CN117092384A - 屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 477
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 34
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 30
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical group 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 2
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/18—Screening arrangements against electric or magnetic fields, e.g. against earth's field
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
- G01R31/2806—Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本申请应用于测试领域,提供了一种屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备。屏蔽装置应用于测试设备,屏蔽装置包括:屏蔽底板和安装在屏蔽底板上的屏蔽部;屏蔽底板上表面包括多个设备区域,不同的设备区域用于设置不同的待测设备;屏蔽部位于多个设备区域之间,屏蔽部的顶部相对屏蔽底板的高度可调节;测试设备包括屏蔽顶部,在测试设备对多个设备区域中设置的待测设备进行电学测试的测试过程中,屏蔽顶部位于屏蔽装置的上方;在测试过程和多个设备区域设置的待测设备的更换过程中,屏蔽装置与屏蔽顶部的位置关系不同。该装置能够在多种频率下均能够提供较好的屏蔽效果,从而提高测试设备对待测设备的测试结果准确度。
Description
技术领域
本申请涉及测试领域,并且更具体地,涉及一种屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备。
背景技术
芯片在生产封装后,需要进行功能和性能的测试。为了对芯片进行测试,可以将包括该芯片的待测设备放置在测试设备中。测试设备的测试针可以与待测设备接触,以采集待测设备中的电信号。根据测试针采集的电信号,测试设备可以对待测设备的性能进行分析,实现对待测设备的测试。
测试设备的托盘中可以放置多个待测设备。在托盘从测试设备中取出的情况下,可以对托盘中放置的待测设备进行更换。在托盘放入测试设备的情况下,测试设备可以对托盘上放置的多个待测设备同时进行测试。为了降低测试过程中多个待测设备之间的存在干扰,托盘可以采用屏蔽材料,测试设备中用于放置托盘的空间上方可以设置屏蔽顶部,在多个待测设备之间可以设置屏蔽部。
由于托盘需要经常从测试设备中取出,以进行待测设备的更换,屏蔽部的顶部与托盘的空间上方的屏蔽顶部之间存在空隙,对一些频率的信号的屏蔽效果较差,导致测试设备对待测设备的测试结果准确度较低。
发明内容
本申请提供了一种屏蔽装置及测试设备,能够提高测试设备对待测设备的测试结果准确度。
第一方面,提供一种屏蔽装置,应用于测试设备,包括:屏蔽底板和安装在屏蔽底板上的屏蔽部;屏蔽底板上表面包括多个设备区域,不同的设备区域用于设置不同的待测设备;屏蔽部位于多个设备区域之间,屏蔽部的顶部相对屏蔽底板的高度可调节;测试设备包括屏蔽顶部,在测试设备对多个设备区域中设置的待测设备进行电学测试的测试过程中,屏蔽顶部位于屏蔽装置的上方;在测试过程和多个设备区域设置的待测设备的更换过程中,屏蔽装置与屏蔽顶部的位置关系不同。
本申请实施例提供的屏蔽装置应用在测试设备中。在测试设备对屏蔽装置的屏蔽底板上设置的待测设备进行测试的测试过程,和对屏蔽底板上的待测设备进行更换的更换过程,屏蔽装置与屏蔽顶部的位置关系不同。在测试过程中,屏蔽顶部位于屏蔽装置的上方。测试设备的使用中,需要对大量的待测设备进行测试。为了待测设备更换的方便,屏蔽部与屏蔽顶部之间存在空隙。屏蔽部的高度可调,可以使得该空隙的大小与当前进行的测试更加适应,以使得屏蔽装置在多种频率下均能够提供较好的屏蔽效果,提高测试设备对待测设备的测试结果准确度。
在一些可能的实现方式中,屏蔽部包括多个屏蔽柱,至少一个屏蔽柱的顶部相对屏蔽底板的高度可调节。
屏蔽柱所需的材料较少,可以降低屏蔽部的材料需求,降低成本。并且,屏蔽部设置为柱状,便于屏蔽部高度的调节。
在一些可能的实现方式中,屏蔽部位于屏蔽底板上表面的多个测试区域之间,每个测试区域包括至少一个设备区域,测试设备用于对每个测试区域中的至少一个待测设备依次进行测试。
在测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试的情况下,同一个测试区域中待测设备之间的干扰不会影响对待测设备的测试结果。在测试区域之间设置屏蔽部,可以降低成本。
在一些可能的实现方式中,多个测试区域的数量为两个,多个屏蔽柱所在的直线为屏蔽底板的对称轴。
将多个屏蔽柱设置在屏蔽底板的对称轴,使得屏蔽装置能够提供更好的屏蔽效果,降低测试设备对屏蔽底板上设置的多个待测设备进行测试的过程中待测设备之间的电测干扰,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
在一些可能的实现方式中,屏蔽底板为长方形,多个屏蔽柱所在直线与屏蔽底板的边平行。
在屏蔽底板为长方形的情况下,将多个屏蔽柱沿与屏蔽底板的边平行的对称轴设置,使得屏蔽装置能够提供更好的屏蔽效果,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
在一些可能的实现方式中,多个屏蔽柱包括第一屏蔽柱、第二屏蔽柱、第三屏蔽柱,其中,第一屏蔽柱位于屏蔽底板的中心,第二屏蔽柱与第一屏蔽柱的距离、第三屏蔽柱与第一屏蔽柱的距离均为屏蔽底板中与多个屏蔽柱所在直线平行的边的长度的四分之一。
合理设置多个屏蔽柱的位置,使得屏蔽装置能够提供更好的屏蔽效果,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
在多个屏蔽柱的数量为3个的情况下,屏蔽装置仍然能够提供良好的屏蔽效果,节约成本。
在一些可能的实现方式中,多个屏蔽柱中每个屏蔽柱的横截面的内接圆半径与测试设备的测试针的直径的比值大于或等于2,测试针用于在待测设备和测试设备之间进行射频信号的传输。
根据测试针的尺寸,设置屏蔽柱横截面的尺寸。屏蔽柱的横截面的内接圆半径与测试设备的测试针的直径的比值大于或等于2,使得屏蔽柱的尺寸设置更加合理,屏蔽装置能够提供更好的屏蔽效果,从而提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
在一些可能的实现方式中,多个屏蔽柱中每个屏蔽柱与屏蔽底板螺纹连接。
屏蔽柱与屏蔽底板螺纹连接,在将屏蔽柱安装在屏蔽底板的同时,利用螺纹使得屏蔽柱的高度调节更加容易实现,转动屏蔽柱即可对屏蔽柱的高度进行调整,提高屏蔽柱高度调节的便利性。
在一些可能的实现方式中,屏蔽部的当前高度是根据高度与射频信号频率的对应关系确定的,当前高度是所示屏蔽装置中设置的多个待测设备的当前射频信号频率对应的高度。
根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的当前高度,屏蔽部的当前高度的设置使得屏蔽装置能够为测试设备对待测设备进行的测试的信号频率提供更好的屏蔽效果,即屏蔽部的高度与测试设备进行测试的信号频率相适应,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
在一些可能的实现方式中,屏蔽部位于屏蔽底板上表面的多个测试区域之间,每个测试区域包括至少一个设备区域,测试设备用于对每个测试区域中的至少一个待测设备依次进行测试;当前高度是多个测试区域中当前进行电学测试的待测设备的当前射频信号频率对应的高度。
在一些可能的实现方式中,屏蔽装置还包括屏蔽侧壁,屏蔽侧壁环绕在屏蔽底板的边缘,并向屏蔽底板的上方延伸。
屏蔽装置包括屏蔽侧壁,可以降低外界环境对待测设备的干扰,提高测试结果的准确度。
第二方面,提供一种测试处理方法,该包括:获取第一方面的屏蔽装置中设置的多个待测设备在目标时刻的目标射频信号频率;根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,目标高度为目标射频信号对应的高度。
根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,屏蔽部的目标高度的设置使得屏蔽装置能够为频率为目标射频信号频率的多个待测设备提供更好的屏蔽效果,即屏蔽部的目标高度与多个待测设备的目标射频信号频率相适应,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
第三方面,提供一种信息确定装置,包括获取单元和处理单元,获取单元用于获取第一方面的屏蔽装置中设置的多个待测设备在目标时刻的目标射频信号频率;处理单元用于根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,目标高度为目标射频信号对应的高度。
第四方面,提供给一种电子设备,包括处理器和存储器,存储器用于存储计算机程序,处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序,使得电子设备执行第二方面的方法。
第五方面,提供一种芯片,包括处理器,当处理器执行指令时,处理器执行第二方面的方法。
第六方面,提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储了计算机程序,当计算机程序被处理器执行时,使得处理器执行第二方面的方法。
第七方面,提供一种测试设备,包括第一方面的屏蔽装置。
测试设备还可以包括第三方面的信息确定装置或第四方面的电子设备。
附图说明
图1是一种适用于本申请的测试设备的示意性结构图;
图2是一种测试设备中抽屉的示意性结构图;
图3是对抽屉中设置的待测设备进行测试的电场分布示意图;
图4是对抽屉中设置的待测设备进行测试的磁场分布示意图;
图5是对抽屉中设置的待测设备的S参数曲线图;
图6是本申请实施例提供的一种屏蔽装置的示意性结构图;
图7是本申请实施例提供的另一种屏蔽装置的示意性结构图;
图8是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置的示意性结构图;
图9是本申请实施例提供的屏蔽装置中设置的待测设备进行测试时的电场分布示意图;
图10是本申请实施例提供的屏蔽装置中设置的待测设备进行测试时的磁场分布示意图;
图11和图12是本申请实施例提供的一种屏蔽装置中设置的待测设备的S参数曲线图;
图13是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置的示意性结构图;
图14是本申请实施例提供的另一种屏蔽装置中设置的待测设备的S参数曲线图;
图15是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置中设置的待测设备的S参数曲线图;
图16是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置的示意性结构图;
图17是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置中设置的待测设备的S参数曲线图;
图18是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置的示意性结构图;
图19是本申请实施例提供的又一种屏蔽装置中设置的待测设备的S参数曲线图;
图20是本申请实施例提供的一种信息确定方法的是示意性流程图;
图21是本申请实施例提供的一种信息确定装置的示意性结构图;
图22是本申请实施例提供的一种用于执行信息确定方法的电子设备的示意性结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。
由于器件的差异、老化、温度变化等因素的影响,即使是同一批次生产的具有相同结构设计的芯片,电学性能也可能存在差异。为了检测芯片电学性能的差异,可以对芯片的进行测试。测试设备用于对包括芯片的待测设备进行测试。
图1示出了一种测试设备的示意性结构图。
测试设备100包括抽屉110,测试针120和测试仪器130。
抽屉110的底板111用于放置待测设备。
测试针120与放置在抽屉110中的待测设备接触的情况下,测试针120可以采集待测设备的电信号。
测试仪器130用于根据测试针120采集的待测设备的电信号,对待测设备的性能进行分析,完成对待测设备的电性能测试。
将抽屉110从测试设备100中取出之后,对抽屉110的底板111上放置的待测设备可以进行更换。在进行待测设备的更换之后,将抽屉110重新放入测试设备100,测试设备可以对抽屉110的底板111上放置的更换后的待测设备进行测试。
抽屉110包括底板111和侧壁112。待测设备可以放置在底板111上表面侧壁112围绕的区域中。
待测设备可以是芯片,也可以是印制电路板(printed circuit board,PCB)或终端设备。芯片系统可以包括一个或多个芯片。PCB和终端设备均可以包括芯片系统。对终端设备的测试也可以理解为对终端设备中芯片系统或PCB的测试。
芯片系统可以包括处理器。
处理器可以包括一个或多个处理单元,例如:处理器可以包括应用处理器(application processor,AP),调制解调处理器,图形处理器(graphics processingunit,GPU),图像信号处理器(image signal processor,ISP),控制器,存储器,视频编解码器,数字信号处理器(digital signal processor,DSP),基带处理器,和/或神经网络处理器(neural-network processing unit,NPU)等。
不同的处理单元可以是独立的器件,也可以集成在一个或多个处理器中。
处理器中还可以设置存储器,用于存储指令和数据。在一些实施例中,处理器中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器需要再次使用该指令或数据,可从所述存储器中直接调用。避免了重复存取,减少了处理器的等待时间,因而提高了系统的效率。
待测设备可以包括移动通信模块和/或无线通信模块。
移动通信模块可以提供应用在终端设备上的包括2G/3G/4G/5G等无线通信的解决方案。移动通信模块可以包括至少一个滤波器,开关,功率放大器,低噪声放大器(lownoise amplifier,LNA)等。移动通信模块可以由终端设备的天线接收电磁波,并对接收的电磁波进行滤波,放大等处理,传送至调制解调处理器进行解调。移动通信模块还可以对经调制解调处理器调制后的信号放大,经天线转为电磁波辐射出去。在一些实施例中,移动通信模块的至少部分功能模块可以被设置于处理器中。在一些实施例中,移动通信模块的至少部分功能模块可以与处理器的至少部分模块被设置在同一个器件中。
调制解调处理器可以包括调制器和解调器。其中,调制器用于将待发送的低频基带信号调制成中高频信号。解调器用于将接收的电磁波信号解调为低频基带信号。随后解调器将解调得到的低频基带信号传送至基带处理器处理。低频基带信号经基带处理器处理后,被传递给应用处理器。应用处理器通过终端设备的音频设备(不限于扬声器,受话器等)输出声音信号,或通过显示屏显示图像或视频。在一些实施例中,调制解调处理器可以是独立的器件。在另一些实施例中,调制解调处理器可以独立于处理器,与移动通信模块或其他功能模块设置在同一个器件中。
无线通信模块可以提供应用在终端设备上的包括无线局域网(wireless localarea networks,WLAN)(如无线保真(wireless fidelity,Wi-Fi)网络),蓝牙(bluetooth,BT),全球导航卫星系统(global navigation satellite system,GNSS),调频(frequencymodulation,FM),近距离无线通信技术(near field communication,NFC),红外技术(infrared,IR)等无线通信的解决方案。无线通信模块160可以是集成至少一个通信处理模块的一个或多个器件。无线通信模块经由天线接收电磁波,将电磁波信号调频以及滤波处理,将处理后的信号发送到处理器。无线通信模块还可以从处理器接收待发送的信号,对其进行调频,放大,经天线转为电磁波辐射出去。
在一些实施例中,终端设备的一个天线可以和移动通信模块耦合,另一个天线可以和无线通信模块耦合,使得终端设备可以通过无线通信技术与网络以及其他设备通信。所述无线通信技术可以包括全球移动通讯系统(global system for mobilecommunications,GSM),通用分组无线服务(general packet radio service,GPRS),码分多址接入(code division multiple access,CDMA),宽带码分多址(wideband codedivision multiple access,WCDMA),时分码分多址(time-division code divisionmultiple access,TD-SCDMA),长期演进(long term evolution,LTE),BT,GNSS,WLAN,NFC,FM,和/或IR技术等。所述GNSS可以包括全球卫星定位系统(global positioning system,GPS),全球导航卫星系统(global navigation satellite system,GLONASS),北斗卫星导航系统(beidou navigation satellite system,BDS),准天顶卫星系统(quasi-zenithsatellite system,QZSS)和/或星基增强系统(satellite based augmentation systems,SBAS)。
对于待测设备进行测试,可以对确定待测设备的补偿参数。对待测设备的各种电学特征进行检测,并根据待测设备需要满足的射频特性,可以确定补偿参数。在待测设备使用过程中,可以利用补偿参数对需要修正的参数进行补偿。
对于一批待测设备进行测试,确定统一的初始补偿参数的过程,可以称为校准测试(calibration test,CT)。对于每个待测设备进行测试,对初始补偿参数进行微调,以得到该待测设备对应的补偿参数的过程,可以称为综测。在待测设备为PCB的情况下,综测也可以称为板级测试(board test,BT)。
以待测设备为PCB为例,在确定PCB的补偿参数后,设置有该PCB的终端设备可以根据该PCB的补偿参数,对PCB的处理结果进行补偿,以使得接收或发送的信息和数据更加准确。
通过校准测试和综测,利用补偿参数的校准后对PCB的处理结果进行校准,校准后的处理结果具有一致性。从而,可以确保终端设备具有良好的通信性能。
为了提高测试的效率,对于多个待测设备可以同时进行测试。
如图2所示,底板111的上表面包括两个测试区域141和142,测试区域141可以放置待测设备151和待测设备152,测试区域142可以放置待测设备153和待测设备154。测试仪器130对每个测试区域中放置的多个待测设备可以依次进行测试。多个测试区域141和142中的待测设备的测试可以同时进行。
示例性地,测试设备100中,测试仪130的数量可以为两个,不同的测试仪130可以对应于不同的测试区域。每个测试仪130可以对该测试仪对应的测试区域中的待测设备依次进行测试。两个测试仪130对待测设备的测试可以同时进行。
在对待测设备151至154中的任一个待测设备进行测试时,该待测设备的信号可能对其他待测设备的测试产生干扰。
例如,在对待测设备152进行接收通路(receiver,RX)信号的校准测试时,待测设备153或待测设备154可能正在进行发射通路(transmitter,TX)信号或反馈通路(feedbackreceiver,FBRX)信号的校准测试,待测设备153或待测设备154相关的信号可能影响对待测设备152的测试结果的准确度。在TX信号或FBRX信号的功率较高时,干扰待测设备152的RX校准的准确度。
与校准测试时的情况类似,在对待测设备152进行RX信号的综测时,待测设备153或待测设备154的信号同样对待测设备152的测试结果产生影响,导致待测设备152的RX灵敏度误测,影响测试直通率和测试效果。
直通率是对产品从第一道工序开始一次性合格到最后一道工序的参数,能够了解产品生产过程中在所有工序下产品直达到成品的能力。
图3和图4分别为对待测设备152进行测试时,底板111的上表面的电场和磁场分布。
图3中不同的点表示底板111的上表面不同的位置,每个点的明度表示该点的电场强度,电场强度随明度增加而降低。
图4中不同的点表示底板111的上表面不同的位置,每个点的明度表示该点的磁场强度,磁场强度随明度增加而降低。
对待测设备152进行测试时,在其他待测设备的位置产生了较大的电场强度和磁场强度,从而对其他待测设备的测试产生干扰。
图5为对待测设备152进行测试时,待测设备152的散射(scatter,S)参数。
S参数描述了传输通道的频域特性。S参数是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数,适于微波电路分析,以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。
二端口网络有四个S参数,Sij代表的意思是能量从j口注入,在i口测得的能量。对于待测设备,反射系数S11与S22相等,传输系数S12与S21相等。
在待测设备152的信号频率的变化范围为2至6吉赫兹(giga Hertz,GHz)的情况下,在大多数信号频率下,待测设备152的S11参数大于-10分贝(decibel,dB),恶化明显。各个待测设备之间存在较大的干扰。
一般情况下,同一个通信设备的发射信号的信号强度远大于接收信号的信号强度,因此,在测试设备对某个待测设备进行发射信号的测试,对另一待测设备进行接收信号的测试的情况下,该发射信号对该接收信号产生较大干扰。
表1为待测设备151至154均为PCB的情况下,在待测设备153或待测设备154进行测试的过程中,待测设备152对RX信号的接收结果。
利用测试针向待测设备152传输电信号,测试针传输的信号可以理解为RX信号。
表1中,1至4的RX信号编号是相同的RX信号。该RX信号的频段(band)为n41,下行(down link,DL)信道为518601,带宽为100MHz,下发功率(DL power)为-85分贝毫瓦(dBm),子载波间隔(sub-carrier spacing,SCS)为30千赫兹(kilo-Hertz,kHz)。频段与下行信道的组合用于指示频率。也就是说,不同的频段与下行信道的组合可以对应于不同的频率。频段为n41,下行信道为518601的组合,对应的频率为2593MHz。
自动增益控制(automatic gain control,AGC)是一种用于射频系统的技术,用于自动调整接收机的增益,以在大范围的输入信号电平上保持恒定的输出电平。接收机中的AGC用于根据输入信号幅度调整射频前端放大器的增益,使信号保持在接收机的动态范围内。
射频(radio frequency,RF)表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围为300kHz至300 GHz。
接收通路自动增益控制(RxAGC)表示待测设备152实际接收的信号强度。接收通路自动增益控制可以表示参考信号接收功率(reference signal receiving power,RSRP)。
不同的逻辑天线号对应于待测设备152上不同的连接点。测试针与待测设备152上逻辑天线号对应的连接点,以向待测设备152传输RX信号。
在RxAGC大于或等于-90 dBm且小于或等于-80 dBm的情况下,可以确定待测设备152受到的干扰较小,满足对待测设备152进行RX信号的测试的条件。也就是说,RxAGC的最大阈值为-80 dBm,最小阈值为-90 dBm。
接收功率误差(Rx error)表示RxAGC与RX信号的下发功率-85dBm之间的差值。接收功率误差的绝对值小于或等于5 dBm的情况下,可以确定待测设备152受到的干扰较小,满足对待测设备152进行RX信号的测试的条件。也就是说,接收功率误差门限为5 dBm。
灵敏度表示接收设备正常工作的最小可接收信号强度。灵敏度与接收信号的信噪比成正比。
在灵敏度大于或等于-82 dBm的情况下,可以确定待测设备152受到的干扰较小,满足对待测设备152进行RX信号的测试的条件。也就是说,灵敏度门限为-82 dBm。
载噪比(carrier to noise,CtoN,C/N)表示已调信号的功率与噪声的功率的比值。已调信号的功率包括传输信号的功率和调制载波的功率。载噪比与信噪比正相关。
在载噪比大于或等于7.3 dB的情况下,可以确定待测设备152受到的干扰较小,满足对待测设备152进行RX信号的测试的条件。也就是说,载噪比门限为7.3 dB。
表1
编号 | 逻辑天线号 | 接收功率实测值 | 接收功率误差 | 灵敏度实测值 | 载噪比 |
1 | 0 | -81.2 | -3.8 | -90.92 | 9.92 |
2 | 1 | -79.9 | -5.1 | -81.46 | 6.46 |
3 | 2 | -83.6 | -1.4 | -90.62 | 12.62 |
4 | 3 | -84.3 | -0.7 | -90.23 | 13.23 |
表1中,待测设备152对编号为2的RX信号的接收功率实测值为-79.9 dBm,接收功率误差为-5.1 dBm,接收功率误差的绝对值超过了接收功率误差门限为5 dBm。待测设备152对编号为2的RX信号的灵敏度实测值为-81.46 dBm,超过了灵敏度门限-82 dBm。待测设备152对编号为2的RX信号的载噪比为6.46 dB,未达到载噪比门限7.3 dB。
因此,待测设备152受到的干扰较大,不满足对待测设备152进行RX信号的测试的条件。
为了降低待测设备之间的干扰,抽屉110中可以设置屏蔽板,以分隔测试区域141的上方空间和142的上方空间。该屏蔽板的底部可以固定在底板111的上表面。底板111可以采用屏蔽材料,测试设备可以设置屏蔽顶部,屏蔽顶部可以设置在抽屉110的上方。也就是说,屏蔽板可以实现对抽屉110中空间的分腔。
但是,抽屉110设置在测试设备100中。为了便于对抽屉110上表面放置的待测设备进行更换,以使得测试设备对不同的待测设备进行测试,屏蔽板的上端与抽屉110上方的屏蔽顶无法紧密接触,即屏蔽板的上端与屏蔽顶之间存在一定空隙。因此屏蔽板、抽屉110的底板111和屏蔽顶部形成的结构对测试区域141中的待测设备与测试区域142中的待测设备实现完全屏蔽。在待测设备的信号频率为某些值时,屏蔽效果较差。
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备。
下面结合图6至图8对本申请实施例提供的屏蔽装置进行详细描述。
图6是本申请实施例提供的屏蔽装置的示意性结构图。
屏蔽装置600应用于测试设备。屏蔽装置600包括屏蔽底板610和安装在屏蔽底板610上的屏蔽部630。
屏蔽底板610可以采用屏蔽材料。屏蔽底板610的全部或部分区域可以设置有屏蔽材料。示例性地,屏蔽底板610的上表面或下表面可以设置屏蔽材料。
屏蔽底板610上表面包括多个设备区域641和642。
不同的设备区域用于设置不同的待测设备。也就是说,每个设备区域用于设置一个待测设备。
测试设备用于对屏蔽底板610上表面设置的待测设备进行电学测试。
屏蔽部630位于该多个设备区域之间。在设备区域中设置有待测设备的情况下,屏蔽部630位于屏蔽底板610上表面设置的待测设备之间。
屏蔽部630的顶部相对屏蔽底板610的高度可调节。
测试设备包括屏蔽顶部。测试设备对待测设备进行测试的测试过程中,屏蔽顶部位于屏蔽装置600的上方。在测试过程和设备区域设置的待测设备的更换过程中,屏蔽装置600与屏蔽顶部的位置关系不同。
屏蔽顶部可以采用板状、柱状、网格状、块状等多种形状。在屏蔽顶部的形状为板状的情况下,屏蔽顶部可以是平板或曲面板。
测试设备为了对不同的待测设备进行测试,需要经常进行待测设备的更换。
屏蔽装置600可以是抽屉,屏蔽顶部可以固定在测试设备中。在屏蔽装置600从测试设备中抽出的情况下,可以对屏蔽底板610上的待测设备进行更换。
屏蔽顶部也可以放置在屏蔽装置600的上方。
示例性地,屏蔽底板610的上方可以环绕有侧壁,屏蔽顶部可以放置在侧壁上。在屏蔽顶部被从侧壁上取走或打开的情况下,可以对屏蔽底板610上的待测设备进行更换。
侧壁环绕在屏蔽底板610的边缘,并向屏蔽底板610的上方延伸。
侧壁的底部可以固定在屏蔽底板610的边缘。侧壁的底部可以与屏蔽底板610的边缘接触。
或者,侧壁可以固定在测试设备中。
侧壁可以采用屏蔽材料,也可以采用非屏蔽材料。
在侧壁采用屏蔽材料的情况下,侧壁也可以成为屏蔽侧壁。屏蔽装置600包括屏蔽侧壁,可以降低外界环境对待测设备的干扰,提高测试的准确度。
由于屏蔽部630的顶部相对屏蔽底板610的高度可调节,根据实际的使用需求,可以对屏蔽部630的顶部相对屏蔽底板610的高度进行调整,即对屏蔽部630的顶部相对屏蔽顶部之间的距离进行调整,以使得调整后的屏蔽部630高度与测试设备即将进行的或正在进行的测试过程中待测设备的信号频率相适应,以达到更好的屏蔽效果,降低待测设备之间的电磁干扰,从而使得测试结果更加准确。
屏蔽部630可以位于屏蔽底板610上表面的多个测试区域之间,每个测试区域包括至少一个设备区域,测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试。
在一些实施例中,每个测试区域包括一个设备区域。也就是说,屏蔽部630可以位于每两个相邻的设备区域之间。
在另一些实施例中,屏蔽底板610的上表面可以包括多个测试区域。测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试。也就是说,屏蔽部630可以位于每两个相邻的测试区域之间。
在测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试的情况下,同一个测试区域中待测设备之间的干扰不会影响对待测设备的测试结果,因此,屏蔽部630可以设置在每两个相邻的测试区域之间。
在测试区域包括多个设备区域的情况下,在一个测试区域中可以不再设置屏蔽部,以降低成本。
屏蔽部630可以采用板状、柱状、网格状、块状等其他规则或不规则的形状。
例如,屏蔽部630可以包括多个屏蔽柱。也就是说,屏蔽部630可以采用柱网结构。与板状或块状的屏蔽部结构相比,多个屏蔽柱所需的材料较少,可以降低屏蔽部630的材料需求,降低成本。
在屏蔽部630可以包括多个屏蔽柱的情况下,该多个屏蔽柱中全部或部分屏蔽柱的高度可以调节。屏蔽柱的高度,可以理解为屏蔽柱的顶部相对屏蔽底板610的高度。
对屏蔽柱的高度的调整,可以在测试设备进行测试之外的时间进行。也就是说,在测试设备对于屏蔽底板610上设置的待测设备进行测试的过程中,屏蔽柱的高度可以保持不变。
屏蔽柱的底部可以与屏蔽底板610接触,以使得屏蔽柱安装在屏蔽底板610上。与其他结构相比,屏蔽柱的设置方式较为简便,屏蔽柱高度的调整实现较为容易。
在一个实施例中,高度可调的屏蔽柱,可以采用可伸缩结构,从而,屏蔽柱的高度可调节。
在另一个实施例中,屏蔽柱上可以设置多个限位凹槽。多个限位凹槽可以沿屏蔽柱的轴向设置。屏蔽柱可以穿过屏蔽底板610上的通孔。通孔的孔壁可以设置有限位部。在限位部凸出于通孔的孔壁的情况下,限位部可以位于屏蔽柱的限位凹槽中。在限位部未凸出于通孔的孔壁的情况下,屏蔽柱可以沿轴向在通孔中运动。也就是说,在限位部未凸出于通孔的孔壁的情况下,可以对屏蔽柱的高度进行调节和设置;在测试设备对屏蔽底板610上设置的待测设备进行测试的过程中,限位部可以凸出于通孔的孔壁,以使得测试过程中屏蔽柱的高度保持不变。
在又一个实施例中,屏蔽柱也可以与屏蔽底板610螺纹连接。对屏蔽柱进行旋转,就可以对屏蔽柱的高度进行调节,调节方式较为简便,并且屏蔽柱的高度可以连续变化,高度调节具有较好的灵活性。
在屏蔽底板610的上表面,测试区域的数量可以是两个,该多个屏蔽柱所在的直线可以是屏蔽底板的对称轴。
屏蔽底板610的形状,可以是规则或不规则的。例如,屏蔽底板610可以是方形、圆形、菱形等。
在屏蔽底板610的形状为轴对称图形的情况下,多个屏蔽柱所在的直线可以是屏蔽底板610的对称轴,使得屏蔽装置600能够实现更好的屏蔽效果。
在屏蔽底板610为长方形的情况下,多个屏蔽柱所在的直线可以与屏蔽底板610的边平行。
多个屏蔽柱可以均匀或不均匀排列。
示例性地,多个屏蔽柱可以包括第一屏蔽柱、第二屏蔽柱和第三屏蔽柱,其中,第一屏蔽柱位于屏蔽底板610的中心,第二屏蔽柱与第一屏蔽柱的距离、第三屏蔽柱与第一屏蔽柱的距离,可以均为屏蔽底板610中与该多个屏蔽柱所在直线平行的边的长度的四分之一。
屏蔽底板610的中心,也可以称为屏蔽底板610的形心,是屏蔽底板610的两条对角线的交点。
第一屏蔽柱、第二屏蔽柱、第三屏蔽柱沿屏蔽底板610的对称轴均匀分布,将屏蔽底板610的对称轴位于屏蔽底板610内的部分平均分为4段。每段的长度为该部分的总长度的四分之一。该部分的长度,与屏蔽底板610中与该对称轴平行的边的长度。
通过对第一屏蔽柱、第二屏蔽柱、第三屏蔽柱的位置的合理设置,使得屏蔽装置600具有更好的屏蔽效果。
屏蔽柱的横截面尺寸对屏蔽结构的屏蔽效果具有重要影响。
每个屏蔽柱的横截面的内接圆半径与测试设备的测试针的横截面半径的比值可以大于或等于预设比例。测试针用于在待测设备和测试设备之间进行射频信号的传输。
预设比例可以是2。也就是说,屏蔽柱的横截面的内接圆半径与测试设备的测试针的横截面半径的比值可以是2、2.5或3等。
在屏蔽柱的横截面的内接圆半径大于或等于测试针的横截面半径的两倍的情况下,屏蔽装置具有较好的屏蔽效果。
屏蔽部630的当前高度,可以是测试设备的使用者根据经验确定的。
或者,屏蔽部630的高度,也可以是根据高度与射频信号频率的对应关系确定的。屏蔽部630的当前高度,可以是屏蔽部630两侧的测试区域中测试设备正在进行电学检测的待测设备的当前射频信号频率对应的高度。
也就是说,在测试设备正在对待测设备进行电学测试的过程中,屏蔽部630的当前高度是根据屏蔽部两侧的测试区域中正在进行测试的待测设备的当前射频信号频率确定的。根据高度与射频信号频率的对应关系,当前高度是当前射频信号频率对应的高度。
在屏蔽部630包括多个屏蔽柱的情况下,当前高度可以指示该多个屏蔽柱中每个屏蔽柱的高度。该多个屏蔽柱的高度可以相同或不同。
下面,结合图7,以屏蔽底板上表面包括两行两类共四个设备区域为例,对屏蔽装置进行说明。
图7是本申请实施例提供的一种屏蔽装置的示意性结构图。
图7中的(a)是屏蔽装置700的立体图。屏蔽装置700设置在测试设备中。
屏蔽装置700应用在测试设备中。
屏蔽装置700包括屏蔽底板710、屏蔽侧壁720和第一屏蔽柱731、第二屏蔽柱732、第三屏蔽柱733。
屏蔽侧壁720固定在屏蔽底板710的边缘,并向屏蔽底板710的上方延伸。屏蔽侧壁720的底部与屏蔽底板710的边沿接触。
屏蔽底板710为正方形或长方形。
屏蔽底板710和屏蔽侧壁720可以作为测试设备中抽屉的主要部件。抽屉用于放置待检测的PCB,屏蔽底板710也可以理解为抽屉的托盘。
屏蔽侧壁720的外壁还可以设置把手等装置,以便于抽屉从测试设备中抽出。
图7中的(b)是屏蔽装置700的俯视图。
屏蔽底板710的上表面可以包括第一测试区域711和第二测试区域712。第一测试区域711包括第一设备区域741和第二设备区域742,第二测试区域包括第三设备区域743和第四设备区域744。
第一设备区域741至第四设备区域744中不同的设备区域用于设置不同的PCB。
第一设备区域741至第四设备区域744在屏蔽底板710的上表面的排列方式可以是阵列形式。
不同的测试区域可以对应于不同的列。第一测试区域711中的第一设备区域741和第二设备区域742可以位于第一列,第二测试区域中的第三设备区域743和第四设备区域744可以位于第二列。
第一设备区域741和第三设备区域743可以位于第一行,第二设备区域742和第四设备区域744可以位于第二行。
阵列的行的方向、列的方向,均与屏蔽底板710的边平行。阵列的行的方向或列的方向为抽屉从测试设备中抽出的方向。
第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733均位于第一测试区域711和第二测试区域712之间。第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733所在直线可以是屏蔽底板710的对称轴。
第一屏蔽柱731位于屏蔽底板710的中心,第二屏蔽柱732与第一屏蔽柱731的距离、第三屏蔽柱733与第一屏蔽柱731的距离均为目标边的长度的四分之一,目标边是屏蔽底板710中与第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733所在直线平行的边。也就是说,第二屏蔽柱732、第一屏蔽柱731、第三屏蔽柱733距离屏蔽底板710中与目标边相邻的边的距离分别为目标边的长度的四分之一、二分之一、四分之三。
为了实现对PCB的测试,测试针可与PCB接触,以实现PCB与测试设备之间射频信号的传输。图8示出了多个测试针751至754。
测试针可以与PCB的天线座电连接。PCB的天线座用于连接电线。在测试完成之后,可以对PCB等其他部件进行组装以形成终端设备。在终端设备中,PCB的天线座与天线电连接。从而,PCB生成的信号可以通过天线传输至其他电子设备。天线以可以接收信号,并将接收的信号传输至PCB进行处理。PCB传输至天线的信号,以及天线传输至PCB的信号,均为射频信号。
应当理解,不同的设备区域可以对应不同的测试针。
图9和图10分别为对第二设备区域742设置的PCB进行测试时,屏蔽底板710的上表面的电场和磁场分布。
图9中不同的点表示屏蔽底板710的上表面不同的位置,每个点的明度表示该点的电场强度,电场强度随明度增加而降低。即图9中屏蔽底板710的上表面中一个点的明度越小,即该点越深,则该点的电场强度越高。
电场强度与电场能量密度正相关。图9也可以用于表示对第二设备区域742设置的PCB进行测试时屏蔽底板710的上表面的电场能量密度分布。
图10中不同的点表示屏蔽底板710的上表面不同的位置,每个点的明度表示该点的磁场强度,磁场强度随明度增加而降低。即图10中屏蔽底板710的上表面中一个点的明度越小,即该点越深,则该点的磁场强度越高。
磁场强度与磁场能量密度正相关。图10也可以用于表示对第二设备区域742设置的PCB进行测试时屏蔽底板710的上表面的磁场能量密度分布。
根据图9所示的电场分布和图10所示的磁场分布可知,对第一测试区域711中第二设备区域742设置的PCB进行测试时,第二测试区域712的电场强度和磁场强度较低,第二设备区域742的PCB测试对第二测试区域712中第三设备区域743、第四设备区域744设置的PCB测试产生的干扰较小。也就是说,在测试设备对第二设备区域742设置的PCB、第二测试区域712中第三设备区域743或第四设备区域744设置的PCB同时进行测试时,第三设备区域743或第四设备区域744设置的PCB测试受到第二设备区域742设置的PCB测试过程中的射频信号的干扰较小。
对第一测试区域711中第二设备区域742设置的PCB进行测试时,在第一测试区域711中第一设备区域741产生的电场强度和磁场强度较高。测试设备用于对每个测试区域中不同设备区域设置的PCB依次进行测试,即对第二设备区域742设置的PCB与第一设备区域741设置的PCB的测试不是同时进行的,因此,第二设备区域742设置的PCB与第一设备区域741设置的PCB之间的干扰对测试结果不会产生影响。
第二设备区域742设置的PCB在测试过程中辐射的电磁波,经过第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733中的任一个屏蔽柱时,辐射的电磁波信号发生反射。经过屏蔽柱反射的信号还会经过屏蔽底板710、屏蔽侧壁720以及设置在屏蔽装置700上方的屏蔽顶部等中的一个或多个部件的反射。
辐射的电磁波信号在经过多次反射之后,发生损耗,逐渐衰减,从而抑制了不同测试区域之间的信号干扰。
第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733均可以通过螺纹与屏蔽底板710连接。即第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733安装在抽屉的托盘上。通过转动屏蔽柱,可以实现对屏蔽柱高度的调整,简单便捷。屏蔽柱高度,可以理解为屏蔽柱顶端相对屏蔽底板710的高度。
屏蔽柱的材料可以是铝、铜等金属材料或者其他导电性能较好的其他材料。导电性能较好的材料可以是导电率高于预设值的材料。
下面,以屏蔽底板710的尺寸是400 mm×400 mm,屏蔽顶部为与屏蔽底板710平行的平板,屏蔽顶部与屏蔽底板710之间的距离为40 mm为例,对设置有第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的屏蔽装置700的屏蔽效果进行说明。
图11和图12示出了对第二设备区域742设置的PCB进行测试时,不同屏蔽柱高度情况下该PCB的S参数。在对第二设备区域742设置的PCB进行测试时,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的半径相等,均为测试针的横截面半径的2倍。
图11中,曲线S11表示第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化。曲线h1至h5分别表示屏蔽柱的高度分别为h1至h5的情况下第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化。屏蔽柱的高度h01至h15的取值分别为35毫米(millimeter,mm)、36 mm、37mm、38 mm、39 mm。图12中,PCB中信号的频率变化范围为0至6 GHz。
图12中,曲线S11表示第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化。曲线h01至h15分别表示屏蔽柱的高度分别为h01至h15的情况下第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化。屏蔽柱的高度h01至h15的取值分别为25 mm、26 mm、27 mm、28 mm、29 mm、30 mm、31 mm、32 mm、33 mm、34 mm、35 mm、36 mm、37 mm、38 mm、39 mm。图12中,PCB中信号的频率变化范围为2.0 GHz至2.65 GHz。
图11和图12中的屏蔽柱高度,可以理解为第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733中每个屏蔽柱的高度。
第二设备区域742设置的PCB的S12参数越小,屏蔽柱对第一测试区域711与第二测试区域712之间的信号隔离效果越好。
根据图11和图12所示,不同的屏蔽柱高度对第二设备区域742设置的PCB的S参数产生影响,即屏蔽柱对第一测试区域711与第二测试区域712之间的信号隔离效果产生影响。
在第二设备区域742设置的PCB的信号为2.0 GHz至2.65 GHz范围的频率区间范围内,在各个高度的屏蔽柱中,高度为37 mm时第二设备区域742设置的PCB的S12参数在2.0GHz至2.65 GHz频率范围内的最大值小于其他高度情况下的S12参数最大值,对于2.0 GHz至2.65 GHz频率范围的隔离效果最好,达到最优隔离度。也就是说,隔离效果与屏蔽柱高度并不是正相关关系。
对于第二设备区域742设置的PCB的信号2.0 GHz至2.65 GHz的频率范围,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的高度均为37 mm时,该PCB的S12参数最大值小于-26 dB,屏蔽柱具有较好的隔离效果。
根据图11和图12所示的不同屏蔽柱高度情况下第二设备区域742设置的PCB的S参数曲线,可以在第二设备区域742设置的PCB对某个测试频率的信号进行测试时,将屏蔽柱高度调整为使得该测试频率的S12参数最大的屏蔽柱高度作为该测试过程中屏蔽柱的高度,从而降低第二设备区域742设置的PCB的测试对第二测试区域712中设置的PCB的干扰。
为了实现对第二设备区域742设置的PCB的测试,测试针752与第二设备区域742设置的PCB接触,测试针752用于第二设备区域742设置的PCB与测试设备之间的射频信号传输。测试针752可以垂直于屏蔽底板710设置,也可以与屏蔽底板710的垂直方向具有一定夹角。下面以测试针752可以垂直于屏蔽底板710设置为例进行说明。
图14示出了对第二设备区域742设置的PCB进行测试时,不同测试针位置情况下该PCB的S参数。测试针752可以垂直于屏蔽底板710,测试针位置可以理解为测试针752与第二设备区域742设置的PCB的接触点的位置。
图14中,曲线S11表示第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化。曲线D1至D5分别表示屏蔽底板710中目标边相邻的边与测试针之间的距离分别为D1至D5的情况下第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化。
目标边是与第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733所在直线平行的边。目标边相邻的边可以是图13所示的屏蔽底板710的上边缘。
屏蔽底板710的尺寸为40 mm×40 mm。目标边相邻的边,即图13所示的屏蔽底板710的上边缘,与测试针之间的距离D1至D5的取值,分别为19 mm、20 mm、22 mm、25 mm、28mm、31 mm。
图14中,测试针752传输的射频信号的频率变化范围为0.7 GHz至6 GHz。对第二设备区域742设置的PCB进行测试的过程中,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的高度均38 mm,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的半径均为测试针752横截面半径的两倍。
图14所示的不同测试针位置情况下第二设备区域742设置的PCB的S参数曲线中,测试针位置的变化对第二设备区域742设置的PCB的S参数的影响较小,即测试针位置的变化对屏蔽柱产生的屏蔽效果的影响较小,屏蔽柱在测试针位置的变化的情况下能够产生良好的屏蔽效果。
图15示出了在屏蔽柱的形状为圆柱的情况下,对第二设备区域742设置的PCB进行测试时,不同屏蔽柱半径情况下该PCB的S参数。屏蔽柱的形状为圆柱,可以理解为第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733均为圆柱。屏蔽柱的半径可以理解为第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733中每个屏蔽柱的半径。
曲线S11表示第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化。曲线D1至D5分别表示屏蔽柱半径分别为r1至r4的情况下第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化。对第二设备区域742设置的PCB进行测试的过程中,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733的高度均38 mm。测试针的半径为2 mm。屏蔽柱半径r1至r4的取值分别为2 mm、2.5 mm、3mm、3.5 mm。
图15所示的不同屏蔽柱半径情况下第二设备区域742设置的PCB的S参数曲线中,屏蔽柱半径对第二设备区域742设置的PCB的S参数具有一定影响。
频段1.7 GHz至3 GHz为移动通信主要频段。频率在2 GHz至3 GHz范围内的射频信号易发生相互干扰。
在第二设备区域742设置的PCB的射频信号频率在2 GHz至3 GHz范围内的情况下,随着屏蔽柱半径减小,第二设备区域742设置的PCB的S12参数呈增加趋势。也就是说,随着屏蔽柱半径减小,屏蔽装置700的隔离效果减弱。
因此,可以采用较大半径的屏蔽柱,以提高屏蔽装置700的隔离效果。示例性地,屏蔽柱半径可以设置为大于或等于测试针半径的2倍。
如图16所示,在屏蔽底板710的上表面设置多个金属块771至774。多个金属块771至774可以分别设置在多个测试针751至754附近,例如可以分别设置在第一设备区域741至第四设备区域744中,以模拟设置在屏蔽底板710上的螺钉孔、屏蔽罩以及屏蔽底板710上其他金属材料。示例性地,多个金属块771至774可以分别设置在多个测试针751至754周围10mm为半径的区域内。
每个测试区域可以对应于一个屏蔽罩,屏蔽罩用于对该屏蔽罩对应的测试区域中设置的PCB提供屏蔽。或者,每个设备区域可以对应于一个屏蔽罩,屏蔽罩用于对该屏蔽罩对应的设备区域中设置的PCB提供屏蔽。
图17示出了在屏蔽底板710的上表面设置多个金属块的情况下,对第二设备区域742设置的PCB进行测试时该PCB的S参数。图17中的曲线S11反映了第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化情况,曲线S12反映了第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化情况。
图17所示的第二设备区域742设置的PCB的S12参数与未设置屏蔽柱的情况相比,S12参数明显降低。在频率1.2 GHz至3.5 GHz范围内,第二设备区域742设置的PCB的S12参数小于20 dB,符合通信要求。
因此,在屏蔽底板710的上表面设置PCB以及其他金属物体的情况下,屏蔽柱的设置对第一测试区域711与第二测试区域712具有的有效的屏蔽作用,能够有效降低第一测试区域711与第二测试区域712之间的干扰。
根据图17所示的S参数曲线可知,在屏蔽底板710上设置螺钉孔、屏蔽罩以及屏蔽底板710上其他金属材料的情况下,屏蔽装置仍然能够提供较好的屏蔽效果。
如图18所示,第一屏蔽柱731至第三屏蔽柱733中的每个屏蔽柱也可以是方柱,即屏蔽柱的横截面可以是长方形。
图19示出了屏蔽柱为方柱的情况下,对第二设备区域742设置的PCB进行测试时该PCB的S参数。方柱的尺寸高度为38 mm,方柱的横截面为边长为测试针横截面半径两倍的正方形。
图19中的曲线S11反映了第二设备区域742设置的PCB的S11参数随频率的变化情况。曲线S12反映了第二设备区域742设置的PCB的S12参数随频率的变化情况。
图19所示的第二设备区域742设置的PCB的S12参数在1满足预期。
图19所示的第二设备区域742设置的PCB的S12参数与未设置屏蔽柱的情况相比,S12参数明显降低。在频率小于或等于3.3 GHz的范围内,第二设备区域742设置的PCB的S12参数的值基本上均小于20 dB,符合通信要求。
根据图19所示的曲线,方形屏蔽柱的设置对第一测试区域711与第二测试区域712具有的有效的屏蔽作用,能够有效降低第一测试区域711与第二测试区域712之间的干扰。
根据图11、图12、图14、图15、图17、图19所示的曲线可知,在频率范围为1 GHz至4GHz的频段,特别是在其中2 GHz至3 GHz的频段,图7所示的屏蔽装置能够提供良好的屏蔽效果,从而提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
图6至图7所示的在屏蔽装置中,屏蔽部的高度可以通过根据图20所示的信息确定方法进行确定。
图20是本申请实施例提供的一种信息确定方法。该方法包括步骤S2010和S2020。该方法可以用于在测试设备,也可以应用在测试设备之外的其他电子设备。测试设备包括图6或图7所述的屏蔽装置。
步骤S2010,获取屏蔽装置中设置的多个待测设备在目标时刻的目标射频信号频率。
屏蔽装置的结构可以参见图6或图7的说明。
在目标时刻,该多个待测设备的射频信号的频率可以相同或不同。目标射频信号频率可以包括该多个待测设备在目标时刻的射频信号的频率。
步骤S2020,根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,所述目标高度为所述目标射频信号频率对应的高度。
屏蔽部整体可以具有相同的高度。也就是说,屏蔽柱各个部分的高度可以是一致的。目标高度可以是屏蔽部可以是该一致的高度。
在目标时刻,测试设备可以对屏蔽底板上设置的全部或部分设备区域设置的待测设备同时进行测试。高度与射频信号频率的对应关系,可以是屏蔽底板上的多个设备区域的待测设备的射频信号频率的组合与屏蔽柱高度的对应关系。目标射频信号频率可以理解为在目标时刻屏蔽底板上的每个设备区域的待测设备的射频信号频率的组合。在该目标时刻,在目标射频信号频率中,未进行测试的待测设备的频率可以记为0。
示例性地,屏蔽底板的上表面可以包括多个测试区域。测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试。高度与射频信号频率的对应关系,可以是屏蔽底板上的多个测试区域的射频信号频率的组合与屏蔽柱高度的对应关系。目标射频信号频率可以理解为目标时刻屏蔽底板上的每个测试区域的射频信号的频率的组合。测试区域的射频信号频率,可以理解为该测试区域中在目标时刻进行测试的待测设备的射频信号频率。在测试区域中,各个待测设备均未进行测试的情况下,该测试区域的射频信号频率可以记为0。
或者,屏蔽部可以分为多个部分,不同的部分可以具有不同的高度。目标高度可以包括该多个部分的高度。
在一些实施例中,测试设备可以对屏蔽底板上设置的所有待测设备同时进行测试。每两个相邻两个设备区域之间可以设置有屏蔽部的一部分。
任意两个相邻的设备区域之间的部分屏蔽部的目标部分高度可以是根据该两个相邻的设备区域中的待测设备的射频信号的频率确定的。根据该部分屏蔽部对应的高度和射频信号频率的对应关系,该目标部分高度可以是该两个相邻的设备区域中的待测设备的射频信号的频率对应的高度。目标高度可以包括多个目标部分高度。
不同的部分屏蔽部可以对应于不同的高度和射频信号频率的对应关系。因此,在S2020,根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,可以是根据多个部分屏蔽部对应的高度和射频信号频率的对应关系,确定每个部分屏蔽部对应的目标部分高度,目标高度可以包括多个部分屏蔽部对应的多个目标部分高度。
在另一些实施例中,屏蔽底板的上表面可以包括多个测试区域。测试设备用于对每个测试区域中的待测设备依次进行测试。
任意两个相邻的测试区域之间的屏蔽部的目标部分高度可以是根据目标射频信号频率中该两个相邻的测试区域进行测试的待测设备的射频信号的频率确定的。根据高度和射频信号频率的对应关系,该目标部分高度可以是该两个相邻的测试区域进行测试的待测设备的射频信号的频率对应的高度。
不同的部分屏蔽部可以对应于不同的高度和射频信号频率的对应关系。目标高度可以包括多个部分屏蔽部对应的多个目标部分高度。
也就是说,在屏蔽底板上表面包括多个测试区域的情况下,屏蔽部的目标高度是根据高度与射频信号频率的对应关系确定的,目标高度是目标射频信号频率对应的高度,目标射频信号频率表示该多个测试区域中在目标时刻进行电学测试的待测设备的射频信号频率。
根据测试设备在目标时刻对多个所述待测设备进行测试的情况下所述多个待测设备的目标射频信号频率,确定目标高度,从而,在该目标时刻到来,成为当前时刻,则目标射频信号频率可以称为当前射频信号频率,目标高度可以称为当前高度。
也就是说,在进行S2010至S2020的过程中,目标时刻可以是未来的某个时刻,目标射频信号频率可以是根据测试设备未来将要进行的测试确定。
在S2020之后,执行步骤S2010至S2020的装置可以将屏蔽部的高度设置为目标高度。或者,通过人工,可以将屏蔽部的高度设置为目标高度。
在屏蔽部的高度可调的情况下,根据高度与射频信号频率的对应关系,确定所述屏蔽部的目标高度,目标高度的设置使得屏蔽装置能够提供更好的屏蔽效果,提高测试设备对待测设备的测试结果的准确度。
应理解,上述举例说明是为了帮助本领域技术人员理解本申请实施例,而非要将本申请实施例限于所例示的具体数值或具体场景。本领域技术人员根据所给出的上述举例说明,显然可以进行各种等价的修改或变化,这样的修改或变化也落入本申请实施例的范围内。
上文结合图1至图19详细描述的申请实施例的屏蔽装置,并结合图20详细描述了本申请实施例的信息确定方法,下面将结合图21和图22,详细描述本申请用于执行信息确定方法的装置实施例。应理解,本申请实施例中的信息确定装置可以执行前述本申请实施例的信息确定方法,即以下各种产品的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程。
图21是本申请实施例提供的信息确定装置的示意图。
信息确定装置2100包括:获取单元2110和处理单元2120。
获取单元2110用于,获取屏蔽装置中设置的多个待测设备的目标射频信号频率。
屏蔽装置的结构可以参见图6或图7的说明。
处理单元2120用于,根据高度与射频信号频率的对应关系,确定所述屏蔽部的目标高度,所述目标高度为所述目标射频信号对应的高度。
可选地,处理单元还用于,将屏蔽部的高度设置为目标高度。
需要说明的是,上述信息确定装置2100以功能单元的形式体现。这里的术语“单元”可以通过软件和/或硬件形式实现,对此不作具体限定。
例如,“单元”可以是实现上述功能的软件程序、硬件电路或二者结合。所述硬件电路可能包括应用特有集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)、电子电路、用于执行一个或多个软件或固件程序的处理器(例如共享处理器、专有处理器或组处理器等)和存储器、合并逻辑电路和/或其它支持所描述的功能的合适组件。
因此,在本申请的实施例中描述的各示例的单元,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
图22示出了本申请提供的一种电子设备的结构示意图。图22中的虚线表示该单元或该模块为可选的。电子设备2200可用于实现上述方法实施例中描述的信息确定方法。
电子设备2200包括一个或多个处理器2201,该一个或多个处理器2201可支持电子设备2200实现方法实施例中的信息确定方法。处理器2201可以是通用处理器或者专用处理器。例如,处理器2201可以是中央处理器(central processing unit,CPU)、数字信号处理器(digital signal processor,DSP)、专用集成电路(application specific integratedcircuit,ASIC)、现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)或者其它可编程逻辑器件,如分立门、晶体管逻辑器件或分立硬件组件。
处理器2201可以用于对电子设备2200进行控制,执行软件程序,处理软件程序的数据。电子设备2200还可以包括通信单元2205,用以实现信号的输入(接收)和输出(发送)。
例如,电子设备2200可以是芯片,通信单元2205可以是该芯片的输入和/或输出电路,或者,通信单元2205可以是该芯片的通信接口,该芯片可以作为终端设备或其它电子设备的组成部分。
又例如,电子设备2200可以是终端设备,通信单元2205可以是该终端设备的收发器,或者,通信单元2205可以是该终端设备的收发电路。
电子设备2200中可以包括一个或多个存储器2202,其上存有程序2204,程序2204可被处理器2201运行,生成指令2203,使得处理器2201根据指令2203执行上述方法实施例中描述的信息确定方法。
可选地,存储器2202中还可以存储有数据。可选地,处理器2201还可以读取存储器2202中存储的数据,该数据可以与程序2204存储在相同的存储地址,该数据也可以与程序2204存储在不同的存储地址。
处理器2201和存储器2202可以单独设置,也可以集成在一起;例如,集成在终端设备的系统级芯片(system on chip,SOC)上。
示例性地,存储器2202可以用于存储本申请实施例中提供的信息确定方法的相关程序2204,处理器2201可以用于调用存储器2202中存储的信息确定方法的相关程序2204,执行本申请实施例的信息确定方法。
例如,处理器2201可以用于:获取屏蔽装置中设置的多个待测设备在目标时刻的目标射频信号频率;根据高度与射频信号频率的对应关系,确定屏蔽部的目标高度,所述目标高度为所述目标射频信号对应的高度。其中,屏蔽装置的结构可以参见图6或图7的说明。
应当理解,电子设备可以位于测试设备中,也可以独立于测试设备。
本申请还提供了一种计算机程序产品,该计算机程序产品被处理器2201执行时实现本申请实施例所述的信息确定方法。
该计算机程序产品可以存储在存储器2202中,例如是程序2204,程序2204经过预处理、编译、汇编和链接等处理过程最终被转换为能够被处理器2201执行的可执行目标文件。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被计算机执行时实现本申请实施例所述的信息确定方法。该计算机程序可以是高级语言程序,也可以是可执行目标程序。
该计算机可读存储介质例如是存储器2202。存储器2202可以是易失性存储器或非易失性存储器,或者,存储器2202可以同时包括易失性存储器和非易失性存储器。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory,ROM)、可编程只读存储器(programmable ROM,PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM,EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically EPROM,EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory,RAM),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(static RAM,SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic RAM,DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM,SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate SDRAM,DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM,ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synchlinkDRAM,SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus RAM,DR RAM)。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性,以及特定的顺序或先后次序。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,a,b,或c中的至少一项(个),可以表示:a, b, c, a-b, a-c, b-c, 或a-b-c,其中a, b, c可以是单个,也可以是多个。
应理解,在本申请的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的;例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式;例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种屏蔽装置,其特征在于,应用于测试设备,所述屏蔽装置包括:屏蔽底板和安装在所述屏蔽底板上的屏蔽部;
所述屏蔽底板上表面包括多个设备区域,不同的设备区域用于设置不同的待测设备;
所述屏蔽部位于所述多个设备区域之间,所述屏蔽部的顶部相对所述屏蔽底板的高度可调节;
所述测试设备包括屏蔽顶部,在所述测试设备对所述多个设备区域中设置的待测设备进行电学测试的测试过程中,所述屏蔽顶部位于所述屏蔽装置的上方;在所述测试过程和所述多个设备区域设置的待测设备的更换过程中,所述屏蔽装置与所述屏蔽顶部的位置关系不同。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述屏蔽部包括多个屏蔽柱,至少一个所述屏蔽柱的顶部相对所述屏蔽底板的高度可调节。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述屏蔽部位于所述屏蔽底板上表面的多个测试区域之间,每个测试区域包括至少一个设备区域,所述测试设备用于对每个测试区域中的至少一个所述待测设备依次进行测试,所述多个测试区域的数量为两个,所述多个屏蔽柱所在的直线为所述屏蔽底板的对称轴。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述屏蔽底板为长方形,所述多个屏蔽柱所在直线与所述屏蔽底板的边平行。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述多个屏蔽柱包括第一屏蔽柱、第二屏蔽柱、第三屏蔽柱,其中,所述第一屏蔽柱位于所述屏蔽底板的中心,所述第二屏蔽柱与所述第一屏蔽柱的距离、所述第三屏蔽柱与所述第一屏蔽柱的距离均为所述屏蔽底板中与所述多个屏蔽柱所在直线平行的边的长度的四分之一。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的装置,其特征在于,所述多个屏蔽柱中每个屏蔽柱的横截面的内接圆半径与所述测试设备的测试针的直径的比值大于或等于2,所述测试针用于在所述待测设备和所述测试设备之间进行射频信号的传输。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的装置,其特征在于,所述多个屏蔽柱中每个屏蔽柱与所述屏蔽底板螺纹连接。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的装置,其特征在于,还包括屏蔽侧壁,所述屏蔽侧壁环绕在所述屏蔽底板的边缘,并向所述屏蔽底板的上方延伸。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的装置,其特征在于,所述屏蔽部的当前高度是根据高度与射频信号频率的对应关系确定的,所述当前高度是所示屏蔽装置中设置的多个所述待测设备的当前射频信号频率对应的高度。
10.一种测试方法,其特征在于,所述方法包括:
获取权利要求1-9中任一项所述的屏蔽装置中设置的多个所述待测设备在目标时刻的目标射频信号频率;
根据高度与射频信号频率的对应关系,确定所述屏蔽部的目标高度,所述目标高度为所述目标射频信号对应的高度。
11.一种电子设备,其特征在于,包括处理器和存储器,所述存储器用于存储计算机程序,所述处理器用于从所述存储器中调用并运行所述计算机程序,使得所述电子设备执行权利要求10所述的方法。
12.一种芯片,其特征在于,包括处理器,当所述处理器执行指令时,所述处理器执行如权利要求10所述的方法。
13.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储了计算机程序,当所述计算机程序被处理器执行时,使得处理器执行如权利要求10所述的方法。
14.一种测试设备,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的屏蔽装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311294577.3A CN117092384B (zh) | 2023-10-09 | 屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311294577.3A CN117092384B (zh) | 2023-10-09 | 屏蔽装置、信息确定方法、电子设备和测试设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117092384A true CN117092384A (zh) | 2023-11-21 |
CN117092384B CN117092384B (zh) | 2024-06-28 |
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ID=
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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