CN117099504A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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袁粲
王欣欣
王玉
周斌
张大成
闫梁臣
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：基底结构，包括衬底基板；和发光结构、像素定义层和连接结构，发光结构的至少一部分位于像素定义层的开口中，连接结构位于像素定义层的远离开口的一侧，发光结构包括导电结构层、第一发光层和第一电极层；第一电极层的一部分和第一发光层的一部分位于像素定义层的靠近连接结构的侧面上，第一电极层电连接至连接结构；连接结构包括第一导电层、第二导电层和顶部结构；其中，第二导电层在衬底基板上的正投影位于顶部结构在衬底基板上的正投影的内部，顶部结构包括第二发光层；第一发光层在衬底基板上的正投影与第二发光层在衬底基板上的正投影部分地交叠。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
顶栅型TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)具有短沟道的特点，所以其开态电流I on得以有效提升，因而可以显著提升显示装置的显示效果并且能有效降低功耗。再者，顶栅型TFT的栅极与源极/漏极的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生诸如栅极线与数据线短路等不良问题的可能性也比较低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。
顶发射产品广泛应用于汽车、地铁等车载显示和酒店、服装店等橱窗展示等领域，具有画质清晰、显示效果逼真等显著优点。大尺寸顶发射产品为了提升透明效果会将阴极做的很薄，导致大部分显示产品具有较大的阴极电压降(IR drop)的问题。在相关技术中，可以将阴极与位于背板上的辅助阴极进行有效搭接，从而减轻IR drop问题。
发明内容
根据本公开的一个方面，提供了一种显示基板，包括：基底结构，所述基底结构包括衬底基板；以及在所述衬底基板一侧的发光结构、像素定义层和连接结构，所述发光结构的至少一部分位于所述像素定义层的开口中，所述连接结构位于所述像素定义层的远离所述开口的一侧，其中，所述发光结构包括：在所述衬底基板一侧的导电结构层；在所述导电结构层的远离所述衬底基板一侧的第一发光层；和在所述第一发光层的远离所述衬底基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层的一部分和所述第一发光层的一部分位于所述像素定义层的在所述开口与所述连接结构之间的靠近所述连接结构的侧面上，所述第一电极层电连接至所述连接结构；所述连接结构包括：在所述衬底基板一侧的第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底基板一侧的第二导电层；和在所述第二导电层的远离所述衬底基板一侧的顶部结构，其中，所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部，所述顶部结构包括第二发光层；其中，所述第一发光层在所述衬底基板上的 正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影部分地交叠。
在一些实施例中，所述第一发光层包括从所述像素定义层的所述侧面延展到所述间隙中的延展部分，所述延展部分包括第一延展部和与所述第一延展部连接的第二延展部，所述第二延展部在所述第一延展部的远离所述像素定义层的一侧，其中，所述第二延展部与所述第二导电层之间的距离小于所述第一发光层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度。
在一些实施例中，所述第一延展部具有第一坡度角，所述第一坡度角为所述第一延展部的第一斜面与所述第一延展部的下表面之间的夹角；所述第二延展部具有第二坡度角，所述第二坡度角为所述第二延展部的第二斜面与所述第二延展部的下表面之间的夹角；其中，所述第一坡度角与所述第二坡度角不同。
在一些实施例中，所述第一坡度角大于所述第二坡度角。
在一些实施例中，所述顶部结构还包括：在所述第二导电层与所述第二发光层之间的第三导电层；以及在所述第二发光层的远离所述衬底基板一侧的第四导电层；其中，所述第二发光层具有第三坡度角，所述第三坡度角为所述第二发光层的侧面与所述第二发光层的底面之间的夹角。
在一些实施例中，所述第一坡度角小于所述第三坡度角。
在一些实施例中，所述第二坡度角小于所述第三坡度角。
在一些实施例中，所述第二导电层具有第四坡度角，所述第四坡度角为所述第二导电层的侧面与所述第二导电层的底面之间的夹角。
在一些实施例中，所述第四坡度角小于所述第三坡度角。
在一些实施例中，所述第一坡度角小于所述第四坡度角，且所述第二坡度角小于所述第四坡度角。
在一些实施例中，所述距离大于所述第一延展部的底面在从所述像素定义层的所述侧面到所述间隙的方向上的长度。
在一些实施例中，所述第一发光层的所述厚度小于所述第二延展部的底面在从所述像素定义层的所述侧面到所述间隙的方向上的长度。
在一些实施例中，所述第一延展部在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影不交叠。
在一些实施例中，所述第二延展部在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部。
在一些实施例中，所述导电结构层包括：在所述衬底基板一侧的第五导电层，所述第五导电层与所述第一导电层处于同一层，所述第五导电层与所述第一导电层隔离开，且所述第五导电层的材料与所述第一导电层的材料相同；在所述第五导电层的远离所述衬底基板一侧的第三电极层，所述第三电极层与所述第二导电层处于同一层，所述第三电极层与所述第二导电层隔离开，且所述第三电极层的材料与所述第二导电层的材料相同；在所述第三电极层的远离所述衬底基板一侧的第六导电层，所述第六导电层与所述第三导电层处于同一层，所述第六导电层与所述第三导电层隔离开，且所述第六导电层的材料与所述第三导电层的材料相同。
在一些实施例中，所述第二发光层与所述第一发光层处于同一层，且所述第二发光层的材料与所述第一发光层的材料相同。
在一些实施例中，所述基底结构还包括：在所述衬底基板一侧的第二电极层，所述第二电极层电连接至所述第一导电层；和覆盖所述第二电极层的第一绝缘层，其中，所述发光结构、所述像素定义层和所述连接结构位于所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧。
在一些实施例中，所述基底结构还包括：在所述衬底基板与所述第二电极层之间的缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底基板一侧的有源层；在所述有源层的远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层；在所述第二绝缘层的远离所述衬底基板一侧的栅极；在所述缓冲层的远离所述衬底基板一侧的层间电介质层，所述层间电介质层覆盖所述有源层、所述第二绝缘层和所述栅极；和在所述层间电介质层的远离所述衬底基板一侧的第四电极层和第五电极层，所述第四电极层通过第一导电通孔电连接至所述有源层，所述第五电极层通过第二导电通孔电连接至所述有源层，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔分别穿过所述层间电介质层，所述第四电极层和所述第五电极层与所述第二电极层处于同一层。
在一些实施例中，所述第一绝缘层包括：覆盖所述第二电极层、所述第四电极层和所述第五电极层的钝化层，和在所述钝化层的远离所述衬底基板一侧的平坦化层；所述第一导电层通过第三导电通孔电连接至所述第二电极层，所述第三导电通孔穿过所述钝化层和所述平坦化层；所述导电结构层通过第四导电通孔电连接至所述第四电极层或第五电极层，所述第四导电通孔穿过所述钝化层和所述平坦化层。
根据本公开的另一个方面，提供了一种显示装置，包括：如前所述的显示基板。
根据本公开的另一个方面，提供了一种显示基板的制造方法，包括：提供基底结 构，所述基底结构包括衬底基板；以及在所述衬底基板一侧形成发光结构、像素定义层和连接结构，所述发光结构的至少一部分位于所述像素定义层的开口中，所述连接结构位于所述像素定义层的远离所述开口的一侧，其中，所述发光结构包括：在所述衬底基板一侧的导电结构层；在所述导电结构层的远离所述衬底基板一侧的第一发光层；和在所述第一发光层的远离所述衬底基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层的一部分和所述第一发光层的一部分位于所述像素定义层的在所述开口与所述连接结构之间的靠近所述连接结构的侧面上，所述第一电极层电连接至所述连接结构；所述连接结构包括：在所述衬底基板一侧的第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底基板一侧的第二导电层；和在所述第二导电层的远离所述衬底基板一侧的顶部结构，其中，所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部，所述顶部结构包括第二发光层；其中，所述第一发光层在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影部分地交叠。
在一些实施例中，通过蒸镀工艺形成所述第一发光层，以及通过溅射工艺形成所述第一电极层。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是示出根据本公开一些实施例的显示基板的截面示意图；
图2是示出根据本公开一些实施例的显示基板在图1中的方框50处的部分的放大示意图；
图3是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法的流程图；
图4是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图5是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图6是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的 截面示意图；
图7是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图8是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图9是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不必须按照实际的比例关系绘制。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
本公开解决的一个技术问题是：提供一种显示基板，可以方便地将主阴极与辅助阴极充分搭接。下面结合附图详细描述根据本公开一些实施例的显示基板。
图1是示出根据本公开一些实施例的显示基板的截面示意图。图2是示出根据本公开一些实施例的显示基板在图1中的方框50处的部分的放大示意图。下面结合图1和图2详细描述根据本公开一些实施例的显示基板。
如图1所示，该显示基板包括基底结构10。基底结构10包括衬底基板101。
如图1所示，该显示基板还包括：在衬底基板101一侧的发光结构20、像素定义层30和连接结构40。发光结构20的至少一部分位于像素定义层30的开口302中。连接结构40位于像素定义层30的远离开口302的一侧。
如图1所示，发光结构20包括：在衬底基板101一侧的导电结构层210，在导电结构层210的远离衬底基板101一侧的第一发光层221，和在第一发光层221的远离衬底基板101一侧的第一电极层222。例如，该第一电极层222作为主阴极层。例如，该第一电极层222的材料包括诸如氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，简称为IZO)等导电材料。第一电极层222的一部分和第一发光层221的一部分位于像素定义层的在开口302与连接结构40之间的靠近连接结构的侧面(即，像素定义层的远离开口一侧的侧面，也即像素定义层的外侧面)上。第一电极层222电连接至连接结构40。
如图1所示，连接结构40包括：在衬底基板101一侧的第一导电层401。例如，第一导电层401与第一电极层222电连接。例如，该第一导电层401的材料包括诸如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电材料。连接结构40还包括在第一导电层401的远离衬底基板101一侧的第二导电层402。例如，该第二导电层402的材料包括诸如铜、银、铝或铝合金等金属。该连接结构40还包括在第二导电层402的远离衬底基板101一侧的顶部结构410。
该顶部结构410包括第二发光层412。例如，该第二发光层的材料包括有机发光材料。在一些实施例中，如图2所示，该第二发光层412具有第三坡度角θ 3，该第三坡度角θ 3为第二发光层412的侧面与第二发光层412的底面之间的夹角。例如，该夹角为锐角。例如，第二发光层412与第一发光层221处于同一层，且第二发光层的材料与第一发光层的材料相同。这样方便显示基板的制造。
在一些实施例中，如图1和图2所示，顶部结构410还包括在第二导电层402与 第二发光层412的第三导电层413。例如，该第三导电层413的材料包括诸如ITO等的透明导电材料。第二发光层412在第三导电层413的远离衬底基板101一侧。如图1和图2所示，顶部结构410还包括在第二发光层412的远离衬底基板101一侧的第四导电层414。例如，该第四导电层414的材料包括诸IZO等导电材料。例如，第四导电层414与第一电极层222处于同一层。
需要说明的是，“同一层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
如图1和图2所示，第二导电层402在衬底基板101上的正投影位于顶部结构410在衬底基板101上的正投影的内部。顶部结构410与像素定义层30被间隙430间隔开，且第二导电层402与像素定义层30被间隙430间隔开。第二导电层402在衬底基板101上的正投影的面积小于顶部结构410在衬底基板101上的正投影的面积。顶部结构410在衬底基板101上的正投影完全覆盖第二导电层402在衬底基板101上的正投影。第二导电层402的横向尺寸(即第二导电层在从像素定义层30的侧面到间隙430的方向上的长度)小于顶部结构410的横向尺寸。
如图1和图2所示，第一发光层221在衬底基板101上的正投影与第二发光层412在衬底基板101上的正投影部分地交叠。
至此，提供了根据本公开一些实施例的显示基板。如上所述，该显示基板包括：基底结构，所述基底结构包括衬底基板；以及在所述衬底基板一侧的发光结构、像素定义层和连接结构，所述发光结构的至少一部分位于所述像素定义层的开口中，所述连接结构位于所述像素定义层的远离所述开口的一侧，其中，所述发光结构包括：在所述衬底基板一侧的导电结构层；在所述导电结构层的远离所述衬底基板一侧的第一发光层；和在所述第一发光层的远离所述衬底基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层的一部分和所述第一发光层的一部分位于所述像素定义层的在所述开口与所述连接结构之间的靠近所述连接结构的侧面上，所述第一电极层电连接至所述连接结构；所述连接结构包括：在所述衬底基板一侧的第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底基板一侧的第二导电层；和在所述第二导电层的远离所述衬底基板一侧的顶部结构，其中，所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在 所述衬底基板上的正投影的内部，所述顶部结构包括第二发光层；其中，所述第一发光层在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影部分地交叠。上述连接结构可以方便在间隙处切断发光材料，从而使得第一电极层与连接结构充分电连接，这样可以充分的减轻电压降问题，提高显示装置的显示均匀性。
在一些实施例中，如图1所示，基底结构10还可以包括在衬底基板101一侧的第二电极层121。例如，该第二电极层121作为辅助阴极层。该第二电极层121电连接至第一导电层401。基底结构10还可以包括覆盖第二电极层121的第一绝缘层110。发光结构20、像素定义层30和连接结构40位于第一绝缘层110的远离衬底基板101的一侧。例如，第一导电层401通过穿过第一绝缘层110的导电通孔电连接至第二电极层121。在该实施例中，通过设置第二电极层，并使得该第二电极层电连接至第一导电层，从而使得第一电极层与第二电极层充分电连接，这样可以更加充分的减轻电压降问题，提高显示装置的显示均匀性。在一些实施例中，如图2所示，第一发光层221包括从像素定义层30的侧面(即，像素定义层的位于开口与连接结构之间的靠近连接结构的侧面)延展到间隙430中的延展部分。该延展部分包括第一延展部2211和与第一延展部2211连接的第二延展部2212，第二延展部2212在第一延展部2211的远离像素定义层30的一侧。第二延展部2212与第二导电层402之间的距离D小于第一发光层221在垂直于衬底基板的方向上的厚度H。这里，距离D为第二延展部2212的靠近第二导电层的端部与第二导电层402的靠近第二延展部2212的端部之间的距离。在该实施例中，由于第一发光层具有延展部分，可以使得在第一发光层上面的第一电极层能够沿着该延展部分延伸到第一导电层和第二导电层，从而可以尽可能地防止第一电极层出现断裂的风险。
在一些实施例中，如图2所示，第一延展部2211在衬底基板101上的正投影与第二发光层412在衬底基板101上的正投影不交叠。
在另一些实施例中，如图2所示，第二延展部2212在衬底基板101上的正投影位于顶部结构40在衬底基板101上的正投影的内部。
如图2所示，第一延展部2211具有第一坡度角θ 1，该第一坡度角θ 1为第一延展部2211的第一斜面221b与第一延展部的下表面(即延展部分的下表面221a)之间的夹角。例如，第一坡度角θ 1为锐角。第二延展部2212具有第二坡度角θ 2，该第二坡度角θ 2为第二延展部2212的第二斜面221c与第二延展部的下表面(即延展部分的下表面221a)之间的夹角。例如，第二坡度角θ 2为锐角。第一坡度角θ 1与第二坡度角 θ 2不同。例如，第一坡度角θ 1大于第二坡度角θ 2。这有利于第一电极层平缓地进入间隙从而与第二导电层和第一导电层电连接。
另外，前面已经描述了该第二发光层412具有第三坡度角θ 3，该第三坡度角θ 3为第二发光层412的侧面与第二发光层412的底面之间的夹角。在一些实施例中，第一坡度角θ 1小于第三坡度角θ 3。在另一些实施例中，第二坡度角θ 2小于第三坡度角θ 3。
如图2所示，顶部结构中的第四导电层414可以沿着第二发光层412的侧壁实现与下方的第三导电层413的侧壁之间的搭接。而上述第三坡度角更加方便实现该第四导电层414与第三导电层413的搭接，从而可以方便使得第一电极层与连接结构之间具有尽量大的搭接面积，从而更好的实现第一电极层与第二电极层(辅助电极)的电连接效果。
如图2所示，第二导电层402具有第四坡度角θ 4，第四坡度角θ 4为第二导电层402的侧面与该第二导电层的底面之间的夹角。例如，该第四坡度角θ 4为锐角。在一些实施例中，第四坡度角θ 4小于第三坡度角θ 3。
如图2所示，第一电极层222沿着第一发光层221的表面向第三导电层413下方的第二导电层402的侧壁扩散，并且沉积厚度相对较厚，而扩散到第一导电层401上的第一电极层222的部分比较薄。例如，在沉积 的第一电极层222的情况下，实际扩散到第二导电层402的侧壁上的第一电极层222的部分的厚度约 而扩散到第一导电层401上的第一电极层222的部分的厚度约为 这实现了第一电极层与第二电极层之间的电连接，从而降低第一电极层的电压降问题。
另外，扩散到第二导电层402的侧壁上的第一电极层222的部分可以覆盖第二导电层402的整个侧壁，甚至可以对顶部结构的第三导电层413有一定的支撑作用。这可以尽可能地确保第一电极层与第一导电层/第二导电层之间具有足够大的搭接面积，从而更好的实现第一电极层与第二电极层(辅助电极)之间的电连接效果，并且对上方的第三导电层有一定支撑作用，可以防止第三导电层超出第二导电层的部分发生断裂。
在一些实施例中，第一坡度角θ 1小于第四坡度角θ 4，且第二坡度角θ 2小于第四坡度角θ 4。即，第一坡度角和第二坡度角均相对比较平缓，可以使得在第一发光层上面的第一电极层能够平缓地延伸到第一导电层和第二导电层，从而可以尽可能地防止第一电极层出现断裂的风险。
在一些实施例中，距离D大于第一延展部2211的底面在从像素定义层30的侧面 到间隙430的方向上的长度L 1。这样可以尽可能地使得第一电极层与第一导电层充分地电连接，进而能够充分地电连接至第二电极层。
在一些实施例中，第一发光层221的厚度H小于第二延展部2212的底面在从像素定义层30的侧面到间隙430的方向上的长度L 2。这样使得第一发光层的第二延展部比较平缓地倾斜延伸，进而使得在第一发光层上面的第一电极层能够平缓地延伸到第一导电层和第二导电层，从而可以尽可能地防止第一电极层出现断裂的风险。
在本公开的实施例中，在不同显示基板中的在顶部结构410的超出第二导电层402的部分的同样长度(例如0.80微米左右)和第二导电层402的同样厚度(例如， )条件下，当采用不同第一电极层222的厚度时(例如当第一电极层的厚度为 或者 时)，可以发现第一电极层扩散进入顶部结构410的所述部分下方的部分的厚度相差不大，以及第一电极层在第二导电层侧壁上的部分的厚度也相差不大。
在一些实施例中，如图1所示，导电结构层210包括：在衬底基板101一侧(例如，如图1所示，在第一绝缘层110的远离衬底基板101一侧)的第五导电层215。第五导电层215与第一导电层401处于同一层，该第五导电层与第一导电层隔离开。例如，第五导电层215与第一导电层401均在第一绝缘层110上。例如，第五导电层215的材料与第一导电层401的材料相同。例如，第五导电层215的材料包括诸如ITO等的透明导电材料。
如图1所示，导电结构层210还包括：在第五导电层215的远离衬底基板101一侧的第三电极层213。第三电极层213与第二导电层402处于同一层，该第三电极层与该第二导电层隔离开。例如，第三电极层213的材料与第二导电层402的材料相同。例如，第三电极层213的材料包括诸如铜、银、铝或铝合金等金属。该第三电极层可以作为反射阳极层。
如图1所示，导电结构层210还包括：在第三电极层213的远离衬底基板101一侧的第六导电层216。该第六导电层216与第三导电层413处于同一层，该第六导电层与该第三导电层隔离开。例如，第六导电层216的材料与第三导电层413的材料相同。例如，第六导电层216的材料包括诸如ITO等的透明导电材料。
下面结合图1详细描述基底结构10的结构。
在一些实施例中，如图1所示，基底结构10还包括：在衬底基板101与第二电极层121之间的缓冲层103，和在缓冲层103的远离衬底基板101一侧的有源层104。例如，该缓冲层103的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料。例如，该有 源层104的材料包括半导体材料(例如硅等)。该有源层104可以包括位于有源层的一端的第一导电部1041和位于有源层的另一端的第二导电部1042。该第一导电部1041和第二导电部1042方便与其他电极层的电连接，从而降低接触电阻。
在一些实施例中，如图1所示，该基底结构10还包括：位于衬底基板101与缓冲层103之间的遮光层102。例如，该遮光层的材料包括诸如铝或钼等金属。
在一些实施例中，如图1所示，该基底结构10还包括：在有源层104的远离衬底基板101一侧的第二绝缘层105。该第二绝缘层105作为栅极绝缘层。例如，该第二绝缘层包括诸如二氧化硅和/或氮化硅等绝缘材料。如图1所示，该基底结构10还包括：在第二绝缘层105的远离衬底基板101一侧的栅极106。该基底结构10还包括：在缓冲层103的远离衬底基板101一侧的层间电介质层107。该层间电介质层107覆盖有源层104、第二绝缘层105和栅极106。例如，该层间电介质层107的材料包括：二氧化硅和/或氮化硅等。
在一些实施例中，如图1所示，该基底结构10还包括在层间电介质层107的远离衬底基板101一侧的第四电极层108和第五电极层109。第四电极层108通过第一导电通孔131电连接至有源层104(例如，有源层104的第一导电部1041)，第五电极层109通过第二导电通孔132电连接至有源层104(例如，有源层104的第二导电部1042)。第一导电通孔131和第二导电通孔132分别穿过层间电介质层107。第四电极层108和第五电极层109与第二电极层121处于同一层。例如，第四电极层108、第五电极层109和第二电极层121均位于层间电介质层107上。第五电极层109还可以通过第五导电通孔135电连接至遮光层102。该第五导电通孔穿过层间电介质层107和缓冲层103。
在一些实施例中，如图1所示，第一绝缘层110包括：覆盖第二电极层121、第四电极层108和第五电极层109的钝化层111，和在钝化层111的远离衬底基板101一侧的平坦化层112。例如，钝化层可以包括二氧化硅等无机绝缘材料，平坦化层可以包括有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺等)。
在一些实施例中，如图1所示，第一导电层401通过第三导电通孔133电连接至第二电极层121，该第三导电通孔133穿过钝化层111和平坦化层112。
在一些实施例中，如图1所示，导电结构层210通过第四导电通孔134电连接至第四电极层108或第五电极层109。例如，图1中示出了导电结构层210的第五导电层215通过第四导电通孔134电连接至第五电极层109。该第四导电通孔134穿过钝 化层111和平坦化层112。
在一些实施例中，如图1所示，该基底结构10还包括在缓冲层103的远离衬底基板101一侧的第三绝缘层141和在该第三绝缘层141的远离衬底基板101一侧的栅极线142。例如，该第三绝缘层141与第二绝缘层105处于同一层，且该第三绝缘层141的材料与第二绝缘层105的材料相同。这样方便显示基板的制造。例如，栅极线142与栅极106处于同一层，且该栅极线142的材料与栅极106的材料相同。这样也方便显示基板的制造。
至此，详细描述了显示基板的基底结构10的结构。
根据本公开的一些实施例，还提供了一种显示装置，该显示装置包括如前所述的显示基板。例如，该显示装置可以为：显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图3是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法的流程图。图4至图9是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图3、图4至图9以及图1详细描述根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程。如图3所示，该显示基板的制造方法包括步骤S3002至S3004。
如图3所示，在步骤S3002，提供基底结构，该基底结构包括衬底基板。
下面结合图4至图6详细描述该提供基底结构的过程。
首先，如图4所示，可选地，在衬底基板101上形成图案化的遮光层102。
接下来，如图4所示，例如，利用沉积工艺在衬底基板上形成缓冲层103，该缓冲层103覆盖遮光层102。
接下来，如图4所示，在缓冲层103的远离衬底基板101一侧形成图案化的有源层104。
接下来，如图4所示，形成在有源层104的远离衬底基板一侧的图案化的第二绝缘层105，在缓冲层103的远离衬底基板一侧的第三绝缘层141，在第二绝缘层105的远离衬底基板一侧的图案化的栅极106以及在第三绝缘层141的远离衬底基板一侧的图案化的栅极线142。
例如，形成第二绝缘层105、第三绝缘层141、栅极106和栅极线142可以包括：例如，通过沉积工艺形成覆盖有源层104和缓冲层103的绝缘层，然后通过沉积工艺在绝缘层上形成第一金属层，然后对该绝缘层和该第一金属层进行图案化以形成第二绝缘层105、第三绝缘层141、栅极106和栅极线142。
接下来，在图案化形成栅极后，还可以利用栅极106上的掩模层(例如，光刻胶，图中未示出)采用自对准导体化工艺对有源层的两端进行导体化处理以形成第一导电部1041和第二导电部1042。这样就可以形成有源层的沟道区和导电区。例如，采用等离子体(例如，He(氦)等离子体)对有源层进行轰击工艺来实现导体化。这里，导电区为第一导电部和第二导电部，沟道区为有源层的在第一导电部和第二导电部之间的区域。然后，去除掩模层。
接下来，如图4所示，通过沉积工艺在缓冲层103的远离衬底基板101一侧形成层间电介质层107，该层间电介质层107覆盖有源层104、第二绝缘层105、栅极106、第三绝缘层141和栅极线142。然后，对该层间电介质层107和缓冲层103进行刻蚀，以形成第一导电通孔131、第二导电通孔132和第五导电通孔135。该第一导电通孔131露出有源层104的第一导电部1041，第二导电通孔132露出该有源层104的第二导电部1042，第五导电通孔135露出遮光层102的一部分。
接下来，如图4所示，通过沉积和图案化工艺在层间电介质层107上形成处于同一层的第四电极层108、第五电极层109和第二电极层121。第四电极层108通过第一导电通孔131电连接至有源层104的第一导电部1041，第五电极层109通过第二导电通孔132电连接至有源层104的第二导电部1042，且该第五电极层109还通过第五导电通孔135电连接至遮光层102的所述一部分。另外，可选地，在形成第四电极层108、第五电极层109和第二电极层121的同时，还可以形成电源电压线和感测线(图中未示出)等。
接下来，如图4所示，利用沉积工艺在层间电介质层107上形成覆盖第二电极层121、第四电极层108和第五电极层109的钝化层111。
接下来，如图5所示，在钝化层111的远离衬底基板101一侧形成平坦化层112。至此，形成了第一绝缘层110，该第一绝缘层110包括钝化层111和平坦化层112。
接下来，如图6所示，利用刻蚀工艺形成穿过平坦化层112和钝化层111的过孔133和134。该过孔133作为第三导电通孔，该过孔134作为第四导电通孔。过孔133露出第二电极层121的一部分，过孔134露出第五电极层109的一部分。
至此形成了基底结构10。
回到图3，在步骤S3004，在衬底基板一侧形成发光结构、像素定义层和连接结构。
下面结合图7至图9和图1详细描述形成发光结构、像素定义层和连接结构的过 程。
如图7所示，通过沉积和图案化工艺在平坦化层112上形成第五导电层215和第一导电层401。例如，可以通过沉积工艺形成第一透明导电层，然后对该第一透明导电层进行图案化形成第五导电层215和第一导电层401。
接下来，如图8所示，通过沉积工艺形成覆盖第五导电层215和第一导电层401的第二金属层，并通过沉积工艺形成在第二金属层上的第二透明导电层，然后对该第二金属层和第二透明导电层进行图案化以形成第三电极层213、第二导电层402、第六导电层216和第三导电层413。这里，在对第二金属层图案化的过程中形成第三电极层213和第二导电层402，在对第二透明导电层图案化的过程中形成第六导电层216和第三导电层413。
接下来，如图8所示，例如，采用H 2SO 4系稀酸对处于顶层的第六导电层216和第三导电层413进行刻蚀。例如，H 2SO 4系稀酸的成分包括：H 2SO 4(5％～14％)、HNO 3(2％～9％)、CH 3COOH(2％～9％)和其它微量的添加剂等。然后，例如，采用H 3PO 4系浓酸对第三电极层213和第二导电层402进行较大过刻量的刻蚀，使第三电极层213和第二导电层402具有较大的缩进量，从而使得第六导电层216和第三导电层413向外伸出一个较长的尖端(Tip)。例如，H 3PO 4系浓酸的成分包括：H 3PO 4(63％～72％)、HNO 3(2.5％)、CH 3COOH(4％～13％)和其它微量的添加剂等。
在上面的步骤中，形成了导电结构层210。
接下来，如图9所示，通过沉积和图案化工艺形成像素定义层30，该像素定义层30具有开口302。
接下来，如图1所示，通过蒸镀工艺形成第一发光层221，在该蒸镀过程中，还形成了第二发光层412。由于采用蒸镀工艺形成的发光层的扩散性能比较差，所以第三导电层413的尖端可以切断发光层并尽可能地阻止该发光层的材料沉积进入尖端的下方。
接下来，如图1所示，通过溅射工艺形成第一电极层222，在该溅射过程中，还形成了第四导电层414。由于采用溅射工艺形成的导电层的扩散性能比较好，所以可以绕过上述尖端而沉积到尖端下方的第一导电层401和第二导电层402的表面上，从而使得第一电极层222与第二电极层121之间实现充分的电连接。这里，还形成了顶部结构410，该顶部结构410包括第三导电层413、第二发光层412和第四导电层414。
至此，形成了发光结构、像素定义层和连接结构。发光结构的至少一部分位于像 素定义层的开口中，连接结构位于像素定义层的远离开口的一侧，其中，发光结构包括：在衬底基板一侧的导电结构层；在导电结构层的远离衬底基板一侧的第一发光层；和在第一发光层的远离衬底基板一侧的第一电极层；其中，第一电极层的一部分和第一发光层的一部分位于像素定义层的在开口与连接结构之间的靠近连接结构的侧面上，第一电极层电连接至连接结构；连接结构包括：在衬底基板一侧的第一导电层；在第一导电层的远离衬底基板一侧的第二导电层；和在第二导电层的远离衬底基板一侧的顶部结构，其中，第二导电层在衬底基板上的正投影位于顶部结构在衬底基板上的正投影的内部，顶部结构包括第二发光层；其中，第一发光层在衬底基板上的正投影与第二发光层在衬底基板上的正投影部分地交叠。
至此，提供了根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法。在该制造方法中，连接结构可以方便在间隙处切断发光材料，从而使得第一电极层与连接结构(例如第一导电层)充分电连接，这样可以充分的减轻第一电极层的电压降问题，提高显示装置的显示均匀性。
进一步地，第一电极层通过与连接结构电连接，进而与第二电极层充分搭接，这样可以更加充分的减轻第一电极层的电压降问题，提高显示装置的显示均匀性。
在上述制造方法中，可以将第二电极层与第四电极层/第五电极层同层设置，减少了工艺流程，而且是在发光层的下方形成第二电极层，不会影响发光器件的效能，并且第一电极层与第二电极层上方后续都会覆盖无机保护层(例如，SiNx或SiON)，所以产品性能可以得以保证。
在本公开的上述方案中，调整了反射阳极的膜层结构，并且调整刻蚀工艺，在连接结构中形成突出的尖端，该突出的尖端可以切断蒸镀的发光材料，然后第一电极层的材料可以沉积进来与第二电极层搭接，从而减缓了IR drop问题，进而提升产品性能和显示质量。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (22)

  1. 一种显示基板，包括：
    基底结构，所述基底结构包括衬底基板；以及
    在所述衬底基板一侧的发光结构、像素定义层和连接结构，所述发光结构的至少一部分位于所述像素定义层的开口中，所述连接结构位于所述像素定义层的远离所述开口的一侧，其中，
    所述发光结构包括：
    在所述衬底基板一侧的导电结构层；
    在所述导电结构层的远离所述衬底基板一侧的第一发光层；和
    在所述第一发光层的远离所述衬底基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层的一部分和所述第一发光层的一部分位于所述像素定义层的在所述开口与所述连接结构之间的靠近所述连接结构的侧面上，所述第一电极层电连接至所述连接结构；
    所述连接结构包括：
    在所述衬底基板一侧的第一导电层；
    在所述第一导电层的远离所述衬底基板一侧的第二导电层；和
    在所述第二导电层的远离所述衬底基板一侧的顶部结构，其中，所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部，所述顶部结构包括第二发光层；
    其中，所述第一发光层在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影部分地交叠。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，
    所述第一发光层包括从所述像素定义层的所述侧面延展到所述间隙中的延展部分，所述延展部分包括第一延展部和与所述第一延展部连接的第二延展部，所述第二延展部在所述第一延展部的远离所述像素定义层的一侧，
    其中，所述第二延展部与所述第二导电层之间的距离小于所述第一发光层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度。
  3. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    所述第一延展部具有第一坡度角，所述第一坡度角为所述第一延展部的第一斜面与所述第一延展部的下表面之间的夹角；
    所述第二延展部具有第二坡度角，所述第二坡度角为所述第二延展部的第二斜面与所述第二延展部的下表面之间的夹角；
    其中，所述第一坡度角与所述第二坡度角不同。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，
    所述第一坡度角大于所述第二坡度角。
  5. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述顶部结构还包括：
    在所述第二导电层与所述第二发光层之间的第三导电层；以及
    在所述第二发光层的远离所述衬底基板一侧的第四导电层；
    其中，所述第二发光层具有第三坡度角，所述第三坡度角为所述第二发光层的侧面与所述第二发光层的底面之间的夹角。
  6. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一坡度角小于所述第三坡度角。
  7. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第二坡度角小于所述第三坡度角。
  8. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，
    所述第二导电层具有第四坡度角，所述第四坡度角为所述第二导电层的侧面与所述第二导电层的底面之间的夹角。
  9. 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第四坡度角小于所述第三坡度角。
  10. 根据权利要求8所述的显示基板，其中，
    所述第一坡度角小于所述第四坡度角，且所述第二坡度角小于所述第四坡度角。
  11. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    所述距离大于所述第一延展部的底面在从所述像素定义层的所述侧面到所述间隙的方向上的长度。
  12. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    所述第一发光层的所述厚度小于所述第二延展部的底面在从所述像素定义层的所述侧面到所述间隙的方向上的长度。
  13. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    所述第一延展部在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影不交叠。
  14. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    所述第二延展部在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部。
  15. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述导电结构层包括：
    在所述衬底基板一侧的第五导电层，所述第五导电层与所述第一导电层处于同一层，所述第五导电层与所述第一导电层隔离开，且所述第五导电层的材料与所述第一导电层的材料相同；
    在所述第五导电层的远离所述衬底基板一侧的第三电极层，所述第三电极层与所述第二导电层处于同一层，所述第三电极层与所述第二导电层隔离开，且所述第三电极层的材料与所述第二导电层的材料相同；
    在所述第三电极层的远离所述衬底基板一侧的第六导电层，所述第六导电层与所述第三导电层处于同一层，所述第六导电层与所述第三导电层隔离开，且所述第六导电层的材料与所述第三导电层的材料相同。
  16. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，
    所述第二发光层与所述第一发光层处于同一层，且所述第二发光层的材料与所述第一发光层的材料相同。
  17. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述基底结构还包括：
    在所述衬底基板一侧的第二电极层，所述第二电极层电连接至所述第一导电层；和
    覆盖所述第二电极层的第一绝缘层，其中，所述发光结构、所述像素定义层和所述连接结构位于所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧。
  18. 根据权利要求17所述的显示基板，其中，所述基底结构还包括：
    在所述衬底基板与所述第二电极层之间的缓冲层；
    在所述缓冲层的远离所述衬底基板一侧的有源层；
    在所述有源层的远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层；
    在所述第二绝缘层的远离所述衬底基板一侧的栅极；
    在所述缓冲层的远离所述衬底基板一侧的层间电介质层，所述层间电介质层覆盖所述有源层、所述第二绝缘层和所述栅极；和
    在所述层间电介质层的远离所述衬底基板一侧的第四电极层和第五电极层，所述第四电极层通过第一导电通孔电连接至所述有源层，所述第五电极层通过第二导电通孔电连接至所述有源层，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔分别穿过所述层间电介质层，所述第四电极层和所述第五电极层与所述第二电极层处于同一层。
  19. 根据权利要求18所述的显示基板，其中，
    所述第一绝缘层包括：覆盖所述第二电极层、所述第四电极层和所述第五电极层的钝化层，和在所述钝化层的远离所述衬底基板一侧的平坦化层；
    所述第一导电层通过第三导电通孔电连接至所述第二电极层，所述第三导电通孔穿过所述钝化层和所述平坦化层；
    所述导电结构层通过第四导电通孔电连接至所述第四电极层或第五电极层，所述第四导电通孔穿过所述钝化层和所述平坦化层。
  20. 一种显示装置，包括：如权利要求1至19任意一项所述的显示基板。
  21. 一种显示基板的制造方法，包括：
    提供基底结构，所述基底结构包括衬底基板；以及
    在所述衬底基板一侧形成发光结构、像素定义层和连接结构，所述发光结构的至少一部分位于所述像素定义层的开口中，所述连接结构位于所述像素定义层的远离所述开口的一侧，其中，
    所述发光结构包括：在所述衬底基板一侧的导电结构层；在所述导电结构层的远离所述衬底基板一侧的第一发光层；和在所述第一发光层的远离所述衬底基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层的一部分和所述第一发光层的一部分位于所述像素定义层的在所述开口与所述连接结构之间的靠近所述连接结构的侧面上，所述第一电极层电连接至所述连接结构；
    所述连接结构包括：在所述衬底基板一侧的第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底基板一侧的第二导电层；和在所述第二导电层的远离所述衬底基板一侧的顶部结构，其中，所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影位于所述顶部结构在所述衬底基板上的正投影的内部，所述顶部结构包括第二发光层；其中，所述第一发光层在所述衬底基板上的正投影与所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影部分地交叠。
  22. 根据权利要求21所述的制造方法，其中，
    通过蒸镀工艺形成所述第一发光层，以及通过溅射工艺形成所述第一电极层。
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JP2008135325A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
CN109360900B (zh) * 2018-09-14 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN110911461B (zh) * 2019-11-26 2023-06-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
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