CN117089840A - 一种低衰减电极的制备工艺及发热膜和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及导电发热材料技术领域，具体涉及一种低衰减电极的制备工艺及发热膜和应用，该低衰减电极的制备工艺，以金属材料作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，然后在金属层上通过水镀工艺将所述金属层增厚，进而形成低衰减电极。该制备工艺制得的电极牢固，不易脱落，并且电压衰减程度低，非常适合应用于大面积导电发热材料。该发热膜因电极非常牢固，不易脱落，而且具有电流损耗低，即电压衰减程度低的优点，经测试于5米内电压衰减仅为2％～5％以内，因此，该发热膜能够制成大尺寸的发热膜，且整体均匀发热性能好，适合应用于发热地板、发热墙板、发热地垫等大尺寸的导电发热材料。

Description

一种低衰减电极的制备工艺及发热膜和应用
技术领域
本发明涉及导电发热材料技术领域，具体涉及一种低衰减电极的制备工艺及发热膜和应用。
背景技术
目前，导电发热材料已经广泛应用于现代家用电器、生化用品、建筑、采暖工程、装饰装修等领域。其中，这类导电发热材料，一般都印刷或电镀有至少两道电极。实际应用中，将外界电源与这类导电发热材料的电极电性连接后，外界电源的电流流经电极，再由电极将接收到的电流传递到发热材料的导电物质上进而使发热材料产生热量。
现有技术中的电极制作工艺，一般是利用金属浆料直接在基材上通过印刷形成电极，或者是利用金属材料直接在基材上通过电镀形成电极。然而，现有技术的这类电极制作工艺，由于金属材料通过印刷或电镀附着在基材上，金属材料与基材之间的结合度不是十分牢固，容易脱落。另外，由于金属材料与基材之间的热胀冷缩比不同，在导电发热材料使用过程中反复加热冷却的情况下，电极更容易脱落。另外，这类通过印刷或电镀制作的电极，由于与基材的结合不是十分牢固，结合处的表面电阻比较大，导致通过电极传输的电流的衰减程度比较高。
另外，现有技术制作的电极如果应用于制备一些大尺寸的导电发热材料，电流的衰减情况更加严重，也即，现有工艺制备的电极并不适合应用于制备大尺寸的导电发热材料。其中，应用于现代家用电器或生化用品的导电发热材料，其尺寸通常比较小。应用于建筑、采暖工程、装饰装修等领域的导电发热材料，其尺寸通常比较大，因此，其导电发热材料的电压衰减严重，这些领域目前难以很好地应用导电发热材料。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的第一个目的在于提供一种低衰减电极的制备工艺，该制备工艺制得的电极牢固，不易脱落，并且电压衰减程度低，非常适合应用于大面积导电发热材料。
本发明的第二个目的在于提供一种发热膜，该发热膜的电极不易脱落，电压衰减程度低。
本发明的第三个目的在于提供一种发热膜的应用。
为实现上述发明的第一个目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以金属材料作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，然后在金属层上通过水镀工艺将所述金属层增厚，进而形成低衰减电极。
本发明的一种低衰减电极的制备工艺，以金属材料作为靶材，通过真空磁控溅射工艺在基材表面形成的纳米级金属层，由于金属原子与基材表面之间是微观形态下分子层面的结合，因此使得金属层与基材之间的结合非常牢固，解决了因金属电极与基材之间热胀冷缩比不同进而导电发热材料在使用中反复加热冷容易脱离的问题。另外，由于金属层与基材表面的结合为分子层面的结合，因此金属层与基材之间的电流传递时电流损耗时，也即电压衰减程度非常低，因此，非常适合应用于大面积导电发热材料。另外，通过溅射工艺形成纳米级金属层后，再通过水镀工艺将金属层增厚，进而形成低衰减电极，是为了降低生产成本，因通过溅射工艺直接形成足够厚度的低衰减电极，则成本非常高，因此通过水镀工艺将金属层增厚，不但能够降低生产成本，而且由于水镀工艺是在原金属层上再电镀金属层，因此结合度是非常好的，整体低衰减电极不易脱落，并且电压衰减程度非常低。
进一步的，进行溅射工艺前，先对所述基材表面不进行形成金属层的地方进行保护处理，然后在形成低衰减电极后，再去除所述保护处理。该保护处理为了能够基材的指定位置形成金属层，当最后形成低衰减电极后，再去除该保护处理即可，具有操作方便简单的特点。
进一步的，所述保护处理包括在所述基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜。其中，通过直接在基材表面不进行形成金属层的地方贴上防护膜的操作，不但操作简单，防护效果好，而且在最后形成低衰减电极后，直接撕掉该防护膜即可。
进一步的，所述金属材料包括铜、铝或银。其中，铜、铝或银均可以作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，而且铜、铝或银所形成的金属层，均具有较好的导电性，且均适合用做靶材通过溅射工艺形成金属层。
进一步的，所述基材包括绝缘层和导电层；所述溅射工艺是在所述基材的导电层表面形成金属层。其中，该基材的一面是绝缘层，相对的另外一面是导电层，金属层是形成在导电层上，以便使得金属层最终形成的电极通过外接电源，将电流传导到导电层上，进而形成发热的膜材料。
进一步的，所述绝缘层包括PC膜材料、TPU膜材料或PI膜材料；其中，PC膜材料是由聚碳酸酯制得的膜材料。TPU膜材料是由热塑性聚氨酯弹性体橡胶制得的膜材料。PI膜材料是指聚酰亚胺薄膜，由均苯四甲酸二酐和二胺基在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。其中，上述PC膜材料、TPU膜材料或PI膜材料不但具有较好的绝缘性，而且具有较好的柔韧性，便于后期制作发热膜材料。
进一步的，导电层为导电浆料经在所述绝缘层涂膜或喷膜形成的导电层；其中，通过导电浆料直接在绝缘层进行涂膜或者喷膜形成导电层，具有工艺简单，导电层的整体导电性能均匀，且易控制导电层的厚度的优点。
进一步的，所述导电浆料包括成膜介质和导电物质；其中，成膜介质一方面是用于使导电物质均匀分散其中的承载介质，另一方面是便于成膜形成导电层。
进一步的，所述成膜介质包括高分子化合物；其中，高分子化合物适合用作导电物质分散的承载介质，而且高分子化合物易于成膜形成导电层。其中，高分子化合物包括聚酰亚胺。其中，如选用聚酰亚胺，能使得形成的导电层具有耐高温的特点。
进一步的，所述导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合。其中，碳纳米管、石墨烯或导电炭黑均具有较好的导电性能，且易于均匀分散于成膜介质中，进而使得导电层能够整体导电而均匀发热，并且发热均匀性优异。
或，
进一步的，所述基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构；其中，通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构，能够很好地将具有导电性能的导电颗粒物通过压延形成膜状导电层，并且同时与绝缘材料进行共挤复合，在形成导电层的同时也形成了绝缘层，具有生产效率高，且实现了导电层发热均匀的优点。
进一步的，所述导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到；其中，采用热塑性弹性体作为导电物质的承载介质，是因为热塑性弹性体不但能让导电物质很好的分散于其中，并且使得所制得的导电颗粒物整体具有很好的导电性，而且具有很好的可塑性和挤出性，进而便于后续工序中挤压形成膜状的导电层。
进一步的，所述热塑性弹性体包括TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合；其中，TPU绝缘体为热塑性聚氨酯弹性体，其加工性能非常好，易于进行注射、挤出和压延的加工操作。其中，TPE绝缘体为热塑性弹性体，又称为人造橡胶或合成橡胶，其加工性能比较好，可采用注塑、挤出、吹塑、压延等加工方式。其中，SBS为苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物，能够进行挤压、注射、吹塑、压延等加工成型工艺。
进一步的，所述导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合；其中，碳纳米管、石墨烯或导电炭黑均具有较好的导电性能，且易于均匀分散于成膜介质中，进而使得导电层能够整体导电而均匀发热，并且发热均匀性优异。
进一步的，所述绝缘材料包括硅胶、TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合。其中，硅胶的别名是硅酸凝胶，其作为绝缘材料易于进行模压或膜内复合工序，具有较好的柔韧性。其中，TPU、TPE或SBS作为绝缘材料与导电颗粒物进行共挤加工复合，不但具有很有的可塑性、压延性和挤出性，而且由于导电颗粒物的承载物质也是TPU、TPE或SBS，进而使得共挤形成的绝缘层和导电层的双层复合结构，具有很好的紧密结合性能，能够形成很好的一体结构。
进一步的，所述溅射工艺形成的金属层的厚度为10nm～20nm。其中，通过溅射工艺形成厚度为10nm～20nm的金属层，是用以形成一个与基础牢固结合的金属界面，后续工序再通过水镀工艺将金属层增厚。该厚度的金属层已经足够形成较好的金属界面，而又不浪费材料，能够很好地控制生产成本。
进一步，所述低衰减电极的厚度为6μm～10μm。其中，该低衰减电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，该厚度的低衰减电极足以具有较好的导电性能，并且使得从电极将电流传输到导电层的电流损耗低，也即电压衰减程度低。
为实现上述发明的第二个目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供一种发热膜，包括上述所述的一种低衰减电极的制备工艺制得的低衰减电极。其中，本发明制得的发热膜，由于是采用本发明的一种低衰减电极的制备工艺制得低衰减电极，因此，该发热膜的电极非常牢固，不易脱落，而且具有电流损耗低，即电压衰减程度低的优点，其中，该发热膜经测试于5米内电压衰减仅为2％～5％以内，因此，该发热膜能够制成大尺寸的发热膜，由于衰减程度低因而不影响该大尺寸发热膜的整体均匀发热性能。
为实现上述发明的第三个目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供一种发热膜的应用，所述发热膜应用于制备大尺寸的导电发热材料；
所述大尺寸的导电发热材料包括发热地板、发热墙板、发热地垫。
其中，发热地板、发热墙板、发热地垫均为大尺寸的导电发热材料，现有技术中的通过印刷或电镀形成的电极，由于电流的损耗大，电压衰减程度高，因此难以制得整体发热均匀的发热地板、发热墙板、发热地垫。而由于本发明的发热膜的电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，电极的电流损耗小，电压衰减程度低，因此适合制备这类大尺寸的发热地板、发热墙板、发热地垫，并使得这类大尺寸的导电发热材料具有很好的整体发热均匀性。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
(1)本发明的一种低衰减电极的制备工艺，以金属材料作为靶材，通过真空磁控溅射工艺在基材表面形成的纳米级金属层，由于金属原子与基材表面之间是微观形态下分子层面的结合，因此使得金属层与基材之间的结合非常牢固，解决了因金属电极与基材之间热胀冷缩比不同进而导电发热材料在使用中反复加热冷容易脱离的问题。另外，由于金属层与基材表面的结合为分子层面的结合，因此金属层与基材之间的电流传递时电流损耗时，也即电压衰减程度非常低，因此，非常适合应用于大面积导电发热材料。另外，通过溅射工艺形成纳米级金属层后，再通过水镀工艺将金属层增厚，进而形成低衰减电极，是为了降低生产成本，因通过溅射工艺直接形成足够厚度的低衰减电极，则成本非常高，因此通过水镀工艺将金属层增厚，不但能够降低生产成本，而且由于水镀工艺是在原金属层上再电镀金属层，因此结合度是非常好的，整体低衰减电极不易脱落，并且电压衰减程度非常低。
(2)本发明的一种发热膜，由于是采用本发明的一种低衰减电极的制备工艺制得低衰减电极，因此，该发热膜的电极非常牢固，不易脱落，而且具有电流损耗低，即电压衰减程度低的优点，其中，该发热膜经测试于5米内电压衰减仅为2％～5％以内，因此，该发热膜能够制成大尺寸的发热膜，由于衰减程度低因而不影响该大尺寸发热膜的整体均匀发热性能。
(3)本发明的一种发热膜的应用，由于本发明的发热膜的电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，电极的电流损耗小，电压衰减程度低，因此适合制备大尺寸的导电发热材料，例如：发热地板、发热墙板、发热地垫，并使得这类大尺寸的导电发热材料具有很好的整体发热均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1的一种低衰减电极的制备工艺制得的低衰减电极的产品示意图；
图2是本发明实施例9的一种发热膜的产品示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发，实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”、“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
本发明的实施例中，一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以金属材料作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，然后在金属层上通过水镀工艺将所述金属层增厚，进而形成低衰减电极。
其中，溅射工艺是以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击靶材表面，使靶材近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出靶材表面的工艺。溅射只能在一定的真空状态下进行。
其中，水镀工艺是先配置专用“水镀”液，然后被镀件在室温(15℃～40℃)下，置于水镀液中，作轻微晃动，在较短的时间内(如镀银，仅需30秒)即可完成。
本发明的一种低衰减电极的制备工艺，以金属材料作为靶材，通过真空磁控溅射工艺在基材表面形成的纳米级金属层，由于金属原子与基材表面之间是微观形态下分子层面的结合，因此使得金属层与基材之间的结合非常牢固，解决了因金属电极与基材之间热胀冷缩比不同进而导电发热材料在使用中反复加热冷容易脱离的问题。另外，由于金属层与基材表面的结合为分子层面的结合，因此金属层与基材之间的电流传递时电流损耗时，也即电压衰减程度非常低，因此，非常适合应用于大面积导电发热材料。另外，通过溅射工艺形成纳米级金属层后，再通过水镀工艺将金属层增厚，进而形成低衰减电极，是为了降低生产成本，因通过溅射工艺直接形成足够厚度的低衰减电极，则成本非常高，因此通过水镀工艺将金属层增厚，不但能够降低生产成本，而且由于水镀工艺是在原金属层上再电镀金属层，因此结合度是非常好的，整体低衰减电极不易脱落，并且电压衰减程度非常低。
在一些实施例中，进行溅射工艺前，先对基材表面不进行形成金属层的地方进行保护处理，然后在形成低衰减电极后，再去除所述保护处理。该保护处理为了能够基材的指定位置形成金属层，当最后形成低衰减电极后，再去除该保护处理即可，具有操作方便简单的特点。
在一些实施例中，保护处理包括在所述基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜。其中，通过直接在基材表面不进行形成金属层的地方贴上防护膜的操作，不但操作简单，防护效果好，而且在最后形成低衰减电极后，直接撕掉该防护膜即可。
在一些实施例中，金属材料包括铜、铝或银。其中，铜、铝或银均可以作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，而且铜、铝或银所形成的金属层，均具有较好的导电性，且均适合用做靶材通过溅射工艺形成金属层。
在一些实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成金属层。其中，该基材的一面是绝缘层，相对的另外一面是导电层，金属层是形成在导电层上，以便使得金属层最终形成的电极通过外接电源，将电流传导到导电层上，进而形成发热的膜材料。
在一些实施例中，绝缘层包括PC膜材料、TPU膜材料或PI膜材料；其中，PC膜材料是由聚碳酸酯制得的膜材料。TPU膜材料是由热塑性聚氨酯弹性体橡胶制得的膜材料。PI膜材料是指聚酰亚胺薄膜，由均苯四甲酸二酐和二胺基在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。其中，上述PC膜材料、TPU膜材料或PI膜材料不但具有较好的绝缘性，而且具有较好的柔韧性，便于后期制作发热膜材料。
在一些实施例中，导电层为导电浆料经在所述绝缘层涂膜或喷膜形成的导电层；其中，通过导电浆料直接在绝缘层进行涂膜或者喷膜形成导电层，具有工艺简单，导电层的整体导电性能均匀，且易控制导电层的厚度的优点。
在一些实施例中，导电浆料包括成膜介质和导电物质；其中，成膜介质一方面是用于使导电物质均匀分散其中的承载介质，另一方面是便于成膜形成导电层。
在一些实施例中，成膜介质包括高分子化合物；其中，高分子化合物适合用作导电物质分散的承载介质，而且高分子化合物易于成膜形成导电层。其中，高分子化合物包括聚酰亚胺。其中，如选用聚酰亚胺，能使得形成的导电层具有耐高温的特点。
在一些实施例中，导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合。其中，碳纳米管、石墨烯或导电炭黑均具有较好的导电性能，且易于均匀分散于成膜介质中，进而使得导电层能够整体导电而均匀发热，并且发热均匀性优异。
或，
在一些实施例中，基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构；其中，通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构，能够很好地将具有导电性能的导电颗粒物通过压延形成膜状导电层，并且同时与绝缘材料进行共挤复合，在形成导电层的同时也形成了绝缘层，具有生产效率高，且实现了导电层发热均匀的优点。
在一些实施例中，导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到；其中，采用热塑性弹性体作为导电物质的承载介质，是因为热塑性弹性体不但能让导电物质很好的分散于其中，并且使得所制得的导电颗粒物整体具有很好的导电性，而且具有很好的可塑性和挤出性，进而便于后续工序中挤压形成膜状的导电层。
在一些实施例中，热塑性弹性体包括TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合；其中，TPU绝缘体为热塑性聚氨酯弹性体，其加工性能非常好，易于进行注射、挤出和压延的加工操作。其中，TPE绝缘体为热塑性弹性体，又称为人造橡胶或合成橡胶，其加工性能比较好，可采用注塑、挤出、吹塑、压延等加工方式。其中，SBS为苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物，能够进行挤压、注射、吹塑、压延等加工成型工艺。
在一些实施例中，导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合；其中，碳纳米管、石墨烯或导电炭黑均具有较好的导电性能，且易于均匀分散于成膜介质中，进而使得导电层能够整体导电而均匀发热，并且发热均匀性优异。
在一些实施例中，绝缘材料包括硅胶、TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合。其中，硅胶的别名是硅酸凝胶，其作为绝缘材料易于进行模压或膜内复合工序，具有较好的柔韧性。其中，TPU、TPE或SBS作为绝缘材料与导电颗粒物进行共挤加工复合，不但具有很有的可塑性、压延性和挤出性，而且由于导电颗粒物的承载物质也是TPU、TPE或SBS，进而使得共挤形成的绝缘层和导电层的双层复合结构，具有很好的紧密结合性能，能够形成很好的一体结构。
在一些实施例中，溅射工艺形成的金属层的厚度为10nm～20nm。其中，通过溅射工艺形成厚度为10nm～20nm的金属层，是用以形成一个与基础牢固结合的金属界面，后续工序再通过水镀工艺将金属层增厚。该厚度的金属层已经足够形成较好的金属界面，而又不浪费材料，能够很好地控制生产成本。
在一些实施例中，低衰减电极的厚度为6μm～10μm。其中，该低衰减电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，该厚度的低衰减电极足以具有较好的导电性能，并且使得从电极将电流传输到导电层的电流损耗低，也即电压衰减程度低。
本发明实施例中，一种发热膜，包括上述的一种低衰减电极的制备工艺制得的低衰减电极。其中，本发明制得的发热膜，由于是采用本发明的一种低衰减电极的制备工艺制得低衰减电极，因此，该发热膜的电极非常牢固，不易脱落，而且具有电流损耗低，即电压衰减程度低的优点，其中，该发热膜经测试于5米内电压衰减仅为2％～5％以内，因此，该发热膜能够制成大尺寸的发热膜，由于衰减程度低因而不影响该大尺寸发热膜的整体均匀发热性能。
本发明的实施例中，一种发热膜的应用，发热膜应用于制备大尺寸的导电发热材料；
在一些实施例中，大尺寸的导电发热材料包括发热地板、发热墙板、发热地垫。
其中，发热地板、发热墙板、发热地垫均为大尺寸的导电发热材料，现有技术中的通过印刷或电镀形成的电极，由于电流的损耗大，电压衰减程度高，因此难以制得整体发热均匀的发热地板、发热墙板、发热地垫。而由于本发明的发热膜的电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，电极的电流损耗小，电压衰减程度低，因此适合制备这类大尺寸的发热地板、发热墙板、发热地垫，并使得这类大尺寸的导电发热材料具有很好的整体发热均匀性。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以铜作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铜层，然后在铜层上通过水镀工艺将铜层增厚，进而形成低衰减电极。其中，增厚层的金属为铜层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铜层。
本实施例中，绝缘层为PC膜材料。
本实施例中，导电层为导电浆料经在绝缘层涂膜形成的导电层；导电浆料包括成膜介质和导电物质；成膜介质包括高分子化合物。
本实施例中，导电物质为碳纳米管。
本实施例中，溅射工艺形成的金属层的厚度为15nm。低衰减电极的厚度为8μm。
其中，本实施例制得的一种低衰减电极，如图1所示，为铜层电极。
实施例2
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以铝作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铝层，然后在铝层上通过水镀工艺将铝层增厚，进而形成低衰减电极。其中，增厚层的金属为铝层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铝层。
本实施例中，绝缘层为TPU膜材料；
本实施例中，导电层为导电浆料经在绝缘层喷膜形成的导电层；导电浆料包括成膜介质和导电物质；成膜介质包括高分子化合物。
本实施例中，导电物质为石墨烯。
本实施例中，溅射工艺形成的金属层的厚度为10nm。低衰减电极的厚度为6μm。
实施例3
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以银作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成银层，然后在银层上通过水镀工艺将银层增厚，进而形成低衰减电极。其中，增厚层的金属为银层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成银层。
本实施例中，绝缘层为PI膜材料；
本实施例中，导电层为导电浆料经在绝缘层涂膜形成的导电层；导电浆料包括成膜介质和导电物质；成膜介质包括高分子化合物。
本实施例中，导电物质为导电炭黑。
本实施例中，溅射工艺形成的金属层的厚度为20nm。低衰减电极的厚度为10μm。
实施例4
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：以铜作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铜层，然后在铜层上通过水镀工艺将铜层增厚，进而形成低衰减电极。其中，增厚层的金属为铝层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铜层。
本实施例中，绝缘层为PC膜材料；
本实施例中，导电层为导电浆料经在绝缘层喷膜形成的导电层；导电浆料包括成膜介质和导电物质；成膜介质包括高分子化合物。
本实施例中，导电物质包括碳纳米管、石墨烯和导电炭黑的组合。
本实施例中，溅射工艺形成的金属层的厚度为12nm。低衰减电极的厚度为7μm。
实施例5
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：先对基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜，以铜作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铜层，然后在铜层上通过水镀工艺将铜层增厚，进而形成低衰减电极，然后再撕掉防护膜。其中，增厚层的金属为铜层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铜层。
本实施例中，基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构。其中，导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到。
本实施例中，热塑性弹性体为TPU。
本实施例中，导电物质为碳纳米管和石墨烯的组合。
本实施例中，绝缘材料为硅胶。
实施例6
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：先对基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜，以铝作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铝层，然后在铝层上通过水镀工艺将铝层增厚，进而形成低衰减电极，然后再撕掉防护膜。其中，增厚层的金属为银层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铝层。
本实施例中，基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构。其中，导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到。
本实施例中，热塑性弹性体为TPE。
本实施例中，导电物质为碳纳米管和导电炭黑的组合。
本实施例中，绝缘材料为TPU。
实施例7
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：先对基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜，以银作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成银层，然后在银层上通过水镀工艺将银层增厚，进而形成低衰减电极，然后再撕掉防护膜。其中，增厚层的金属为银层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成银层。
本实施例中，基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构。其中，导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到。
本实施例中，热塑性弹性体为SBS。
本实施例中，导电物质为碳纳米管。
本实施例中，绝缘材料为TPE。
实施例8
本实施例的一种低衰减电极的制备工艺，包括以下步骤：先对基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜，以铜作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成铜层，然后在铜层上通过水镀工艺将铜层增厚，进而形成低衰减电极，然后再撕掉防护膜。其中，增厚层的金属为铝层。
本实施例中，基材包括绝缘层和导电层；溅射工艺是在基材的导电层表面形成铜层。
本实施例中，基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构。其中，导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到。
本实施例中，热塑性弹性体为TPU和TPE的组合。
本实施例中，导电物质为碳纳米管。
本实施例中，绝缘材料为TPE和SBS的组合。
实施例9
一种发热膜，包括上述实施例的一种低衰减电极的制备工艺制得的低衰减电极。该发热膜的电极非常牢固，不易脱落，而且具有电流损耗低，即电压衰减程度低的优点，其中，该发热膜经测试于5米内电压衰减仅为2％～5％以内，因此，该发热膜能够制成大尺寸的发热膜，由于衰减程度低因而不影响该大尺寸发热膜的整体均匀发热性能。
其中，本实施例制得的一种发热膜的产品示意图，如图2所示。
实施例10
一种发热膜的应用，将实施例9制得的发热膜应用于制备大尺寸的导电发热材料。这类大尺寸的导电发热材料包括发热地板、发热墙板、发热地垫。
其中，由于发热膜的电极是由溅射工艺形成的金属层和水镀工艺增厚的金属层最终制得，电极的电流损耗小，电压衰减程度低，因此适合制备这类大尺寸的发热地板、发热墙板、发热地垫，并使得这类大尺寸的导电发热材料具有很好的整体发热均匀性。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：以金属材料作为靶材通过溅射工艺在基材表面形成金属层，然后在金属层上通过水镀工艺将所述金属层增厚，进而形成低衰减电极。
2.如权利要求1所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，进行溅射工艺前，先对所述基材表面不进行形成金属层的地方进行保护处理，然后在形成低衰减电极后，再去除所述保护处理。
3.如权利要求2所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述保护处理包括在所述基材表面不进行形成金属层的地方进行贴上防护膜。
4.如权利要求1所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述金属材料包括铜、铝或银。
5.如权利要求1所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述基材包括绝缘层和导电层；所述溅射工艺是在所述基材的导电层表面形成金属层。
6.如权利要求5所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述绝缘层包括PC膜材料、TPU膜材料或PI膜材料；和/或
所述导电层为导电浆料经在所述绝缘层涂膜或喷膜形成的导电层；和/或
所述导电浆料包括成膜介质和导电物质；和/或
所述成膜介质包括高分子化合物；和/或
所述导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合。
7.如权利要求5所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述基材是通过将导电颗粒物和绝缘材料进行双层共挤复合为片材，形成绝缘层与导电层的双层复合结构；和/或
所述导电颗粒物是将热塑性弹性体与导电物质混合，然后进行挤出成型得到；和/或
所述热塑性弹性体包括TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合；和/或
所述导电物质包括碳纳米管、石墨烯或导电炭黑中的一种或两种以上的组合；和/或
所述绝缘材料包括硅胶、TPU、TPE或SBS中的一种或两种以上的组合。
8.如权利要求1所述的一种低衰减电极的制备工艺，其特征在于，所述溅射工艺形成的金属层的厚度为10nm～20nm；和/或
所述低衰减电极的厚度为6μm～10μm。
9.一种发热膜，其特征在于，包括权利要求1至8任意一项所述的一种低衰减电极的制备工艺制得的低衰减电极。
10.权利要求9所述的一种发热膜的应用，其特征在于，所述发热膜应用于制备大尺寸的导电发热材料；
所述大尺寸的导电发热材料包括发热地板、发热墙板、发热地垫。
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