技术的突破和新工艺的发展，N型硅电池取得技术重大突破。特别是N型硅TOPCon电池，它具有多子寿命高、光致衰减小的优点，使得N型硅电池转换效率高的优势逐渐显现。同时，N型硅TOPCon电池具有弱光响应好和温度系数低的优点，这使得N型硅TOPCon电池不仅具有高发电量的优势，还具有较好的稳定性。因此在未来数年内，N型硅Topcon电池终将取代今天主流的P型Se-perc单晶电池，成为新的电池主流。
TOPCon电池的正面副栅采用银铝浆，主要由银粉、铝粉、玻璃粉和有机载体组成。选用低氧含量(即高纯度)的铝粉，使得铝粉易于突破钝化膜层与电池的硅接触，形成欧姆接触，保障了电流传导能力，有效降低电极与硅片的接触电阻。通过在铝粉中添加特定含量的银粉，可使电极的线电阻降低，导电能力提高。通过在组分中添加玻璃粉，可打开银铝浆对硅片的腐蚀通道以及提高银铝浆对硅片的粘结强度，所添加的玻璃粉含量要适中，避免因过度腐蚀钝化膜导致铝粉与硅片的反应过于剧烈。有机载体是一种膏状有机混合物，它有助于分体均匀分散在浆料体系中，对浆料的粘度、触变性和挥发性影响极大。
二次印刷工艺通过提高正面副栅的高宽比，提高了电极与硅片接触性能以及电极导电性能，降低了TOPCon太阳能电池的串联电阻，进而提高了TOPCon太阳能电池的光电转换效率，是一种操作简单且成本低廉的有效方案。
发明内容
为了克服现有的TOPCon太阳能电池单次印刷导致的电池串联电阻较高、光电转换效率较低等不足，本发明公开了一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法，在提高电极与硅片接触性能以及电极导电性能的基础上，降低了TOPCon太阳能电池的串联电阻，进而提高了TOPCon太阳能电池的光电转换效率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，所述正面副栅浆料包括第一副栅浆料和第二副栅浆料；
其中，第一副栅浆料为银铝浆；银铝浆的组成以占银铝浆计，为：80-87wt％银粉、2-10wt％铝粉、3-10wt％玻璃粉、3-8wt％有机载体；
第二副栅浆料为银浆，银浆的组成以占银浆计，为：88-92wt％银粉、1-3wt％玻璃粉、7-9wt％有机载体。
在本发明的一个实施方式中，进一步包括所述银铝浆由80-83wt％银粉、4-7wt％铝粉、5-8wt％玻璃粉和3-8wt％有机载体制备而成。
在本发明的一个实施方式中例，进一步包括所述银浆由89-91wt％银粉、1-3wt％玻璃粉和7-9wt％有机载体制备而成。
在本发明的一个实施方式中，玻璃粉的组分：60-70wt％PbO，5-15wt％B2O3，10-15wt％ZnO，10-15wt％SiO2。
在本发明的一个实施方式中，所述玻璃粉具体由如下组成：66wt％PbO，10wt％B2O3，12wt％ZnO，12wt％SiO2。
在本发明的一个实施方式中，有机载体选自：聚乙烯醇缩丁醛、苯酚树脂、三聚氰胺树脂、二乙二醇单辛醚、已二酸二辛酯、脂肪酸酰胺蜡、聚乙二醇油酸酯、磷酸三甲苯酯、氨基改性硅油中任意一种或多种组合。
在本发明的一个实施方式中，所述有机载体具体由如下组成：20wt％聚乙烯醇缩丁醛、20wt％苯酚树脂、10wt％三聚氰胺树脂、15wt％二乙二醇单辛醚、15wt％已二酸二辛酯、10wt％脂肪酸酰胺蜡、5wt％聚乙二醇油酸酯、1wt％磷酸三甲苯酯、4wt％氨基改性硅油。
在本发明的一个实施方式中，银铝浆和银浆所用的玻璃粉和有机载体均为同一种。
一种TOPCon太阳能电池正面浆料的二次印刷方法，采用以下步骤：
(1)TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层采用银铝浆印刷；
(2)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层烘干；
(3)TOPCon太阳能电池正面副栅的第二层采用银浆印刷；
(4)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层和第二层电极共烧结形成电极。
在本发明的一个实施方式中，进一步包括正面副栅的第一层高度为1-5μm。
在本发明的一个实施方式中，进一步包括正面副栅的第一层宽度为24-26μm。
在本发明的一个实施方式中，进一步包括正面副栅的第二层高度为5-7μm。
在本发明的一个实施方式中，进一步包括正面副栅的第二层宽度为26-28μm。
本发明还基于上述方法制备提供一种电极。
本发明还提供包含上述电极的TOPCon太阳能电池。
本发明的有益效果：
本发明采用二次印刷正面副栅，第一层为银铝浆印刷，增加了铝粉和玻璃粉的含量，打开钝化膜面积，降低玻璃对p+发射极的侵蚀深度，增加隧穿导电概率，抑制银铝硅合金尺寸，增加银铝硅合金数量，有效降低电极与硅片的接触电阻；第二层为银浆印刷，可有效降低电极的线电阻。第二层印刷的栅线高度和宽度略高于第一层。通过优化正面副栅的分布，提高了电极与硅片接触性能以及电极导电性能，降低了TOPCon太阳能电池的串联电阻，进而提高了TOPCon太阳能电池的光电转换效率。
具体实施方式
一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法，采用以下步骤：
(1)TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层采用银铝浆印刷；
(2)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层烘干；
(3)TOPCon太阳能电池正面副栅的第二层采用银浆印刷；
(4)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层和第二层电极共烧结形成电极。
所述银铝浆为含银粉、铝粉、玻璃粉、有机载体的导电金属浆料。所述银铝浆由80-87wt％银粉、2-10wt％铝粉、3-10wt％玻璃粉和3-8wt％有机载体制备而成。正面副栅的第一层高度为1-5μm，第一层宽度为24-26μm。所述银浆为含银粉、玻璃粉、有机载体的导电金属浆料。所述银浆由88-92wt％银粉、1-3wt％玻璃粉和7-9wt％有机载体制备而成。正面副栅的第二层高度为5-7μm，第二层宽度为26-28μm。
下述实施例中涉及的有机载体组分由20wt％聚乙烯醇缩丁醛、20wt％苯酚树脂、10wt％三聚氰胺树脂、15wt％二乙二醇单辛醚、15wt％已二酸二辛酯、10wt％脂肪酸酰胺蜡、5wt％聚乙二醇油酸酯、1wt％磷酸三甲苯酯、4wt％氨基改性硅油组成。
下述实施例中涉及的玻璃粉组分由66wt％PbO，10wt％B2O3，12wt％ZnO和12wt％SiO2组成。
实施例1
将83wt％银粉、4wt％铝粉、5wt％玻璃粉和8wt％有机载体预搅拌后，使用三辊机混合，设定转速300rpm。第一步，初辊间隙80um和终辊间隙40um，混合4遍；第二步，初辊间隙40um和终辊间隙20um，混合4遍；第三步，初辊间隙20um和终辊间隙10um，混合4遍；第四步，初辊间隙15um和终辊间隙7um，混合6遍，使得分散均匀，得到成品银铝浆。
将91wt％银粉、1wt％玻璃粉和8wt％有机载体(同银铝浆所用有机载体)预搅拌后，使用三辊机混合，设定转速300rpm。第一步，初辊间隙80um和终辊间隙40um，混合4遍；第二步，初辊间隙40um和终辊间隙20um，混合4遍；第三步，初辊间隙20um和终辊间隙10um，混合4遍；第四步，初辊间隙15um和终辊间隙7um，混合6遍，使得分散均匀，得到成品银浆。
TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层采用银铝浆印刷，印刷高度为1μm，印刷宽度为24μm，随后烘干；正面副栅的第二层采用银浆印刷，印刷高度为7μm，印刷宽度为26μm，第二层银电极覆盖在第一层银铝电极之上，共烧结形成电极。
测试相应电极产品的性能，结果如表1所示。
表1
| Eta(％) | Uoc(V) | Isc(A) | FF(％) | Rser(Ω) | Rshunt(Ω) |
| 25.16 | 0.7166 | 0.137 | 84.98 | 0.00159 | 2337 |
实施例2银铝浆的组分优化
参照实施例1，仅调整玻璃粉含量和银粉含量，其他不变，得到相应的银铝浆。
银浆同实施例1。
二次印刷制备电极的过程同实施例1。
测试相应电极产品的性能，结果如表2所示。
表2
实施例3银铝浆的组分优化
参照实施例1，仅调整铝粉含量和银粉含量，其他不变，得到相应的银铝浆。
银浆同实施例1。
二次印刷制备电极的过程同实施例1。
测试相应电极产品的性能，结果如表3所示。
表3
实施例4银浆的组分优化
银铝浆同实施例1。
参照实施例1，仅调整玻璃粉含量和银粉含量，其他不变，得到相应的银浆。
二次印刷制备电极的过程同实施例1。
测试相应电极产品的性能，结果如表4所示。
表4
太阳能电池用金属化浆料的绝对效率0.1％提升是一个巨大的进步。在本发明的太阳能电池的测试过程中，针对电性能测试结果，进行了统计学中的置信度分析(p值分析)，所得到的测试样品和参照样品的具有显著性差异(p<0.05)，从而排除了测试误差带来的差异。
以上所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，所描述的步骤也不是用以限制其执行顺序。本领域技术人员结合现有公知常识对本发明做显而易见的改进，亦落入本发明权利要求书所界定的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，其特征在于，所述正面副栅浆料包括第一副栅浆料和第二副栅浆料；
其中，第一副栅浆料为银铝浆；银铝浆的组成以占银铝浆计，为：80-87wt％银粉、2-10wt％铝粉、3-10wt％玻璃粉、3-8wt％有机载体；
第二副栅浆料为银浆，银浆的组成以占银浆计，为：88-92wt％银粉、1-3wt％玻璃粉、7-9wt％有机载体。
2.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，其特征在于，玻璃粉的组分：60-70wt％PbO，5-15wt％B2O3，10-15wt％ZnO，10-15wt％SiO2。
3.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，其特征在于，有机载体选自：聚乙烯醇缩丁醛、苯酚树脂、三聚氰胺树脂、二乙二醇单辛醚、已二酸二辛酯、脂肪酸酰胺蜡、聚乙二醇油酸酯、磷酸三甲苯酯、氨基改性硅油中任意一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，其特征在于，银铝浆由80-83wt％银粉、4-7wt％铝粉、5-8wt％玻璃粉和3-8wt％有机载体制备而成。
5.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料，其特征在于，银浆由89-91wt％银粉、1-3wt％玻璃粉和7-9wt％有机载体制备而成。
6.一种TOPCon太阳能电池正面浆料的二次印刷方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层采用权利要求1中所述的银铝浆进行印刷；
(2)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层烘干；
(3)TOPCon太阳能电池正面副栅的第二层采用权利要求1中所述的银浆印刷；
(4)将TOPCon太阳能电池正面副栅的第一层和第二层电极共烧结形成电极。
7.根据权利要求6所述的二次印刷方法，其特征在于，正面副栅的第一层高度为1-5μm；第一层宽度为24-26μm。
8.根据权利要求6所述的二次印刷方法，其特征在于，正面副栅的第二层高度为5-7μm；第二层宽度为26-28μm。
9.权利要求6-8任一项所述方法制备得到的一种电极。
10.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包含权利要求9所述的电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310996689.7A CN117116523A (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310996689.7A CN117116523A (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117116523A true CN117116523A (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=88797536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310996689.7A Pending CN117116523A (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117116523A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109873041A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-06-11 | 北京市合众创能光电技术有限公司 | N型电池的正面电极两次印刷方法 |
| CN113257457A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 浙江奕成科技有限公司 | 一种高性能n型太阳能电池正面细栅用银铝浆及其制备方法 |
| CN114213018A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-22 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种陶瓷玻璃粉及含有该玻璃粉的太阳能电池金属化浆料 |
| CN115831437A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-21 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 一种超细栅网版印刷的Topcon正面银铝浆及其制备方法 |
| CN116457951A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-07-18 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 太阳能电池的金属化方法、太阳能电池 |
-
2023
- 2023-08-09 CN CN202310996689.7A patent/CN117116523A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109873041A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-06-11 | 北京市合众创能光电技术有限公司 | N型电池的正面电极两次印刷方法 |
| CN113257457A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 浙江奕成科技有限公司 | 一种高性能n型太阳能电池正面细栅用银铝浆及其制备方法 |
| CN114213018A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-22 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种陶瓷玻璃粉及含有该玻璃粉的太阳能电池金属化浆料 |
| CN115831437A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-21 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 一种超细栅网版印刷的Topcon正面银铝浆及其制备方法 |
| CN116457951A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-07-18 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 太阳能电池的金属化方法、太阳能电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2363864B1 (en) | Conductive aluminum paste and the fabrication method thereof, the solar cell and the module thereof | |
| US20110227004A1 (en) | Paste for solar cell electrode and solar cell using the same | |
| EP2444979A1 (en) | Paste for solar cell electrode and electrode using the same and solar cell using the same | |
| JP2012502503A (ja) | 太陽電池電極 | |
| TWI631088B (zh) | 玻璃熔料組成物、膏糊、以及使用其之太陽能電池 | |
| KR20110046358A (ko) | 태양전지 전극 형성용 도전성 페이스트 | |
| CN103456387A (zh) | 低金属含量导电浆料组成物 | |
| EP2696352A2 (en) | Silver paste composition for forming an electrode, and method for preparing same | |
| CN109949966B (zh) | 一种高可靠性perc晶硅太阳能电池背面银导电浆料及其制备工艺 | |
| SG190520A1 (en) | Thick film conductive composition and use thereof | |
| DE212013000122U1 (de) | Hybrid-Solarzelle | |
| CN114220586A (zh) | 一种与N型TOPCon电池正面铝浆配合使用的主栅银浆及其制备方法 | |
| CN112687420B (zh) | 一种低温烧结银浆及其制备方法 | |
| CN105118873A (zh) | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆 | |
| CN111630012B (zh) | 太阳能电池电极用导电性浆料以及包含于上述导电性浆料中的玻璃熔块、还有太阳能电池 | |
| CN117116523A (zh) | 一种TOPCon太阳能电池二次印刷工艺用正面副栅浆料及其制备方法 | |
| CN114388172B (zh) | 一种硼硅玻璃浆料、选择性发射极及制备方法和应用 | |
| US20130160835A1 (en) | Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same | |
| US9640298B2 (en) | Silver paste composition for forming an electrode, and silicon solar cell using same | |
| CN114283963B (zh) | 导电浆料组合物及其制备方法和应用、晶硅太阳能电池 | |
| TWI657119B (zh) | 用於太陽能電池之背面電極糊料組成物 | |
| JP2017092252A (ja) | 導電性組成物 | |
| TWI482291B (zh) | 一種太陽能電池用之導電膠 | |
| KR20100111411A (ko) | 알루미늄 전극 페이스트 및 이를 이용한 태양전지소자 | |
| CN110689991A (zh) | 一种导电浆料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Country or region after: China Address after: 214000 No. 8, Luzhong Road, Liangxi District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Riyu Photovoltaic New Materials Co.,Ltd. Address before: 214000 No. 8, Luzhong Road, Liangxi District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu riyu photovoltaic New Material Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CB02 | Change of applicant information |