CN117098878A - 用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置及人工晶体制备设备 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 一种用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却装置设置有供拉制出来的晶体穿过的多个第一提拉孔以及对所述晶体进行冷却的冷却介质通道。
- 根据权利要求1所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却装置包括上法兰(2003)和下法兰(2005)以及设置在所述上法兰(2003)和所述下法兰(2005)之间的晶体冷却管(2007),所述晶体冷却管(2007)的一端连接所述上法兰(2003),所述晶体冷却管(2007)的另一端连接所述下法兰(2005),所述晶体冷却管(2007)形成所述第一提拉孔,并且所述冷却介质通道设置在所述晶体冷却管(2007)的外围。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述上法兰(2003)或所述下法兰(2005)上设置有对所述晶体进行冷却的冷却介质进出的出水口(2002)和进水口(2006)。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述上法兰(2003)上设置有贯通所述上法兰(2003)的晶体上穿孔(2001),所述晶体上穿孔(2001)与所述第一提拉孔对应设置。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述上法兰(2003)的下表面设有向上凹陷的凹槽,或者在上法兰(2003)的上表面设有向下凹陷的凹槽,在所述凹槽的开口端设有下盖板(20017),所述下盖板(20017)与所述凹槽形成进水腔(20011),在所述凹槽的槽底设有贯通所述上法兰(2003)的晶体上穿孔(2001),所述晶体上穿孔(2001)与所述第一提拉孔对应设置,在所述下盖板(20017)上设有多个穿孔。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述上法兰(2003)的上下两面分别设有上凹槽和下凹槽,在所述上凹槽和所述下凹槽的开口端分别设有进水腔盖板(20018)和回水腔盖板(20021),所述进水腔盖板(20018)与所述上凹槽形成进水腔(20011),所述回水腔盖板(20021)与所述下凹槽形成回水腔(20020),在所述进水腔盖板(20018)上分别设有贯通至所述下凹槽槽底的晶体上穿孔(2001)、出水口(2002)和进水口(2006),所述晶体上穿孔(2001)与所述第一提拉孔对应设置,在所述上凹槽的槽底设有贯通至所述下凹槽槽底的进水孔,所述进水腔(20011)与所述进水口(2006)连通,所述回水腔(20020)与所述出水口(2002)连通,在回水腔盖板(21)上设有多个穿孔。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述上法兰(2003)包括上圆盘、中圆盘和下圆盘,所述上圆盘、中圆盘和下圆盘叠放设置形成法兰盘体,在所述法兰盘体上表面的中心部位设有贯通所述法兰盘体的中部孔(20034),在所述法兰盘体的上部设有中空的回水腔(20020),在所述法兰盘体的下部设有中空的进水腔(20011),在所述法兰盘体的上表面设有贯通至所述进水腔(20011)的连接管(20019),所述连接管(20019)形成进水口(2006),在所述法兰盘体的上表面设有贯通至所述回水腔(20020)的出水口(2002),在所述法兰盘体的下表面设有贯通至所述回水腔(20020)的回水过渡管(20030),在所述中部孔(20034)外围的法兰盘体上表面设有贯通所述法兰盘体的晶体上穿孔(2001),所述晶体上穿孔(2001)与所述第一提拉孔对应设置。
- 根据权利要求7所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述法兰盘体的下表面设有过渡环(20033),所述过渡环(20033)的中部设有中部孔(20034),在所述过渡环(20033)上表面分别设有晶体上穿孔(2001)、出水开口和回水开口。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述下法兰(2005)上设置有贯通所述下法兰(2005)的晶体下穿孔(2009),所述晶体下穿孔(2009)与所述第一提拉孔对应设置。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述下法兰(2005)的上面设有向下凹陷的凹槽,在所述凹槽的开口端设有上盖板(20015),所述凹槽与所述上盖板(20015)形成集水腔(20016),在所述凹槽的槽底设有贯通至所述下法兰(2005)下面的晶体下穿孔(2009),所述晶体下穿孔(2009)与所述第一提拉孔对应设置,在所述上盖板(20015)上设有多个穿孔。
- 根据权利要求2至10中任一项所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述下法兰(2005)的下方设置有冷却盘(20025),所述冷却盘(20025)中设置有空腔(20024),并且,所述冷却盘(20025)上设置有与所述晶体下穿孔(2009)对应设置的晶体提拉孔(20027)以及分别与所述空腔(20024) 连通的出水孔和进水孔。
- 根据权利要求2至10中任一项所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述上法兰(2003)与所述下法兰(2005)之间设置连接筒(2004),所述晶体冷却管(2007)设置在所述连接筒(2004)内,所述晶体冷却管(2007)的一端连接到设置在所述上法兰(2003)上的晶体上穿孔(2001),所述晶体冷却管(2007)的另一端连接到设置在所述下法兰(2005)上的晶体下穿孔(2009),所述连接筒(2004)的内缘面与所述上法兰(2003)下端面、所述下法兰(2005)上端面之间的空腔形成所述冷却介质通道。
- 根据权利要求2至10中任一项所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述晶体冷却管(2007)的外围套接套管(20013),所述套管(20013)的一端连通设置在所述上法兰(2003)中的进水腔(20011),所述套管(20013)的另一端连通设置在所述下法兰(2005)中的集水腔(20016),所述套管(20013)的内缘面与所述晶体冷却管(2007)的外缘面之间的冷却腔(20012)、所述进水腔(20011)和所述集水腔(20016)形成所述冷却介质通道。
- 根据权利要求2至10中任一项所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述晶体冷却管(2007)的外围套接套管(200213),在所述套管(20013)的上端设有向下凹陷的半圆台阶(20022),所述套管(20013)的上端连通设置在所述上法兰(2003)上的进水腔(20011),所述半圆台阶(20022)的上端连通设置在所述上法兰(2003)下部的回水腔(20020),所述套管(200213)的下端连通设置在所述下法兰(2005)上部的集水腔(20016)或连接所述下法兰(2005),所述套管(20013)的内缘面与所述晶体冷却管(2007)的外缘面之间的冷却腔(20012)、所述进水腔(20011)、所述回水腔(20020)和所述集水腔(20016)形成所述冷却介质通道。
- 根据权利要求13或14所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却管(2007)与所述套管(20013)之间的所述冷却腔(20012)内设有隔板(20029)。
- 根据权利要求2至10中任一项所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却装置设置有多个所述晶体冷却管(2007),所述晶体冷却装置的中间设置一个所述晶体冷却管(2007),在中间的所述晶体冷却管(2007)的外围呈放射状设有多组晶体冷却管(2007),每组晶体冷却管(2007)包括至少两个所述晶体冷却管(2007);或者在所述晶体冷却装置的中间设置中部孔(20034),在所述中部孔(20034)的外围呈放射状设有多组晶体冷却管(2007),每组晶体冷却管(2007)包括至少两个所述晶体冷却管(2007)。
- 根据权利要求7或8所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述法兰盘体与所述下法兰(2005)之间分别设置连接筒(2004)和内侧连接筒(20031),所述晶体冷却管(2007)设置在所述连接筒(2004)与所述内侧连接筒(20031)之间的空腔内,所述晶体冷却管(2007)的上端连接到设置在所述法兰盘体上的晶体上穿孔(2001),所述晶体冷却管(2007)的下端连接到设置在所述下法兰(2005)上的晶体下穿孔(2009),所述连接筒(2004)的内缘面与所述上法兰(2003)下端面、所述下法兰(2005)上端面、所述内侧连接筒(20031)的外缘面之间的空腔形成所述冷却介质通道。
- 根据权利要求12或17所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述连接筒上设置有供对所述晶体进行冷却的冷却介质进出的出水口(2002)和进水口(2006)。
- 根据权利要求17所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述下法兰(2005)的下方设置有冷却盘(20025),所述冷却盘(20025)中设置有空腔(20024),并且,所述冷却盘(20025)上设置有与所述晶体下穿孔(2009)对应设置的晶体提拉孔(20027)以及分别与所述空腔(20024)连通的出水孔和进水孔,所述进水孔连接进水管(20028)的下端头,所述进水管(20028)的上端头穿过所述下法兰(2005)连接所述法兰盘体下面的出水口,所述出水孔连接出水管(20023)的下端头,所述出水管(20023)的上端头穿过所述下法兰(2005)连通所述法兰盘体上的冷却介质通道。
- 根据权利要求2所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却装置还包括设置在所述下法兰(4005)下面的保温板(40030),所述保温板(40030)上设置有至少一个第二提拉孔,所述第二提拉孔设置成与所述下法兰(4005)上的所述晶体下穿孔(4009)一一对应。
- 根据权利要1所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述晶体冷却装置还包括设置在所述冷却盘(40025)下面的保温板(40030),所述保温板(40030)上设置有至少一个第二提拉孔,所述第二提拉孔设置成与所述冷却盘(40025)上所述晶体提拉孔(40027)一一对应。
- 根据权利要求20或21所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述保温板(40030)的中部设有中心孔(4003002),所述第二提拉孔在所述中心孔(4003002)的外围呈放射状设置。
- 根据权利要求20或21所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述保温板(40030)的外形尺寸大于或等于所述下法兰(4005)或所述冷却盘(40025)的外形尺寸。
- 根据权利要求20或21所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,在所述保温板(40030)的上表面由外向内设有向上凸起的阶梯台阶(4003003),所述阶梯台阶(4003003)与所述下法兰(4005)或所述冷却盘(40025)下表面的阶梯面对应配合。
- 根据权利要求20或21所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述保温板(40030)设置为在中部设置向下凹陷的凹槽而形成桶型结构,所述凹槽的内缘面与所述下法兰(4005)或所述冷却盘(40025)的外缘面为间隙配合或过盈配合。
- 根据权利要求25所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述凹槽的内缘面与所述下法兰(4005)或所述冷却盘(40025)的外缘面为间隙配合时,在所述间隙处设有保温填充物(40032)。
- 根据权利要求11所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述冷却盘(40025)上面的中部设有上穿孔,在所述冷却盘(40025)内设有空腔(40024),在所述上穿孔外围呈放射状设有多个所述晶体提拉孔(40027)。
- 根据权利要求11所述的用于同时拉制多根晶体的晶体冷却装置,其特征在于,所述下法兰(4005)或所述冷却盘(40025)的下表面由外向内设有向上凹陷的台阶而形成的阶梯面,在每级阶梯面上分别设置一圈所述晶体提拉孔(40027)。
- 一种人工晶体制备设备,其特征在于,所述设备包括根据权利要求1至28中任一项所述的晶体冷却装置。
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